JPH04257866A - 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ - Google Patents
電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリInfo
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真感光体、該電子
写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリに
関し、詳しくは特定の電荷発生物質と特定の電荷輸送物
質を含有する感光層を有する電子写真感光体、該電子写
真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリに関
する。
写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリに
関し、詳しくは特定の電荷発生物質と特定の電荷輸送物
質を含有する感光層を有する電子写真感光体、該電子写
真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリに関
する。
【0002】
従来、電子写真感光体としてはセレン、硫化カドミウム
、酸化亜鉛などの無機光導電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられてきた。これらは
熱安定性、耐湿性、耐久性などにおいて必ずしも満足し
得るものではなく、特にセレンおよび硫化カドミウムは
毒性のために製造上並びに取り扱い上に制約があった。
、酸化亜鉛などの無機光導電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられてきた。これらは
熱安定性、耐湿性、耐久性などにおいて必ずしも満足し
得るものではなく、特にセレンおよび硫化カドミウムは
毒性のために製造上並びに取り扱い上に制約があった。
【0003】一方、有機光導電性化合物を主成分とする
感光層を有する有機感光体は無機感光体の上記欠点を補
うなど多くの利点を有し、近年注目を集めている。この
ような有機感光体としてはポリ−N−ビニルカルバゾ−
ルに代表される光導電性ポリマ−およびこれと2,4,
7−トリニトロ−9−フルオレノンなどのルイス酸とか
ら形成される電荷移動錯体を主成分とする感光層を有す
る電子写真感光体は既に実用化されている。しかしこの
電子写真感光体は感度および耐久性において必ずしも満
足できるものではない。そして、電荷発生機能と電荷輸
送機能とをそれぞれ別個の物質に分担させた機能分離型
電子写真感光体が、従来の有機感光体の欠点とされてい
た感度や耐久性に著しい改善をもたらした。このような
機能分離型電子写真感光体は電荷発生物質、電荷輸送物
質の各々の材料選択範囲が広く、任意の特性を有する電
子写真感光体を比較的容易に作成し得るという利点を有
している。
感光層を有する有機感光体は無機感光体の上記欠点を補
うなど多くの利点を有し、近年注目を集めている。この
ような有機感光体としてはポリ−N−ビニルカルバゾ−
ルに代表される光導電性ポリマ−およびこれと2,4,
7−トリニトロ−9−フルオレノンなどのルイス酸とか
ら形成される電荷移動錯体を主成分とする感光層を有す
る電子写真感光体は既に実用化されている。しかしこの
電子写真感光体は感度および耐久性において必ずしも満
足できるものではない。そして、電荷発生機能と電荷輸
送機能とをそれぞれ別個の物質に分担させた機能分離型
電子写真感光体が、従来の有機感光体の欠点とされてい
た感度や耐久性に著しい改善をもたらした。このような
機能分離型電子写真感光体は電荷発生物質、電荷輸送物
質の各々の材料選択範囲が広く、任意の特性を有する電
子写真感光体を比較的容易に作成し得るという利点を有
している。
【0004】近年、電子写真感光体が複写機のみならず
、電子写真技術を応用したノンインパクト型のプリンタ
−への使用が急速に増加してきている。これらは主とし
てレ−ザ−光を光源とするレ−ザ−ビ−ムプリンタ−で
あり、その光源としてはコスト、装置の大きさの点から
半導体レ−ザ−が用いられる。現在主として用いられて
いる半導体レ−ザ−はその発振波長が790±20nm
と長波長のため、これらの長波長の光に十分な感度を有
する電子写真感光体の開発が進められてきた。長波長側
での感度は電荷発生材料の種類によって変わるものであ
り、多くの電荷発生材料が検討されている。代表的な電
荷発生材料としてはフタロシアニン顔料、アゾ顔料、シ
アニン顔料、アズレン顔料、スクアリリウム染料などが
ある。一方、長波長光に対して感度を有する電荷発生材
料として、近年、アルミクロルフタロシアニン、クロロ
インジウムフタロシアニン、オキシバナジウムフタロシ
アニン、クロロガリウムフタロシアニン、マグネシウム
フタロシアニン、オキシチタニウムフタロシアニンなど
の金属フタロシアニンあるいは無金属フタロシアニンに
ついての研究が多くなってきている。このうち多くのフ
タロシアニン化合物では多形の存在が知られており、例
えば無金属フタロシアニンではα型、β型、γ型、δ型
、ε型、τ型、χ型などがあり、銅フタロシアニンでは
α型、β型、γ型、δ型、χ型などが知られている。 また、結晶形の違いが電子写真特性(感度、耐久時の電
位安定性など)および塗料化した場合の塗料特性にも大
きな影響を与えることも知られている。特に長波長の光
に対して高感度を有するオキシチタニウムフタロシアニ
ンに関しても上述の無金属フタロシアニンや銅フタロシ
アニンなど他のフタロシアニンと同様に多形が存在する
。例えば特開昭59−49544号公報(USP4,4
44,861)、特開昭59−166959号公報、特
開昭61−239248号公報(USP4,728,5
92)、特開昭62−67094号公報(USP4,6
64,997)、特開昭63−366号公報、特開昭6
3−116158号公報、特開昭63−198067号
公報および特開昭64−17066号公報に各々結晶形
の異なるオキシチタニウムフタロシアニンが報告されて
いる。しかしこれらのオキシチタニウムフタロシアニン
は感度が十分でない、繰り返し使用時の電位安定性が悪
い、帯電能が悪い、使用環境の変化による画像劣化が見
られるなど実際の使用上問題となる点がいくつかあり、
いまだ十分満足できるものがない。ところで、一般に電
子写真感光体においてはある特定の電荷発生物質に対し
て有効な電荷輸送物質が他の電荷発生物質に対して有効
であるとは限らず、また、逆にある特定の電荷輸送物質
に有効な電荷発生物質が他の電荷輸送物質に対して有効
であるとは限らない。すなわち、電荷の受け渡しをする
これらの電荷発生物質と電荷輸送物質には必ず適当な組
み合わせがある。不適当な組み合わせでは感度低下や残
留電位の上昇を生じたり、繰り返し使用時の電位安定性
の悪化や帯電能の低下などの多くの問題を生じる。 従って電荷発生物質と電荷輸送物質との組み合わせは極
めて重要であるが、一般的な法則は存在せず、特定の電
荷発生物質に適合した電荷輸送物質の発見は容易なこと
ではない。
、電子写真技術を応用したノンインパクト型のプリンタ
−への使用が急速に増加してきている。これらは主とし
てレ−ザ−光を光源とするレ−ザ−ビ−ムプリンタ−で
あり、その光源としてはコスト、装置の大きさの点から
半導体レ−ザ−が用いられる。現在主として用いられて
いる半導体レ−ザ−はその発振波長が790±20nm
と長波長のため、これらの長波長の光に十分な感度を有
する電子写真感光体の開発が進められてきた。長波長側
での感度は電荷発生材料の種類によって変わるものであ
り、多くの電荷発生材料が検討されている。代表的な電
荷発生材料としてはフタロシアニン顔料、アゾ顔料、シ
アニン顔料、アズレン顔料、スクアリリウム染料などが
ある。一方、長波長光に対して感度を有する電荷発生材
料として、近年、アルミクロルフタロシアニン、クロロ
インジウムフタロシアニン、オキシバナジウムフタロシ
アニン、クロロガリウムフタロシアニン、マグネシウム
フタロシアニン、オキシチタニウムフタロシアニンなど
の金属フタロシアニンあるいは無金属フタロシアニンに
ついての研究が多くなってきている。このうち多くのフ
タロシアニン化合物では多形の存在が知られており、例
えば無金属フタロシアニンではα型、β型、γ型、δ型
、ε型、τ型、χ型などがあり、銅フタロシアニンでは
α型、β型、γ型、δ型、χ型などが知られている。 また、結晶形の違いが電子写真特性(感度、耐久時の電
位安定性など)および塗料化した場合の塗料特性にも大
きな影響を与えることも知られている。特に長波長の光
に対して高感度を有するオキシチタニウムフタロシアニ
ンに関しても上述の無金属フタロシアニンや銅フタロシ
アニンなど他のフタロシアニンと同様に多形が存在する
。例えば特開昭59−49544号公報(USP4,4
44,861)、特開昭59−166959号公報、特
開昭61−239248号公報(USP4,728,5
92)、特開昭62−67094号公報(USP4,6
64,997)、特開昭63−366号公報、特開昭6
3−116158号公報、特開昭63−198067号
公報および特開昭64−17066号公報に各々結晶形
の異なるオキシチタニウムフタロシアニンが報告されて
いる。しかしこれらのオキシチタニウムフタロシアニン
は感度が十分でない、繰り返し使用時の電位安定性が悪
い、帯電能が悪い、使用環境の変化による画像劣化が見
られるなど実際の使用上問題となる点がいくつかあり、
