JPH0426531U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0426531U JPH0426531U JP6727990U JP6727990U JPH0426531U JP H0426531 U JPH0426531 U JP H0426531U JP 6727990 U JP6727990 U JP 6727990U JP 6727990 U JP6727990 U JP 6727990U JP H0426531 U JPH0426531 U JP H0426531U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- conduit
- vacuum chamber
- etching
- etching apparatus
- Prior art date
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- Granted
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- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の有磁場型のプラズ
マエツチング装置の断面構成図である。 １……真空室、９……モニタ窓、１０……発光
検出器、１１……管路、１２……不活性ガス。
マエツチング装置の断面構成図である。 １……真空室、９……モニタ窓、１０……発光
検出器、１１……管路、１２……不活性ガス。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ プラズマを発生させて基板のエツチングを行
い、終点判定を発光モニタで行うエツチング装置
において、真空室の一部に設けた発光検出器へプ
ラズマの発光を導くモニタ用窓とプラズマの発生
している真空室とを細長い管路で分離することを
特徴とするエツチング装置。 ２ 前記管路の寸法が、内径が２０mm以下で長さ
が３０mm以上である第１請求項に記載のエツチン
グ装置。 ３ 前記管路内に不活性ガスを供給する第１請求
項に記載のエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990067279U JP2545575Y2 (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990067279U JP2545575Y2 (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426531U true JPH0426531U (ja) | 1992-03-03 |
| JP2545575Y2 JP2545575Y2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=31600716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990067279U Expired - Fee Related JP2545575Y2 (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545575Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179117A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS63170938U (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-07 |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP1990067279U patent/JP2545575Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179117A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS63170938U (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2545575Y2 (ja) | 1997-08-25 |
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| JPS6451259U (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |