JPH04265925A - 光シャッタのｐｌｚｔ基板表面封止構造 - Google Patents
光シャッタのｐｌｚｔ基板表面封止構造Info
- Publication number
- JPH04265925A JPH04265925A JP4927491A JP4927491A JPH04265925A JP H04265925 A JPH04265925 A JP H04265925A JP 4927491 A JP4927491 A JP 4927491A JP 4927491 A JP4927491 A JP 4927491A JP H04265925 A JPH04265925 A JP H04265925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent layer
- plzt substrate
- plzt
- substrate
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＬＺＴ基板と、この
ＰＬＺＴ基板の両側に設けられた偏光板とを具備してな
る光シャッタのＰＬＺＴ基板表面封止構造に関するもの
である。
ＰＬＺＴ基板の両側に設けられた偏光板とを具備してな
る光シャッタのＰＬＺＴ基板表面封止構造に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、光シャッタのＰＬＺＴ基板表面封
止構造は、図２に示すように構成されていた。すなわち
、電気光学効果を有する透光性セラミックスであるＰＬ
ＺＴ（例え（Ｐｂ０．９１Ｌａ０．０９）（Ｚｒ０．６
５Ｔｉ０．３５）Ｏ３）でＰＬＺＴ基板１０を形成し、
このＰＬＺＴ基板１０の溝部１２、１２、…に画素形成
用電極としての信号電極１４と１４、共通電極（接地電
極）１６、…を形成し、これらの信号電極１４と１４、
共通電極１６、…の接続部を、突起状接続体としてのバ
ンプ１８と１８、１８、…を介して、透明配線フィルム
としてのＩＴＯフィルム２０の配線パタ−ンの接続部に
接続し、ＰＬＺＴ基板１０とＩＴＯフィルム２０の間に
接着保持用の紫外線硬化型アクリル樹脂層２２を形成し
ていた。そして、ＰＬＺＴ基板１０の両側に偏光方向が
互いに直交する偏光子（偏光板）２４と検光子（偏光板
）２６を設け、信号電極１４と共通電極１６の間に印加
する電圧を可変することによって、画素２８を透過する
光３０の透過光量を可変するようにしていた。
止構造は、図２に示すように構成されていた。すなわち
、電気光学効果を有する透光性セラミックスであるＰＬ
ＺＴ（例え（Ｐｂ０．９１Ｌａ０．０９）（Ｚｒ０．６
５Ｔｉ０．３５）Ｏ３）でＰＬＺＴ基板１０を形成し、
このＰＬＺＴ基板１０の溝部１２、１２、…に画素形成
用電極としての信号電極１４と１４、共通電極（接地電
極）１６、…を形成し、これらの信号電極１４と１４、
共通電極１６、…の接続部を、突起状接続体としてのバ
ンプ１８と１８、１８、…を介して、透明配線フィルム
としてのＩＴＯフィルム２０の配線パタ−ンの接続部に
接続し、ＰＬＺＴ基板１０とＩＴＯフィルム２０の間に
接着保持用の紫外線硬化型アクリル樹脂層２２を形成し
ていた。そして、ＰＬＺＴ基板１０の両側に偏光方向が
互いに直交する偏光子（偏光板）２４と検光子（偏光板
）２６を設け、信号電極１４と共通電極１６の間に印加
する電圧を可変することによって、画素２８を透過する
光３０の透過光量を可変するようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示す従来例では、ＰＬＺＴ基板１０とＩＴＯフィルム２
０の間に紫外線硬化型アクリル樹脂層２２が設けられて
いただけなので、耐湿性および耐圧性に難があるという
問題点があった。さらに、電歪効果でＰＬＺＴ基板１０
に発生する振動音が外部に漏れ易いという問題点があっ
た。また、ＰＬＺＴ基板１０と紫外線硬化型アクリル樹
脂層２２の熱膨張係数の相違により、ＰＬＺＴ基板１０
に不要な応力が作用し光漏れが発生し易いという問題点
があった。本発明は上述の点に鑑みなされたもので、耐
湿性、耐圧性および耐音性の向上を図るとともに、ＰＬ
ＺＴ基板に不要な応力が作用し難いようにした、光シャ
ッタのＰＬＺＴ基板表面構造を提供することを目的とす
るものである。
示す従来例では、ＰＬＺＴ基板１０とＩＴＯフィルム２
０の間に紫外線硬化型アクリル樹脂層２２が設けられて
いただけなので、耐湿性および耐圧性に難があるという
問題点があった。さらに、電歪効果でＰＬＺＴ基板１０
に発生する振動音が外部に漏れ易いという問題点があっ
