JPH04268069A - 蒸着装置 - Google Patents
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- JPH04268069A JPH04268069A JP4880491A JP4880491A JPH04268069A JP H04268069 A JPH04268069 A JP H04268069A JP 4880491 A JP4880491 A JP 4880491A JP 4880491 A JP4880491 A JP 4880491A JP H04268069 A JPH04268069 A JP H04268069A
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、蒸着装置に関し、詳し
くは、蒸発源とこの蒸発源からの蒸気流の通過を規制す
る規制部材とを固定配置して基板を横方向に往復移動さ
せるタイプの装置であって、規制部材と基板との間に2
枚の防着板を設けて蒸発源物質の飛散を防止するように
した蒸着装置に関する。
くは、蒸発源とこの蒸発源からの蒸気流の通過を規制す
る規制部材とを固定配置して基板を横方向に往復移動さ
せるタイプの装置であって、規制部材と基板との間に2
枚の防着板を設けて蒸発源物質の飛散を防止するように
した蒸着装置に関する。
【0002】
【従来の技術】蒸着装置は、一般に、蒸発源を加熱して
蒸気流を形成し、この蒸気流の構成物質を基板上に堆積
させて蒸着膜を形成する装置であり、従来においては、
線状蒸発源がチャンバ内に固定配置され、この蒸発源の
上方において、開口部を有する規制部材が線状の蒸発源
と平行に固定配置され、この規制部材の上方において、
基板が搬送用ワイヤにより往復移動される構成の蒸着装
置が提案されている(特願昭61−234137号明細
書参照) 。
蒸気流を形成し、この蒸気流の構成物質を基板上に堆積
させて蒸着膜を形成する装置であり、従来においては、
線状蒸発源がチャンバ内に固定配置され、この蒸発源の
上方において、開口部を有する規制部材が線状の蒸発源
と平行に固定配置され、この規制部材の上方において、
基板が搬送用ワイヤにより往復移動される構成の蒸着装
置が提案されている(特願昭61−234137号明細
書参照) 。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の蒸着装置では、蒸発源と規制部材とが固定され、
基板が往復移動される構成であるため、規制部材の開口
部が基板により全部覆われているときは問題はないが、
基板が当該開口部から外れたときには、蒸発源物質が基
板の上方にも飛散するようになり、基板の裏面汚れが発
生したり、チャンバ内壁の汚染が生ずる問題があった。 特に、この問題は厚膜の蒸着膜を形成する場合には顕著
であった。この問題を解決するために、基板の保持台の
一端側および他端側にそれぞれ防着板を連結することが
考えられる。しかし、このような手段では、チャンバ内
において必要とされる占有スペースが大きくなるため、
装置が大型化し、しかも排気能力の強化が必要となる不
利がある。そこで、本発明の目的は、防着板を有しなが
ら占有スペースを大きくすることがなく、従って、装置
の大型化および排気能力の強化を図る必要のないコンパ
クトな構造の蒸着装置を提供することにある。
従来の蒸着装置では、蒸発源と規制部材とが固定され、
基板が往復移動される構成であるため、規制部材の開口
部が基板により全部覆われているときは問題はないが、
基板が当該開口部から外れたときには、蒸発源物質が基
板の上方にも飛散するようになり、基板の裏面汚れが発
生したり、チャンバ内壁の汚染が生ずる問題があった。 特に、この問題は厚膜の蒸着膜を形成する場合には顕著
であった。この問題を解決するために、基板の保持台の
一端側および他端側にそれぞれ防着板を連結することが
考えられる。しかし、このような手段では、チャンバ内
において必要とされる占有スペースが大きくなるため、
装置が大型化し、しかも排気能力の強化が必要となる不
利がある。そこで、本発明の目的は、防着板を有しなが
ら占有スペースを大きくすることがなく、従って、装置
の大型化および排気能力の強化を図る必要のないコンパ
クトな構造の蒸着装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明の蒸着装置は、蒸発源と、この蒸発源の上方に
配置された基板を横方向に往復移動可能に保持する保持
台と、前記基板と前記蒸発源との間に配置された、前記
蒸発源からの蒸気流の通過を規制する規制部材と、この
規制部材と前記基板との間において横方向に往復移動可
能に設けられた、当該規制部材の開口部よりも大きな面
積を有する2枚の防着板とを備えてなる蒸着装置におい
て、前記規制部材の開口部が基板によりすべて覆われて
いるときは、前記2枚の防着板をそれぞれ前記規制部材
の開口部から外れた両側の位置に停止させ、前記規制部
材の開口部が基板によりすべて覆われていないときは、
いずれか一方の防着板を保持台とともに移動させて当該
開口部を覆う防着板移動機構を設けたことを特徴とする
。
、本発明の蒸着装置は、蒸発源と、この蒸発源の上方に
配置された基板を横方向に往復移動可能に保持する保持
台と、前記基板と前記蒸発源との間に配置された、前記
蒸発源からの蒸気流の通過を規制する規制部材と、この
規制部材と前記基板との間において横方向に往復移動可
能に設けられた、当該規制部材の開口部よりも大きな面
積を有する2枚の防着板とを備えてなる蒸着装置におい
て、前記規制部材の開口部が基板によりすべて覆われて
いるときは、前記2枚の防着板をそれぞれ前記規制部材
の開口部から外れた両側の位置に停止させ、前記規制部
材の開口部が基板によりすべて覆われていないときは、
いずれか一方の防着板を保持台とともに移動させて当該
開口部を覆う防着板移動機構を設けたことを特徴とする
。
【0005】
【作用】防着板移動機構により、規制部材の開口部がす
べて基板により覆われていないときは、いずれか一方の
