JPH04256418A - 不活性ガス流れから低温で不純物を除去する方法 - Google Patents
不活性ガス流れから低温で不純物を除去する方法Info
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- JPH04256418A JPH04256418A JP3264277A JP26427791A JPH04256418A JP H04256418 A JPH04256418 A JP H04256418A JP 3264277 A JP3264277 A JP 3264277A JP 26427791 A JP26427791 A JP 26427791A JP H04256418 A JPH04256418 A JP H04256418A
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Classifications
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
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- Y02C20/40—Capture or disposal of greenhouse gases of CO2
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- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】本発明は，一般には，低温にて不活性ガス
流れから不純物を除去するための方法に関する。さらに
詳細には，本発明は，−３０℃という低温にて不活性ガ
ス流れから一酸化炭素，二酸化炭素，水蒸気，水素，及
び酸素の組合わせ物を除去するための方法に関する。
流れから不純物を除去するための方法に関する。さらに
詳細には，本発明は，−３０℃という低温にて不活性ガ
ス流れから一酸化炭素，二酸化炭素，水蒸気，水素，及
び酸素の組合わせ物を除去するための方法に関する。
【０００２】当業界では，一酸化炭素，二酸化炭素，酸
素，水素，及び水蒸気を含んだ不活性ガス流れから微量
の不純物を除去する方法が種々知られている。これらの
方法は，主として，空気の低温蒸留から得られる窒素の
精製に関するものであり，不純物を周囲温度にて１ｐｐ
ｍ未満のレベルにまで除去するためのものである。例え
ば，ジルコニア，アルミニウム，鉄，及びバナジウムの
混合物で構成された金属“ゲッター（ｇｅｔｔｅｒｓ）
”を使用して，酸化及び／又は吸着により不純物が除去
される。
素，水素，及び水蒸気を含んだ不活性ガス流れから微量
の不純物を除去する方法が種々知られている。これらの
方法は，主として，空気の低温蒸留から得られる窒素の
精製に関するものであり，不純物を周囲温度にて１ｐｐ
ｍ未満のレベルにまで除去するためのものである。例え
ば，ジルコニア，アルミニウム，鉄，及びバナジウムの
混合物で構成された金属“ゲッター（ｇｅｔｔｅｒｓ）
”を使用して，酸化及び／又は吸着により不純物が除去
される。
【０００３】白金やパラジウムを含む白金族の金属触媒
は，水素と不活性ガス中に存在する酸素との反応を触媒
して水蒸気を形成させる（例えば，米国特許第３，５３
５，０７４号を参照）。さらに，還元銅又は還元ニッケ
ルを含有した層を使用することによっても酸素が除去さ
れている。白金族の金属触媒をハイドロタルサイトと併
用して，酸素による一酸化炭素の酸化反応に対して触媒
作用を与えている〔デルツァー（Ｄｅｌｚｅｒ）らによ
る米国特許第４，９１１，９０４号を参照）。
は，水素と不活性ガス中に存在する酸素との反応を触媒
して水蒸気を形成させる（例えば，米国特許第３，５３
５，０７４号を参照）。さらに，還元銅又は還元ニッケ
ルを含有した層を使用することによっても酸素が除去さ
れている。白金族の金属触媒をハイドロタルサイトと併
用して，酸素による一酸化炭素の酸化反応に対して触媒
作用を与えている〔デルツァー（Ｄｅｌｚｅｒ）らによ
る米国特許第４，９１１，９０４号を参照）。
【０００４】半導体業界は，果てしなく増大する線密度
をもった集積回路を開発しつつあるので，適用される製
造プロセスでは，使用する材料はできるだけ不純物を含
まないことが要求される。窒素やアルゴン等の不活性ガ
スは，半導体製造プロセスにおいてしばしば使用される
。市販の窒素やアルゴンは比較的純度が高いけれども，
半導体材料の汚染が防止されるよう，さらに高い純度が
確実に保持されることが必要となる。この結果，一酸化
炭素，二酸化炭素，酸素，水素，及び水蒸気の混ざり合
った不純物を除去するために，より統合されたプロセス
が使用されるようになった。
をもった集積回路を開発しつつあるので，適用される製
造プロセスでは，使用する材料はできるだけ不純物を含
まないことが要求される。窒素やアルゴン等の不活性ガ
スは，半導体製造プロセスにおいてしばしば使用される
。市販の窒素やアルゴンは比較的純度が高いけれども，
半導体材料の汚染が防止されるよう，さらに高い純度が
確実に保持されることが必要となる。この結果，一酸化
炭素，二酸化炭素，酸素，水素，及び水蒸気の混ざり合
った不純物を除去するために，より統合されたプロセス
が使用されるようになった。
【０００５】こうした方法の１つがウェルトマー（Ｗｅ
ｌｔｍｅｒ）らによる米国特許第４，５７９，７２３号
に開示されており，該方法によれば，ロジウムと白金を
含有した市販の触媒物質〔例えば，エンゲルハルト・デ
オキソＡ（Ｅｎｇｅｌｈａｒｄ Ｄｅｏｘｏ Ａ）
〕を使用して，周囲温度にて一酸化炭素と水素をそれぞ
れ二酸化炭素と水蒸気に転化させている。残留している
酸素，二酸化炭素，及び水蒸気は，ダウ（Ｄｏｗ）Ｑ１
のようなゲッター物質を含有した第２の層において除去
される。
ｌｔｍｅｒ）らによる米国特許第４，５７９，７２３号
に開示されており，該方法によれば，ロジウムと白金を
含有した市販の触媒物質〔例えば，エンゲルハルト・デ
オキソＡ（Ｅｎｇｅｌｈａｒｄ Ｄｅｏｘｏ Ａ）
〕を使用して，周囲温度にて一酸化炭素と水素をそれぞ
れ二酸化炭素と水蒸気に転化させている。残留している
酸素，二酸化炭素，及び水蒸気は，ダウ（Ｄｏｗ）Ｑ１
のようなゲッター物質を含有した第２の層において除去
される。
【０００６】タムハンカー（Ｔａｍｈａｎｋｅｒ）らに
よる米国特許第４，７１３，２２４号には別の方法が開
示されている。該方法によれば，大きな表面積を有する
ニッケルで構成された粒状物質の層に周囲温度にて不活
性ガス流れを通して，不活性ガス流れから種々の量の５
種の不純物を除去する。
よる米国特許第４，７１３，２２４号には別の方法が開
示されている。該方法によれば，大きな表面積を有する
ニッケルで構成された粒状物質の層に周囲温度にて不活
性ガス流れを通して，不活性ガス流れから種々の量の５
種の不純物を除去する。
【０００７】ソログッド（Ｔｈｏｒｏｇｏｏｄ）らによ
る米国特許第４，８６９，８８３号は，不活性ガス流れ
を精製するための３工程プロセスを開示している。該プ
ロセスによれば，還元銅の存在下で１５０〜２５０℃の
高温にて，一酸化炭素と水素を酸素と反応させてそれぞ
れ二酸化炭素と水を形成させる。未反応の一酸化炭素と
酸素が，同じ高温にて酸化銅触媒と反応してそれぞれ二
酸化炭素と水を形成する。このようにして形成された二
酸化炭素と水は，モレキュラーシーブ吸着剤によって除
去される。
る米国特許第４，８６９，８８３号は，不活性ガス流れ
を精製するための３工程プロセスを開示している。該プ
ロセスによれば，還元銅の存在下で１５０〜２５０℃の
高温にて，一酸化炭素と水素を酸素と反応させてそれぞ
れ二酸化炭素と水を形成させる。未反応の一酸化炭素と
酸素が，同じ高温にて酸化銅触媒と反応してそれぞれ二
酸化炭素と水を形成する。このようにして形成された二
酸化炭素と水は，モレキュラーシーブ吸着剤によって除
