JPH04258368A - リフロー装置 - Google Patents
リフロー装置Info
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- JPH04258368A JPH04258368A JP3020759A JP2075991A JPH04258368A JP H04258368 A JPH04258368 A JP H04258368A JP 3020759 A JP3020759 A JP 3020759A JP 2075991 A JP2075991 A JP 2075991A JP H04258368 A JPH04258368 A JP H04258368A
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- JP
- Japan
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- nitrogen gas
- heating chamber
- gas
- solvent
- nitrogen
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- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 90
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 52
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- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリフロー装置に係り、液
体チッソガスボンベから加熱室へ送られる低温のチッソ
ガスにより、加熱室から排出された高温のチッソガスを
冷却して、このチッソガス中に含まれる溶剤ガスを液化
除去し、このチッソガスを再利用するようにしたもので
ある。
体チッソガスボンベから加熱室へ送られる低温のチッソ
ガスにより、加熱室から排出された高温のチッソガスを
冷却して、このチッソガス中に含まれる溶剤ガスを液化
除去し、このチッソガスを再利用するようにしたもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半田により電子部品が搭載された基板は
、リフロー装置装置の加熱室へ送られ、半田の加熱処理
が行われるが、加熱室において、基板は加熱されること
から、半田、基板に形成された回路パターン、電子部品
の電極部などの金属部分は酸化されやすい。
、リフロー装置装置の加熱室へ送られ、半田の加熱処理
が行われるが、加熱室において、基板は加熱されること
から、半田、基板に形成された回路パターン、電子部品
の電極部などの金属部分は酸化されやすい。
【０００３】このため、加熱室へチッソガスを送り、チ
ッソガス雰囲気中において、加熱処理を行うことが知ら
れている。
ッソガス雰囲気中において、加熱処理を行うことが知ら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが半田はフラッ
クスを含有しており、上記加熱処理が進行するのにとも
なって、フラックス中の溶剤はガス化して揮発すること
から、加熱室内の溶剤ガス濃度は次第に高くなり、この
ため単に半田のヌレ性が悪化するだけでなく、溶剤ガス
は基板上に凝集して、半田の加熱処理に悪影響が生じる
問題点があった。
クスを含有しており、上記加熱処理が進行するのにとも
なって、フラックス中の溶剤はガス化して揮発すること
から、加熱室内の溶剤ガス濃度は次第に高くなり、この
ため単に半田のヌレ性が悪化するだけでなく、溶剤ガス
は基板上に凝集して、半田の加熱処理に悪影響が生じる
問題点があった。
【０００５】このような問題点を解消する手段として、
加熱室内の溶剤ガス濃度が異常に高くならないように、
加熱室内のチッソガスを適宜排出して廃棄することが考
えられる。しかしながらこのように加熱室内のチッソガ
スを排出廃棄すれば、有害な溶剤ガスが空気中に放出さ
れて環境上の問題を生じ、また加熱室に新鮮なチッソガ
スを常時又は頻繁に補充せねばならず、ランニングコス
トはきわめて高いものになってしまう。
加熱室内の溶剤ガス濃度が異常に高くならないように、
加熱室内のチッソガスを適宜排出して廃棄することが考
えられる。しかしながらこのように加熱室内のチッソガ
スを排出廃棄すれば、有害な溶剤ガスが空気中に放出さ
れて環境上の問題を生じ、また加熱室に新鮮なチッソガ
スを常時又は頻繁に補充せねばならず、ランニングコス
トはきわめて高いものになってしまう。
【０００６】そこで本発明は、上記問題点を解消できる
リフロー装置を提供することを目的とする。
リフロー装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒータが配設
された加熱室と、この加熱室内を基板を搬送するコンベ
ヤと、この加熱室にチッソガスを供給する液体チッソボ
ンベと、この加熱室から排出されたチッソガスを冷却し
て液化させることにより、このチッソガス中に含まれる
溶剤ガスを除去するコンデンサとを備え、上記液体チッ
ソボンベから上記加熱室へ送られる低温のチッソガスに
より、上記加熱室から上記コンデンサへ排出される高温
のチッソガスを冷却するようにしたものである。
された加熱室と、この加熱室内を基板を搬送するコンベ
ヤと、この加熱室にチッソガスを供給する液体チッソボ
ンベと、この加熱室から排出されたチッソガスを冷却し
て液化させることにより、このチッソガス中に含まれる
溶剤ガスを除去するコンデンサとを備え、上記液体チッ
ソボンベから上記加熱室へ送られる低温のチッソガスに
より、上記加熱室から上記コンデンサへ排出される高温
のチッソガスを冷却するようにしたものである。
【０００８】
【作用】上記構成において、加熱室中の高温のチッソガ
スはコンデンサへ排出され、このチッソガスを冷却する
ことにより、これに含まれる溶剤ガス液化して除去する
。
スはコンデンサへ排出され、このチッソガスを冷却する
ことにより、これに含まれる溶剤ガス液化して除去する
。
【０００９】この場合、このチッソガスを冷却する冷媒
として、液体チッソガスボンベから加熱室へ送られる低