防着板が基板の保持台とともに移動して開口部を覆うの
で、この防着板により基板の裏面汚れやチャンバ内壁の
汚染が防止される。しかも、基板とともに移動する防着
板がいずれか一方であるので、2枚の防着板をそれぞれ
基板の両端に連結して移動させる従来の装置に比較して
、チャンバ内の基板の移動方向における必要な占有スペ
ースが小さくなる。従って、装置の小型化および排気能
力の節減を図ることができ、装置を経済的に設計するこ
とができる。また、防着板の機能が十分に発揮されるた
め、蒸発源物質の回収率も向上し、蒸発源の経済的な使
用が可能となる。特に、輝尽性蛍光体を蒸発源として用
いる場合には、高価格であるので、このメリットはきわ
めて重要である。
べて基板により覆われていないときは、いずれか一方の
防着板が基板の保持台とともに移動して開口部を覆うの
で、この防着板により基板の裏面汚れやチャンバ内壁の
汚染が防止される。しかも、基板とともに移動する防着
板がいずれか一方であるので、2枚の防着板をそれぞれ
基板の両端に連結して移動させる従来の装置に比較して
、チャンバ内の基板の移動方向における必要な占有スペ
ースが小さくなる。従って、装置の小型化および排気能
力の節減を図ることができ、装置を経済的に設計するこ
とができる。また、防着板の機能が十分に発揮されるた
め、蒸発源物質の回収率も向上し、蒸発源の経済的な使
用が可能となる。特に、輝尽性蛍光体を蒸発源として用
いる場合には、高価格であるので、このメリットはきわ
めて重要である。
【0006】
【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
図1は、本発明の蒸着装置の構成の概略を模式的に示す
説明図であって、チャンバ1内の下方に蒸発源8が固定
配置され、この蒸発源8の上方に蒸発源8からの蒸気流
の通過を規制する開口部5を有する規制部材4が固定配
置され、この規制部材4の上方において、基板2が保持
台3によって横方向に一体的に移動可能に設けられてい
る。規制部材4と基板2の移動路との間において、規制
部材4の開口部5よりも大きな面積を有する2枚の防着
板6,7が横方向に移動可能に並んで配置されている。 9は電子銃を内蔵した蒸発源容器、10は電子ビーム、
11はメインバルブ、12は補助バルブである。メイン
バルブ11、補助バルブ12は、排気装置 (図示省略
) と連動して、チャンバ1内を所定の真空度にするた
めに使用される。
説明図であって、チャンバ1内の下方に蒸発源8が固定
配置され、この蒸発源8の上方に蒸発源8からの蒸気流
の通過を規制する開口部5を有する規制部材4が固定配
置され、この規制部材4の上方において、基板2が保持
台3によって横方向に一体的に移動可能に設けられてい
る。規制部材4と基板2の移動路との間において、規制
部材4の開口部5よりも大きな面積を有する2枚の防着
板6,7が横方向に移動可能に並んで配置されている。 9は電子銃を内蔵した蒸発源容器、10は電子ビーム、
11はメインバルブ、12は補助バルブである。メイン
バルブ11、補助バルブ12は、排気装置 (図示省略
) と連動して、チャンバ1内を所定の真空度にするた
めに使用される。
【0007】この蒸着装置では、防着板移動機構(図1
では省略)により、2枚の防着板6,7の移動動作が以
下のように制御される。 (1)図2の(a)に示すように、規制部材4の開口部
5が基板2によりまったく覆われていないときは、一方
の防着板6が開口部5の全部を覆い、他方の防着板7は
開口部5の左端より左側の待機位置で静止する状態とな
る。 (2)基板2が保持台3とともに右側に移動を開始する
と、一方の防着板6も保持台3とともに右側へ追随移動
し、開口部5が徐々に開かれていき、蒸発源8からの蒸
気流が基板2の被蒸着面に到達するようになる。 (3)基板2の右端が開口部5の右端を超えると、図2
の(b)に示すように、開口部5が基板2により完全に
覆われるようになり、一方の防着板6の右方向への移動
が停止して右側の待機位置で静止する。 (4)基板2がさらに右側へ移動してその左端が開口部
5の左端を通過する際には、他方の防着板7が保持台3
に追随して移動を開始するようになり、この防着板7に
より開口部5が次第に覆われていく状態となる。 (5)基板2の左端が開口部5の右端を通過すると、図
2の(c)に示すように、他方の防着板7が開口部5を
完全に覆う状態で静止する。 (6)基板2が保持台3とともに逆方向すなわち左側方
向に移動を開始すると、上記の動作が逆の順番で繰り返
されて始めの図2の(a)の状態に復帰する。
では省略)により、2枚の防着板6,7の移動動作が以
下のように制御される。 (1)図2の(a)に示すように、規制部材4の開口部
5が基板2によりまったく覆われていないときは、一方
の防着板6が開口部5の全部を覆い、他方の防着板7は
開口部5の左端より左側の待機位置で静止する状態とな
る。 (2)基板2が保持台3とともに右側に移動を開始する
と、一方の防着板6も保持台3とともに右側へ追随移動
し、開口部5が徐々に開かれていき、蒸発源8からの蒸
気流が基板2の被蒸着面に到達するようになる。 (3)基板2の右端が開口部5の右端を超えると、図2
の(b)に示すように、開口部5が基板2により完全に
覆われるようになり、一方の防着板6の右方向への移動
が停止して右側の待機位置で静止する。 (4)基板2がさらに右側へ移動してその左端が開口部
5の左端を通過する際には、他方の防着板7が保持台3
に追随して移動を開始するようになり、この防着板7に
より開口部5が次第に覆われていく状態となる。 (5)基板2の左端が開口部5の右端を通過すると、図
2の(c)に示すように、他方の防着板7が開口部5を
完全に覆う状態で静止する。 (6)基板2が保持台3とともに逆方向すなわち左側方
向に移動を開始すると、上記の動作が逆の順番で繰り返
されて始めの図2の(a)の状態に復帰する。
【0008】図3は、防着板移動機構の一例の説明図で
あり、保持台3の端部に設けたツメ13と、防着板6の