去される。
【０００８】現在までに開発されているプロセスのいず
れも，ソログッドらが使用している温度より低い温度で
（特に，約−３０℃という低い周囲温度未満で）不活性
ガス流れから広範囲の不純物を除去することができない
ようである。さらに，特に低温にてｐｐｍレベルの一酸
化炭素を除去するのに有効な公知の従来プロセスはない
。
れも，ソログッドらが使用している温度より低い温度で
（特に，約−３０℃という低い周囲温度未満で）不活性
ガス流れから広範囲の不純物を除去することができない
ようである。さらに，特に低温にてｐｐｍレベルの一酸
化炭素を除去するのに有効な公知の従来プロセスはない
。
【０００９】周囲温度よりかなり低い温度でｐｐｍレベ
ルの不純物を不活性ガス流れから除去できる能力があれ
ば，従来はこうした目的に対して不適切であると考えら
れていた環境にて精製プラントを操作することが可能と
なる。従って，不活性ガス流れが−３０℃という低温で
適切に処理できれば，米国北東部のような温度変動の激
しい気候だけでなく極寒の気候においても，設備を屋外
に建造することができる（例えば，米国北西部において
は，低い気温と高レベルの一酸化炭素が通常である）。 さらに，供給流れ中に存在する不純物の含量に応じて調
整して，効率的で且つ原価効率のよい方法にて精製ガス
状物を得ることのできるプロセスが求められている。
ルの不純物を不活性ガス流れから除去できる能力があれ
ば，従来はこうした目的に対して不適切であると考えら
れていた環境にて精製プラントを操作することが可能と
なる。従って，不活性ガス流れが−３０℃という低温で
適切に処理できれば，米国北東部のような温度変動の激
しい気候だけでなく極寒の気候においても，設備を屋外
に建造することができる（例えば，米国北西部において
は，低い気温と高レベルの一酸化炭素が通常である）。 さらに，供給流れ中に存在する不純物の含量に応じて調
整して，効率的で且つ原価効率のよい方法にて精製ガス
状物を得ることのできるプロセスが求められている。
【００１０】本発明は，一般には，一酸化炭素，二酸化
炭素，酸素，水素，及び水蒸気等の不純物を含有した不
活性ガス流れを精製する方法に関する。さらに詳細には
本発明は，微量の不純物を含有した供給流れを周囲温度
未満の温度で処理することに関する。本発明の方法は，
１種以上の不純物を，０℃未満〜約−３０℃という低温
（一般には約−３０℃〜＋４０℃）で，そして季節の変
化に伴う温度の変動条件下にて転化及び／又は吸着する
のに特に適した物質の層を最大３つまで使用する。本発
明の方法は，不純物の組成と濃度に応じてその適用の仕
方を調整することができる。
炭素，酸素，水素，及び水蒸気等の不純物を含有した不
活性ガス流れを精製する方法に関する。さらに詳細には
本発明は，微量の不純物を含有した供給流れを周囲温度
未満の温度で処理することに関する。本発明の方法は，
１種以上の不純物を，０℃未満〜約−３０℃という低温
（一般には約−３０℃〜＋４０℃）で，そして季節の変
化に伴う温度の変動条件下にて転化及び／又は吸着する
のに特に適した物質の層を最大３つまで使用する。本発
明の方法は，不純物の組成と濃度に応じてその適用の仕
方を調整することができる。
【００１１】その最も広い態様においては，本発明の方
法は，一酸化炭素を二酸化炭素に転化すべくなされてい
て，且つ不活性ガス流れから少なくとも二酸化炭素を除
去すべくなされている物質を含有した層に不活性ガス流
れを通す工程を含む。こうして得られるガス状物はこれ
らの不純物を実質的に含まず，それぞれの不純物の存在
量は約０．１ｐｐｍ以下のレベルにすぎない。
法は，一酸化炭素を二酸化炭素に転化すべくなされてい
て，且つ不活性ガス流れから少なくとも二酸化炭素を除
去すべくなされている物質を含有した層に不活性ガス流
れを通す工程を含む。こうして得られるガス状物はこれ
らの不純物を実質的に含まず，それぞれの不純物の存在
量は約０．１ｐｐｍ以下のレベルにすぎない。
【００１２】不活性ガス流れが少なくとも３ｐｐｍの水
素を含有している場合，この水素を水蒸気に転化させる
ために第２の層の物質が使用される。この第２の層の物
質は，−３０℃という低温にて水素の水蒸気への反応に
対して触媒作用を及ぼすことのできる触媒である。この
目的に対する好ましい触媒は，貴金属をアルミナ支持体
に担持させたものから選ばれ，最も好ましいのは活性ア
ルミナ担持パラジウムである。従って，本発明の１つの
態様においては，不活性ガス流れから過剰量の一酸化炭
素と水素が約０．１ｐｐｍのレベルまで除去される。
素を含有している場合，この水素を水蒸気に転化させる
ために第２の層の物質が使用される。この第２の層の物
質は，−３０℃という低温にて水素の水蒸気への反応に
対して触媒作用を及ぼすことのできる触媒である。この
目的に対する好ましい触媒は，貴金属をアルミナ支持体
に担持させたものから選ばれ，最も好ましいのは活性ア
ルミナ担持パラジウムである。従って，本発明の１つの
態様においては，不活性ガス流れから過剰量の一酸化炭
素と水素が約０．１ｐｐｍのレベルまで除去される。
【００１３】不活性ガス流れが，少なくとも約３ｐｐｍ
のオーダーで高レベルの一酸化酸素を含有している場合
，一酸化炭素の量を約１．０ｐｐｍ以下のレベルまで下
げるのが好ましい。このことは，少なくとも１種の遷移
金属酸化物（０℃未満〜約−３０℃の温度で比較的多量
の一酸化炭素を二酸化炭素に転化する）の層に不活性ガ
ス流れを通すことによって達成することができる。
のオーダーで高レベルの一酸化酸素を含有している場合
，一酸化炭素の量を約１．０ｐｐｍ以下のレベルまで下
げるのが好ましい。このことは，少なくとも１種の遷移
金属酸化物（０℃未満〜約−３０℃の温度で比較的多量
の一酸化炭素を二酸化炭素に転化する）の層に不活性ガ
ス流れを通すことによって達成することができる。
【００１４】本発明によれば，これらの層は，吸着した
不純物を除去することにより通常の方法で再生される。 本発明の方法は，単一又は複数の容器にてバッチ方式で
も連続方式でも行うことができ，また再生は，精製プロ
セスと別々に行うこともできるし，あるいは精製プロセ
スと同時に行うこともできる。
不純物を除去することにより通常の方法で再生される。 本発明の方法は，単一又は複数の容器にてバッチ方式で
も連続方式でも行うことができ，また再生は，精製プロ
セスと別々に行うこともできるし，あるいは精製プロセ
スと同時に行うこともできる。
【００１５】本発明の方法は，一酸化炭素，二酸化炭素
，水素，酸素，及び水蒸気等の不純物を実質的に含まな
い高度に精製されたガス状生成物を与える。供給流れは
，アルゴンのような不活性ガスである。しかしながら，
言うまでもないことだが，窒素はある特別の条件下にお
いて特定の元素と反応するけれども，本明細書で使用し
ている“不活性ガス”は窒素も含めて称している。 特に，本発明の方法は，空気の低温蒸留から得られる窒
素流れを精製するのに使用することができる。
，水素，酸素，及び水蒸気等の不純物を実質的に含まな
い高度に精製されたガス状生成物を与える。供給流れは
，アルゴンのような不活性ガスである。しかしながら，
言うまでもないことだが，窒素はある特別の条件下にお
いて特定の元素と反応するけれども，本明細書で使用し
ている“不活性ガス”は窒素も含めて称している。 特に，本発明の方法は，空気の低温蒸留から得られる窒
素流れを精製するのに使用することができる。
【００１６】さらに，本発明に従って得られるガス状生
成物は半導体工業に使用するのに適していることがわか
る。果てしなく増大する線密度を有する集積回路の開発
には，不純物をできるだけ含まないガスが必要とされる
。ｐｐｍレベルの不純物を含有した市販の窒素とアルゴ
ンは，集積回路の製造には問題があって使えない。従っ
て，本発明の方法（約１０，０００ｐｐｍまでの不純物
を除去することができる）は特に，約５．０ｐｐｍまで
の酸素，約５．０ｐｐｍまでの一酸化炭素，約５．０ｐ
