JPH04261051A - 半導体装置のリードフレーム - Google Patents

半導体装置のリードフレーム

Info

Publication number
JPH04261051A
JPH04261051A JP903191A JP903191A JPH04261051A JP H04261051 A JPH04261051 A JP H04261051A JP 903191 A JP903191 A JP 903191A JP 903191 A JP903191 A JP 903191A JP H04261051 A JPH04261051 A JP H04261051A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead
tie bar
lead terminals
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP903191A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhito Suzuki
康仁 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP903191A priority Critical patent/JPH04261051A/ja
Publication of JPH04261051A publication Critical patent/JPH04261051A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】半導体装置のリードフレーム、特
に樹脂バリ塞き止め用のタイバーを備えたリードフレー
ムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、半導体装置のリードフレーム
として図4にその要部を示したものがある。このリード
フレーム30は複数のリード端子2,…、およびダイバ
ー3を備えている。リード端子2,…は互いにほぼ並列
に等間隔に配置されている。ダイバー3は、リード端子
2と一体に設けられており、図中中央において各リード
端子2,…と直交し、かつ隣接するリード端子2,2を
連結させて設けられている。タイバー3は、樹脂モール
ドの際、隣接するリード端子2,2の隙間からモールド
樹脂が漏出して形成される樹脂バリ4を塞き止めるよう
に設けられている。
【0003】なお、リード端子2,…は、図中上側が内
端側であり、内端側の先端には半導体チップT(図示せ
ず)が配置されるようになっている。また、図中一点鎖
線で示したのは、半導体チップTを樹脂モールドする際
の境界線Kであり、この境界線Kより内端側が樹脂モー
ルドされるようになっている。タイバー3はこのモール
ド境界線Kよりリード端子2の外端側近傍に形成されて
いる。
【0004】次にこのリードフレーム30を用いた半導
体装置の製造を説明する。まず、リードフレーム30に
図示しない半導体チップTを搭載する。そして、この半
導体チップTと各リード端子2,…の内端先端とを金線
によるワイヤーボンディング等によって接続するととも
に、半導体チップTを樹脂Sによってモールドする。樹
脂モールドの際、隣接するリード端子2,2の隙間から
モールド樹脂Sが漏出するがモールド境界線Kの外端側
に設けたタイバー3によって塞き止められてこれより外
端側には漏出しない。そのため、隣接するリード端子2
,2およびタイバー3によって囲まれた範囲内に樹脂バ
リ4が残存形成される(図5,図6参照)。
【0005】そのあと、タイバー3,…および樹脂バリ
4が図示しないタイバーカットパンチPによって切断さ
れる。これにより、樹脂バリ4が切り取られるとともに
各リード端子2,…が分離される。なお、図5において
2点鎖線で示したのが、タイバーカットパンチPによる
切断領域Uである。このようにして製造した半導体装置
20の要部を図7に示している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来例では、タイバーカット後も樹脂バリ4の残存が甚だ
しい上に、残存した樹脂バリ4が脱落しやすく、脱落し
た樹脂バリ4がリード端子2上に付着するといった問題
があった。というのも、タイバーカットパンチPはリー
ド端子2,…の隙間に挿入されてタイバー3および樹脂
バリ4を切断するようになっている。そのため、リード
端子2,2の一部を切り取らないようにタイバーカット
パンチPの切断幅10はリード端子2間の幅11より幾
分か狭幅に設定されている。
【0007】しかしながら、樹脂バリ4の形成幅12も
リード端子2間の幅11と同幅になってしまうので、切
断幅10のタイバーカットパンチPでは当然ながら樹脂
バリ4の全幅を切断除去することが不可能であり、図7
に示すように、樹脂バリ4はタイバーカット後もコの字
状に残存してしまっていた。
【0008】このような形状に残存した樹脂バリ4にお
いては、その両端部4aのモールド境界線Kからの突出
距離が長いままであるため、タイバーカット後の工程で
あるリードベント(リード端子を屈曲させる)工程等に
おいて外力が加えられると、脱落してしまってリード端
子2上などに付着してしまっていた。
【0009】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、リード端子間に残存形成される樹脂バ
リの大きさを最小限にすることができるとともに樹脂バ
リ脱落を起こさないリードフレームを提供することわ目
的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するためになされたものであって、リード端子、およ
び樹脂バリ塞き止め用のタイバーを備え、リード端子は
内端側が樹脂モールドされるものであって、互いにほぼ
並列に複数設けられており、タイバーは、樹脂モールド
の際、リード端子間隙間から漏出するモールド樹脂を塞
き止めるものであって、隣接するリード端子を連結して
設けられており、かつ、タイバー近傍のリード端子間隔
は、タイバーを挟んで内端側が外端側に比べて狭くして
半導体装置のリードフレームを構成した。
【0011】
【作用】上記構成によれば、このリードフレームを用い
て半導体装置を製造すれば、タイバーから内端側の隣接
リード端子の隙間を埋めて形成される樹脂バリの形成面
積が小さくなる。また、樹脂バリの形成幅もタイバー外
端側のリード端子幅より狭くなるので、タイバーカット
パンチの切断幅をリード端子幅と樹脂バリ形成幅との中
間の値に設定すれば、リード端子を切り込むことなく、