端部に設けたツメ14と、ワイヤ15と、ストッパー1
6と、おもり17とにより防着板移動機構が構成されて
いる。保持台3が左側に移動するときは、保持台3のツ
メ13が防着板6のツメ14に係合して防着板6が左側
に追随して移動する。このとき防着板6にワイヤ15で
連結されているおもり17も重力に抗して一緒に移動す
る。保持台3が右側に移動するときは、防着板6はおも
り17の重力により右側に引っ張られるが、ツメ13と
ツメ14とが係合しているため保持台3と同時に移動す
る。防着板6が右側に移動してその左端が規制部材4の
開口部5の右端を超えて移動するとストッパー16に衝
突してその移動が停止される。一方、保持台3は引き続
いて右側に移動されるが、基板2の左端が規制部材4の
開口部5の右端を超えて移動した時点で、保持台3の移
動方向が逆方向すなわち左側方向に切り換えられる。
あり、保持台3の端部に設けたツメ13と、防着板6の
端部に設けたツメ14と、ワイヤ15と、ストッパー1
6と、おもり17とにより防着板移動機構が構成されて
いる。保持台3が左側に移動するときは、保持台3のツ
メ13が防着板6のツメ14に係合して防着板6が左側
に追随して移動する。このとき防着板6にワイヤ15で
連結されているおもり17も重力に抗して一緒に移動す
る。保持台3が右側に移動するときは、防着板6はおも
り17の重力により右側に引っ張られるが、ツメ13と
ツメ14とが係合しているため保持台3と同時に移動す
る。防着板6が右側に移動してその左端が規制部材4の
開口部5の右端を超えて移動するとストッパー16に衝
突してその移動が停止される。一方、保持台3は引き続
いて右側に移動されるが、基板2の左端が規制部材4の
開口部5の右端を超えて移動した時点で、保持台3の移
動方向が逆方向すなわち左側方向に切り換えられる。
【0009】図4は、防着板移動機構の他の例の説明図
であり、図3において、おもり17の代わりにバネ18
を用いたほかは同様にして防着板移動機構が構成されて
いる。すなわち、図3では重力を利用して防着板6を右
側へ移動させているが、図4ではバネ18の弾性力を利
用して防着板6を右側へ移動させている。
であり、図3において、おもり17の代わりにバネ18
を用いたほかは同様にして防着板移動機構が構成されて
いる。すなわち、図3では重力を利用して防着板6を右
側へ移動させているが、図4ではバネ18の弾性力を利
用して防着板6を右側へ移動させている。
【0010】図5は、防着板移動機構のさらに他の例の
説明図であり、保持台3の端部に設けた電磁石19と、
この電磁石19の動作を制御する搬送制御システム20
とにより防着板移動機構が構成されている。電磁石19
が開口部5の右端21よりも右側にあるときは、当該電
磁石19はオフ状態であり、防着板6は開口部5の右端
21よりも右側の待機位置で静止している。保持台3が
左側に移動し電磁石19が開口部5の右端21の位置に
くると電磁石19がオン状態となり、防着板6が保持台
3に吸引されて保持台3とともに左側へ移動を開始する
。電磁石19が開口部5の左端22の位置にくると、保
持台3の移動方向が逆方向すなわち右側方向に切り換え
られる。そして電磁石19が開口部5の右端21の位置
にきたところで電磁石19がオフ状態となり、防着板6
が保持台3より切り離され、最初の位置すなわち開口部
5の右端21よりも右側の待機位置で静止する。なお、
本発明においては、保持台の移動力を利用せずに、防着
板専用の移動手段を設けて、基板の位置検出手段と連動
させて、防着板を移動制御するようにしてもよい。
説明図であり、保持台3の端部に設けた電磁石19と、
この電磁石19の動作を制御する搬送制御システム20
とにより防着板移動機構が構成されている。電磁石19
が開口部5の右端21よりも右側にあるときは、当該電
磁石19はオフ状態であり、防着板6は開口部5の右端
21よりも右側の待機位置で静止している。保持台3が
左側に移動し電磁石19が開口部5の右端21の位置に
くると電磁石19がオン状態となり、防着板6が保持台
3に吸引されて保持台3とともに左側へ移動を開始する
。電磁石19が開口部5の左端22の位置にくると、保
持台3の移動方向が逆方向すなわち右側方向に切り換え
られる。そして電磁石19が開口部5の右端21の位置
にきたところで電磁石19がオフ状態となり、防着板6
が保持台3より切り離され、最初の位置すなわち開口部
5の右端21よりも右側の待機位置で静止する。なお、
本発明においては、保持台の移動力を利用せずに、防着
板専用の移動手段を設けて、基板の位置検出手段と連動
させて、防着板を移動制御するようにしてもよい。
【0011】以上の図3〜図5の各実施例において、基
板2の幅方向の長さ(図3〜図5で紙面の左右方向の長
さ)をL1 、規制部材4の開口部5の移動方向の長さ
をL2 とすると、チャンバ1の必要最小限の長さ(図
3〜図5で紙面の左右方向の長さ)は、概ね、従来の装
置では2L1 +3L2 、図3〜図5の装置では2L
1 +L2 となる。例えば、L1 =430 mm、
L2 =150 mmの場合においては、チャンバ1の
必要最小限の長さは、概ね、次のとおりとなる。 従来の装置: 1310mm図
3〜図5の装置: 1010mmこの占有ス
ペースの節約効果は、L2 が長いほど顕著となる。
板2の幅方向の長さ(図3〜図5で紙面の左右方向の長
さ)をL1 、規制部材4の開口部5の移動方向の長さ
をL2 とすると、チャンバ1の必要最小限の長さ(図
3〜図5で紙面の左右方向の長さ)は、概ね、従来の装
置では2L1 +3L2 、図3〜図5の装置では2L
1 +L2 となる。例えば、L1 =430 mm、
L2 =150 mmの場合においては、チャンバ1の
必要最小限の長さは、概ね、次のとおりとなる。 従来の装置: 1310mm図
3〜図5の装置: 1010mmこの占有ス
ペースの節約効果は、L2 が長いほど顕著となる。
【0012】蒸発源8として輝尽性蛍光体を用いた場合
には、基板2上において蒸気流の流線方向に平行に微細
柱状結晶が成長するので、特に、規制部材4は輝尽性蛍