た。また、ＰＬＺＴ基板１０と紫外線硬化型アクリル樹
脂層２２の熱膨張係数の相違により、ＰＬＺＴ基板１０
に不要な応力が作用し光漏れが発生し易いという問題点
があった。本発明は上述の点に鑑みなされたもので、耐
湿性、耐圧性および耐音性の向上を図るとともに、ＰＬ
ＺＴ基板に不要な応力が作用し難いようにした、光シャ
ッタのＰＬＺＴ基板表面構造を提供することを目的とす
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によるＰＬＺＴ基
板表面封止構造は、画素形成用電極が形成されたＰＬＺ
Ｔ基板と、このＰＬＺＴ基板の両側に設けられて偏光方
向が互いに直交する偏光板とを具備してなる光シャッタ
において、前記ＰＬＺＴ基板の表面に、窒化ケイ素また
は二酸化ケイ素のいずれか一方で形成された第１透明層
と、ケイ素樹脂またはエポキシ樹脂のいずれか一方で形
成された第２透明層と、紫外線硬化型アクリル樹脂で形
成された第３透明層と、透明配線フィルムとを順次固着
するとともに、一側が前記画素形成用電極の接続部に接
続され、他側が前記第１、第２および第３透明層を貫通
して前記透明配線フィルムの配線パタ−ンの接続部に接
続された突起状接続体を形成してなることを特徴とする
ものである。
板表面封止構造は、画素形成用電極が形成されたＰＬＺ
Ｔ基板と、このＰＬＺＴ基板の両側に設けられて偏光方
向が互いに直交する偏光板とを具備してなる光シャッタ
において、前記ＰＬＺＴ基板の表面に、窒化ケイ素また
は二酸化ケイ素のいずれか一方で形成された第１透明層
と、ケイ素樹脂またはエポキシ樹脂のいずれか一方で形
成された第２透明層と、紫外線硬化型アクリル樹脂で形
成された第３透明層と、透明配線フィルムとを順次固着
するとともに、一側が前記画素形成用電極の接続部に接
続され、他側が前記第１、第２および第３透明層を貫通
して前記透明配線フィルムの配線パタ−ンの接続部に接
続された突起状接続体を形成してなることを特徴とする
ものである。
【０００５】
【作用】ＰＬＺＴ基板と透明配線フィルムとの間に設け
られた第１、第２、第３透明層は、次のような働きをす
る。第１透明層は耐湿性および耐圧性のよい窒化ケイ素
または二酸化ケイ素で形成されているので、耐湿性およ
び耐圧性を向上させる。第２透明層は吸音性および応力
吸収性のよいケイ素樹脂またはエポキシ樹脂で形成され
ているので、電歪効果でＰＬＺＴ基板に発生する振動音
を吸収するとともに、ＰＬＺＴ基板と第３透明層の間の
熱膨張係数の相違に基づいてＰＬＺＴ基板に働く応力を
吸収する。第３透明層は接着保持機能のよい紫外線硬化
型アクリル樹脂で形成されているので、第２透明層と透
明配線フィルムを接着保持するとともに、従来例と同様
に、ＰＬＺＴ基板の突起状接続体と透明配線フィルムと
を接着保持する。
られた第１、第２、第３透明層は、次のような働きをす
る。第１透明層は耐湿性および耐圧性のよい窒化ケイ素
または二酸化ケイ素で形成されているので、耐湿性およ
び耐圧性を向上させる。第２透明層は吸音性および応力
吸収性のよいケイ素樹脂またはエポキシ樹脂で形成され
ているので、電歪効果でＰＬＺＴ基板に発生する振動音
を吸収するとともに、ＰＬＺＴ基板と第３透明層の間の
熱膨張係数の相違に基づいてＰＬＺＴ基板に働く応力を
吸収する。第３透明層は接着保持機能のよい紫外線硬化
型アクリル樹脂で形成されているので、第２透明層と透
明配線フィルムを接着保持するとともに、従来例と同様
に、ＰＬＺＴ基板の突起状接続体と透明配線フィルムと
を接着保持する。
【０００６】
【実施例】図１は本発明による光シャッタのＰＬＺＴ基
板表面構造の一実施例を示すもので、この図において図
２と同一部分は同一符号とする。図１において、１０は
ＰＬＺＴ基板で、このＰＬＺＴ基板１０は電気光学効果
を有する透光性セラミックスであるＰＬＺＴ（例えば（
Ｐｂ０．９１Ｌａ０．０９）（Ｚｒ０．６５Ｔｉ０．３
５）Ｏ３）で形成されている。前記ＰＬＺＴ基板１０に
は電極形成用の溝部１２、１２、…が形成され、これら
の溝部１２、１２、…内には画素形成用電極としての信
号電極１４と１４、共通電極（接地電極）１６、…が形
成されている。前記信号電極１４と１４、共通電極（接
地電極）１６、…の接続部には、厚膜製法や薄膜製法な
どによって突起状接続体としてのバンプ１８と１８、１
８、…が形成されている。前記ＰＬＺＴ基板１０の表面
の前記バンプ１８と１８、１８、…を除いた部分には、
プラズマＣＶＤ（Ｃｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やスパッタリングなどによって、