樹脂バリ全幅を切断することができるようになる。
【0012】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図1は本発明の一実施例の要部拡大図
である。
【0013】本実施例のリードフレーム1は基本的な構
成が従来例と同様であり、同一ないし同様の部分には同
一の符号を付している。すなわち、このリードフレーム
1は互いにほぼ並列に、かつ等間隔に配置された複数の
リード端子2,…、およびこれらリード端子2と直交し
、かつ隣接するリード端子2,2どうしを連結したタイ
バー3,…を有している。そして、図中上方がリード端
子2の内端側であり、内端側には図示しない半導体チッ
プTが搭載されるようになっている。また、図中一点鎖
線で示されれているのが、樹脂モールドの際のモールド
境界線Kであり、これより内端側が樹脂モールドされる
ようになっている。
【0014】次に本実施例の特徴となる構成を述べる。 タイバー3近傍においては、タイバー3を挟んだ内端側
のリード端子2の間隔12が外端側の間隔11より狭幅
に設定されている。換言すれば、タイバー3近傍におい
ては各リード端子2は、タイバー3を挟んた外端側より
内端側の方が広幅になっている。なお、リード端子2の
内端側間隔12は、図より内端側においては再び間隔1
1と同幅になっている。
【0015】上記構成のリードフレーム1を用いた半導
体装置の製造を説明する。まず、リードフレーム1に図
示しない半導体チップTを搭載する。そして、この半導
体チップTと各リード端子2,…の内端先端とを金線に
よるワイヤーボンディング等によって接続するとともに
、半導体チップTを樹脂Sによってモールドする。
【0016】このとき、従来と同様、隣接するリード端
子2,2間の隙間からモールド樹脂Sが漏出して、隣接
するリード端子2,2およびタイバー3によって囲まれ
た範囲内に樹脂バリ4が残存形成される(図2参照)。 しかしながら、タイバー3より内端側のリード端子間隔
12が外端側の間隔11より狭幅になっているので、形
成される各樹脂バリ4の大きさは端子幅が同幅のものと
比べて小さくなる。
【0017】そのあと、タイバー3および樹脂バリ4が
図2において2点鎖線によって切断領域Uが示されるタ
イバーカットパンチPによって切断され、これにより、
各リード端子2,…が分離されるとともに樹脂バリ4が
切り取られる。このタイバーカットパンチPの切断幅1
0は内端側の端子間隔12と外端側端子間隔11とリと
の中間の値に設定されている。そのため、リード端子2
を切り込むことなく、樹脂バリ4全幅を切断することが
できる。このようにしてタイバー3および樹脂バリ4を
切断した半導体装置21の要部が図3に示されている。
【0018】こののち、各半導体装置21はリードベン
ト工程が施されてリード端子2,…が屈曲される。この
とき、モールド境界線K近傍に若干ながら樹脂バリ4が
残存している。これはタイバーカットパンチPによって
モールド樹脂Sを切り込むことを防止するために、若干
ながらモールド境界線Kより外端側にタイバーカットパ
ンチPを配置せざるを得ないためである。しかしながら
、タイバーカットパンチPによって樹脂バリ4はその全
幅が切断されており、モールド境界線Kからの突出距離
は十分に短いものとなっている。そのため、リードベン
ト工程において、リード端子2を屈曲させるリードベン
トステージ(図示せず)の配置位置に樹脂バリ4が存在
することがなく、したがって、樹脂バリ4の脱落は起こ
らない。
【0019】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、タイバ
ーから内端側の隣接リード端子の隙間を埋めて形成され
る樹脂バリの形成面積が小さくなった。また、樹脂バリ
の形成幅もタイバーを挟んで外端側のリード端子幅より
狭くなったので、タイバーカットパンチの切断幅をリー
ド端子幅と樹脂バリ形成幅との中間の値に設定すれば、
リード端子を切り込むことなく、樹脂バリ全幅を切断す
ることができるようになった。
【0020】そのため、モールド境界線からの樹脂バリ
突出量を大幅に縮小することができ、樹脂バリの形成面
積を小さくできたのとあいまって、樹脂バリの脱落を防
止することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の要部拡大平面図である。
【図2】図1のリードフレームを用いた半導体装置の製
造途中を示す要部拡大平面図である。
【図3】図1のリードフレームを用いた半導体装置の要
部拡大平面図である。
【図4】従来例の要部拡大平面図である。
【図5】従来例のリードフレームを用いた半導体装置の
製造途中を示す要部拡大平面図である。
【図6】従来例のリードフレームを用いた半導体装置の
製造途中を示す平面図である。
【図7】従来例のリードフレームを用いた半導体装置の
要部拡大平面図である。
【符号の説明】
2    リード端子 3    タイバー 4    樹脂バリ 11    リード端子の外端側間隔 12    リード端子の内端側間隔 S    モールド樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  リード端子、および樹脂バリ塞き止め
    用のタイバーを備え、リード端子は内端側が樹脂モール
    ドされるものであって、互いにほぼ並列に複数設けられ
    ており、タイバーは、樹脂モールドの際、リード端子間
    隙間から漏出するモールド樹脂を塞き止めるものであっ
    て、隣接するリード端子を連結して設けられており、か
    つ、タイバー近傍のリード端子間隔は、タイバーを挟ん
    で内端側が外端側に比べて狭くなっていることを特徴と
    する半導体装置のリードフレーム。
JP903191A 1991-01-29 1991-01-29 半導体装置のリードフレーム Pending JPH04261051A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP903191A JPH04261051A (ja) 1991-01-29 1991-01-29 半導体装置のリードフレーム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP903191A JPH04261051A (ja) 1991-01-29 1991-01-29 半導体装置のリードフレーム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04261051A true JPH04261051A (ja) 1992-09-17