光体の結晶の成長方向を揃えるために有効である。また
、基板2の被蒸着面に至る蒸気流の流線の入射方向を調
整することにより、輝尽性蛍光体層における微細柱状結
晶の成長方向を制御することもでき、輝尽励起光の照射
および輝尽発光の集光に最も好都合な輝尽性蛍光体層を
形成することが可能となる。輝尽性蛍光体層における微
細柱状結晶の成長方向は、輝尽励起光を一次元照射し一
次元集光面を有する集光部材で集光する場合には基板2
の被蒸着面に対して直角であることが好ましい。
には、基板2上において蒸気流の流線方向に平行に微細
柱状結晶が成長するので、特に、規制部材4は輝尽性蛍
光体の結晶の成長方向を揃えるために有効である。また
、基板2の被蒸着面に至る蒸気流の流線の入射方向を調
整することにより、輝尽性蛍光体層における微細柱状結
晶の成長方向を制御することもでき、輝尽励起光の照射
および輝尽発光の集光に最も好都合な輝尽性蛍光体層を
形成することが可能となる。輝尽性蛍光体層における微
細柱状結晶の成長方向は、輝尽励起光を一次元照射し一
次元集光面を有する集光部材で集光する場合には基板2
の被蒸着面に対して直角であることが好ましい。
【0013】蒸発源8として輝尽性蛍光体を用いる場合
は、この輝尽性蛍光体を均一に溶解させるか、プレスま
たはホットプレスにより成形された形態で蒸発源容器9
に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好まし
い。輝尽性蛍光体層を形成するための蒸発源8としては
、輝尽性蛍光体そのものである必要はなく、輝尽性蛍光
体を構成する原料を混和したものであってもよい。
は、この輝尽性蛍光体を均一に溶解させるか、プレスま
たはホットプレスにより成形された形態で蒸発源容器9
に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好まし
い。輝尽性蛍光体層を形成するための蒸発源8としては
、輝尽性蛍光体そのものである必要はなく、輝尽性蛍光
体を構成する原料を混和したものであってもよい。
【0014】蒸発源8が仕込まれた蒸発源容器9と基板
2との間隔は、蒸発源8の平均飛程に合わせて決定され
るが、蒸発源8として輝尽性蛍光体を用いる場合には、
概ね10〜40cmとされる。蒸着時においては、基板
2は、加熱ヒータ(図示省略)によって加熱してもよい
。蒸着を開始する前においては、メインバルブ11等を
操作してチャンバ1内の気体を排除し、10−4〜10
−6Torr程度の真空度に維持するのがよい。なお、
この際、アルゴン等の不活性ガスをチャンバ1内に混入
してもよい。
2との間隔は、蒸発源8の平均飛程に合わせて決定され
るが、蒸発源8として輝尽性蛍光体を用いる場合には、
概ね10〜40cmとされる。蒸着時においては、基板
2は、加熱ヒータ(図示省略)によって加熱してもよい
。蒸着を開始する前においては、メインバルブ11等を
操作してチャンバ1内の気体を排除し、10−4〜10
−6Torr程度の真空度に維持するのがよい。なお、
この際、アルゴン等の不活性ガスをチャンバ1内に混入
してもよい。
【0015】また、互いに異なる蒸発源を仕込んだ蒸発
源容器の複数個をチャンバ内に設置し、これらの蒸発源
を順次蒸発させて蒸着を行い、基板上に複数種の輝尽性
蛍光体からなる堆積層を形成してもよい。
源容器の複数個をチャンバ内に設置し、これらの蒸発源
を順次蒸発させて蒸着を行い、基板上に複数種の輝尽性
蛍光体からなる堆積層を形成してもよい。
【0016】蒸着時においては、必要に応じて基板2を
冷却してもよい。蒸着終了後は、必要に応じて蒸着膜を
加熱処理(アニリーング)してもよい。また蒸着時には
、チャンバ1内に必要に応じてO2 、H2 等のガス
を導入して反応性蒸着を行ってもよい。また蒸発源の加
熱手段としては、電子ビームのほかに、抵抗加熱手段を
採用してもよい。
冷却してもよい。蒸着終了後は、必要に応じて蒸着膜を
加熱処理(アニリーング)してもよい。また蒸着時には
、チャンバ1内に必要に応じてO2 、H2 等のガス
を導入して反応性蒸着を行ってもよい。また蒸発源の加
熱手段としては、電子ビームのほかに、抵抗加熱手段を
採用してもよい。
【0017】蒸発源8として輝尽性蛍光体を用いた場合
には、X線デバイス、例えば放射線画像変換パネルに使
用される輝尽性蛍光体層を形成することができる。この
輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線に対する感度、輝尽性
蛍光体の種類等によって異なるが、放射線の吸収率を高
めて放射線感度を向上させ、また画像の粒状性を良好に
し、さらに輝尽性蛍光体層中での横方向への光の広がり
を防止して画像の鮮鋭性を良好にする観点から、200
μm以上であることが好ましい。放射線画像変換パネ
ルに使用される輝尽性蛍光体層の堆積速度は、輝尽性蛍
光体の種類等によって異なるが、0.01〜1000μ
m/分が好ましく、特に 0.1〜100 μm/分が
好ましい。堆積速度が0.01μm/分未満の場合は輝
尽性蛍光体層の形成効率が悪く、逆に堆積速度が100
0μm/分を超える場合は堆積速度のコントロールが困
難となり好ましくない。
には、X線デバイス、例えば放射線画像変換パネルに使
用される輝尽性蛍光体層を形成することができる。この
輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線に対する感度、輝尽性
蛍光体の種類等によって異なるが、放射線の吸収率を高
めて放射線感度を向上させ、また画像の粒状性を良好に
し、さらに輝尽性蛍光体層中での横方向への光の広がり
を防止して画像の鮮鋭性を良好にする観点から、200
μm以上であることが好ましい。放射線画像変換パネ
ルに使用される輝尽性蛍光体層の堆積速度は、輝尽性蛍
光体の種類等によって異なるが、0.01〜1000μ
m/分が好ましく、特に 0.1〜100 μm/分が
好ましい。堆積速度が0.01μm/分未満の場合は輝
尽性蛍光体層の形成効率が悪く、逆に堆積速度が100