窒化ケイ素または二酸化ケイ素のいずれか一方で形成さ
れた膜状の第１透明層３２が形成されている。
板表面構造の一実施例を示すもので、この図において図
２と同一部分は同一符号とする。図１において、１０は
ＰＬＺＴ基板で、このＰＬＺＴ基板１０は電気光学効果
を有する透光性セラミックスであるＰＬＺＴ（例えば（
Ｐｂ０．９１Ｌａ０．０９）（Ｚｒ０．６５Ｔｉ０．３
５）Ｏ３）で形成されている。前記ＰＬＺＴ基板１０に
は電極形成用の溝部１２、１２、…が形成され、これら
の溝部１２、１２、…内には画素形成用電極としての信
号電極１４と１４、共通電極（接地電極）１６、…が形
成されている。前記信号電極１４と１４、共通電極（接
地電極）１６、…の接続部には、厚膜製法や薄膜製法な
どによって突起状接続体としてのバンプ１８と１８、１
８、…が形成されている。前記ＰＬＺＴ基板１０の表面
の前記バンプ１８と１８、１８、…を除いた部分には、
プラズマＣＶＤ（Ｃｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やスパッタリングなどによって、
窒化ケイ素または二酸化ケイ素のいずれか一方で形成さ
れた膜状の第１透明層３２が形成されている。
【０００７】前記第１透明層３２の表面の前記バンプ１
８と１８、１８、…を除いた部分には、真空浸漬によっ
てケイ素樹脂またはエポキシ樹脂のいずれか一方で形成
された膜状の第２透明層３４が形成されている。前記第
２透明層３４の上部には透明配線フィルムとしてのＩＴ
Ｏフィルム２０が設けられ、このＩＴＯフィルム２０の
下面と前記第２透明層３４の上面と前記バンプ１８と１
８、１８、…との間には、これらを接着保持する紫外線
硬化型アクリル樹脂で形成された膜状の第３透明層３６
が形成されている。この第３透明層３６は、例えば、前
記ＩＴＯフィルム２０の下面と前記第２透明層３４の上
面との間に紫外線硬化型アクリル樹脂を浸透圧注入し、
紫外線の照射で硬化することによって形成される。そし
て従来例と同様にして、前記ＰＬＺＴ基板１０の両側に
は偏光方向が互いに直交する偏光子（偏光板）２４と検
光子（偏光板）２６とが設けられ、信号電極１４と共通
電極１６の間に印加する電圧を可変することによって、
画素２８を透過する光３０の透過光量が可変するように
構成されている。
８と１８、１８、…を除いた部分には、真空浸漬によっ
てケイ素樹脂またはエポキシ樹脂のいずれか一方で形成
された膜状の第２透明層３４が形成されている。前記第
２透明層３４の上部には透明配線フィルムとしてのＩＴ
Ｏフィルム２０が設けられ、このＩＴＯフィルム２０の
下面と前記第２透明層３４の上面と前記バンプ１８と１
８、１８、…との間には、これらを接着保持する紫外線
硬化型アクリル樹脂で形成された膜状の第３透明層３６
が形成されている。この第３透明層３６は、例えば、前
記ＩＴＯフィルム２０の下面と前記第２透明層３４の上
面との間に紫外線硬化型アクリル樹脂を浸透圧注入し、
紫外線の照射で硬化することによって形成される。そし
て従来例と同様にして、前記ＰＬＺＴ基板１０の両側に
は偏光方向が互いに直交する偏光子（偏光板）２４と検
光子（偏光板）２６とが設けられ、信号電極１４と共通
電極１６の間に印加する電圧を可変することによって、
画素２８を透過する光３０の透過光量が可変するように
構成されている。
【０００８】つぎに前記実施例の作用について説明する
。ＰＬＺＴ基板１０とＩＴＯフィルム２０との間に設け
られた第１、第２、第３透明層３２、３４、３６は、次
のような働きをする。第１透明層３２は耐湿性および耐
圧性のよい窒化ケイ素または二酸化ケイ素のいずれか一
方で形成されているので、耐湿性および耐圧性を向上さ
せる。第２透明層３４は吸音性および応力吸収性のよい
ケイ素樹脂またはエポキシ樹脂のいずれか一方で形成さ
れているので、電歪効果でＰＬＺＴ基板１０に発生する
振動音を吸収するとともに、ＰＬＺＴ基板１０と第３透
明層３６の間の熱膨張係数の相違に基づいてＰＬＺＴ基
板１０に働く応力を吸収する。第３透明層３６は第２透
明層３４とＩＴＯフィルム２０を接着保持するとともに
、従来例と同様に、ＰＬＺＴ基板１０のバンプ１８とＩ
ＴＯフィルム２０とを接着保持する。
。ＰＬＺＴ基板１０とＩＴＯフィルム２０との間に設け
られた第１、第２、第３透明層３２、３４、３６は、次
のような働きをする。第１透明層３２は耐湿性および耐
圧性のよい窒化ケイ素または二酸化ケイ素のいずれか一
方で形成されているので、耐湿性および耐圧性を向上さ