ｐｍまでの水素，約２．０ｐｐｍまでの二酸化炭素，及
び約２．０ｐｐｍまでの水蒸気を含有した不活性ガス流
れを精製して，高度に精製されたガス状生成物（好まし
くは，いずれの不純物含量も０．１ｐｐｍ以下）を得る
ためのものである。
成物は半導体工業に使用するのに適していることがわか
る。果てしなく増大する線密度を有する集積回路の開発
には，不純物をできるだけ含まないガスが必要とされる
。ｐｐｍレベルの不純物を含有した市販の窒素とアルゴ
ンは，集積回路の製造には問題があって使えない。従っ
て，本発明の方法（約１０，０００ｐｐｍまでの不純物
を除去することができる）は特に，約５．０ｐｐｍまで
の酸素，約５．０ｐｐｍまでの一酸化炭素，約５．０ｐ
ｐｍまでの水素，約２．０ｐｐｍまでの二酸化炭素，及
び約２．０ｐｐｍまでの水蒸気を含有した不活性ガス流
れを精製して，高度に精製されたガス状生成物（好まし
くは，いずれの不純物含量も０．１ｐｐｍ以下）を得る
ためのものである。
【００１７】図１Ａを参照すると，再生時において供給
流れが停止される３つの層を使用して精製ガスを得るた
めのバルクプロセス又は不連続プロセスが示されている
。供給ガス流れ（例えば，５．０ｐｐｍ以下の酸素，５
．０ｐｐｍ以下の一酸化炭素，５．０ｐｐｍ以下の水素
，２．０ｐｐｍまでの二酸化炭素，及び２．０ｐｐｍま
での水蒸気を含有）が，ライン２を介してカラム４に供
給される。カラム４は，ホプカライト（Ｈｏｐｃａｌｉ
ｔｅ）〔約１０．８％の銅，５２．４％のマンガン，及
び残部の酸素からなる酸化銅と酸化マンガンを含む組成
物−マイン・セイフティ・アプライアンス（Ｍｉｎｅ
Ｓａｆｅｔｙ Ａｐｐｌｉａｎｃｅ）により製造〕
のような遷移金属酸化物を含有した第１の層６を含む。 これに代わる触媒としては，酸化したハーショー（Ｈａ
ｒｓｈａｗ）ニッケル触媒等の酸化ニッケルがある。さ
らに他の遷移金属酸化物の組成物としては，酸化銅と酸
化コバルトとの混合物であるカルライト（Ｃａｒｕｌｉ
ｔｅ）〔カルス・ケミカル社（Ｃａｒｕｓ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｃｏ．）製造〕がある。上記の遷移金属酸
化物は，化学量論量未満の酸素の存在下でも，０℃未満
〜約−３０℃の温度で多量の一酸化炭素を二酸化炭素に
転化させるのに特に有効である。
流れが停止される３つの層を使用して精製ガスを得るた
めのバルクプロセス又は不連続プロセスが示されている
。供給ガス流れ（例えば，５．０ｐｐｍ以下の酸素，５
．０ｐｐｍ以下の一酸化炭素，５．０ｐｐｍ以下の水素
，２．０ｐｐｍまでの二酸化炭素，及び２．０ｐｐｍま
での水蒸気を含有）が，ライン２を介してカラム４に供
給される。カラム４は，ホプカライト（Ｈｏｐｃａｌｉ
ｔｅ）〔約１０．８％の銅，５２．４％のマンガン，及
び残部の酸素からなる酸化銅と酸化マンガンを含む組成
物−マイン・セイフティ・アプライアンス（Ｍｉｎｅ
Ｓａｆｅｔｙ Ａｐｐｌｉａｎｃｅ）により製造〕
のような遷移金属酸化物を含有した第１の層６を含む。 これに代わる触媒としては，酸化したハーショー（Ｈａ
ｒｓｈａｗ）ニッケル触媒等の酸化ニッケルがある。さ
らに他の遷移金属酸化物の組成物としては，酸化銅と酸
化コバルトとの混合物であるカルライト（Ｃａｒｕｌｉ
ｔｅ）〔カルス・ケミカル社（Ｃａｒｕｓ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｃｏ．）製造〕がある。上記の遷移金属酸
化物は，化学量論量未満の酸素の存在下でも，０℃未満
〜約−３０℃の温度で多量の一酸化炭素を二酸化炭素に
転化させるのに特に有効である。
【００１８】第１の層６は，供給流れ中に酸素が存在し
てもしなくても，供給流れ中に存在する一酸化炭素を二
酸化炭素に転化させる。供給流れ中の二酸化炭素は，水
素を水蒸気に転化させることのできる触媒を含有した第
２の層８に送られる。選択される水素転化用触媒の種類
は，供給流れ中に存在する酸素の量及び供給流れの温度
によって異なる。一般には，このような目的に対しては
，アルミナ等の活性支持体に貴金属触媒を担持させたも
のが特に適している。例えば，白金，ロジウム，及びこ
れらの組合わせ物を活性アルミナに担持させたものは，
酸素が化学量論量より多く存在しているとき，及び好ま
しくは反応温度がほぼ周囲温度であるときに，水素を水
蒸気に転化させる。
てもしなくても，供給流れ中に存在する一酸化炭素を二
酸化炭素に転化させる。供給流れ中の二酸化炭素は，水
素を水蒸気に転化させることのできる触媒を含有した第
２の層８に送られる。選択される水素転化用触媒の種類
は，供給流れ中に存在する酸素の量及び供給流れの温度
によって異なる。一般には，このような目的に対しては
，アルミナ等の活性支持体に貴金属触媒を担持させたも
のが特に適している。例えば，白金，ロジウム，及びこ
れらの組合わせ物を活性アルミナに担持させたものは，
酸素が化学量論量より多く存在しているとき，及び好ま
しくは反応温度がほぼ周囲温度であるときに，水素を水
蒸気に転化させる。
【００１９】アルミナ担持パラジウムが特に好ましい。
なぜなら，この触媒は水素の水蒸気への反応に対して触
媒作用を与え，同時に，化学量論量の酸素の存在下で，
特に０℃未満〜約−３０℃の温度にて一酸化炭素を二酸
化炭素に転化させる。従って本発明によれば，不活性ガ
ス流れは，酸素を系中に加えることなく，そして周囲温
度未満の温度（特に０℃未満）で精製することができる
。パラジウムの量は，アルミナペレットの外殻中に存在
する触媒の重量を基準として約０．５重量％であるのが
最も好ましい。
媒作用を与え，同時に，化学量論量の酸素の存在下で，
特に０℃未満〜約−３０℃の温度にて一酸化炭素を二酸
化炭素に転化させる。従って本発明によれば，不活性ガ
ス流れは，酸素を系中に加えることなく，そして周囲温
度未満の温度（特に０℃未満）で精製することができる
。パラジウムの量は，アルミナペレットの外殻中に存在
する触媒の重量を基準として約０．５重量％であるのが
最も好ましい。
【００２０】これとは別に，パラジウムと銅をアルミナ
に担持させたものを含む触媒を低温で使用することがで
きる。特に，約０．５〜１．０重量％のパラジウムと約
８〜１２重量％の銅を活性アルミナに担持させたものを
含んだ触媒が有利である。なぜなら，この触媒はさらに
，供給流れから二酸化炭素，酸素，及び水蒸気を吸着す
るからである。層８を出た供給流れは，水蒸気及び二酸
化炭素，並びに恐らくは微量の未転化の水素，酸素，及
び一酸化炭素を含有する。次いで供給流れは，供給流れ
から二酸化炭素，水蒸気，及び酸素を化学的に吸着すべ
くなされた吸着剤を含有した層１０に送られる。
に担持させたものを含む触媒を低温で使用することがで
きる。特に，約０．５〜１．０重量％のパラジウムと約
８〜１２重量％の銅を活性アルミナに担持させたものを
含んだ触媒が有利である。なぜなら，この触媒はさらに
，供給流れから二酸化炭素，酸素，及び水蒸気を吸着す
るからである。層８を出た供給流れは，水蒸気及び二酸
化炭素，並びに恐らくは微量の未転化の水素，酸素，及
び一酸化炭素を含有する。次いで供給流れは，供給流れ
から二酸化炭素，水蒸気，及び酸素を化学的に吸着すべ
くなされた吸着剤を含有した層１０に送られる。
【００２１】この目的に対して特に好ましい吸着剤は，
アルミナ担持銅〔例えば，ダウケミカル社製造のダウ（
ＤＯＷ）Ｑ−５〕である。この物質は，比較的低レベル
の一酸化炭素を二酸化炭素に転化させることもできる。 他の例としては，還元ニッケルを適切な支持体（例えば
シリカやアルミナ）に担持させたものがあり，これは０
℃未満〜−３０℃の温度において特に有効である。 こうして得られる供給流れ（二酸化炭素，一酸化炭素，
酸素，水素，及び水蒸気を実質的に含まない）は，弁１
１とライン１２を介してカラム４を出て，貯蔵設備又は
精製されたガス状生成物が使用される並列プラントに送
られる。
アルミナ担持銅〔例えば，ダウケミカル社製造のダウ（
ＤＯＷ）Ｑ−５〕である。この物質は，比較的低レベル
の一酸化炭素を二酸化炭素に転化させることもできる。 他の例としては，還元ニッケルを適切な支持体（例えば
シリカやアルミナ）に担持させたものがあり，これは０
℃未満〜−３０℃の温度において特に有効である。 こうして得られる供給流れ（二酸化炭素，一酸化炭素，
酸素，水素，及び水蒸気を実質的に含まない）は，弁１
１とライン１２を介してカラム４を出て，貯蔵設備又は
精製されたガス状生成物が使用される並列プラントに送
られる。
【００２２】図１Ａの不連続プロセスにおいては，層６
，８，及び１０を定期的に再生しなければならない。 この再生プロセスは，図１Ｂに示すように，弁１４又は
他の通常の手段により，ライン２介した供給流れの流入
を停止することによって行われる。主要量の不活性ガス
（例えば窒素及び／又はアルゴン）と少量の水素（好ま
しくは約１〜１０容量％の水素，最も好ましくは約３容
量％の水素）を含有した再生用ガス流れが，ライン１２
と弁１１を介して層１０に送られて，その中に堆積して
含まれている不純物が除去される。それまでに吸着され
ていた不純物を含有した再生ガスが，ライン１８を介し
てカラム４から排出される。再生プロセスは通常，最高
約２００℃までの温度で行われる。
，８，及び１０を定期的に再生しなければならない。 この再生プロセスは，図１Ｂに示すように，弁１４又は
他の通常の手段により，ライン２介した供給流れの流入
を停止することによって行われる。主要量の不活性ガス
（例えば窒素及び／又はアルゴン）と少量の水素（好ま
しくは約１〜１０容量％の水素，最も好ましくは約３容
量％の水素）を含有した再生用ガス流れが，ライン１２
と弁１１を介して層１０に送られて，その中に堆積して
含まれている不純物が除去される。それまでに吸着され
ていた不純物を含有した再生ガスが，ライン１８を介し
てカラム４から排出される。再生プロセスは通常，最高
約２００℃までの温度で行われる。
【００２３】遷移金属酸化物を含有している層６は，再
生温度において水素の存在の影響を受けやすい。従って
，層６中の触媒は，弁１４を開き，窒素ガス流れを層６
に通し，そして不純物を含有したガスをライン１８を介
してカラム４から排出することによって再生される。 本発明の方法の他の実施態様が図２Ａと図２Ｂに示され
ている。本実施態様においては層６が除かれている。な
ぜなら，供給流れは約３ｐｐｍ未満という低レベルの一
酸化炭素を含有しているからである。
生温度において水素の存在の影響を受けやすい。従って
，層６中の触媒は，弁１４を開き，窒素ガス流れを層６
に通し，そして不純物を含有したガスをライン１８を介
してカラム４から排出することによって再生される。 本発明の方法の他の実施態様が図２Ａと図２Ｂに示され
ている。本実施態様においては層６が除かれている。な
ぜなら，供給流れは約３ｐｐｍ未満という低レベルの一
酸化炭素を含有しているからである。
【００２４】図２Ａを参照すると，供給流れは，弁１４
を通り，ライン２を介して直接カラム４の層８に進む。 層８は，図１Ａと図１Ｂに関して前述したのと同じタイ
プの水素転化用触媒（例えば，パラジウムをアルミナに
担持させたものや，パラジウムと銅をアルミナに担持さ
せたものなど）を含有している。層８中の水素転化用触
媒は，水素を水蒸気に転化させる機能を果たす。アルミ
ナ担持パラジウムが使用された場合，存在する一酸化炭
素は二酸化炭素に転化される。次いで供給流れは，供給
流れから二酸化炭素，水蒸気，及び酸素を化学的に吸着
するための吸着剤を含有した層１０に送られる。層１０
に対しては，ダウＱ−５のようなアルミナ担持銅が特に
好ましい。弁１１とライン１２を介して，実質的に純粋
な窒素ガスがカラム４から取り出される。カラム４の再
生は図２Ｂに示すように行われる。すなわち，先ず約１
〜１０％の水素を含有した窒素又はアルゴン等の不活性
ガスを，ライン１２を介してカラム４に供給し，次いで
ライン２から不純物含有ガスを排出することによって行
われる。
を通り，ライン２を介して直接カラム４の層８に進む。 層８は，図１Ａと図１Ｂに関して前述したのと同じタイ
プの水素転化用触媒（例えば，パラジウムをアルミナに
担持させたものや，パラジウムと銅をアルミナに担持さ
せたものなど）を含有している。層８中の水素転化用触
媒は，水素を水蒸気に転化させる機能を果たす。アルミ
ナ担持パラジウムが使用された場合，存在する一酸化炭
素は二酸化炭素に転化される。次いで供給流れは，供給
流れから二酸化炭素，水蒸気，及び酸素を化学的に吸着
するための吸着剤を含有した層１０に送られる。層１０
に対しては，ダウＱ−５のようなアルミナ担持銅が特に
好ましい。弁１１とライン１２を介して，実質的に純粋
な窒素ガスがカラム４から取り出される。カラム４の再
生は図２Ｂに示すように行われる。すなわち，先ず約１
〜１０％の水素を含有した窒素又はアルゴン等の不活性
ガスを，ライン１２を介してカラム４に供給し，次いで
ライン２から不純物含有ガスを排出することによって行
われる。
【００２５】本発明の方法は，少なくとも２つのカラム
を使用して連続法で行うこともできる。この場合，カラ
ムのうちの少なくとも１つが精製されたガス状物の生成
に関与し，そしてカラムのうちの少なくとも１つが再生
プロセスを受ける。図３を参照すると，２つのカラム３
０と３２を含んだシステムが示されている。しかしなが
ら，本発明の精神と範囲内において３つ以上のカラムを
使用することもできる。カラム３０と３２は，遷移金属
酸化物触媒（例えば，図１に関して前述したホプカライ
ト，アルミナ担持銅，及びダウＱ−５など）を含有した
３つの層３４，３６，及び３８を収容している。当然の
ことながら，図３に関して説明されている連続プロセス
は，供給流れの内容物に応じて１つ又は２つの層を使用
して行うことができる。
を使用して連続法で行うこともできる。この場合，カラ
ムのうちの少なくとも１つが精製されたガス状物の生成
に関与し，そしてカラムのうちの少なくとも１つが再生
プロセスを受ける。図３を参照すると，２つのカラム３
０と３２を含んだシステムが示されている。しかしなが
ら，本発明の精神と範囲内において３つ以上のカラムを
使用することもできる。カラム３０と３２は，遷移金属
酸化物触媒（例えば，図１に関して前述したホプカライ
ト，アルミナ担持銅，及びダウＱ−５など）を含有した
３つの層３４，３６，及び３８を収容している。当然の
ことながら，図３に関して説明されている連続プロセス
は，供給流れの内容物に応じて１つ又は２つの層を使用
して行うことができる。
【００２６】図１Ａと図１Ｂに関して説明したのと同じ
タイプの供給流れが，ライン４０を介して，一対の弁４
４と４６を有するライン４２に送られる。弁４６を閉じ
ておき，供給流れが開放弁４４を通してカラム３０に送
られる。供給流れは，図１Ａと図１Ｂの３層カラムに関
して前述したのと同じ反応を受ける。高純度の生成物ガ
スが，ライン４８と開放弁５０を介してカラム３０を出
て，ライン５２から捕集される。カラム３０は，弁４４
を閉じて，ライン４２を介した供給流れの流入を防ぐこ
とにより，層３６と３８から不純物を除去して再生する
ことができる。ライン８０を介してカラム３２から出た
生成物ガスは弁８２を通って進み，生成物流れの一部は
，ライン５３を介して弁５５を通って進み，弁７２を通
ってライン７０を介して供給される水素ガスと合流する
。こうして得られる約９７容量％の窒素と約３容量％の
水素を含有した再生用ガス又はパージガスは，ライン５
６を介し弁５８を通って層３８と３６に供給され，層中
に吸着されていた不純物を捕集する。不純物を含有した
排気ガスは，ライン６２を介し弁６４を通ってカラム３
０から排出する。
タイプの供給流れが，ライン４０を介して，一対の弁４
４と４６を有するライン４２に送られる。弁４６を閉じ
ておき，供給流れが開放弁４４を通してカラム３０に送
られる。供給流れは，図１Ａと図１Ｂの３層カラムに関
して前述したのと同じ反応を受ける。高純度の生成物ガ
スが，ライン４８と開放弁５０を介してカラム３０を出
て，ライン５２から捕集される。カラム３０は，弁４４
を閉じて，ライン４２を介した供給流れの流入を防ぐこ
とにより，層３６と３８から不純物を除去して再生する
ことができる。ライン８０を介してカラム３２から出た
生成物ガスは弁８２を通って進み，生成物流れの一部は
，ライン５３を介して弁５５を通って進み，弁７２を通
ってライン７０を介して供給される水素ガスと合流する
。こうして得られる約９７容量％の窒素と約３容量％の
水素を含有した再生用ガス又はパージガスは，ライン５
６を介し弁５８を通って層３８と３６に供給され，層中
に吸着されていた不純物を捕集する。不純物を含有した
排気ガスは，ライン６２を介し弁６４を通ってカラム３
０から排出する。
【００２７】遷移金属酸化物触媒（例えばホプカライト
）を含有した層３４は水素含有ガスでパージしない。 なぜなら，遷移金属酸化物は水素が存在すると不活性化
するからである。従って，カラム３２から得られる高純
度の窒素生成物ガスは，ライン８０を介してライン５３
に送られ，そしてライン７４を介し，制御弁７６と止め
弁７８を通って，ホプカライトを含有したカラム３０の
層３４に再循環される。高純度の窒素パージガスがホプ
カライト層３４から不純物を除去し，ライン６２と弁６
４を介してカラム３０から排出される。
）を含有した層３４は水素含有ガスでパージしない。 なぜなら，遷移金属酸化物は水素が存在すると不活性化
するからである。従って，カラム３２から得られる高純
度の窒素生成物ガスは，ライン８０を介してライン５３
に送られ，そしてライン７４を介し，制御弁７６と止め
弁７８を通って，ホプカライトを含有したカラム３０の
層３４に再循環される。高純度の窒素パージガスがホプ
カライト層３４から不純物を除去し，ライン６２と弁６
４を介してカラム３０から排出される。
【００２８】図３に示されているように，供給流れをカ
ラム３０と３２の一方に供給しつつ他方のカラムを再生
することによって，連続プロセスを行うことができる。 従って，弁４４が開放のとき，供給ガスは，ライン４０
と４２を介してカラム３０に進む。このとき弁４６は閉
じられている。カラム３０を出た生成物流れは，ライン
４８を介し弁５０を通ってライン５２と５３に進む。生
成物ガスの主要部分はライン５２から捕集され，残部は
ライン５３を進んで，弁７２と５５を介してライン７０
から供給される水素と合流する。こうして得られる再生
用ガスは，ライン７７を介し弁６０を通って層３８と３
６に進む。不純物を含有したガスは，ライン７９と弁８
１を介してカラム３２から排出される。
ラム３０と３２の一方に供給しつつ他方のカラムを再生
することによって，連続プロセスを行うことができる。 従って，弁４４が開放のとき，供給ガスは，ライン４０
と４２を介してカラム３０に進む。このとき弁４６は閉
じられている。カラム３０を出た生成物流れは，ライン
４８を介し弁５０を通ってライン５２と５３に進む。生
成物ガスの主要部分はライン５２から捕集され，残部は
ライン５３を進んで，弁７２と５５を介してライン７０
から供給される水素と合流する。こうして得られる再生
用ガスは，ライン７７を介し弁６０を通って層３８と３
６に進む。不純物を含有したガスは，ライン７９と弁８
１を介してカラム３２から排出される。
【００２９】前述したように，遷移金属酸化物は水素が
存在すると再生することができない。従って，ライン５
３から得られるガス状生成物の一部（ライン５４におけ
るガスより高い圧力で操作される）は，追加の水素が存
在しない状態で，ライン８４を介し流量制御弁８６と止
め弁８８を通って層３４に進む。この再生用ガスにより
層３４中の不純物が除去され，不純物はライン７９と弁
８１を介してシステムから排出される。本システムは，
弁４４を閉じてカラム３０を再生することによって，そ
して弁４６を開いてカラム３２を通過する生成物ガスを
精製することによって，連続的に運転することができる
。カラム３２が不純物を有効に吸着できなくなったら，
弁４６を閉じ，そして開放弁４４を介してカラム３０に
供給流れを送ることによって再生操作が開始される。
存在すると再生することができない。従って，ライン５
３から得られるガス状生成物の一部（ライン５４におけ
るガスより高い圧力で操作される）は，追加の水素が存
在しない状態で，ライン８４を介し流量制御弁８６と止
め弁８８を通って層３４に進む。この再生用ガスにより
層３４中の不純物が除去され，不純物はライン７９と弁
８１を介してシステムから排出される。本システムは，
弁４４を閉じてカラム３０を再生することによって，そ
して弁４６を開いてカラム３２を通過する生成物ガスを
精製することによって，連続的に運転することができる
。カラム３２が不純物を有効に吸着できなくなったら，
弁４６を閉じ，そして開放弁４４を介してカラム３０に
供給流れを送ることによって再生操作が開始される。
【００３０】従って本発明の方法は，層の数，供給流れ
の組成に応じた触媒及び／又は吸着剤のタイプ，並びに
最終生成物の所望の精製レベルを調整しつつ，バッチ方
式でも連続方式でも行うことができる。酸素含量の少な
い供給流れ（例えば，約５ｐｐｍ未満の酸素を含有した
供給流れ）では，一酸化炭素を二酸化炭素に転化させる
機能を果たす遷移金属酸化物は酸素の損失をきたすこと
があり，従って触媒活性が低下する。この場合，少量の
酸素をパージ流れに加えて，遷移金属酸化物から失われ
た酸素を補充するのが望ましい。
の組成に応じた触媒及び／又は吸着剤のタイプ，並びに
最終生成物の所望の精製レベルを調整しつつ，バッチ方
式でも連続方式でも行うことができる。酸素含量の少な
い供給流れ（例えば，約５ｐｐｍ未満の酸素を含有した
供給流れ）では，一酸化炭素を二酸化炭素に転化させる
機能を果たす遷移金属酸化物は酸素の損失をきたすこと
があり，従って触媒活性が低下する。この場合，少量の
酸素をパージ流れに加えて，遷移金属酸化物から失われ
た酸素を補充するのが望ましい。
【００３１】図３に示されているように，置き換え用の
酸素は，ライン９０からライン９２と弁９４に送られて
，ライン７４に流入するパージ流れと合流する。一方の
カラムがパージサイクル時に補充用酸素を受け取りつつ
，他方のカラムが生成サイクルの状態にあるよう，カラ
ム３２に類似の通路が設けられている。さらに詳細に説
明すると，弁９４を閉じ，酸素をライン９０からライン
９６に送り，そして弁９８を通すことによって，補充用
酸素がカラム３２の層３４に供給される。パージガスに
加えられる酸素の量は，通常約２００〜１，０００ｐｐ
ｍ（好ましくは約２００〜４００ｐｐｍ）の範囲である
。低レベルの水素（特に約０．１ｐｐｍ未満の水素）及
び約３ｐｐｍ以下の一酸化炭素を含有したガスの場合，
本発明に従って単一層システムを使用することができる
。
酸素は，ライン９０からライン９２と弁９４に送られて
，ライン７４に流入するパージ流れと合流する。一方の
カラムがパージサイクル時に補充用酸素を受け取りつつ
，他方のカラムが生成サイクルの状態にあるよう，カラ
ム３２に類似の通路が設けられている。さらに詳細に説
明すると，弁９４を閉じ，酸素をライン９０からライン
９６に送り，そして弁９８を通すことによって，補充用
酸素がカラム３２の層３４に供給される。パージガスに
加えられる酸素の量は，通常約２００〜１，０００ｐｐ
ｍ（好ましくは約２００〜４００ｐｐｍ）の範囲である
。低レベルの水素（特に約０．１ｐｐｍ未満の水素）及
び約３ｐｐｍ以下の一酸化炭素を含有したガスの場合，
本発明に従って単一層システムを使用することができる
。
【００３２】図４Ａと図４Ｂを参照すると，供給流れが
，ライン２を介し弁１４を通ってカラム４に送られる。 カラム４は，一酸化炭素を二酸化炭素に転化すべくなさ
れていて且つ二酸化炭素，酸素，及び水蒸気を吸着すべ
くなされている物質の単一層１０を含んでいる。好まし
い物質は，前述のダウＱ−５又はハーショー・ニッケル
触媒である。図４Ｂに示されている単一層システムの再
生は，図２Ａと図２Ｂに関して説明した２層システムと
類似の方法で行われる。窒素やアルゴン等の不活性ガス
と約１〜１０容量％の水素を含有した再生用ガスが，ラ
イン１２を介して層１０に送られ，次いで不純物を含有
したガスが供給ライン２を介してシステムから排出され
る。
，ライン２を介し弁１４を通ってカラム４に送られる。 カラム４は，一酸化炭素を二酸化炭素に転化すべくなさ
れていて且つ二酸化炭素，酸素，及び水蒸気を吸着すべ
くなされている物質の単一層１０を含んでいる。好まし
い物質は，前述のダウＱ−５又はハーショー・ニッケル
触媒である。図４Ｂに示されている単一層システムの再
生は，図２Ａと図２Ｂに関して説明した２層システムと
類似の方法で行われる。窒素やアルゴン等の不活性ガス
と約１〜１０容量％の水素を含有した再生用ガスが，ラ
イン１２を介して層１０に送られ，次いで不純物を含有
したガスが供給ライン２を介してシステムから排出され
る。
【００３３】供給流れが約３ｐｐｍを越える量の一酸化
炭素を含有している場合，図４Ａと図４Ｂの単一層シス
テムは，図５Ａと図５Ｂに示すタイプの２層システムに
変えることができる。本実施態様の場合，上層６には遷
移金属酸化物を含んだ組成物（例えば，一酸化炭素を二
酸化炭素に転化する機能を果たすホプカライト）が充填
されている。下層１０は，二酸化炭素，酸素，及び水蒸
気を吸着するためのダウＱ−５を含有しているのが好ま
しい。供給流れの経路，及び層６と１０が再生される方
法は，図１Ａと図１Ｂに関して説明した３層システムの
場合に類似している。
炭素を含有している場合，図４Ａと図４Ｂの単一層シス
テムは，図５Ａと図５Ｂに示すタイプの２層システムに
変えることができる。本実施態様の場合，上層６には遷
移金属酸化物を含んだ組成物（例えば，一酸化炭素を二
酸化炭素に転化する機能を果たすホプカライト）が充填
されている。下層１０は，二酸化炭素，酸素，及び水蒸
気を吸着するためのダウＱ−５を含有しているのが好ま
しい。供給流れの経路，及び層６と１０が再生される方
法は，図１Ａと図１Ｂに関して説明した３層システムの
場合に類似している。
【００３４】実施例１
約１ｐｐｍの一酸化炭素，約１ｐｐｍの水素，約６ｐｐ
ｍの酸素，及び空気の低温蒸留で得られる残部の窒素ガ
スを含有した供給流れを，３８℃の温度及び３０ｐｓｉ
ｇの圧力にて，１０標準リットル／分（ＳＬＰＭ）の割
合で，ダウＱ−５を含んだ図４に示すタイプのカラムに
供給した。カラムを１２時間運転し，この間において生
成物ガスは，実質的に純粋な窒素ガスを含有するように
なり，一酸化炭素，水素，酸素，水蒸気，又は二酸化炭
素は殆ど検出されなかった。１２時間後，生成物ガス中
に約０．１ｐｐｍ未満の量の水素ガスが検出された。
ｍの酸素，及び空気の低温蒸留で得られる残部の窒素ガ
スを含有した供給流れを，３８℃の温度及び３０ｐｓｉ
ｇの圧力にて，１０標準リットル／分（ＳＬＰＭ）の割
合で，ダウＱ−５を含んだ図４に示すタイプのカラムに
供給した。カラムを１２時間運転し，この間において生
成物ガスは，実質的に純粋な窒素ガスを含有するように
なり，一酸化炭素，水素，酸素，水蒸気，又は二酸化炭
素は殆ど検出されなかった。１２時間後，生成物ガス中
に約０．１ｐｐｍ未満の量の水素ガスが検出された。
【００３５】生成物ガスの組成はあまり変わることなく
，本プロセスを７日間継続した。８日後，最初の検出可
能な量の酸素（約０．２ｐｐｍ未満の程度）が生成物ガ
ス中に認められた。本プロセスをさらに２日間継続し，
この間において最初の検出可能な量の二酸化炭素が観察
された。この運転の全体にわたって，生成物ガスから一
酸化炭素は検出されないままであった。
，本プロセスを７日間継続した。８日後，最初の検出可
能な量の酸素（約０．２ｐｐｍ未満の程度）が生成物ガ
ス中に認められた。本プロセスをさらに２日間継続し，
この間において最初の検出可能な量の二酸化炭素が観察
された。この運転の全体にわたって，生成物ガスから一
酸化炭素は検出されないままであった。
【００３６】実施例２
約２ｐｐｍの一酸化炭素，約２ｐｐｍの水素，約１２ｐ
ｐｍの酸素，及び残部の窒素を含有した供給流れを，層
の温度を＋２０℃に設定したこと以外は，図１に関して
説明したのと同じカラムに同じ条件で供給した。こうし
て得られる生成物流れは，１２時間後でも水素は殆ど検
出されなかった。また最初の検出可能な酸素は，８日後
において観察された。二酸化炭素は１０日めまでは検出
されなかった。また１０日間の運転中，一酸化炭素は検
出されないままであった。
ｐｍの酸素，及び残部の窒素を含有した供給流れを，層
の温度を＋２０℃に設定したこと以外は，図１に関して
説明したのと同じカラムに同じ条件で供給した。こうし
て得られる生成物流れは，１２時間後でも水素は殆ど検
出されなかった。また最初の検出可能な酸素は，８日後
において観察された。二酸化炭素は１０日めまでは検出
されなかった。また１０日間の運転中，一酸化炭素は検
出されないままであった。
【００３７】実施例３
約１ｐｐｍの一酸化炭素，約２ｐｐｍの酸素，及び残部
の窒素を含有した供給流れを，層の温度を−２０℃に設
定したこと以外は，実施例１と同じ条件で同じタイプの
カラムに供給した。反応は３０日間行った。こうして得
られるガス状生成物は，検出可能な量の一酸化炭素や酸
素を含有していなかった。
の窒素を含有した供給流れを，層の温度を−２０℃に設
定したこと以外は，実施例１と同じ条件で同じタイプの
カラムに供給した。反応は３０日間行った。こうして得
られるガス状生成物は，検出可能な量の一酸化炭素や酸
素を含有していなかった。
【００３８】実施例４
約２．５ｐｐｍの一酸化炭素，約２ｐｐｍの水素，約１
５．６ｐｐｍの酸素，及び残部の窒素を含有した供給流
れを，３４０ｇ（２３０ｃｃ．）の酸化したハーショー
・ニッケル触媒を充填した図５に示したタイプのカラム
に，１５ＳＬＰＭの割合で供給した。この供給流れの温
度を２０℃にし，４０ｐｓｉｇの圧力をかけた。本プロ
セスを１０日間継続して行った。カラムから得られたガ
ス状生成物は，検出可能な量の一酸化炭素を含まず，約
１ｐｐｍの水素，約１５ｐｐｍの酸素，約０．１ｐｐｍ
の二酸化炭素，及び約０．１ｐｐｍ未満の水蒸気を含有
していた。
５．６ｐｐｍの酸素，及び残部の窒素を含有した供給流
れを，３４０ｇ（２３０ｃｃ．）の酸化したハーショー
・ニッケル触媒を充填した図５に示したタイプのカラム
に，１５ＳＬＰＭの割合で供給した。この供給流れの温
度を２０℃にし，４０ｐｓｉｇの圧力をかけた。本プロ
セスを１０日間継続して行った。カラムから得られたガ
ス状生成物は，検出可能な量の一酸化炭素を含まず，約
１ｐｐｍの水素，約１５ｐｐｍの酸素，約０．１ｐｐｍ
の二酸化炭素，及び約０．１ｐｐｍ未満の水蒸気を含有
していた。
【００３９】実施例５
約３ｐｐｍの一酸化炭素を含有していること以外は，実
施例１に記載の供給流れと同一の供給流れを，図５に示
したタイプの２層カラムに送った。上層にはホプカライ
トが含まれている。この触媒の表面積は約１９２ｍ２／
ｇであり，平均粒径は２〜４ｍｍである。下層にはダウ
Ｑ−５が含まれている。本プロセスを，２０℃の温度で
４日間行った。得られたガス状生成物は，検出可能な一
酸化炭素を含まず，約１ｐｐｍ未満の水素を含有してい
た。
施例１に記載の供給流れと同一の供給流れを，図５に示
したタイプの２層カラムに送った。上層にはホプカライ
トが含まれている。この触媒の表面積は約１９２ｍ２／
ｇであり，平均粒径は２〜４ｍｍである。下層にはダウ
Ｑ−５が含まれている。本プロセスを，２０℃の温度で
４日間行った。得られたガス状生成物は，検出可能な一
酸化炭素を含まず，約１ｐｐｍ未満の水素を含有してい
た。
【００４０】本プロセスを，１０℃の温度でさらに４日
間行った。第２回目の４日間プロセスの中頃に，供給流
れ中の一酸化炭素の含量を約５ｐｐｍに増大させた。８
日間の運転の後，ガス状生成物は検出可能な量の一酸化
炭素を含まず，約１ｐｐｍ以下の水素を含有していた。 次いで第３回目の４日間プロセスを施し，この間におい
ては温度を約−２５℃に低下させた。得られたガス状生
成物は，依然として検出可能な量の一酸化炭素を含まず
，約１ｐｐｍ未満の水素を含有していた。
間行った。第２回目の４日間プロセスの中頃に，供給流
れ中の一酸化炭素の含量を約５ｐｐｍに増大させた。８
日間の運転の後，ガス状生成物は検出可能な量の一酸化
炭素を含まず，約１ｐｐｍ以下の水素を含有していた。 次いで第３回目の４日間プロセスを施し，この間におい
ては温度を約−２５℃に低下させた。得られたガス状生
成物は，依然として検出可能な量の一酸化炭素を含まず
，約１ｐｐｍ未満の水素を含有していた。
【００５０】実施例６
約１．５ｐｐｍの一酸化炭素，約１．５ｐｐｍの水素，
約６ｐｐｍの酸素，及び残部の窒素を含有した供給流れ
を，図３に示したタイプの３層カラムに送った。中央層
には，約０．５重量％のパラジウムを活性アルミナ支持
体に担持させたもの（エンゲルハルト社製造）が含まれ
ている。本プロセスを，実施例５の場合と同じプロセス
条件で，且つ同じ時間長さにて行った。得られたガス状
生成物は，検出可能な量の一酸化炭素や水素を含有して
いなかった。
約６ｐｐｍの酸素，及び残部の窒素を含有した供給流れ
を，図３に示したタイプの３層カラムに送った。中央層
には，約０．５重量％のパラジウムを活性アルミナ支持
体に担持させたもの（エンゲルハルト社製造）が含まれ
ている。本プロセスを，実施例５の場合と同じプロセス
条件で，且つ同じ時間長さにて行った。得られたガス状
生成物は，検出可能な量の一酸化炭素や水素を含有して
いなかった。
【００５１】図３に示されている２カラムシステムの再
生は，次のように行った。アルミナ担持パラジウムを含
有した層３６とダウＱ−５を含有した層３８を，約９７
％の窒素と約３％の水素を含有したガス流れでパージし
た。ライン５０と５３を介して，カラム３０から高純度
窒素を取り出した。窒素が，弁７２を介してライン７０
から流れてくる適当量の水素と混合できるよう，弁５５
を開いた。窒素ガスと水素ガスを含有したパージ流れを
，ライン５４と５６を介し弁５８を通してカラムの層３
８と３６に送り込んだ。不純物を含有したパージ流れを
，ライン６２と弁６４を介してカラム３０から排出した
。
生は，次のように行った。アルミナ担持パラジウムを含
有した層３６とダウＱ−５を含有した層３８を，約９７
％の窒素と約３％の水素を含有したガス流れでパージし
た。ライン５０と５３を介して，カラム３０から高純度
窒素を取り出した。窒素が，弁７２を介してライン７０
から流れてくる適当量の水素と混合できるよう，弁５５
を開いた。窒素ガスと水素ガスを含有したパージ流れを
，ライン５４と５６を介し弁５８を通してカラムの層３
８と３６に送り込んだ。不純物を含有したパージ流れを
，ライン６２と弁６４を介してカラム３０から排出した
。
【００５２】遷移金属酸化物（特に層３４中に含まれて
いるホプカライト）は水素の影響を受けやすく，このた
めパージ操作は，水素を含まない精製窒素で行わなけれ
ばならない。従って，ライン５３と７４及び弁７６と７
８を介して，精製窒素をカラム３０の層３４に送った。 吸着していた不純物を含有した精製窒素流れを，ライン
６２と弁６４を介して排出した。
いるホプカライト）は水素の影響を受けやすく，このた
めパージ操作は，水素を含まない精製窒素で行わなけれ
ばならない。従って，ライン５３と７４及び弁７６と７
８を介して，精製窒素をカラム３０の層３４に送った。 吸着していた不純物を含有した精製窒素流れを，ライン
６２と弁６４を介して排出した。
【００５３】実施例７
中央層中の触媒を，１重量％のパラジウムを活性アルミ
ナ支持体に担持させたものに置き換えたこと以外は，実
施例６の場合と同じ３層カラムを使用して本プロセスを
行った。供給流れは，一酸化炭素の濃度を２倍の３ｐｐ
ｍにした。実施例５の場合と同じ仕方で本プロセスを行
った。トレード・アナリティカル社（Ｔｒａｄｅ Ａ
ｎａｌｙｔｉｃａｌ，Ｉｎｃ．）製造の還元ガスアナラ
イザーを使用して，生成物ガス中における水素と一酸化
炭素の存在を調べた。生成物ガスの分析により，１００
％の水素が水蒸気に，そして９３％の一酸化炭素が二酸
化炭素に転化されていることがわかった。
ナ支持体に担持させたものに置き換えたこと以外は，実
施例６の場合と同じ３層カラムを使用して本プロセスを
行った。供給流れは，一酸化炭素の濃度を２倍の３ｐｐ
ｍにした。実施例５の場合と同じ仕方で本プロセスを行
った。トレード・アナリティカル社（Ｔｒａｄｅ Ａ
ｎａｌｙｔｉｃａｌ，Ｉｎｃ．）製造の還元ガスアナラ
イザーを使用して，生成物ガス中における水素と一酸化
炭素の存在を調べた。生成物ガスの分析により，１００
％の水素が水蒸気に，そして９３％の一酸化炭素が二酸
化炭素に転化されていることがわかった。
【００５４】実施例８
中央層中の触媒を，０．５〜１．０重量％のパラジウム
と８〜１２重量％の銅を１００〜２００ｍ２／ｇの表面
積を有するアルミナの外殻中に一緒に付着させた形で含
む触媒に置き換えたこと以外は，実施例７のプロセスを
繰り返した。実施例７と同じ手順で本プロセスを行い，
不純物含量が１ｐｐｍ未満のガス状生成物が得られた。
と８〜１２重量％の銅を１００〜２００ｍ２／ｇの表面
積を有するアルミナの外殻中に一緒に付着させた形で含
む触媒に置き換えたこと以外は，実施例７のプロセスを
繰り返した。実施例７と同じ手順で本プロセスを行い，
不純物含量が１ｐｐｍ未満のガス状生成物が得られた。
【００５５】上記の実施例はいずれも本発明の特定の実
施態様を例証したものであり，本発明の精神と範囲内に
おいて上記実施例に対する種々の修正が可能である。例
えば，カラムは，触媒及び／又は吸着剤の個別の層を含
むものとして説明されている。しかしながら，各層が異
なる触媒及び／又は吸着剤の複数の層を含んでもよいこ
とは言うまでもない。従って，例えば，図３に示されて
いる層３６は，ダウＱ−５及び／又はホプカライトの１
つ以上の層を含んでもよい。しかしながら，ホプカライ
トは他の物質とは隔離しておくのが好ましい。なぜなら
，パージ流れ中に水素が存在すると影響を受けやすいか
らである。
施態様を例証したものであり，本発明の精神と範囲内に
おいて上記実施例に対する種々の修正が可能である。例
えば，カラムは，触媒及び／又は吸着剤の個別の層を含
むものとして説明されている。しかしながら，各層が異
なる触媒及び／又は吸着剤の複数の層を含んでもよいこ
とは言うまでもない。従って，例えば，図３に示されて
いる層３６は，ダウＱ−５及び／又はホプカライトの１
つ以上の層を含んでもよい。しかしながら，ホプカライ
トは他の物質とは隔離しておくのが好ましい。なぜなら
，パージ流れ中に水素が存在すると影響を受けやすいか
らである。
【００５６】実施例に示されている如く，本発明のプロ
セスは，米国の各地方や世界中のいたるところで認めら
れる変動する温度条件下でも行うことができる。従って
，暖かい気候条件下で運転しなければならないか，ある
いは経費のかかる加熱システムを組み込んで低温環境に
て運転しなければならないようなシステムに比べると，
本発明のプロセスは大きな利点を提供する。
セスは，米国の各地方や世界中のいたるところで認めら
れる変動する温度条件下でも行うことができる。従って
，暖かい気候条件下で運転しなければならないか，ある
いは経費のかかる加熱システムを組み込んで低温環境に
て運転しなければならないようなシステムに比べると，
本発明のプロセスは大きな利点を提供する。
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは，不活性ガス流れを精製し
