JPH04263078A - Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH04263078A JPH04263078A JP2235391A JP2235391A JPH04263078A JP H04263078 A JPH04263078 A JP H04263078A JP 2235391 A JP2235391 A JP 2235391A JP 2235391 A JP2235391 A JP 2235391A JP H04263078 A JPH04263078 A JP H04263078A
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- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置に関し、特に各種電子デバイスに応用されるアモルフ
ァスシリコン薄膜などの製造に使用されるＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置に関する。
置に関し、特に各種電子デバイスに応用されるアモルフ
ァスシリコン薄膜などの製造に使用されるＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来より用いられているＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図である。この装置に
より例えばアモルファスシリコン薄膜を形成する場合を
例にとり説明する。
ラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図である。この装置に
より例えばアモルファスシリコン薄膜を形成する場合を
例にとり説明する。
【０００３】マグネトロン（マイクロ波発振器、図示せ
ず）で２．５４ＧＨｚのマイクロ波２０１を発生させ、
このマイクロ波をアイソレータ、方向性結合器、マイク
ロ波電力計、整合器（いずれも図示せず）などを用いて
導波管２０２により伝播させ、マイクロ波導入窓２０３
を介してプラズマ生成室２０４へ導入させる。プラズマ
生成室２０４では、マイクロ波の定在波が発生する。プ
ラズマ生成室２０４は反応容器２１１に連通しており、
この反応容器２１１は排気装置（図示せず）により反応
に必要な所定の真空度、例えば１０−３〜１０−８Ｔｏ
ｒｒに真空引きされる。プラズマ生成室２０４には第１
のガス供給管２０８から例えばＡｒガスが供給され、反
応容器２１１には第２のガス供給管２０９から環状ステ
ンレス管２１０を介して反応ガスとして例えばＳｉＨ４
ガスが供給される。
ず）で２．５４ＧＨｚのマイクロ波２０１を発生させ、
このマイクロ波をアイソレータ、方向性結合器、マイク
ロ波電力計、整合器（いずれも図示せず）などを用いて
導波管２０２により伝播させ、マイクロ波導入窓２０３
を介してプラズマ生成室２０４へ導入させる。プラズマ
生成室２０４では、マイクロ波の定在波が発生する。プ
ラズマ生成室２０４は反応容器２１１に連通しており、
この反応容器２１１は排気装置（図示せず）により反応
に必要な所定の真空度、例えば１０−３〜１０−８Ｔｏ
ｒｒに真空引きされる。プラズマ生成室２０４には第１
のガス供給管２０８から例えばＡｒガスが供給され、反
応容器２１１には第２のガス供給管２０９から環状ステ
ンレス管２１０を介して反応ガスとして例えばＳｉＨ４
ガスが供給される。
【０００４】プラズマ生成室２０４の外周には冷却管２
１４が設けられ、冷却管２１４に冷却水２１５を導入し
て流すことにより、プラズマ生成室２０４が冷却される
。また、プラズマ生成室２０４を囲むように磁気コイル
２１６が設けられ、この磁気コイル２１６により磁束密
度８７５ガウスの磁界を発生させて、プラズマ生成室２
０４に供給される２．５４ＧＨｚのマイクロ波と電子サ
イクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を起こす。
１４が設けられ、冷却管２１４に冷却水２１５を導入し
て流すことにより、プラズマ生成室２０４が冷却される
。また、プラズマ生成室２０４を囲むように磁気コイル
２１６が設けられ、この磁気コイル２１６により磁束密
度８７５ガウスの磁界を発生させて、プラズマ生成室２
０４に供給される２．５４ＧＨｚのマイクロ波と電子サ
イクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を起こす。
【０００５】プラズマ生成室２０４内で電子サイクロト
ロン共鳴により発生したプラズマ２０５は発散磁界２０
７に沿って反応容器２１１内に拡散し、この結果環状ス
テンレス管２１０より供給されるＳｉＨ４ ガスが分解