せる。第２透明層３４は吸音性および応力吸収性のよい
ケイ素樹脂またはエポキシ樹脂のいずれか一方で形成さ
れているので、電歪効果でＰＬＺＴ基板１０に発生する
振動音を吸収するとともに、ＰＬＺＴ基板１０と第３透
明層３６の間の熱膨張係数の相違に基づいてＰＬＺＴ基
板１０に働く応力を吸収する。第３透明層３６は第２透
明層３４とＩＴＯフィルム２０を接着保持するとともに
、従来例と同様に、ＰＬＺＴ基板１０のバンプ１８とＩ
ＴＯフィルム２０とを接着保持する。
【０００９】
【発明の効果】本発明による光シャッタのＰＬＺＴ基板
表面封止構造は、上記のように、ＰＬＺＴ基板と透明配
線フィルムとの間に、耐湿性および耐圧性のよい窒化ケ
イ素または二酸化ケイ素のいずれか一方で形成された第
１透明層と、吸音性および応力吸収性のよいケイ素樹脂
またはエポキシ樹脂のいずれか一方で形成されは第２透
明層と、紫外線硬化型アクリル樹脂で形成された接着保
持用の第３透明層とを形成するようにしたので、接着保
持用の第３透明層だけが設けられていた従来例と比較し
て、耐湿性および耐圧性を向上させることができるとと
もに、電歪効果によるＰＬＺＴ基板の振動音を吸収して
外部への漏れを減少させることができ、しかも、ＰＬＺ
Ｔ基板に働く応力を吸収してＰＬＺＴ基板に不要な応力
が作用するのを防止して光漏れの発生を抑制することが
できる。
表面封止構造は、上記のように、ＰＬＺＴ基板と透明配
線フィルムとの間に、耐湿性および耐圧性のよい窒化ケ
イ素または二酸化ケイ素のいずれか一方で形成された第
１透明層と、吸音性および応力吸収性のよいケイ素樹脂
またはエポキシ樹脂のいずれか一方で形成されは第２透
明層と、紫外線硬化型アクリル樹脂で形成された接着保
持用の第３透明層とを形成するようにしたので、接着保
持用の第３透明層だけが設けられていた従来例と比較し
て、耐湿性および耐圧性を向上させることができるとと
もに、電歪効果によるＰＬＺＴ基板の振動音を吸収して
外部への漏れを減少させることができ、しかも、ＰＬＺ
Ｔ基板に働く応力を吸収してＰＬＺＴ基板に不要な応力
が作用するのを防止して光漏れの発生を抑制することが
できる。
【図１】本発明による光シャッタのＰＬＺＴ基板表面封
止構造の一実施例を示す構成図である。
止構造の一実施例を示す構成図である。
【図２】従来例を示す構成図である。
１０…ＰＬＺＴ基板
１４…信号電極（画素形成用電極）
１６…共通電極（画素形成用電極）
１８…バンプ（突起状接続体）
２０…ＩＴＯフィルム（透明配線フィルム）２４…偏光
子（偏光板） ２６…検光子（偏光板） ２８…画素 ３０…光 ３２…第１透明層 ３４…第２透明層 ３６…第３透明層
子（偏光板） ２６…検光子（偏光板） ２８…画素 ３０…光 ３２…第１透明層 ３４…第２透明層 ３６…第３透明層
Claims (1)
- 【請求項１】 画素形成用電極が形成されたＰＬＺＴ
基板と、このＰＬＺＴ基板の両側に設けられて偏光方向
が互いに直交する偏光板とを具備してなる光シャッタに
おいて、前記ＰＬＺＴ基板の表面に、窒化ケイ素または
二酸化ケイ素のいずれか一方で形成された第１透明層と
、ケイ素樹脂またはエポキシ樹脂のいずれか一方で形成
された第２透明層と、紫外線硬化型アクリル樹脂で形成
された第３透明層と、透明配線フィルムとを順次固着す
るとともに、一側が前記画素形成用電極の接続部に接続
され、他側が前記第１、第２および第３透明層を貫通し
て前記透明配線フィルムの配線パタ−ンの接続部に接続
された突起状接続体を形成してなることを特徴とする光
シャッタのＰＬＺＴ基板表面封止構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4927491A JPH04265925A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 光シャッタのｐｌｚｔ基板表面封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4927491A JPH04265925A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 光シャッタのｐｌｚｔ基板表面封止構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04265925A true JPH04265925A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12826272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4927491A