0μm/分を超える場合は堆積速度のコントロールが困
難となり好ましくない。
【0018】放射線画像変換パネルに使用される輝尽性
蛍光体は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射
された後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的
等の刺激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高エネ
ルギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体
であるが、実用的な面から好ましくは 500nm以上
の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。こ
の輝尽性蛍光体としては、例えば特開昭48− 804
87号公報に記載されているBaSO4 :AX、特開
昭48− 80489号公報に記載されているSrSO
4 :AX、特開昭53− 39277号公報に記載さ
れているLi2 B4 O7 :Cu,Ag等、特開昭
54− 47883号公報に記載されているLi2 O
・(B2 O2 )x :CuおよびLi2 O・(B
2 O2 )x :Cu,Ag等、米国特許第 3,8
59,527号明細書に記載されているSrS:Ce,
Sm、SrS:Eu,Sm、La2 O2 S:Eu,
Smおよび(Zn,Cd)S:Mnで表される蛍光体、
特開昭55− 12142号公報に記載されているZn
S:Cu,Pb蛍光体、一般式BaO・xAl2 O3
:Euで表されるアルミン酸バリウム蛍光体、一般式
MIIO・xSiO2 :Aで表されるアルカリ土類金
属ケイ酸塩系蛍光体、特開昭55− 12143号公報
に記載されている一般式(Ba1−x−y Mgx C
ay )FX:eEu2+で表されるアルカリ土類フッ
化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55− 12144号公
報に記載されている一般式LnOX:xAで表される蛍
光体、特開昭55− 12145号公報に記載されてい
る一般式(Ba1−x Mx )FX:yAで表される
蛍光体、特開昭55− 84389号公報に記載されて
いる一般式BaFX:xCe,yAで表される蛍光体、
特開昭55−160078号公報に記載されている一般
式MIIFX・xA:yLnで表される希土類元素付活
2価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ZnS:A、
CdS:A、(Zn,Cd)S:A、S:A,ZnS:
A,XおよびCdS:A,Xで表される蛍光体、特開昭
59− 38278号公報に記載されている一般式xM
3 (PO4 )2 ・NX2 :yAおよびM3 (
PO4 )2 :yAで表される蛍光体、一般式nRe
X3 ・mAX’ 2 :xEuおよびnReX3 ・
mAX’ 2 :xEu,ySmで表される蛍光体、お
よび一般式MI X・aMIIX’ 2 ・bMIII
X” 3 :cAで表されるアルカリハライド蛍光体
等が挙げられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸
着法で輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。
蛍光体は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射
された後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的
等の刺激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高エネ
ルギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体
であるが、実用的な面から好ましくは 500nm以上
の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。こ
の輝尽性蛍光体としては、例えば特開昭48− 804
87号公報に記載されているBaSO4 :AX、特開
昭48− 80489号公報に記載されているSrSO
4 :AX、特開昭53− 39277号公報に記載さ
れているLi2 B4 O7 :Cu,Ag等、特開昭
54− 47883号公報に記載されているLi2 O
・(B2 O2 )x :CuおよびLi2 O・(B
2 O2 )x :Cu,Ag等、米国特許第 3,8
59,527号明細書に記載されているSrS:Ce,
Sm、SrS:Eu,Sm、La2 O2 S:Eu,
Smおよび(Zn,Cd)S:Mnで表される蛍光体、
特開昭55− 12142号公報に記載されているZn
S:Cu,Pb蛍光体、一般式BaO・xAl2 O3
:Euで表されるアルミン酸バリウム蛍光体、一般式
MIIO・xSiO2 :Aで表されるアルカリ土類金
属ケイ酸塩系蛍光体、特開昭55− 12143号公報
に記載されている一般式(Ba1−x−y Mgx C
ay )FX:eEu2+で表されるアルカリ土類フッ
化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55− 12144号公
報に記載されている一般式LnOX:xAで表される蛍
光体、特開昭55− 12145号公報に記載されてい
る一般式(Ba1−x Mx )FX:yAで表される
蛍光体、特開昭55− 84389号公報に記載されて
いる一般式BaFX:xCe,yAで表される蛍光体、
特開昭55−160078号公報に記載されている一般
式MIIFX・xA:yLnで表される希土類元素付活
2価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ZnS:A、
CdS:A、(Zn,Cd)S:A、S:A,ZnS:
A,XおよびCdS:A,Xで表される蛍光体、特開昭