する。分解により生成した活性種２０６は、反応容器２
１１内のプラズマ生成室２０４と対向する位置に配置さ
れた試料台２１２上の基板２１３に輸送され、アモルフ
ァスシリコン薄膜が堆積される。
ロン共鳴により発生したプラズマ２０５は発散磁界２０
７に沿って反応容器２１１内に拡散し、この結果環状ス
テンレス管２１０より供給されるＳｉＨ４ ガスが分解
する。分解により生成した活性種２０６は、反応容器２
１１内のプラズマ生成室２０４と対向する位置に配置さ
れた試料台２１２上の基板２１３に輸送され、アモルフ
ァスシリコン薄膜が堆積される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図８に従来の装置を用
いて基板上に堆積されたアモルファスシリコン薄膜の膜
厚分布を示す。図８から明らかなように、アモルファス
シリコン薄膜は基板中央部で厚く、基板周縁部で薄いと
いう不均一な膜厚分布を有している。この傾向は基板が
大きくなればなるほど顕著になる。これは以下のような
理由による。
いて基板上に堆積されたアモルファスシリコン薄膜の膜
厚分布を示す。図８から明らかなように、アモルファス
シリコン薄膜は基板中央部で厚く、基板周縁部で薄いと
いう不均一な膜厚分布を有している。この傾向は基板が
大きくなればなるほど顕著になる。これは以下のような
理由による。
【０００７】反応ガスを分解させるプラズマは、プラズ
マ生成室２０４内で発生する。プラズマ生成室２０４内
には図９に示されるＴＥ１１モードのマイクロ波が定在
している。このモードでは、電界は中央部で強く、壁面
近くで弱くなっている。したがって、発生するプラズマ
の密度も中央部で高く、壁面近くで低くなっている。こ
の結果、プラズマによって生成される活性種の密度も同
様の径方向分布を持つ。しかも、プラズマ生成室２０４
内で発生した径方向に不均一なプラズマは、磁気コイル
２１６によって形成される発散磁界２０７に沿って広が
って拡散する。たとえプラズマ生成室２０４内において
均一なプラズマを生成させたとしても、プラズマは発散
磁界２０７に沿って広がって拡散する。これらの理由に
より、基板上に堆積される薄膜の膜厚分布は図８に示さ
れるように不均一になる。
マ生成室２０４内で発生する。プラズマ生成室２０４内
には図９に示されるＴＥ１１モードのマイクロ波が定在
している。このモードでは、電界は中央部で強く、壁面
近くで弱くなっている。したがって、発生するプラズマ
の密度も中央部で高く、壁面近くで低くなっている。こ
の結果、プラズマによって生成される活性種の密度も同
様の径方向分布を持つ。しかも、プラズマ生成室２０４
内で発生した径方向に不均一なプラズマは、磁気コイル
２１６によって形成される発散磁界２０７に沿って広が
って拡散する。たとえプラズマ生成室２０４内において
均一なプラズマを生成させたとしても、プラズマは発散
磁界２０７に沿って広がって拡散する。これらの理由に
より、基板上に堆積される薄膜の膜厚分布は図８に示さ
れるように不均一になる。
【０００８】また、大面積の基板上に薄膜を堆積する場
合には、図７の発生磁界２０７を更に広げる必要がある
ため、端部におけるプラズマ密度は更に低くなり、膜厚
分布の不均一性は非常に大きくなる。したがって、大面
積の基板上に薄膜を均一に堆積させるためには、端部の
プラズマ密度を上げることが重要となる。
合には、図７の発生磁界２０７を更に広げる必要がある
ため、端部におけるプラズマ密度は更に低くなり、膜厚
分布の不均一性は非常に大きくなる。したがって、大面
積の基板上に薄膜を均一に堆積させるためには、端部の
プラズマ密度を上げることが重要となる。
【０００９】本発明は大面積の基板上にも薄膜を均一に
堆積させることができるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を提
供することを目的とする。
堆積させることができるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置は、反応容器内に円板状の基板を配置して反
応ガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴を利用して発
生させたプラズマにより前記反応ガスを分解させて、前
記基板上に薄膜を形成させるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
において、基板の裏面側で基板の周縁部に対応する位置
に磁石を配置したことを特徴とするものである。
ＣＶＤ装置は、反応容器内に円板状の基板を配置して反
応ガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴を利用して発