Pending JPH04265925A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 光シャッタのｐｌｚｔ基板表面封止構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04265925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2561199A (en) * | 2017-04-04 | 2018-10-10 | Power Roll Ltd | Method |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP4927491A patent/JPH04265925A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2561199A (en) * | 2017-04-04 | 2018-10-10 | Power Roll Ltd | Method |
| GB2561199B (en) * | 2017-04-04 | 2022-04-20 | Power Roll Ltd | Method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8142249B2 (en) | Manufacturing method of display device | |
| CN108878474A (zh) | 显示装置 | |
| US20210373219A1 (en) | Flexible polarizing cover board, manufacturing method thereof, and flexible display device | |
| KR100700850B1 (ko) | 발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH0493924A (ja) | 液晶表示装置 | |
| TWI731613B (zh) | 一種偏光片、電子設備及偏光片的製備方法 | |
| JPH0792475A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH11174435A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH04265925A (ja) | 光シャッタのｐｌｚｔ基板表面封止構造 | |
| US5853822A (en) | Liquid crystal display and manufacturing method therefor | |
| KR100311266B1 (ko) | 늘어난개구수를갖는인플레인형액정표시장치 | |
| CN210924541U (zh) | 触控基板及显示装置 | |
| KR100753567B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100458835B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPS627022A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3112773B2 (ja) | 半導体装置及び画像読取装置及びその製造方法 | |
| JPS62204228A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS59198770A (ja) | 受光電子装置 | |
| JPH08184816A (ja) | マイクロレンズアレイの付いた液晶パネル | |
| JPH0379063A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10268324A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2504279B2 (ja) | Ｐｌｚｔ光シャッタアレ―の電極形成方法 | |
| JPH043014A (ja) | Ｐｌｚｔ光シャッタアレーの電極形成方法 | |
| JPH03132717A (ja) | Ｐｌｚｔ表示ディバイスの電極構造 | |
| JPH0283574A (ja) | 液晶パネルの実装方法 |