温のチッソガスを使用する。またこの低温のチッソガス
と、加熱室から排出された高温のチッソガスを熱交換す
ることにより、低温のチッソガスを暖めたうえで、加熱
室へ送れるので、ヒータの負荷は軽減され、熱効率は大
巾に向上する。
として、液体チッソガスボンベから加熱室へ送られる低
温のチッソガスを使用する。またこの低温のチッソガス
と、加熱室から排出された高温のチッソガスを熱交換す
ることにより、低温のチッソガスを暖めたうえで、加熱
室へ送れるので、ヒータの負荷は軽減され、熱効率は大
巾に向上する。
【００１０】
【実施例】（実施例１）次に、図面を参照しながら発明
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
【００１１】図１はリフロー装置の側面図である。１は
加熱室であり、その内部には、ヒータ２、ファン３、基
板５を搬送するコンベヤ４が配設されている。６は搬入
用コンベヤ、７は搬出用コンベヤ、８は基板５に搭載さ
れた電子部品である。
加熱室であり、その内部には、ヒータ２、ファン３、基
板５を搬送するコンベヤ４が配設されている。６は搬入
用コンベヤ、７は搬出用コンベヤ、８は基板５に搭載さ
れた電子部品である。
【００１２】１０は液体チッソボンベであって、チュー
ブから成る送気路１１を通して、加熱室１にチッソガス
を供給する。１２はコンデンサであって、パイプ１３を
通して加熱室１に接続されており、またパイプ１４及び
分離器１７を通して、加熱室１に接続されている。１５
はバルブである。上記送気路１１は、このパイプ１３や
コンデンサ１２に巻回されて、これら１２、１３に沿う
ように配設されている。チッソボンベ１０内の液体チッ
ソは約−２００℃であり、気化されて約０℃程度の低温
のチッソガスとして加熱室１へ送られる。
ブから成る送気路１１を通して、加熱室１にチッソガス
を供給する。１２はコンデンサであって、パイプ１３を
通して加熱室１に接続されており、またパイプ１４及び
分離器１７を通して、加熱室１に接続されている。１５
はバルブである。上記送気路１１は、このパイプ１３や
コンデンサ１２に巻回されて、これら１２、１３に沿う
ように配設されている。チッソボンベ１０内の液体チッ
ソは約−２００℃であり、気化されて約０℃程度の低温
のチッソガスとして加熱室１へ送られる。
【００１３】上記構成において、基板５は加熱室１内を
搬送されながら、約２３０℃程度まで徐々に加熱され、
チッソガス雰囲気中において、半田の加熱処理が行われ
る。半田のフラックスに含まれる溶剤は徐々に揮発し、
加熱室１内の溶剤ガス濃度は次第に高くなる。溶剤ガス
濃度が異常に高くなると、半田のヌレ性が悪化し、また
溶剤ガスは基板５上に凝集し、半田の加熱処理に悪影響
を及ぼすことから、溶剤ガスは除去しなければならない
。
搬送されながら、約２３０℃程度まで徐々に加熱され、
チッソガス雰囲気中において、半田の加熱処理が行われ
る。半田のフラックスに含まれる溶剤は徐々に揮発し、
加熱室１内の溶剤ガス濃度は次第に高くなる。溶剤ガス
濃度が異常に高くなると、半田のヌレ性が悪化し、また
溶剤ガスは基板５上に凝集し、半田の加熱処理に悪影響
を及ぼすことから、溶剤ガスは除去しなければならない
。
【００１４】そこで加熱室１中の高温のチッソガスをパ
イプ１３を通してコンデンサ１２へ排出し、このチッソ
ガスを冷却することにより、溶剤ガスを液化させて除去
する。溶剤ガスが除去されたチッソガスは、分離器１７
により酸素ガスを除去したうえで、再利用される。また
チッソボンベ１０から送り出された低温のチッソガスは
、パイプ１３やコンデンサ１２に沿って流れるので、こ
の低温のチッソガスを冷媒として活用し、加熱室１から
排出された高温のチッソガスを冷却する。またこのよう
に低温のチッソガスと高温のチッソガスの熱交換を行う
ことにより、低温のチッソガスを暖めたうえで、加熱室
１へ送ることができるので、ヒータ２の負荷は軽減され
、熱効率がきわめて良いものとなる。
イプ１３を通してコンデンサ１２へ排出し、このチッソ
ガスを冷却することにより、溶剤ガスを液化させて除去
する。溶剤ガスが除去されたチッソガスは、分離器１７
により酸素ガスを除去したうえで、再利用される。また
チッソボンベ１０から送り出された低温のチッソガスは
、パイプ１３やコンデンサ１２に沿って流れるので、こ
の低温のチッソガスを冷媒として活用し、加熱室１から
排出された高温のチッソガスを冷却する。またこのよう
に低温のチッソガスと高温のチッソガスの熱交換を行う
ことにより、低温のチッソガスを暖めたうえで、加熱室
１へ送ることができるので、ヒータ２の負荷は軽減され
、熱効率がきわめて良いものとなる。
【００１５】（実施例２）図２において、１６はチッソ
ボンベ１０から送り出された低温のチッソガスと、加熱
室１から排出された溶剤ガスを含む高温のチッソガスの
混合器である。この混合器１６で混合されたチッソガス
は、コンデンサ１２へ送られ、溶剤ガスは除去される。 次いで、チッソガスと酸素ガスの分離器１７へ送られ、
酸素ガスを除去したうえで、加熱室１へ送られる。
ボンベ１０から送り出された低温のチッソガスと、加熱
室１から排出された溶剤ガスを含む高温のチッソガスの
混合器である。この混合器１６で混合されたチッソガス
は、コンデンサ１２へ送られ、溶剤ガスは除去される。 次いで、チッソガスと酸素ガスの分離器１７へ送られ、
酸素ガスを除去したうえで、加熱室１へ送られる。
【００１６】このように、低温のチッソガスと、高温の
チッソガスを混合して、温度を中和することにより、コ
ンデンサ１２による冷却効率をあげることができる。ま
た加熱室１には、入口１８や出口１９から外気が侵入し
、チッソガス中の酸素濃度が次第に高くなることから、
分離器１７により酸素を除去する。この分離器１７は、
加熱室１と混合器１６の間に設けてもよい。
チッソガスを混合して、温度を中和することにより、コ
ンデンサ１２による冷却効率をあげることができる。ま
た加熱室１には、入口１８や出口１９から外気が侵入し
、チッソガス中の酸素濃度が次第に高くなることから、
分離器１７により酸素を除去する。この分離器１７は、
加熱室１と混合器１６の間に設けてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ヒータが
配設された加熱室と、この加熱室内を基板を搬送するコ