59− 38278号公報に記載されている一般式xM
3 (PO4 )2 ・NX2 :yAおよびM3 (
PO4 )2 :yAで表される蛍光体、一般式nRe
X3 ・mAX’ 2 :xEuおよびnReX3 ・
mAX’ 2 :xEu,ySmで表される蛍光体、お
よび一般式MI X・aMIIX’ 2 ・bMIII
X” 3 :cAで表されるアルカリハライド蛍光体
等が挙げられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸
着法で輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。
【0019】放射線画像変換パネルに使用される輝尽性
蛍光体としては、以上の蛍光体に限定されるものではな
く、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればよい。蒸着膜は、上記の
輝尽性蛍光体の少なくとも1種を含む1つもしくは2つ
以上の輝尽性蛍光体層からなる輝尽性蛍光体層群であっ
てもよい。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる
輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なっていてもよ
い。
蛍光体としては、以上の蛍光体に限定されるものではな
く、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればよい。蒸着膜は、上記の
輝尽性蛍光体の少なくとも1種を含む1つもしくは2つ
以上の輝尽性蛍光体層からなる輝尽性蛍光体層群であっ
てもよい。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる
輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なっていてもよ
い。
【0020】本発明において、基板としては、例えばア
ルミナ等のセラミックス板、化学強化ガラス、結晶化ガ
ラス等のガラス板、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の
金属板あるいは当該金属酸化物の被覆層を有する金属板
が好ましいが、セルロースアセテートフィルム、ポリエ
ステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム
、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリカー
ボネートフィルム等のプラスチックフィルムであっても
よい。また、基板の厚さは用いる基板の材質等によって
異なるが、一般的には、80〜3000μmである。基
板の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との
接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。また
、基板の表面は特開昭61−142497号公報に述べ
られているような凹凸面としてもよいし、特開昭61−
142498号公報に述べられているように隔絶された
タイル状板を敷き詰めた構造でもよい。さらに、基板上
には、必要に応じて光反射層、光吸収層、接着層等を設
けてもよい。
ルミナ等のセラミックス板、化学強化ガラス、結晶化ガ
ラス等のガラス板、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の
金属板あるいは当該金属酸化物の被覆層を有する金属板
が好ましいが、セルロースアセテートフィルム、ポリエ
ステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム
、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリカー
ボネートフィルム等のプラスチックフィルムであっても
よい。また、基板の厚さは用いる基板の材質等によって
異なるが、一般的には、80〜3000μmである。基
板の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との
接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。また
、基板の表面は特開昭61−142497号公報に述べ
られているような凹凸面としてもよいし、特開昭61−
142498号公報に述べられているように隔絶された
タイル状板を敷き詰めた構造でもよい。さらに、基板上
には、必要に応じて光反射層、光吸収層、接着層等を設
けてもよい。
【0021】本発明の蒸着装置により形成された輝尽性
蛍光体層の表面には、これを物理的にあるいは化学的に
保護するための保護層を設けることが好ましい。この保
護層は、保護層用の塗布液を輝尽性蛍光体層の上に直接
塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保
護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。また、特開
昭61−176900号公報で提案されている放射線お
よび/または熱によって硬化される樹脂を用いてもよい
。保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセル
ロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリ
エステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポ
リ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化一塩化エチレン、四
フッ化エチレン/六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビ
ニリデン/塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン/アク
リロニトリル共重合体等を挙げることができる。
蛍光体層の表面には、これを物理的にあるいは化学的に
保護するための保護層を設けることが好ましい。この保
護層は、保護層用の塗布液を輝尽性蛍光体層の上に直接
塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保
護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。また、特開
昭61−176900号公報で提案されている放射線お
よび/または熱によって硬化される樹脂を用いてもよい
。保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセル
ロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリ
エステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポ
リ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化一塩化エチレン、四
フッ化エチレン/六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビ
ニリデン/塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン/アク
リロニトリル共重合体等を挙げることができる。
【0022】また、この保護層は、真空蒸着法、スパッ
タリング法等により、SiC,SiO2 ,SiN,A
l2 O3 等の無機物質を積層して形成してもよい。 また、透光性に優れたシート状に成形できるものを輝尽
性蛍光体層上に密着させて、あるいは距離をおいて配設
して保護層とすることもできる。保護層は、輝尽励起光
および輝尽発光を効率よく透過するために、広い波長範
囲で高い光透過率を示すことが望ましく、光透過率は8
0%以上が好ましい。そのようなものとしては、例えば
、石英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガ
ラスや、PET、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル
等の有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラス
は 330nm〜2.6 μmの波長範囲で80%以上
の光透過率を示し、石英ガラスではさらに短波長におい
ても高い光透過率を示す。
タリング法等により、SiC,SiO2 ,SiN,A
l2 O3 等の無機物質を積層して形成してもよい。 また、透光性に優れたシート状に成形できるものを輝尽
性蛍光体層上に密着させて、あるいは距離をおいて配設
して保護層とすることもできる。保護層は、輝尽励起光
および輝尽発光を効率よく透過するために、広い波長範
囲で高い光透過率を示すことが望ましく、光透過率は8
0%以上が好ましい。そのようなものとしては、例えば
、石英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガ
ラスや、PET、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル
等の有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラス
は 330nm〜2.6 μmの波長範囲で80%以上
の光透過率を示し、石英ガラスではさらに短波長におい
ても高い光透過率を示す。
【0023】さらに、保護層の表面に、MgF2 等の
反射防止層を設けると、輝尽励起光および輝尽発光を効
率よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さくする効果
もあり好ましい。また、保護層の厚さは、50μm〜5
mmであり、 100μm〜3mmが好ましい。保護層
を輝尽性蛍光体層に対して距離をおいて配設する場合に
は、基板と保護層との間に、蛍光体層を取り囲んでスペ
ーサを設けるのがよく、そのようなスペーサとしては、
輝尽性蛍光体層を外部雰囲気から遮断した状態で保持す
ることができるものであれば特に制限されず、ガラス、
セラミックス、金属、プラスチック等を用いることがで
き、厚さは輝尽性蛍光体層の厚さ以上であることが好ま
しい。
反射防止層を設けると、輝尽励起光および輝尽発光を効
率よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さくする効果
もあり好ましい。また、保護層の厚さは、50μm〜5
mmであり、 100μm〜3mmが好ましい。保護層
を輝尽性蛍光体層に対して距離をおいて配設する場合に
は、基板と保護層との間に、蛍光体層を取り囲んでスペ
ーサを設けるのがよく、そのようなスペーサとしては、
輝尽性蛍光体層を外部雰囲気から遮断した状態で保持す
ることができるものであれば特に制限されず、ガラス、
セラミックス、金属、プラスチック等を用いることがで
き、厚さは輝尽性蛍光体層の厚さ以上であることが好ま
しい。
【0024】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の蒸
着装置によれば、防着板を基板の保持台とともに横方向
に移動可能にして、蒸発源物質の飛散を抑制したので、
装置の小型化および排気能力の節減を図りながら、基板
の裏面汚れやチャンバ内壁の汚染を有効に防止すること
ができる。また蒸発源物質の回収率を高くすることがで
きる。
着装置によれば、防着板を基板の保持台とともに横方向
に移動可能にして、蒸発源物質の飛散を抑制したので、
装置の小型化および排気能力の節減を図りながら、基板
の裏面汚れやチャンバ内壁の汚染を有効に防止すること
ができる。また蒸発源物質の回収率を高くすることがで
きる。
【図1】本発明の蒸着装置の構成の概略を模式的に示す