生させたプラズマにより前記反応ガスを分解させて、前
記基板上に薄膜を形成させるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
において、基板の裏面側で基板の周縁部に対応する位置
に磁石を配置したことを特徴とするものである。
【００１１】本発明において、磁石は永久磁石でもよい
し、電磁石でもよい。また、永久磁石を用いる場合、基
板の裏面側に回転台を設け、この回転台上に基板の周縁
部の一部に対応する大きさの永久磁石を載せて、薄膜堆
積時に回転台を回転させるようにしてもよい。
し、電磁石でもよい。また、永久磁石を用いる場合、基
板の裏面側に回転台を設け、この回転台上に基板の周縁
部の一部に対応する大きさの永久磁石を載せて、薄膜堆
積時に回転台を回転させるようにしてもよい。
【００１２】
【作用】プラズマ中の荷電粒子は、磁力線の周りを回り
ながら、磁力線に沿って運動する。特に、反応ガスの分
解を支配する電子は質量が小さいため、その運動速度は
磁力線に垂直な方向に比べて磁力線に沿った方向の方が
格段に大きい。
ながら、磁力線に沿って運動する。特に、反応ガスの分
解を支配する電子は質量が小さいため、その運動速度は
磁力線に垂直な方向に比べて磁力線に沿った方向の方が
格段に大きい。
【００１３】本発明の装置では、基板の周縁部に対応す
る位置に磁石を配置しているので、反応容器内での磁界
分布を制御することができ、電子の密度分布を均一化す
ることができる。その結果、反応ガスと電子との非弾性
衝突により発生する活性種の密度分布を均一にすること
ができ、大面積の基板上にも薄膜を均一に堆積すること
ができる。
る位置に磁石を配置しているので、反応容器内での磁界
分布を制御することができ、電子の密度分布を均一化す
ることができる。その結果、反応ガスと電子との非弾性
衝突により発生する活性種の密度分布を均一にすること
ができ、大面積の基板上にも薄膜を均一に堆積すること
ができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１５】［実施例１］図１は本実施例において用い
られたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図であ
る。この装置により例えばアモルファスシリコン薄膜を
形成する場合を例にとり説明する。
られたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図であ
る。この装置により例えばアモルファスシリコン薄膜を
形成する場合を例にとり説明する。
【００１６】マグネトロン（マイクロ波発振器、図示せ
ず）で２．５４ＧＨｚのマイクロ波２０１を発生させ、
このマイクロ波をアイソレータ、方向性結合器、マイク
ロ波電力計、整合器（いずれも図示せず）などを用いて
導波管２０２により伝播させ、マイクロ波導入窓２０３
を介してプラズマ生成室２０４へ導入させる。プラズマ
生成室２０４では、マイクロ波の定在波が発生する。プ
ラズマ生成室２０４は反応容器２１１に連通しており、
この反応容器２１１は排気装置（図示せず）により反応
に必要な所定の真空度、例えば１０−３〜１０−８Ｔｏ
ｒｒに真空引きされる。プラズマ生成室２０４には第１
のガス供給管２０８から例えばＡｒガスが供給され、反
応容器２１１には第２のガス供給管２０９から環状ステ
ンレス管２１０を介して反応ガスとして例えばＳｉＨ４
ガスが供給される。
ず）で２．５４ＧＨｚのマイクロ波２０１を発生させ、
このマイクロ波をアイソレータ、方向性結合器、マイク
ロ波電力計、整合器（いずれも図示せず）などを用いて
導波管２０２により伝播させ、マイクロ波導入窓２０３
を介してプラズマ生成室２０４へ導入させる。プラズマ
生成室２０４では、マイクロ波の定在波が発生する。プ
ラズマ生成室２０４は反応容器２１１に連通しており、
この反応容器２１１は排気装置（図示せず）により反応
に必要な所定の真空度、例えば１０−３〜１０−８Ｔｏ
ｒｒに真空引きされる。プラズマ生成室２０４には第１
のガス供給管２０８から例えばＡｒガスが供給され、反
応容器２１１には第２のガス供給管２０９から環状ステ
ンレス管２１０を介して反応ガスとして例えばＳｉＨ４
ガスが供給される。
【００１７】プラズマ生成室２０４の外周には冷却管２
１４が設けられ、冷却管２１４に冷却水２１５を導入し
て流すことにより、プラズマ生成室２０４が冷却される
。また、プラズマ生成室２０４を囲むように磁気コイル
２１６が設けられ、この磁気コイル２１６により磁束密
度８７５ガウスの磁界を発生させて、プラズマ生成室２
０４に供給される２．５４ＧＨｚのマイクロ波と電子サ
イクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を起こす。