ンベヤと、この加熱室にチッソガスを供給する液体チッ
ソボンベと、この加熱室から排出されたチッソガスを冷
却して液化させることにより、このチッソガス中に含ま
れる溶剤ガスを除去するコンデンサとを備え、上記液体
チッソボンベから上記加熱室へ送られる低温のチッソガ
スにより、上記加熱室から上記コンデンサへ排出される
高温のチッソガスを冷却するようにしているので、チッ
ソガス中の溶剤ガスを熱効率よく除去し、またチッソボ
ンベから送り出された低温のチッソガスを暖めたうえで
、加熱室へ送ることができるので、熱効率がきわめて良
く、ランニングコストの軽減を図ることができる。
配設された加熱室と、この加熱室内を基板を搬送するコ
ンベヤと、この加熱室にチッソガスを供給する液体チッ
ソボンベと、この加熱室から排出されたチッソガスを冷
却して液化させることにより、このチッソガス中に含ま
れる溶剤ガスを除去するコンデンサとを備え、上記液体
チッソボンベから上記加熱室へ送られる低温のチッソガ
スにより、上記加熱室から上記コンデンサへ排出される
高温のチッソガスを冷却するようにしているので、チッ
ソガス中の溶剤ガスを熱効率よく除去し、またチッソボ
ンベから送り出された低温のチッソガスを暖めたうえで
、加熱室へ送ることができるので、熱効率がきわめて良
く、ランニングコストの軽減を図ることができる。
【図１】リフロー装置の側面図
【図２】他の実施例のリフロー装置の側面図
１ 加熱室
２ ヒータ
４ コンベヤ
５ 基板
１０ 液体チッソボンベ
１２ コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 ヒータが配設された加熱室と、この加
熱室内を基板を搬送するコンベヤと、この加熱室にチッ
ソガスを供給する液体チッソボンベと、この加熱室から
排出されたチッソガスを冷却して液化させることにより
、このチッソガス中に含まれる溶剤ガスを除去するコン
デンサとを備え、上記液体チッソボンベから上記加熱室
へ送られる低温のチッソガスにより、上記加熱室から上
記コンデンサへ排出される高温のチッソガスを冷却する
ようにしたことを特徴とするリフロー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020759A JP2794958B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | リフロー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020759A JP2794958B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | リフロー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04258368A true JPH04258368A (ja) | 1992-09-14 |
| JP2794958B2 JP2794958B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=12036121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3020759A Expired - Lifetime JP2794958B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | リフロー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794958B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997043884A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de soudage par refusion |
| WO2004062761A3 (de) * | 2003-01-08 | 2004-09-30 | Siemens Ag | Verfahren zum reinigen von prozessgas eines lötofens, sowie lötofen und reinigungssystem zu durchführung des verfahrens |
| CN108633188A (zh) * | 2017-03-18 | 2018-10-09 | 韦煜辉 | 一种安全型回流焊机 |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP3020759A patent/JP2794958B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997043884A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de soudage par refusion |
| US6120585A (en) * | 1996-05-15 | 2000-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflow soldering device |
| WO2004062761A3 (de) * | 2003-01-08 | 2004-09-30 | Siemens Ag | Verfahren zum reinigen von prozessgas eines lötofens, sowie lötofen und reinigungssystem zu durchführung des verfahrens |
| CN108633188A (zh) * | 2017-03-18 | 2018-10-09 | 韦煜辉 | 一种安全型回流焊机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2794958B2 (ja) | 1998-09-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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