いまだ十分満足できるものがない。ところで、一般に電
子写真感光体においてはある特定の電荷発生物質に対し
て有効な電荷輸送物質が他の電荷発生物質に対して有効
であるとは限らず、また、逆にある特定の電荷輸送物質
に有効な電荷発生物質が他の電荷輸送物質に対して有効
であるとは限らない。すなわち、電荷の受け渡しをする
これらの電荷発生物質と電荷輸送物質には必ず適当な組
み合わせがある。不適当な組み合わせでは感度低下や残
留電位の上昇を生じたり、繰り返し使用時の電位安定性
の悪化や帯電能の低下などの多くの問題を生じる。 従って電荷発生物質と電荷輸送物質との組み合わせは極
めて重要であるが、一般的な法則は存在せず、特定の電
荷発生物質に適合した電荷輸送物質の発見は容易なこと
ではない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はレ−ザ
−ダイオ−ド発振波長域で十分な高感度を有する電子写
真感光体を提供すること、繰り返し使用時の電位が安定
に維持され、かつ、使用環境(温度、湿度)によらず安
定した電位特性と画像特性を示す電子写真感光体を提供
すること、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並び
にファクシミリを提供することにある。
−ダイオ−ド発振波長域で十分な高感度を有する電子写
真感光体を提供すること、繰り返し使用時の電位が安定
に維持され、かつ、使用環境(温度、湿度)によらず安
定した電位特性と画像特性を示す電子写真感光体を提供
すること、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並び
にファクシミリを提供することにある。
【0006】
【課題を解決する手段】本発明は、導電性支持体上に感
光層を有する電子写真感光体において、該感光層がCu
Kα特性のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°
が9.0°、14.2°、23.9°および27.1°
に強いピ−クを有する結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンを含有し、かつ、下記一般式(1)で示す1,
3−ブタジエン化合物を含有することを特徴とする電子
写真感光体から構成される。一般式(1)化2(式中、
Ar1、Ar2、Ar3およびAr4は置換基を有して
もよい芳香環基を示し、ただし、Ar1、Ar2、Ar
3およびAr4のうち少なくとも1個はジアルキルアミ
ノ基を有する。)具体的には芳香環基としてはフェニル
、ナフチルなどの基、置換基としてはジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジプロピルアミノなどのジ低級アルキ
ルアミノ基、メチル、エチル、プロピルなどのアルキル
基、メトキシ、エトキシなどのアルコキシ基、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、フェニル
などのアリ−ル基などが挙げられる。
光層を有する電子写真感光体において、該感光層がCu
Kα特性のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°
が9.0°、14.2°、23.9°および27.1°
に強いピ−クを有する結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンを含有し、かつ、下記一般式(1)で示す1,
3−ブタジエン化合物を含有することを特徴とする電子
写真感光体から構成される。一般式(1)化2(式中、
Ar1、Ar2、Ar3およびAr4は置換基を有して
もよい芳香環基を示し、ただし、Ar1、Ar2、Ar
3およびAr4のうち少なくとも1個はジアルキルアミ
ノ基を有する。)具体的には芳香環基としてはフェニル
、ナフチルなどの基、置換基としてはジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジプロピルアミノなどのジ低級アルキ
ルアミノ基、メチル、エチル、プロピルなどのアルキル
基、メトキシ、エトキシなどのアルコキシ基、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、フェニル
などのアリ−ル基などが挙げられる。
【0007】本発明におけるオキシチタニウムフタロシ
アニンのX線回折パタ−ンは第1図、第2図および第3
図に示すようにブラッグ角(2θ±0.2°)の9.0
°、14.2°、23.9°および27.1°の位置に
強いピ−クを示す。上記ピ−クはピ−ク強度の強い上位
4点を採ったものであり、主要なピ−クとなっている。 第1図、第2図および第3図のX線回折図において特徴
的なことは、上記4点のピ−クのうち、27.1°のピ
−クが一番強く、9.0°のピ−クが二番目に強い。ま
た、17.9°の位置に上記4点より弱いピ−クさらに
弱いピ−クが13.3°の位置にある。また10.5°
〜13.0°、14.8°〜17.4°および18.2
°〜23.2°の範囲には実質的にピ−クがない。
アニンのX線回折パタ−ンは第1図、第2図および第3
図に示すようにブラッグ角(2θ±0.2°)の9.0
°、14.2°、23.9°および27.1°の位置に
強いピ−クを示す。上記ピ−クはピ−ク強度の強い上位
4点を採ったものであり、主要なピ−クとなっている。 第1図、第2図および第3図のX線回折図において特徴
的なことは、上記4点のピ−クのうち、27.1°のピ
−クが一番強く、9.0°のピ−クが二番目に強い。ま
た、17.9°の位置に上記4点より弱いピ−クさらに
弱いピ−クが13.3°の位置にある。また10.5°
〜13.0°、14.8°〜17.4°および18.2
°〜23.2°の範囲には実質的にピ−クがない。
【0008】なお、本発明においてX線回折のピ−ク形
状は製造時における条件の相違によって、また、測定条
件などによって僅かではあるが異なり、例えば各ピ−ク
の先端部はスプリットする場合もあり得る。第1図の場
合には8.9°のピ−クの山は9.4°付近に、また、
14.2°のピ−クの山は14.1°付近に別のスプリ
ットしたピ−クが見られる。
状は製造時における条件の相違によって、また、測定条
件などによって僅かではあるが異なり、例えば各ピ−ク
の先端部はスプリットする場合もあり得る。第1図の場
合には8.9°のピ−クの山は9.4°付近に、また、
14.2°のピ−クの山は14.1°付近に別のスプリ
ットしたピ−クが見られる。
【0009】オキシチタニウムフタロシアニンの構造は
下記式で表わされる。化3 式中、X1 、X2 、X3 およびX4 は
ClまたはBrを示し、n、m、jおよびkは0〜4の
整数である。
下記式で表わされる。化3 式中、X1 、X2 、X3 およびX4 は
ClまたはBrを示し、n、m、jおよびkは0〜4の
整数である。
【0010】また、本発明は前記本発明の電子写真感光
体を備えた電子写真装置から構成される。
体を備えた電子写真装置から構成される。
【0011】また、本発明は前記本発明の電子写真感光
体を備えた電子写真装置およびリモ−ト端末からの画像
情報を受信する受信手段を有するファクシミリから構成
される。
体を備えた電子写真装置およびリモ−ト端末からの画像
情報を受信する受信手段を有するファクシミリから構成
される。
【0012】以下に本発明の一般式(1)で示す1,3
−ブタジエン化合物の代表的な具体例を表1〜9に挙げ
る。ただし、これらの化合物に限定されるものではない
。表1 表2 表3 表4 表5 表6 表7 表8 表9
−ブタジエン化合物の代表的な具体例を表1〜9に挙げ
る。ただし、これらの化合物に限定されるものではない
。表1 表2 表3 表4 表5 表6 表7 表8 表9
【0013】本発明における特定の結晶形のオキシチタ
ニウムフタロシアニンと特定の1,3−ブタジエン化合
物との組み合わせは、おそらくイオン化ポテンシャルの
適合または電荷発生物質と電荷輸送物質の界面での立体
的重なりが良いなどの理由で、電荷発生物質から電荷輸
送物質への電荷の注入が良好に行われるため、感度が良
好で、残留電位も小さく、繰り返し使用時の電位安定性
にも優れているものと思われる。本発明において用いる
結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンの製造法につ
いて例示的に説明すると、例えば四塩化チタンとオルト
フタロジニトリルをα−クロロナフタレン中で反応させ
、ジクロルチタニウムフタロシアニンを得る。これをα
−クロロナフタレン、トリクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホル
ムアミドなどの溶剤で洗浄し、次いで、メタノ−ル、エ
タノ−ルなどの溶剤で洗浄した後、熱水により加水分解
してオキシチタニウムフタロシアニン結晶を得る。
ニウムフタロシアニンと特定の1,3−ブタジエン化合
物との組み合わせは、おそらくイオン化ポテンシャルの
適合または電荷発生物質と電荷輸送物質の界面での立体
的重なりが良いなどの理由で、電荷発生物質から電荷輸
送物質への電荷の注入が良好に行われるため、感度が良
好で、残留電位も小さく、繰り返し使用時の電位安定性
にも優れているものと思われる。本発明において用いる
結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンの製造法につ
いて例示的に説明すると、例えば四塩化チタンとオルト
フタロジニトリルをα−クロロナフタレン中で反応させ
、ジクロルチタニウムフタロシアニンを得る。これをα
−クロロナフタレン、トリクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホル
ムアミドなどの溶剤で洗浄し、次いで、メタノ−ル、エ
タノ−ルなどの溶剤で洗浄した後、熱水により加水分解
してオキシチタニウムフタロシアニン結晶を得る。
【0014】こうして得られた結晶は種々の多形の混合
物であることが多く、この混合物を処理しても本発明で
用いる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得る
のは通常は難しい。そこで、本発明で用いるに適せしむ
るため、アシツドペ−シテイング法により処理して非晶
質のオキシチタニウムフタロシアニンに一旦変換してお
く。得られた非晶質のオキシチタニウムフタロシアニン
に室温、加熱あるいは煮沸下、好ましくは1時間以上の
メタノ−ル処理を施した後、減圧乾燥し、さらにn−プ
ロピルエ−テル、n−ブチルエ−テル、iso−ブチル
エ−テル、sec−ブチルエ−テル、n−アミルエ−テ
ル、n−ブチルメチルエ−テル、n−ブチルエチルエ−
テル、エチレングリコ−ル−n−ブチルエ−テルなどの
エ−テル系溶剤またはテルピノレン、ピネンなどのモノ
テルペン系炭化水素溶剤や流動パラフィンなどの溶剤を
分散媒として用いて5時間以上、好ましくは10時間以
上のミリング処理を行うことによって本発明で用いる結
晶形のオキシチタニウムフタロシアニンが得られる。こ
こでメタノ−ル処理とは、例えばメタノ−ル中における
オキシチタニウムフタロシアニンの懸濁撹拌処理をいう
。ミリング処理とは、例えばガラスビ−ズ、スチ−ルビ
−ズ、アルミナボ−ルなどの分散メディアとともにサン
ドミル、ボ−ルミルなどのミリング装置を用いて行う処
理をいう。
物であることが多く、この混合物を処理しても本発明で
用いる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得る
のは通常は難しい。そこで、本発明で用いるに適せしむ
るため、アシツドペ−シテイング法により処理して非晶
質のオキシチタニウムフタロシアニンに一旦変換してお
く。得られた非晶質のオキシチタニウムフタロシアニン
に室温、加熱あるいは煮沸下、好ましくは1時間以上の
メタノ−ル処理を施した後、減圧乾燥し、さらにn−プ
ロピルエ−テル、n−ブチルエ−テル、iso−ブチル
エ−テル、sec−ブチルエ−テル、n−アミルエ−テ
ル、n−ブチルメチルエ−テル、n−ブチルエチルエ−
テル、エチレングリコ−ル−n−ブチルエ−テルなどの
エ−テル系溶剤またはテルピノレン、ピネンなどのモノ
テルペン系炭化水素溶剤や流動パラフィンなどの溶剤を
分散媒として用いて5時間以上、好ましくは10時間以
上のミリング処理を行うことによって本発明で用いる結
晶形のオキシチタニウムフタロシアニンが得られる。こ
こでメタノ−ル処理とは、例えばメタノ−ル中における
オキシチタニウムフタロシアニンの懸濁撹拌処理をいう
。ミリング処理とは、例えばガラスビ−ズ、スチ−ルビ
−ズ、アルミナボ−ルなどの分散メディアとともにサン
ドミル、ボ−ルミルなどのミリング装置を用いて行う処
理をいう。
【0015】本発明の結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンと特定の1,3−ブタジエン化合物を用いた電
子写真感光体について説明すると、まず、電子写真感光
体の代表的な層構成は、単一層の感光層は、該層が電荷
発生物質と電荷輸送物質を同一層中に含有しており、感
光層は導電性支持体上に形成されている。積層型の感光
層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物
質を含有する電荷輸送層とが導電性支持体上に順次積層
された構造をとり、この場合電荷発生層と電荷輸送層の
積層関係は逆であってもよい。
シアニンと特定の1,3−ブタジエン化合物を用いた電
子写真感光体について説明すると、まず、電子写真感光
体の代表的な層構成は、単一層の感光層は、該層が電荷
発生物質と電荷輸送物質を同一層中に含有しており、感
光層は導電性支持体上に形成されている。積層型の感光
層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物
質を含有する電荷輸送層とが導電性支持体上に順次積層
された構造をとり、この場合電荷発生層と電荷輸送層の
積層関係は逆であってもよい。
【0016】導電性支持体としては導電性を有するもの
であればよく、アルミニウム、ステンレスなどの金属や
合金、導電層を設けた金属、合金、プラスチック、紙な
どが用いられ、形状は円筒状またはフィルム状などがあ
る。
であればよく、アルミニウム、ステンレスなどの金属や
合金、導電層を設けた金属、合金、プラスチック、紙な
どが用いられ、形状は円筒状またはフィルム状などがあ
る。
【0017】導電性支持体と感光層の間にはバリヤ−機
能と接着機能を有する下引き層を形成することもできる
。下引き層の材料としてはポリビニルアルコ−ル、ポリ
エチレンオキシド、エチルセルロ−ス、メチルセルロ−
ス、カゼイン、ポリアミド、にかわ、ゼラチンなどが用
いられる。材料を適当な溶剤に溶解して導電性支持体上
に塗布される。膜厚は0.2〜3.0μmである。
能と接着機能を有する下引き層を形成することもできる
。下引き層の材料としてはポリビニルアルコ−ル、ポリ
エチレンオキシド、エチルセルロ−ス、メチルセルロ−
ス、カゼイン、ポリアミド、にかわ、ゼラチンなどが用
いられる。材料を適当な溶剤に溶解して導電性支持体上
に塗布される。膜厚は0.2〜3.0μmである。
【0018】単一層からなる感光層は、本発明に用いる
オキシチタニウムフタロシアニン結晶の電荷発生物質と
特定の1,3−ブタジエン化合物である電荷輸送物質を
適当なバインダ−樹脂溶液中に混合して塗布乾燥するこ
とにより形成される。積層構造からなる感光層は、電荷
発生層は本発明に用いるオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶の電荷発生物質を適当なバインダ−樹脂溶液とと
もに分散し、塗布乾燥することにより形成し、この場合
、バインダ−樹脂はなくてもよい。バインダ−樹脂とし
ては、例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニル
カルバゾ−ル、フェノキシ樹脂、ポリカ−ボネ−ト、ポ
リビニルブチラ−ル、ポリスチレン、ポリビニルアセテ
−ト、ポリスルホン、ポリアリレ−ト、塩化ビニリデン
・アクリロニトリルコポリマ−などが主として用いられ
る。電荷輸送層は本発明に用いる1,3−ブタジエン化
合物の電荷輸送物質とバインダ−樹脂とを溶剤中に溶解
させた塗料を塗布乾燥して形成される。バインダ−樹脂
としては前述のバインダ−樹脂と同様のものを用いるこ
とができる。感光層の塗布方法としては浸漬コ−テイン
グ法、スプレ−コ−テイング法、スピンナ−コ−テイン
グ法、ビ−ドコ−テイング法、ブレ−ドコ−テイング法
、ビ−ムコ−テイング法などの方法が挙げられる。感光
層が単一層の場合、膜厚は5〜40μm、好ましくは1
0〜30μmである。また、感光層が積層構造の場合、
電荷発生層の膜厚は0.01〜10μm、好ましくは0
.05〜5μmであり、電荷輸送層の膜厚は5〜40μ
m、好ましくは10〜30μmである。さらに、これら
感光層を外部の衝撃から保護するために感光層の表面に
薄い保護層を設けてもよい。
オキシチタニウムフタロシアニン結晶の電荷発生物質と
特定の1,3−ブタジエン化合物である電荷輸送物質を
適当なバインダ−樹脂溶液中に混合して塗布乾燥するこ
とにより形成される。積層構造からなる感光層は、電荷
発生層は本発明に用いるオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶の電荷発生物質を適当なバインダ−樹脂溶液とと
もに分散し、塗布乾燥することにより形成し、この場合
、バインダ−樹脂はなくてもよい。バインダ−樹脂とし
ては、例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニル
カルバゾ−ル、フェノキシ樹脂、ポリカ−ボネ−ト、ポ
リビニルブチラ−ル、ポリスチレン、ポリビニルアセテ
−ト、ポリスルホン、ポリアリレ−ト、塩化ビニリデン
・アクリロニトリルコポリマ−などが主として用いられ
る。電荷輸送層は本発明に用いる1,3−ブタジエン化
合物の電荷輸送物質とバインダ−樹脂とを溶剤中に溶解
させた塗料を塗布乾燥して形成される。バインダ−樹脂
としては前述のバインダ−樹脂と同様のものを用いるこ
とができる。感光層の塗布方法としては浸漬コ−テイン
グ法、スプレ−コ−テイング法、スピンナ−コ−テイン
グ法、ビ−ドコ−テイング法、ブレ−ドコ−テイング法
、ビ−ムコ−テイング法などの方法が挙げられる。感光
層が単一層の場合、膜厚は5〜40μm、好ましくは1
0〜30μmである。また、感光層が積層構造の場合、
電荷発生層の膜厚は0.01〜10μm、好ましくは0
.05〜5μmであり、電荷輸送層の膜厚は5〜40μ
m、好ましくは10〜30μmである。さらに、これら
感光層を外部の衝撃から保護するために感光層の表面に
薄い保護層を設けてもよい。
【0019】本発明のオキシチタニウムフタロシアニン
結晶を電荷発生物質として用いる場合、その目的に応じ
て他の電荷発生物質と混合して用いることも可能である
。
結晶を電荷発生物質として用いる場合、その目的に応じ
て他の電荷発生物質と混合して用いることも可能である
。
【0020】本発明の電子写真感光体はレ−ザ−ビ−ム
プリンタ−、LEDプリンタ−、CRTプリンタ−など
のプリンタ−のみならず、通常の電子写真複写機、ファ
クシミリその他電子写真応用分野に広く適用することが
できる。
プリンタ−、LEDプリンタ−、CRTプリンタ−など
のプリンタ−のみならず、通常の電子写真複写機、ファ
クシミリその他電子写真応用分野に広く適用することが
できる。
【0021】次に、本発明の電子写真感光体を備えた電
子写真装置並びにファクシミリについて説明する。
子写真装置並びにファクシミリについて説明する。
【0022】次に、本発明の電子写真感光体を備えた電
子写真装置並びにファクシミリについて説明する。第1
0図に本発明のドラム型感光体を用いた一般的な転写式
電子写真装置の概略構成を示した。図において、1は像
担持体としてのドラム型感光体であり軸1aを中心に矢
印方向に所定の周速度で回転駆動される。該感光体1は
その回転過程で帯電手段2によりその周面に正または負
の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光部3にて不図
示の像露光手段により光像露光L(スリット露光・レ−
ザ−ビ−ム走査露光など)を受ける。これにより感光体
周面に露光像に対応した静電潜像が順次形成されていく
。その静電潜像は、次いで現像手段4でトナ−現像され
、そのトナ−現像像が転写手段5により不図示の給紙部
から感光体1と転写手段5との間に感光体1の回転と同
期取りされて給送された転写材Pの面に順次転写されて
いく。像転写を受けた転写材Pは感光体面から分離され
て像定着手段8へ導入されて像定着を受けて複写物(コ
ピ−)として機外へプリントアウトされる。像転写後の
感光体1の表面はクリ−ニング手段6にて転写残りトナ
−の除去を受けて清浄面化され、前露光手段7により除
電処理がされて繰り返して像形成に使用される。感光体
1の均一帯電手段2としてはコロナ帯電装置が一般に広
く使用されている。また、転写装置5もコロナ転写手段
が一般に広く使用されている。電子写真装置として、上
述の感光体や現像手段、クリ−ニング手段などの構成要
素のうち、複数のものを装置ユニットとして一体に結合
して構成し、このユニットを装置本体に対して着脱自在
に構成しても良い。例えば、感光体1とクリ−ニング手
段6とを一体化してひとつの装置ユニットとし、装置本
体のレ−ルなどの案内手段を用いて着脱自在の構成にし
てもよい。このとき、上記の装置ユニットのほうに帯電
手段および/または現像手段を伴って構成してもよい。 また、光像露光Lは、電子写真装置を複写機やプリンタ
−として使用する場合には、原稿からの反射光や透過光
、あるいは、原稿を読み取り信号化し、この信号により
レ−ザ−ビ−ムの走査、発光ダイオ−ドアレイの駆動、
または液晶シャッタ−アレイの駆動などにより行われる
。
子写真装置並びにファクシミリについて説明する。第1
0図に本発明のドラム型感光体を用いた一般的な転写式
電子写真装置の概略構成を示した。図において、1は像
担持体としてのドラム型感光体であり軸1aを中心に矢
印方向に所定の周速度で回転駆動される。該感光体1は
その回転過程で帯電手段2によりその周面に正または負
の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光部3にて不図
示の像露光手段により光像露光L(スリット露光・レ−
ザ−ビ−ム走査露光など)を受ける。これにより感光体
周面に露光像に対応した静電潜像が順次形成されていく
。その静電潜像は、次いで現像手段4でトナ−現像され
、そのトナ−現像像が転写手段5により不図示の給紙部
から感光体1と転写手段5との間に感光体1の回転と同
期取りされて給送された転写材Pの面に順次転写されて
いく。像転写を受けた転写材Pは感光体面から分離され
て像定着手段8へ導入されて像定着を受けて複写物(コ
ピ−)として機外へプリントアウトされる。像転写後の
感光体1の表面はクリ−ニング手段6にて転写残りトナ
−の除去を受けて清浄面化され、前露光手段7により除
電処理がされて繰り返して像形成に使用される。感光体
1の均一帯電手段2としてはコロナ帯電装置が一般に広
く使用されている。また、転写装置5もコロナ転写手段
が一般に広く使用されている。電子写真装置として、上
述の感光体や現像手段、クリ−ニング手段などの構成要
素のうち、複数のものを装置ユニットとして一体に結合
して構成し、このユニットを装置本体に対して着脱自在
に構成しても良い。例えば、感光体1とクリ−ニング手
段6とを一体化してひとつの装置ユニットとし、装置本
体のレ−ルなどの案内手段を用いて着脱自在の構成にし
てもよい。このとき、上記の装置ユニットのほうに帯電
手段および/または現像手段を伴って構成してもよい。 また、光像露光Lは、電子写真装置を複写機やプリンタ
−として使用する場合には、原稿からの反射光や透過光
、あるいは、原稿を読み取り信号化し、この信号により
レ−ザ−ビ−ムの走査、発光ダイオ−ドアレイの駆動、
または液晶シャッタ−アレイの駆動などにより行われる
。
【0023】また、ファクシミリのプリンタ−として使
用する場合には、光像露光Lは受信デ−タをプリントす
るための露光になる。第11図は、この場合の1例をブ
ロック図で示したものである。コントロ−ラ10は画像
読取部9とプリンタ−18を制御する。コントロ−ラ1
0の全体はCPU16により制御されている。画像読取
部からの読取りデ−タは、送信回路12を通して相手局
に送信される。相手局から受けたデ−タは受信回路11
を通してプリンタ−18に送られる。画像メモリには所
定の画像デ−タが記憶される。プリンタコントロ−ラ1
7はプリンタ−18を制御している。13は電話である
。回線14から受信された画像(回線を介して接続され
たリモ−ト端末からの画像情報)は、受信回路11で復
調された後、CPU16は画像情報の信号処理を行い順
次画像メモリ15に格納される。そして、少なくとも1
ペ−ジの画像がメモリ16に格納されると、そのペ−ジ
の画像記憶を行う。CPU16は、メモリ15より1ペ
−ジの画像情報を読み出しプリンタコントロ−ラ17に
信号かされた1ペ−ジの画像情報を送出する。プリンタ
コントロ−ラ17は、CPU16からの1ペ−ジの画像
情報を受け取るとそのペ−ジの画像情報記録を行うべく
、プリンタ18を制御する。なお、CPU16は、プリ
ンタ−18による記録中に、次のペ−ジの受信を行って
いる。以上のように、画像の受信と記録が行われる。
用する場合には、光像露光Lは受信デ−タをプリントす
るための露光になる。第11図は、この場合の1例をブ
ロック図で示したものである。コントロ−ラ10は画像
読取部9とプリンタ−18を制御する。コントロ−ラ1
0の全体はCPU16により制御されている。画像読取
部からの読取りデ−タは、送信回路12を通して相手局
に送信される。相手局から受けたデ−タは受信回路11
を通してプリンタ−18に送られる。画像メモリには所
定の画像デ−タが記憶される。プリンタコントロ−ラ1
7はプリンタ−18を制御している。13は電話である
。回線14から受信された画像(回線を介して接続され
たリモ−ト端末からの画像情報)は、受信回路11で復
調された後、CPU16は画像情報の信号処理を行い順
次画像メモリ15に格納される。そして、少なくとも1
ペ−ジの画像がメモリ16に格納されると、そのペ−ジ
の画像記憶を行う。CPU16は、メモリ15より1ペ
−ジの画像情報を読み出しプリンタコントロ−ラ17に
信号かされた1ペ−ジの画像情報を送出する。プリンタ
コントロ−ラ17は、CPU16からの1ペ−ジの画像
情報を受け取るとそのペ−ジの画像情報記録を行うべく
、プリンタ18を制御する。なお、CPU16は、プリ
ンタ−18による記録中に、次のペ−ジの受信を行って
いる。以上のように、画像の受信と記録が行われる。
【0024】次に本発明で用いるオキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶の製造例を示す。
ロシアニン結晶の製造例を示す。
【0025】製造例1
α−クロロナフタレン100g中、o−フタロジニトリ
ル5.0g、四塩化チタン2.0gを200℃にて3時
間加熱撹拌した後、50℃まで冷却して析出した結晶を
濾別、ジクロロチタニウムフタロシアニンのペ−ストを
得た。次に、これを100℃に加熱したN,N−ジメチ
ルホルムアミド100ミリリットルで撹拌下洗浄、次い
で60℃のメタノ−ル100ミリリットルで2回洗浄を
繰り返し、濾別した。さらに、この得られたペ−ストを
脱イオン水100ミリリットル中80℃で1時間撹拌、
濾別して青色のオキシチタニウムフタロシアニン結晶を
得た。収量4.3g
ル5.0g、四塩化チタン2.0gを200℃にて3時
間加熱撹拌した後、50℃まで冷却して析出した結晶を
濾別、ジクロロチタニウムフタロシアニンのペ−ストを
得た。次に、これを100℃に加熱したN,N−ジメチ
ルホルムアミド100ミリリットルで撹拌下洗浄、次い
で60℃のメタノ−ル100ミリリットルで2回洗浄を
繰り返し、濾別した。さらに、この得られたペ−ストを
脱イオン水100ミリリットル中80℃で1時間撹拌、
濾別して青色のオキシチタニウムフタロシアニン結晶を
得た。収量4.3g
【0026】元素分析値(C32H16N8TiO)C
計算値66.68%、実測値66.50%H 計
算値2.80%、実測値2.99%N 計算値19.
44%実測値19.42%Cl計算値0.00%、実測
値0.47%
計算値66.68%、実測値66.50%H 計
算値2.80%、実測値2.99%N 計算値19.
44%実測値19.42%Cl計算値0.00%、実測
値0.47%
【0027】次にこの結晶を濃硫酸30ミ
リリットルに溶解し、20℃の脱イオン水300ミリリ
ットル中に撹拌下で滴下して再析出させて濾過し十分に
水洗した後、非晶質のオキシチタニウムフタロシアニン
を得た。こうして得られた非晶質のオキシチタニウムフ
タロシアニン4.0gをメタノ−ル100ミリリットル
中室温(22℃)下、8時間懸濁撹拌処理し、濾別、減
圧乾燥して低結晶性のオキシチタニウムフタロシアニン
を得た。このオキシチタニウムフタロシアニン2.0g
にn−ブチルエ−テル40ミリリットルを加え、1mm
φのガラスビ−ズとともにミリング処理を室温(22℃
)下20時間行った。この分散液より固形分を取り出し
、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥して本発明
で用いる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得
た。収量1.8g
リリットルに溶解し、20℃の脱イオン水300ミリリ
ットル中に撹拌下で滴下して再析出させて濾過し十分に
水洗した後、非晶質のオキシチタニウムフタロシアニン
を得た。こうして得られた非晶質のオキシチタニウムフ
タロシアニン4.0gをメタノ−ル100ミリリットル
中室温(22℃)下、8時間懸濁撹拌処理し、濾別、減
圧乾燥して低結晶性のオキシチタニウムフタロシアニン
を得た。このオキシチタニウムフタロシアニン2.0g
にn−ブチルエ−テル40ミリリットルを加え、1mm
φのガラスビ−ズとともにミリング処理を室温(22℃
)下20時間行った。この分散液より固形分を取り出し
、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥して本発明
で用いる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得
た。収量1.8g
【0028】得られた結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンのX線回折図を第1図に示す。またKBrペレ
ットを調製し、この結晶の赤外吸収スペクトルを測定し
た結果を第7図に示す。またこの結晶をn−ブチルエ−
テル中に分散した分散液で測定した紫外吸収スペクトル
の結果を第8図に示す。
シアニンのX線回折図を第1図に示す。またKBrペレ
ットを調製し、この結晶の赤外吸収スペクトルを測定し
た結果を第7図に示す。またこの結晶をn−ブチルエ−
テル中に分散した分散液で測定した紫外吸収スペクトル
の結果を第8図に示す。
【0029】製造例2
製造例1と同様の方法で得られたメタノ−ル処理したオ
キシチタニウムフタロシアニン2.0gにピネン50ミ
リリットルを加え、1mmφのガラスビ−ズとともにミ
リング処理を室温(22℃)下20時間行った。この分
散液より固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十
分に洗浄、乾燥して本発明で用いる結晶形のオキシチタ
ニウムフタロシアニンを得た。収量1.8g
キシチタニウムフタロシアニン2.0gにピネン50ミ
リリットルを加え、1mmφのガラスビ−ズとともにミ
リング処理を室温(22℃)下20時間行った。この分
散液より固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十
分に洗浄、乾燥して本発明で用いる結晶形のオキシチタ
ニウムフタロシアニンを得た。収量1.8g
【0030
】得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンの
X線回折図を第2図に示す。
】得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンの
X線回折図を第2図に示す。
【0031】製造例3
製造例1と同様の方法で得られた非晶質のオキシチタニ
ウムフタロシアニン4.0gにメタノ−ル100ミリリ
ットルを加え、懸濁撹拌下、30時間煮沸処理した後、
濾過、減圧乾燥し、オキシチタニウムフタロシアニン結
晶を得た。収量3.6g 次に、このオキシチタニウ
ムフタロシアニンを2.0gにエチレングリコ−ル−n
−ブチルエ−テル60ミリリットルを加え、1mmφの
ガラスビ−ズとともにミリング処理を室温(22℃)下
15時間行った。この分散液より固形分を取り出し、メ
タノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥して本発明で用
いる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。 収量1.8g
ウムフタロシアニン4.0gにメタノ−ル100ミリリ
ットルを加え、懸濁撹拌下、30時間煮沸処理した後、
濾過、減圧乾燥し、オキシチタニウムフタロシアニン結
晶を得た。収量3.6g 次に、このオキシチタニウ
ムフタロシアニンを2.0gにエチレングリコ−ル−n
−ブチルエ−テル60ミリリットルを加え、1mmφの
ガラスビ−ズとともにミリング処理を室温(22℃)下
15時間行った。この分散液より固形分を取り出し、メ
タノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥して本発明で用
いる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。 収量1.8g
【0032】得られた結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンのX線回折図を第3図に示す。
シアニンのX線回折図を第3図に示す。
【0033】比較製造例1
特開昭61−239248号公報(USP4,728,
592)に開示されている製造例に従って、いわゆるα
型と呼ばれている結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンを得た。このX線回折図を第4図に示す。
592)に開示されている製造例に従って、いわゆるα
型と呼ばれている結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンを得た。このX線回折図を第4図に示す。
【0034】比較製造例2
特開昭62−67094号公報(USP4,66499
72)に開示されている製造例に従って、いわゆるA型
と呼ばれている結晶形のオキシチタニウムフタロシアニ
ンを得た。このX線回折図を第5図に示す。
72)に開示されている製造例に従って、いわゆるA型
と呼ばれている結晶形のオキシチタニウムフタロシアニ
ンを得た。このX線回折図を第5図に示す。
【0035】比較製造例3
特開昭64−17066号公報に開示されている製造例
に従って、特開昭64−17066号公報に開示のもの
と同じ結晶形を持つオキシチタニウムフタロシアニンを
得た。このX線回折図を第6図に示す。なお、X線回折
の測定はCuKα線を用いて次の条件により行った。使
用測定機:理学電器(株)製X線回折装置RAD−Aシ
ステムX線菅球:Cu、管電圧:50KV、管電流:4
0mA、スキヤン方法:2θ/θスキヤン、スキヤン速
度:2deg./min.、サンプリング間隔:0.0
20deg.、スタ−ト角度(2θ):3deg.、ス
トツプ角度(2θ):40deg.、ダイバ−ジエンス
リツト:0.5deg.、スキヤツタリングスリツ:0
.5deg.、レシ−ビングスリツト:0.3mm、湾
曲モノクロメ−タ−使用
に従って、特開昭64−17066号公報に開示のもの
と同じ結晶形を持つオキシチタニウムフタロシアニンを
得た。このX線回折図を第6図に示す。なお、X線回折
の測定はCuKα線を用いて次の条件により行った。使
用測定機:理学電器(株)製X線回折装置RAD−Aシ
ステムX線菅球:Cu、管電圧:50KV、管電流:4
0mA、スキヤン方法:2θ/θスキヤン、スキヤン速
度:2deg./min.、サンプリング間隔:0.0
20deg.、スタ−ト角度(2θ):3deg.、ス
トツプ角度(2θ):40deg.、ダイバ−ジエンス
リツト:0.5deg.、スキヤツタリングスリツ:0
.5deg.、レシ−ビングスリツト:0.3mm、湾
曲モノクロメ−タ−使用
【0036】
【実施例】実施例1
アルミ板上に0.2μmの塩化ビニル−無水マレイン酸
−酢酸ビニル共重合体よりなる下引き層を形成した。次
に、前記製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニン2.5部(重量部、以下同様)とポリビ
ニルブチラ−ル2部をシクロヘキサノン95部に添加し
サンドミルで1.5時間分散し、これに100部のメチ
ルエチルケトンを加えて希釈し、この分散液を下引き層
上に乾燥後の膜厚が0.25μmの電荷発生層を形成し
た。次いで化合物例1の1,3−ブタジエン化合物5部
とビスフェノ−ルZ型ポリカ−ボネ−ト(重量平均分子
量3万8千)6.5部をクロロベンゼン5部に溶解し、
これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が18μmとなる
ようにマイヤ−バ−で塗布して電荷輸送層を形成し、電
子写真感光体を作成し、これを感光体1とする。
−酢酸ビニル共重合体よりなる下引き層を形成した。次
に、前記製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニン2.5部(重量部、以下同様)とポリビ
ニルブチラ−ル2部をシクロヘキサノン95部に添加し
サンドミルで1.5時間分散し、これに100部のメチ
ルエチルケトンを加えて希釈し、この分散液を下引き層
上に乾燥後の膜厚が0.25μmの電荷発生層を形成し
た。次いで化合物例1の1,3−ブタジエン化合物5部
とビスフェノ−ルZ型ポリカ−ボネ−ト(重量平均分子
量3万8千)6.5部をクロロベンゼン5部に溶解し、
これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が18μmとなる
ようにマイヤ−バ−で塗布して電荷輸送層を形成し、電
子写真感光体を作成し、これを感光体1とする。
【0037】比較例1
比較製造例1で得られたα型オキシチタニウムフタロシ
アニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光
体を作成し、これを比較感光体1とする。
アニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光
体を作成し、これを比較感光体1とする。
【0038】比較例2
比較製造例2で得られたA型オキシチタニウムフタロシ
アニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光
体を作成し、これを比較感光体2とする。
アニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光
体を作成し、これを比較感光体2とする。
【0039】比較例3
比較製造例3で得られた特開昭64−17066号公報
開示と同じ結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを
用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光体を作成
し、これを比較感光体3とする。
開示と同じ結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを
用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光体を作成
し、これを比較感光体3とする。
【0040】感光体1、比較感光体1、2および3の各
電子写真感光体をレ−ザ−ビ−ムプリンタ−(商品名L
BP−SX、キヤノン(株)製)の改造機のシリンダ−
に貼り付けて、暗部電位が−700Vになるように帯電
設定し、これに波長802nmのレ−ザ−光を照射して
−700Vの電位を−100Vまで下げるのに必要な光
量を測定し感度とした。さらに20μJ/cm2の光量
を照射した場合の電位を残留電位Vrとして測定した。 実施例1 感度:0.38μJ/cm2 、Vr:−15V比較
例1 感度:0.85μJ/cm2 、Vr:−40V比較
例2 感度:0.83μJ/cm2 、Vr:−45V比較
例3 感度:0.79μJ/cm2 、Vr:−42V
電子写真感光体をレ−ザ−ビ−ムプリンタ−(商品名L
BP−SX、キヤノン(株)製)の改造機のシリンダ−
に貼り付けて、暗部電位が−700Vになるように帯電
設定し、これに波長802nmのレ−ザ−光を照射して
−700Vの電位を−100Vまで下げるのに必要な光
量を測定し感度とした。さらに20μJ/cm2の光量
を照射した場合の電位を残留電位Vrとして測定した。 実施例1 感度:0.38μJ/cm2 、Vr:−15V比較
例1 感度:0.85μJ/cm2 、Vr:−40V比較
例2 感度:0.83μJ/cm2 、Vr:−45V比較
例3 感度:0.79μJ/cm2 、Vr:−42V
【0
041】また、電荷発生物質として製造例2および製造
例3で得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニ
ンをそれぞれ用いて他は実施例1と同様にして電子写真
感光体を作成し、これを感光体2および感光体3とし、
実施例1と同様にして感度測定を行ったところ、感光体
1と同様の高感度特性が得られた。
041】また、電荷発生物質として製造例2および製造
例3で得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニ
ンをそれぞれ用いて他は実施例1と同様にして電子写真
感光体を作成し、これを感光体2および感光体3とし、
実施例1と同様にして感度測定を行ったところ、感光体
1と同様の高感度特性が得られた。
【0042】次に、感光体1、比較感光体1、2および
3について、湿度10%、気温5℃、湿度50%、気温
18℃、湿度80%、気温35℃のそれぞれの環境にお
いて、各感光体を暗部電位−700V、明部電位−10
0Vに設定した状態で連続3千枚の通紙耐久試験を行っ
て耐久後の暗部電位、明部電位の測定および画像の評価
を行った。感光体1はいずれの環境でも耐久後において
も初期と同等の良好な画像が得られたが、比較感光体1
、2および3はいずれの環境でも白地部分に地カブリを
起こしており、特に湿度80%、気温35℃においては
著しく、これは比較感光体3において顕著であった。 また、比較感光体1、2および3については地カブリを
除くために濃度調節レバ−により調節したところ、黒地
部分の濃度が不十分となった。
3について、湿度10%、気温5℃、湿度50%、気温
18℃、湿度80%、気温35℃のそれぞれの環境にお
いて、各感光体を暗部電位−700V、明部電位−10
0Vに設定した状態で連続3千枚の通紙耐久試験を行っ
て耐久後の暗部電位、明部電位の測定および画像の評価
を行った。感光体1はいずれの環境でも耐久後において
も初期と同等の良好な画像が得られたが、比較感光体1
、2および3はいずれの環境でも白地部分に地カブリを
起こしており、特に湿度80%、気温35℃においては
著しく、これは比較感光体3において顕著であった。 また、比較感光体1、2および3については地カブリを
除くために濃度調節レバ−により調節したところ、黒地
部分の濃度が不十分となった。
【0043】第9図に感光体1について分光感度の最大
値を100とした場合の分光感度の分布を示す。このよ
うに、本発明の電子写真感光体は770〜810nm付
近の長波長領域において安定したこう感度特性を発現す
るものである。
値を100とした場合の分光感度の分布を示す。このよ
うに、本発明の電子写真感光体は770〜810nm付
近の長波長領域において安定したこう感度特性を発現す
るものである。
【0044】実施例2〜10
製造例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶と
化合物例の数種を組み合わせ、他は実施例1と同様にし
て電子写真感光体を作成し、感光体2〜10とする。各
感光体を実施例1と同様にレ−ザ−ビ−ムプリンタ−(
商品名LBP−SX、キヤノン(株)製)の改造機のシ
リンダ−に貼り付けて、暗部電位が−700Vになるよ
うに帯電設定し、これに波長802nmのレ−ザ−光を
照射して−700Vの電位を−100Vまで下げるのに
必要な光量E△600を測定した。さらに20μJ/c
m2 の光量を照射した場合の電位Vrを測定した。 また、各感光体を暗部電位−700V、明部電位−20
0Vに設定し直した状態で連続5千枚の通紙耐久試験を
行って初期と5千枚耐久後の暗部電位と明部電位の変動
量ΔVDおよびΔVLを測定した。 実施例2[感光体2、化合物例3]E△600:0.3
6μJ/cm2 、ΔVD:−10V、ΔVL:+1
5V、Vr:−25V 実施例3[感光体3、化合物例4]E△600:0.3
4μJ/cm2 、ΔVD:−12V、ΔVL:+1
5V、Vr:−20V 実施例4[感光体4、化合物例10]E△600:0.
40μJ/cm2 、ΔVD:−15V、ΔVL:+
12V、Vr:−15V 実施例5[感光体5、化合物例11]E△600:0.
41μJ/cm2 、ΔVD:−20V、ΔVL:+
20V、Vr:−20V 実施例6[感光体6、化合物例12]E△600:0.
35μJ/cm2 、ΔVD:−15V、ΔVL:+
10V、Vr:−23V 実施例7[感光体7、化合物例16]E△600:0.
42μJ/cm2 、ΔVD:−24、ΔVL:+1
5V、Vr:−18V 実施例8[感光体8、化合物例20]E△600:0.
30μJ/cm2 、ΔVD:−16V、ΔVL:+
17V、Vr:−22V 実施例9[感光体9、化合物例26]E△600:0.
32μJ/cm2 、ΔVD:−18V、ΔVL:+
12V、Vr:−25V 実施例10[感光体10、化合物例34]E△600:
0.29μJ/cm2 、ΔVD:−14V、ΔVL
:+15V、Vr:−10V
化合物例の数種を組み合わせ、他は実施例1と同様にし
て電子写真感光体を作成し、感光体2〜10とする。各
感光体を実施例1と同様にレ−ザ−ビ−ムプリンタ−(
商品名LBP−SX、キヤノン(株)製)の改造機のシ
リンダ−に貼り付けて、暗部電位が−700Vになるよ
うに帯電設定し、これに波長802nmのレ−ザ−光を
照射して−700Vの電位を−100Vまで下げるのに
必要な光量E△600を測定した。さらに20μJ/c
m2 の光量を照射した場合の電位Vrを測定した。 また、各感光体を暗部電位−700V、明部電位−20
0Vに設定し直した状態で連続5千枚の通紙耐久試験を
行って初期と5千枚耐久後の暗部電位と明部電位の変動
量ΔVDおよびΔVLを測定した。 実施例2[感光体2、化合物例3]E△600:0.3
6μJ/cm2 、ΔVD:−10V、ΔVL:+1
5V、Vr:−25V 実施例3[感光体3、化合物例4]E△600:0.3
4μJ/cm2 、ΔVD:−12V、ΔVL:+1
5V、Vr:−20V 実施例4[感光体4、化合物例10]E△600:0.
40μJ/cm2 、ΔVD:−15V、ΔVL:+
12V、Vr:−15V 実施例5[感光体5、化合物例11]E△600:0.
41μJ/cm2 、ΔVD:−20V、ΔVL:+
20V、Vr:−20V 実施例6[感光体6、化合物例12]E△600:0.
35μJ/cm2 、ΔVD:−15V、ΔVL:+
10V、Vr:−23V 実施例7[感光体7、化合物例16]E△600:0.
42μJ/cm2 、ΔVD:−24、ΔVL:+1
5V、Vr:−18V 実施例8[感光体8、化合物例20]E△600:0.
30μJ/cm2 、ΔVD:−16V、ΔVL:+
17V、Vr:−22V 実施例9[感光体9、化合物例26]E△600:0.
32μJ/cm2 、ΔVD:−18V、ΔVL:+
12V、Vr:−25V 実施例10[感光体10、化合物例34]E△600:
0.29μJ/cm2 、ΔVD:−14V、ΔVL
:+15V、Vr:−10V
【0045】比較例4〜21
比較製造例1〜3で製造したオキシチタニウムフタロシ
アニンと実施例2〜10で用いた1,3−ブタジエン化
合物を組み合わせて用いた他は実施例2〜10のそれぞ
れと同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価し
た。 比較例4[比較感光体4、比較製造例1、化合物例3]
E△600:0.84μJ/cm2 、ΔVD:−4
5V、ΔVL:+30V、Vr:−40V 比較例5[比較感光体5、比較製造例2、化合物例3]
E△600:0.79μJ/cm2 、ΔVD:−4
0V、ΔVL:+25V、Vr:−42V 比較例6[比較感光体6、比較製造例3、化合物例3]
E△600:0.76μJ/cm2 、ΔVD:−3
8V、ΔVL:+32V、Vr:−45V 比較例7[比較感光体7、比較製造例1、化合物例10
]E△600:0.92μJ/cm2 、ΔVD:−
41V、ΔVL:+45V、Vr:−42V比較例8[
比較感光体8、比較製造例2、化合物例10]E△60
0:0.88μJ/cm2 、ΔVD:−45V、Δ
VL:+32V、Vr:−40V比較例9[比較感光体
9、比較製造例3、化合物例10]E△600:0.8
2μJ/cm2 、ΔVD:−50V、ΔVL:+3
5V、Vr:−50V比較例10[比較感光体10、比
較製造例1、化合物例12]E△600:0.82μJ
/cm2 、ΔVD:−50V、ΔVL:+37V、
Vr:−55V比較例11[比較感光体11、比較製造
例2、化合物例12]E△600:0.76μJ/cm
2 、ΔVD:−46V、ΔVL:+37V、Vr:
−52V比較例12[比較感光体12、比較製造例3、
化合物例12]E△600:0.72μJ/cm2
、ΔVD:−42V、ΔVL:+42V、Vr:−47
V比較例13[比較感光体13、比較製造例1、化合物
例20]E△600:0.90μJ/cm2 、ΔV
D:−50V、ΔVL:+45V、Vr:−44V比較
例14[比較感光体14、比較製造例2、化合物例20
]E△600:0.88μJ/cm2 、ΔVD:−
47V、ΔVL:+40V、Vr:−47V比較例15
[比較感光体15、比較製造例3、化合物例20]E△
600:0.85μJ/cm2 、ΔVD:−45V
、ΔVL:+42V、Vr:−50V比較例16[比較
感光体16、比較製造例1、化合物例26]E△600
:0.82μJ/cm2 、ΔVD:−40V、ΔV
L:+39V、Vr:−52V比較例17[比較感光体
17、比較製造例2、化合物例26]E△600:0.
77μJ/cm2 、ΔVD:−42V、ΔVL:+
44V、Vr:−54V比較例18[比較感光体18、
比較製造例3、化合物例26]E△600:0.71μ
J/cm2 、ΔVD:−45V、ΔVL:+38V
、Vr:−52V比較例19[比較感光体19、比較製
造例1、化合物例34]E△600:0.86μJ/c
m2 、ΔVD:−48V、ΔVL:+35V、Vr
:−42V比較例20[比較感光体20、比較製造例2
、化合物例34]E△600:0.82μJ/cm2
、ΔVD:−42V、ΔVL:+41V、Vr:−4
3V比較例21[比較感光体21、比較製造例3、化合
物例34]E△600:0.74μJ/cm2 、Δ
VD:−39V、ΔVL:+44V、Vr:−40V
アニンと実施例2〜10で用いた1,3−ブタジエン化
合物を組み合わせて用いた他は実施例2〜10のそれぞ
れと同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価し
た。 比較例4[比較感光体4、比較製造例1、化合物例3]
E△600:0.84μJ/cm2 、ΔVD:−4
5V、ΔVL:+30V、Vr:−40V 比較例5[比較感光体5、比較製造例2、化合物例3]
E△600:0.79μJ/cm2 、ΔVD:−4
0V、ΔVL:+25V、Vr:−42V 比較例6[比較感光体6、比較製造例3、化合物例3]
E△600:0.76μJ/cm2 、ΔVD:−3
8V、ΔVL:+32V、Vr:−45V 比較例7[比較感光体7、比較製造例1、化合物例10
]E△600:0.92μJ/cm2 、ΔVD:−
41V、ΔVL:+45V、Vr:−42V比較例8[
比較感光体8、比較製造例2、化合物例10]E△60
0:0.88μJ/cm2 、ΔVD:−45V、Δ
VL:+32V、Vr:−40V比較例9[比較感光体
9、比較製造例3、化合物例10]E△600:0.8
2μJ/cm2 、ΔVD:−50V、ΔVL:+3
5V、Vr:−50V比較例10[比較感光体10、比
較製造例1、化合物例12]E△600:0.82μJ
/cm2 、ΔVD:−50V、ΔVL:+37V、
Vr:−55V比較例11[比較感光体11、比較製造
例2、化合物例12]E△600:0.76μJ/cm
2 、ΔVD:−46V、ΔVL:+37V、Vr:
−52V比較例12[比較感光体12、比較製造例3、
化合物例12]E△600:0.72μJ/cm2
、ΔVD:−42V、ΔVL:+42V、Vr:−47
V比較例13[比較感光体13、比較製造例1、化合物
例20]E△600:0.90μJ/cm2 、ΔV
D:−50V、ΔVL:+45V、Vr:−44V比較
例14[比較感光体14、比較製造例2、化合物例20
]E△600:0.88μJ/cm2 、ΔVD:−
47V、ΔVL:+40V、Vr:−47V比較例15
[比較感光体15、比較製造例3、化合物例20]E△
600:0.85μJ/cm2 、ΔVD:−45V
、ΔVL:+42V、Vr:−50V比較例16[比較
感光体16、比較製造例1、化合物例26]E△600
:0.82μJ/cm2 、ΔVD:−40V、ΔV
L:+39V、Vr:−52V比較例17[比較感光体
17、比較製造例2、化合物例26]E△600:0.
77μJ/cm2 、ΔVD:−42V、ΔVL:+
44V、Vr:−54V比較例18[比較感光体18、
比較製造例3、化合物例26]E△600:0.71μ
J/cm2 、ΔVD:−45V、ΔVL:+38V
、Vr:−52V比較例19[比較感光体19、比較製
造例1、化合物例34]E△600:0.86μJ/c
m2 、ΔVD:−48V、ΔVL:+35V、Vr
:−42V比較例20[比較感光体20、比較製造例2
、化合物例34]E△600:0.82μJ/cm2
、ΔVD:−42V、ΔVL:+41V、Vr:−4
3V比較例21[比較感光体21、比較製造例3、化合
物例34]E△600:0.74μJ/cm2 、Δ
VD:−39V、ΔVL:+44V、Vr:−40V
【
0046】比較例22〜27 実施例2において1,3−ブタジエン化合物に代えて下
記構造式の化合物H−1、H−2、H−3、H−4、H
−5、H−6を電荷輸送材料として用いた他は、実施例
2と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価し
た。表10 比較例22[比較感光体22、電荷輸送物質H−1]E
△600:測定できず 、ΔVD:−40V、ΔVL
:+50V、Vr:−250V 比較例23[比較感光体23、電荷輸送物質H−2]E
△600:0.69μJ/cm2 、ΔVD:−
35V、ΔVL:+42V、Vr:−72V 比較例24[比較感光体24、電荷輸送物質H−3]E
△600:0.52μJ/cm2 、ΔVD:−30
V、ΔVL:+80V、Vr:−83V 比較例25[比較感光体25、電荷輸送物質H−4]E
△600:測定できず 、ΔVD:―、ΔVL:―、
Vr:−201V 比較例26[比較感光体26、電荷輸送物質H−5]E
△600:測定できず 、ΔVD:―、ΔVL:―、
Vr:−525V 比較例27[比較感光体27、電荷輸送物質H−6]E
△600:測定できず 、ΔVD:―、ΔVL:―、
Vr:−452V 以上の結果から本発明の電子写真感光体は感度、残留電
位および繰り返し特性において極めて優れていることが
分かる。
0046】比較例22〜27 実施例2において1,3−ブタジエン化合物に代えて下
記構造式の化合物H−1、H−2、H−3、H−4、H
−5、H−6を電荷輸送材料として用いた他は、実施例
2と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価し
た。表10 比較例22[比較感光体22、電荷輸送物質H−1]E
△600:測定できず 、ΔVD:−40V、ΔVL
:+50V、Vr:−250V 比較例23[比較感光体23、電荷輸送物質H−2]E
△600:0.69μJ/cm2 、ΔVD:−
35V、ΔVL:+42V、Vr:−72V 比較例24[比較感光体24、電荷輸送物質H−3]E
△600:0.52μJ/cm2 、ΔVD:−30
V、ΔVL:+80V、Vr:−83V 比較例25[比較感光体25、電荷輸送物質H−4]E
△600:測定できず 、ΔVD:―、ΔVL:―、
Vr:−201V 比較例26[比較感光体26、電荷輸送物質H−5]E
△600:測定できず 、ΔVD:―、ΔVL:―、
Vr:−525V 比較例27[比較感光体27、電荷輸送物質H−6]E
△600:測定できず 、ΔVD:―、ΔVL:―、
Vr:−452V 以上の結果から本発明の電子写真感光体は感度、残留電
位および繰り返し特性において極めて優れていることが
分かる。
【0047】実施例11
厚さ50μmのアルミニウムシ−ト基体上に実施例1と
同様の下引き層をバ−コ−トにより形成し、さらにこの
上に実施例1と同様の電荷輸送層を20μm厚に形成し
た。次に、ビスフェノ−ルZ型ポリカ−ボネ−ト5部を
シクロヘキサノン68部に溶解し、この溶液に製造例1
で得られたX線回折パタ−ンを示すオキシチタニウムフ
タロシアニン3部を混合し、サンドミルで1時間分散を
行った後、ビスフェノ−ルZ型ポリカ−ボネ−ト5部と
実施例1で用いた電荷輸送物質10部を溶解し、さらに
テトラヒドロフラン40部、ジクロロメタン40部を加
えて希釈して分散塗料を調製した。この塗料をスプレ−
コ−テイング法で電荷輸送層上に塗布、乾燥して6μm
厚の電荷発生層を形成し、電子写真感光体を作成、これ
を感光体11とする。
同様の下引き層をバ−コ−トにより形成し、さらにこの
上に実施例1と同様の電荷輸送層を20μm厚に形成し
た。次に、ビスフェノ−ルZ型ポリカ−ボネ−ト5部を
シクロヘキサノン68部に溶解し、この溶液に製造例1
で得られたX線回折パタ−ンを示すオキシチタニウムフ
タロシアニン3部を混合し、サンドミルで1時間分散を
行った後、ビスフェノ−ルZ型ポリカ−ボネ−ト5部と
実施例1で用いた電荷輸送物質10部を溶解し、さらに
テトラヒドロフラン40部、ジクロロメタン40部を加
えて希釈して分散塗料を調製した。この塗料をスプレ−
コ−テイング法で電荷輸送層上に塗布、乾燥して6μm
厚の電荷発生層を形成し、電子写真感光体を作成、これ
を感光体11とする。
【0048】比較例28
電荷発生物質として比較製造例1で製造したα型オキシ
チタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同
様にして電子写真感光体を作成し、これを比較感光体2
8とする。
チタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同
様にして電子写真感光体を作成し、これを比較感光体2
8とする。
【0049】比較例29
電荷発生物質として比較製造例2で製造したA型オキシ
チタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同
様にして電子写真感光体を作成し、これを比較感光体2
9とする。
チタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同
様にして電子写真感光体を作成し、これを比較感光体2
9とする。
【0050】比較例30
電荷発生物質として比較製造例3で製造した特開昭64
−17066号公報開示と同じ結晶形のオキシチタニウ
ムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同様にして
電子写真感光体を作成し、これを比較感光体30とする
。
−17066号公報開示と同じ結晶形のオキシチタニウ
ムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同様にして
電子写真感光体を作成し、これを比較感光体30とする
。
【0051】感光体11、比較感光体28、29および
30の各感光体を静電試験装置(EPA−8100、川
口電機(株)製)を用いて評価した。評価は初めに正の
コロナ帯電により表面電位が+700Vとなるように設
定し、次にモノクロメ−タ−により分離した802nm
の単色光により露光して表面電位が+200Vまで下が
るときの光量を測定した。結果を示す。 感光体11 感度:0.49μJ/cm2比較感光体
28 感度:1.15μJ/cm2比較感光体29
感度:1.31μJ/cm2比較感光体30 感度
:0.96μJ/cm2
30の各感光体を静電試験装置(EPA−8100、川
口電機(株)製)を用いて評価した。評価は初めに正の
コロナ帯電により表面電位が+700Vとなるように設
定し、次にモノクロメ−タ−により分離した802nm
の単色光により露光して表面電位が+200Vまで下が
るときの光量を測定した。結果を示す。 感光体11 感度:0.49μJ/cm2比較感光体
28 感度:1.15μJ/cm2比較感光体29
感度:1.31μJ/cm2比較感光体30 感度
:0.96μJ/cm2
【0052】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は特定の結晶形
のオキシチタニウムフタロシアニンを電荷発生物質とし
、特定の1,3−ブタジエン化合物を電荷輸送物質とす
る感光層を有することにより(1)レ−ザ−ダイオ−ド
発振波長で高感度を有し、(2)電子写真プロセスにお
いて安定した画像特性を示し、(3)電位安定性に優れ
るという顕著な効果を奏する。また、該電子写真感光体
を備えた電子写真装置並びにファクシミリにおいても同
様な効果を発揮する。
のオキシチタニウムフタロシアニンを電荷発生物質とし
、特定の1,3−ブタジエン化合物を電荷輸送物質とす
る感光層を有することにより(1)レ−ザ−ダイオ−ド
発振波長で高感度を有し、(2)電子写真プロセスにお
いて安定した画像特性を示し、(3)電位安定性に優れ
るという顕著な効果を奏する。また、該電子写真感光体
を備えた電子写真装置並びにファクシミリにおいても同
様な効果を発揮する。
【図1】製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンのX線回折図である。
フタロシアニンのX線回折図である。
【図2】製造例2で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンのX線回折図である。
フタロシアニンのX線回折図である。
【図3】製造例3で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンのX線回折図である。
フタロシアニンのX線回折図である。
【図4】比較製造例1で得られたオキシチタニウムフタ
ロシアニンのX線回折図である。
ロシアニンのX線回折図である。
【図5】比較製造例2で得られたオキシチタニウムフタ
ロシアニンのX線回折図である。
ロシアニンのX線回折図である。
【図6】比較製造例3で得られたオキシチタニウムフタ
ロシアニンのX線回折図である。
ロシアニンのX線回折図である。
【図7】製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンの赤外吸収スペクトル図(KBr法)で
ある。
フタロシアニンの赤外吸収スペクトル図(KBr法)で
ある。
【図8】製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンの紫外吸収スペクトル図である。
フタロシアニンの紫外吸収スペクトル図である。
【図9】実施例1で作成した電子写真感光体(感光体1
)の分光感度分布図である。
)の分光感度分布図である。
【図10】本発明の電子写真感光体を用いた一般的な転
写式電子写真装置の概略構成図である。
写式電子写真装置の概略構成図である。
【図11】本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装
置をプリンタ−として使用したファクシミリのブロック
図である。
置をプリンタ−として使用したファクシミリのブロック
図である。
1 像担持体としてのドラム型感光体(本発明の
電子写真感光体) 1a 軸 2 コロナ帯電装置 3 露光部 4 現像手段 5 転写手段 6 クリ−ニング手段 7 前露光手段 8 像定着手段 L 光像露光 P 像転写を受けた転写材 9 画像読取部 10 コントロ−ラ− 11 受信回路 12 送信回路 13 電話 14 回線 15 画像メモリ 16 CPU 17 プリンタコントロ−ラ 18 プリンタ−
電子写真感光体) 1a 軸 2 コロナ帯電装置 3 露光部 4 現像手段 5 転写手段 6 クリ−ニング手段 7 前露光手段 8 像定着手段 L 光像露光 P 像転写を受けた転写材 9 画像読取部 10 コントロ−ラ− 11 受信回路 12 送信回路 13 電話 14 回線 15 画像メモリ 16 CPU 17 プリンタコントロ−ラ 18 プリンタ−
Claims (3)
- 【請求項1】 導電性支持体上に感光層を有する電子
写真感光体において、該感光層がCuKα特性のX線回
折におけるブラッグ角2θ±0.2°が9.0°、14
.2°、23.9°および27.1°に強いピ−クを有
する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを含有し
、かつ、下記一般式(1)で示す1,3−ブタジエン化
合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。 一般式(1)化1 (式中、Ar1、Ar2、Ar3およびAr4は置換基
を有してもよい芳香環基を示し、ただし、Ar1、Ar
2、Ar3およびAr4のうち少なくとも1個はジ低級
アルキルアミノ基を有する。) - 【請求項2】 請求項1記載の電子写真感光体を備え
た電子写真装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の電子写真感光体を備え
た電子写真装置およびリモ−ト端末からの画像情報を受
信する受信手段を有するファクシミリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3038883A JPH04257866A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3038883A JPH04257866A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04257866A true JPH04257866A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12537611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3038883A Pending JPH04257866A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04257866A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08152728A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3038883A patent/JPH04257866A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08152728A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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