１４が設けられ、冷却管２１４に冷却水２１５を導入し
て流すことにより、プラズマ生成室２０４が冷却される
。また、プラズマ生成室２０４を囲むように磁気コイル
２１６が設けられ、この磁気コイル２１６により磁束密
度８７５ガウスの磁界を発生させて、プラズマ生成室２
０４に供給される２．５４ＧＨｚのマイクロ波と電子サ
イクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を起こす。
【００１８】プラズマ生成室２０４内で電子サイクロト
ロン共鳴により発生したプラズマ２０５は反応容器２１
１内に拡散し、この結果環状ステンレス管２１０より供
給されるＳｉＨ４ ガスが分解する。分解により生成し
た活性種２０６は、反応容器２１１内のプラズマ生成室
２０４と対向する位置に配置された試料台２１２上の基
板２１３に輸送され、アモルファスシリコン薄膜が堆積
される。
ロン共鳴により発生したプラズマ２０５は反応容器２１
１内に拡散し、この結果環状ステンレス管２１０より供
給されるＳｉＨ４ ガスが分解する。分解により生成し
た活性種２０６は、反応容器２１１内のプラズマ生成室
２０４と対向する位置に配置された試料台２１２上の基
板２１３に輸送され、アモルファスシリコン薄膜が堆積
される。
【００１９】そして、基板２１３が載せられる試料台２
１２の裏面側には回転台１０１が設けられ、回転台１０
１上には基板２１３の周縁部の一部に対応する大きさの
永久磁石１０２が取り付けられている。この装置では、
薄膜堆積時に回転台１０１及び永久磁石１０２を回転さ
せる。
１２の裏面側には回転台１０１が設けられ、回転台１０
１上には基板２１３の周縁部の一部に対応する大きさの
永久磁石１０２が取り付けられている。この装置では、
薄膜堆積時に回転台１０１及び永久磁石１０２を回転さ
せる。
【００２０】前述したように、永久磁石１０２が存在し
ない場合には、反応容器２１１内のプラズマの密度分布
は中心部で高く周縁部で低い左右対称となる（図２に実
線で表示）。
ない場合には、反応容器２１１内のプラズマの密度分布
は中心部で高く周縁部で低い左右対称となる（図２に実
線で表示）。
【００２１】これに対して、本実施例の装置のように永
久磁石１０２を設けると、磁気コイル２１６によって形
成される磁力線が曲げられるため、プラズマの密度分布
が変化する。例えば、永久磁石１０２が図中の左側にあ
る場合には、磁力線１０３は破線で示すように左側に曲
がる。プラズマ生成室２０４で発生したプラズマは磁力
線に沿って拡散するため、図２に破線で表示するように
プラズマの中心は左側にずれる。この結果、反応ガスの
分解により生成した活性種１０４は実線矢印で示すよう
に拡散する。一方、永久磁石１０２が図中の右側にある
場合には、磁力線１０３は一点鎖線で示すように右側に
曲がり、プラズマは磁力線に沿って拡散するため、図２
に一点鎖線で表示するようにプラズマの中心は右側にず
れる。この結果、反応ガスの分解により生成した活性種
１０４は破線矢印で示すように拡散する。
久磁石１０２を設けると、磁気コイル２１６によって形
成される磁力線が曲げられるため、プラズマの密度分布
が変化する。例えば、永久磁石１０２が図中の左側にあ
る場合には、磁力線１０３は破線で示すように左側に曲
がる。プラズマ生成室２０４で発生したプラズマは磁力
線に沿って拡散するため、図２に破線で表示するように
プラズマの中心は左側にずれる。この結果、反応ガスの
分解により生成した活性種１０４は実線矢印で示すよう
に拡散する。一方、永久磁石１０２が図中の右側にある
場合には、磁力線１０３は一点鎖線で示すように右側に
曲がり、プラズマは磁力線に沿って拡散するため、図２
に一点鎖線で表示するようにプラズマの中心は右側にず
れる。この結果、反応ガスの分解により生成した活性種
１０４は破線矢印で示すように拡散する。
【００２２】永久磁石１０２は回転台１０１上に載せら
れ、薄膜堆積時に回転されるので、時間平均した反応容
器２１１内でのプラズマの径方向分布は、図３に示すよ
うに均一性が向上する。したがって、基板上の薄膜の膜
厚分布も図４に示すように、従来の装置を用いた場合（
図８）と比較して、均一性が向上する。
れ、薄膜堆積時に回転されるので、時間平均した反応容
器２１１内でのプラズマの径方向分布は、図３に示すよ
うに均一性が向上する。したがって、基板上の薄膜の膜
厚分布も図４に示すように、従来の装置を用いた場合（
図８）と比較して、均一性が向上する。
【００２３】［実施例２］図５は本実施例において用い
られたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図であ
る。図５の装置では、基板２１３が載せられる試料台２
１２の裏面側の基板２１３の周縁部に対応する位置に環
状の永久磁石８０１が設けられている。その他の構成は
図１の装置と同様である。図５では、図１の回転台１０
１及び永久磁石１０２の代わりに、環状の永久磁石８０
１が設けられているので、装置の構造が簡単になってい
る。
られたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図であ
る。図５の装置では、基板２１３が載せられる試料台２
１２の裏面側の基板２１３の周縁部に対応する位置に環
状の永久磁石８０１が設けられている。その他の構成は
図１の装置と同様である。図５では、図１の回転台１０
１及び永久磁石１０２の代わりに、環状の永久磁石８０
１が設けられているので、装置の構造が簡単になってい
る。
【００２４】図５の装置のように永久磁石８０１を設け
ると、反応容器２１１内の磁力線は永久磁石８０１に集
中するため、中央部の磁力線は外側に発散するが、周縁
部の磁力線の発散は抑制される。プラズマ生成室２０４
内で生成したプラズマは反応容器２１１内で磁力線に沿
って拡散するので、密度の高い中央部のプラズマは徐々
に広がり、密度の低い周縁部のプラズマは広がりが抑え
られる。この結果、図３に示すように、反応容器２１１
内でのプラズマ密度分布の均一性が向上する。薄膜の堆
積に寄与する活性種の密度分布はプラズマの密度分布に
対応するため、図４に示すように薄膜の膜厚分布の均一
性も向上する。
ると、反応容器２１１内の磁力線は永久磁石８０１に集
中するため、中央部の磁力線は外側に発散するが、周縁
部の磁力線の発散は抑制される。プラズマ生成室２０４
内で生成したプラズマは反応容器２１１内で磁力線に沿
って拡散するので、密度の高い中央部のプラズマは徐々
に広がり、密度の低い周縁部のプラズマは広がりが抑え
られる。この結果、図３に示すように、反応容器２１１
内でのプラズマ密度分布の均一性が向上する。薄膜の堆
積に寄与する活性種の密度分布はプラズマの密度分布に
対応するため、図４に示すように薄膜の膜厚分布の均一
性も向上する。
【００２５】［実施例３］図６は本実施例において用い
られたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図であ
る。図６の装置では、基板２１３が載せられる試料台２
１２の裏面側の基板２１３の周縁部に対応する位置に環
状の磁気コイル９０１が設けられている。この磁気コイ
ル９０１には、磁気コイル２１６用のものとは別の磁場
発生用電源（図示せず）に接続されている。その他の構
成は図１の装置と同様である。
られたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図であ
る。図６の装置では、基板２１３が載せられる試料台２
１２の裏面側の基板２１３の周縁部に対応する位置に環
状の磁気コイル９０１が設けられている。この磁気コイ
ル９０１には、磁気コイル２１６用のものとは別の磁場
発生用電源（図示せず）に接続されている。その他の構
成は図１の装置と同様である。
【００２６】図６の装置において、磁気コイル９０１に
電流を流すと、電流の強さと方向に応じて磁場が発生す
るので、反応容器２１１内の磁場分布を制御することが
できる。例えば、磁気コイル２１４と同じ方向に電流を
流せば、反応容器２１１内の磁場は強められるので、磁
力線は図６に破線で示すように反応容器２１１内でも広
がらない。逆に、磁気コイル２１４と逆方向に電流を流
せば、磁力線は図６に一点鎖線で示すように反応容器２
１１内で大きく外側に広がる。プラズマ生成室２０４内
で生成したプラズマは反応容器２１１内で磁力線に沿っ
て拡散するので、反応容器２１１内のプラズマ密度は磁
力線の密度と対応したものになる。このように磁気コイ
ル９０１に流す電流を制御することにより、図３に示す
ように反応容器２１１内でのプラズマ密度分布の均一性
が向上する。この結果、図４に示すように薄膜の膜厚分
布の均一性も向上する。
電流を流すと、電流の強さと方向に応じて磁場が発生す
るので、反応容器２１１内の磁場分布を制御することが
できる。例えば、磁気コイル２１４と同じ方向に電流を
流せば、反応容器２１１内の磁場は強められるので、磁
力線は図６に破線で示すように反応容器２１１内でも広
がらない。逆に、磁気コイル２１４と逆方向に電流を流
せば、磁力線は図６に一点鎖線で示すように反応容器２
１１内で大きく外側に広がる。プラズマ生成室２０４内
で生成したプラズマは反応容器２１１内で磁力線に沿っ
て拡散するので、反応容器２１１内のプラズマ密度は磁
力線の密度と対応したものになる。このように磁気コイ
ル９０１に流す電流を制御することにより、図３に示す
ように反応容器２１１内でのプラズマ密度分布の均一性
が向上する。この結果、図４に示すように薄膜の膜厚分
布の均一性も向上する。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明のＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置を用いれば、大面積の基板上にも薄膜を
均一に堆積させることができる。
ズマＣＶＤ装置を用いれば、大面積の基板上にも薄膜を
均一に堆積させることができる。
【図１】本発明の実施例１におけるＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置を示す概略構成図。
Ｄ装置を示す概略構成図。
【図２】永久磁石が存在しない場合及び回転台上に永久
磁石を設けた場合の、反応容器内におけるプラズマ密度
分布を示す図。
磁石を設けた場合の、反応容器内におけるプラズマ密度
分布を示す図。
【図３】回転台上に永久磁石を設けた場合の、反応容器
内における時間平均のプラズマ密度分布を示す図。
内における時間平均のプラズマ密度分布を示す図。
【図４】本発明のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いた場
合に形成されるアモルファスシリコン薄膜の膜厚分布を
示す図。
合に形成されるアモルファスシリコン薄膜の膜厚分布を
示す図。
【図５】本発明の実施例２におけるＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置を示す概略構成図。
Ｄ装置を示す概略構成図。
【図６】本発明の実施例３におけるＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置を示す概略構成図。
Ｄ装置を示す概略構成図。
【図７】従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す概略構
成図。
成図。
【図８】従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いた場合
に形成されるアモルファスシリコン薄膜の膜厚分布を示
す図。
に形成されるアモルファスシリコン薄膜の膜厚分布を示
す図。
【図９】プラズマ生成室内におけるマイクロ波の定在波
モードを示す図。
モードを示す図。
２０１…マイクロ波、２０２…導波管、２０３…マイク
ロ波導入窓、２０４…プラズマ生成室、２１１…反応容
器、２１２…試料台、２１３…基板、２１６…磁気コイ
ル、１０１…回転台、１０２…永久磁石、８０１…永久
磁石、９０１…磁気コイル。
ロ波導入窓、２０４…プラズマ生成室、２１１…反応容
器、２１２…試料台、２１３…基板、２１６…磁気コイ
ル、１０１…回転台、１０２…永久磁石、８０１…永久
磁石、９０１…磁気コイル。
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器内に円板状の基板を配置して
反応ガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴を利用して
発生させたプラズマにより前記反応ガスを分解させて、
前記基板上に薄膜を形成させるＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置において、基板の裏面側で基板の周縁部に対応する位
置に磁石を配置したことを特徴とするＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2235391A JPH04263078A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2235391A JPH04263078A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263078A true JPH04263078A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12080288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2235391A Pending JPH04263078A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263078A (ja) |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP2235391A patent/JPH04263078A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991109 |