Family

ID=11709289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP903191A Pending JPH04261051A (ja) 1991-01-29 1991-01-29 半導体装置のリードフレーム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04261051A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5517056A (en) Molded carrier ring leadframe having a particular resin injecting area design for gate removal and semiconductor device employing the same
KR0141952B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
US5083186A (en) Semiconductor device lead frame with rounded edges
JP2685582B2 (ja) リードフレーム及びこれを用いた半導体装置
JPH04261051A (ja) 半導体装置のリードフレーム
JP2580740B2 (ja) リードフレーム
JPS60161646A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS63131557A (ja) レジン封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム及びレジン封止型半導体装置
JP2866816B2 (ja) リードフレーム
JPS60136248A (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
JPH05299455A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3226015B2 (ja) リードフレーム
JPH0738036A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3134614B2 (ja) リードフレームの製造方法
KR0152577B1 (ko) 각형 위치 정렬 핀을 이용한 외부리드의 언더 컷 방지 방법
JPH10154784A (ja) リードフレームの製造方法
JPH06140551A (ja) 半導体装置
JPH04271151A (ja) 半導体装置用リードフレーム
KR20010053792A (ko) 반도체 패키지 제조용 리드프레임
KR200157362Y1 (ko) 반도체장치의 리드 프레임
KR100186330B1 (ko) 컬럼형 패키지의 제조방법
JPH0493057A (ja) 電子部品用リードフレーム及びこれを用いた電子部品の製造方法
JP2954561B2 (ja) リードフレーム、リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置の成形金型、リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置および樹脂封止半導体装置の製造方法
KR100374135B1 (ko) 반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 이것의 제조방법
KR0170022B1 (ko) 반도체 패키지용 리드프레임의 구조