説明図である。
説明図である。
【図2】防着板の移動状態を模式的に説明する説明図で
ある。
ある。
【図3】防着板移動機構の一例の説明図である。
【図4】防着板移動機構の他の例の説明図である。
【図5】防着板移動機構のさらに他の例の説明図である
。
。
1 チャンバ
2 基板
3 保持台
4 規制部材
5 開口部
6 防着板
7 防着板
8 蒸発源
9 電子銃を内蔵した蒸発源容器10 電
子ビーム 11 メインバルブ 12 補助バルブ 13 ツメ 14 ツメ 15 ワイヤ 16 ストッパー 17 おもり 18 バネ 19 電磁石 20 搬送制御システム 21 右端 22 左端
子ビーム 11 メインバルブ 12 補助バルブ 13 ツメ 14 ツメ 15 ワイヤ 16 ストッパー 17 おもり 18 バネ 19 電磁石 20 搬送制御システム 21 右端 22 左端
Claims (1)
- 【請求項1】 蒸発源と、この蒸発源の上方に配置さ
れた基板を横方向に往復移動可能に保持する保持台と、
前記基板と前記蒸発源との間に配置された、前記蒸発源
からの蒸気流の通過を規制する規制部材と、この規制部
材と前記基板との間において横方向に往復移動可能に設
けられた、当該規制部材の開口部よりも大きな面積を有
する2枚の防着板とを備えてなる蒸着装置において、前
記規制部材の開口部が基板によりすべて覆われていると
きは、前記2枚の防着板をそれぞれ前記規制部材の開口
部から外れた両側の位置に停止させ、前記規制部材の開
口部が基板によりすべて覆われていないときは、いずれ
か一方の防着板を保持台とともに移動させて当該開口部
を覆う防着板移動機構を設けたことを特徴とする蒸着装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03048804A JP3119669B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03048804A JP3119669B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04268069A true JPH04268069A (ja) | 1992-09-24 |
JP3119669B2 JP3119669B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=12813398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03048804A Expired - Fee Related JP3119669B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3119669B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1050478A (ja) * | 1996-04-19 | 1998-02-20 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2008013850A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Toppoly Optoelectronics Corp | 蒸着装置とその輸送システム |
JP2009076818A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの成膜用ホルダ及び成膜用装置 |
JP2012500900A (ja) * | 2008-08-25 | 2012-01-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 可動シールドをもつコーティングチャンバ |
WO2013061506A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
JP2015137390A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社アルバック | 成膜装置および成膜方法 |
US9209427B2 (en) | 2002-04-15 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device |
US9551063B2 (en) | 2002-02-25 | 2017-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP03048804A patent/JP3119669B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9209427B2 (en) | 2002-04-15 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device |
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WO2013061506A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
JPWO2013061506A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2015-04-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
JP2015137390A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社アルバック | 成膜装置および成膜方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3119669B2 (ja) | 2000-12-25 |
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