，そして層を再生するための，３層使用のバッチ方式プ
ロセスを示した本発明の１つの実施態様の概略図である
。
，そして層を再生するための，３層使用のバッチ方式プ
ロセスを示した本発明の１つの実施態様の概略図である
。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは，不活性ガス流れを精製し
，そして層を再生するための，２層使用のバッチ方式プ
ロセスを示した本発明の他の実施態様の概略図である。
，そして層を再生するための，２層使用のバッチ方式プ
ロセスを示した本発明の他の実施態様の概略図である。
【図３】３層を使用して不活性ガス流れを精製するため
の連続方式プロセスを示した本発明の他の実施態様の概
略図である。
の連続方式プロセスを示した本発明の他の実施態様の概
略図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは，不活性ガス流れを精製し
，そして層を再生するための，単一層使用のバッチ方式
プロセスを示した本発明の他の実施態様の概略図である
。
，そして層を再生するための，単一層使用のバッチ方式
プロセスを示した本発明の他の実施態様の概略図である
。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは，２層を使用したバッチ方
式プロセスと層の再生を示した本発明の他の実施態様の
概略図である。
式プロセスと層の再生を示した本発明の他の実施態様の
概略図である。
Claims (32)
- 【請求項１】 一酸化炭素，二酸化炭素，酸素，水素
，及び水蒸気からなる群から選ばれる不純物を不活性ガ
ス流れから除去する方法であって， （ａ） 一酸化炭素の二酸化炭素への転化を触媒すべ
くなされた，且つ約−３０℃という低温で不活性ガス流
れから二酸化炭素を除去すべくなされた物質を含有した
少なくとも１つの層に不活性ガス流れを通す工程；及び
（ｂ） 精製されたガスを前記層から取り出す工程；
を含む前記方法。 - 【請求項２】 前記方法が，変動する温度の下で屋外
にて行われる，請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記方法が，約−３０℃〜＋４０℃の
範囲の温度にて行われる，請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記方法が，０℃未満〜約−３０℃の
範囲の温度にて行われる，請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 前記物質がアルミナ担持銅である，請
求項３記載の方法。 - 【請求項６】 前記物質がアルミナ担持ニッケル又は
シリカ担持ニッケルである，請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 パージガスを使用して前記物質を再生
する工程をさらに含む，請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記パージガスが過半量の不活性ガス
と半量未満の水素を含有する，請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 （ａ） 精製すべき前記不活性ガス
流れを前記層に通すのを停止する工程； （ｂ） 前記層を最高約２００℃までの温度に加熱す
る工程；及び （ｃ） 不活性パージガス流れを前記層に通して，前
記層に吸着されていた不純物を除去し，これによって前
記層を再生する工程；を含む，請求項７記載の方法。 - 【請求項１０】 前記供給流れ中の不純物の総量が約
１０，０００ｐｐｍ以下である，請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 前記供給流れが，最高約５．０ｐｐ
ｍまでの酸素，最高約５．０ｐｐｍまでの一酸化炭素，
最高約５．０ｐｐｍまでの水素，最高約２．０ｐｐｍま
での二酸化炭素，及び最高約２．０ｐｐｍまでの水蒸気
を含有する，請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 前記供給流れが３．０ｐｐｍ未満の
水素を含有する，請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 一酸化炭素を二酸化炭素に転化すべ
くなされた物質を含有した前記層に前記不活性ガス流れ
を通す前に，水素を水蒸気に転化すべくなされた触媒を
含有した第２の層に前記不活性ガス流れを通す工程；を
さらに含む，請求項１記載の方法。 - 【請求項１４】 前記触媒が，貴金属を活性支持体に
担持させたものから選ばれる，請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 前記方法が化学量論量より多い酸素
の存在下で行われ，そして前記触媒が白金，ロジウム，
及びこれらの混合物を活性アルミナに担持させたものか
ら選ばれる，請求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 前記方法がほぼ化学量論量の酸素の
存在下で行われ，そして前記触媒がアルミナ担持パラジ
ウムである，請求項１４記載の方法。 - 【請求項１７】 前記第２の層中の触媒も，一酸化炭
素を二酸化炭素に転化させる，請求項１６記載の方法。 - 【請求項１８】 前記触媒がパラジウムと銅を活性ア
ルミナに担持させたものを含有する，請求項１４記載の
方法。 - 【請求項１９】 前記触媒が，約０．５〜１．０重量
％のパラジウムと約８〜１２重量％の銅を含有する，請
求項１８記載の方法。 - 【請求項２０】 前記不活性ガス流れが少なくとも３
．０ｐｐｍの水素を含有する，請求項１３記載の方法。 - 【請求項２１】 （ａ） 精製すべき前記不活性ガ
ス流れを前記層に通すのを停止する工程； （ｂ） 前記層を最高約２００℃までの温度に加熱す
る工程；及び （ｃ） 不活性パージガス流れを前記層に通して，前
記層に吸着されていた不純物を除去し，これによって前
記層を再生する工程；をさらに含む，請求項１３記載の
方法。 - 【請求項２２】 一酸化炭素を二酸化炭素に転化すべ
くなされた物質を含有した前記層に前記不活性ガス流れ
を通す前に，一酸化炭素を二酸化炭素に転化すべくなさ
れた触媒を含有した第２の層に前記不活性ガス流れを通
す工程；をさらに含む，請求項１又は１３に記載の方法
。 - 【請求項２３】 前記第２の層中の触媒が少なくとも
１種類の遷移金属酸化物である，請求項２２記載の方法
。 - 【請求項２４】 化学量論量未満の酸素の存在下で反
応を行うことを含む，請求項２３記載の方法。 - 【請求項２５】 前記第２の層中の触媒が銅酸化物と
マンガン酸化物を含有した組成物である，請求項２３記
載の方法。 - 【請求項２６】 前記不活性ガス流れが，少なくとも
３．０ｐｐｍの水素と少なくとも３．０ｐｐｍの一酸化
炭素を含有する，請求項２２記載の方法。 - 【請求項２７】 （ａ） 精製すべき前記不活性ガ
ス流れを前記層に通すのを停止する工程； （ｂ） 前記層を最高約２００℃までの温度に加熱す
る工程；及び （ｃ） 不活性パージガス流れを前記層に通して，前
記層に吸着されていた不純物を除去し，これによって前
記層を再生する工程；をさらに含む，請求項２２記載の
方法。 - 【請求項２８】 一酸化炭素，二酸化炭素，酸素，水
素，及び水蒸気からなる群から選ばれる不純物を不活性
ガス流れから除去する方法であって， （ａ） 遷移金属酸化物を含有した第１の層に前記不
活性ガス流れを通し，これによって一酸化炭素を二酸化
炭素に転化させる工程； （ｂ） アルミナ担持パラジウムを含有した第２の層
に工程（ａ）からの不活性ガス流れを通し，これによっ
て水素を水蒸気に転化させる工程；及び （ｃ） 一酸化炭素を二酸化炭素に転化すべくなされ
ていて，且つ二酸化炭素，酸素，及び水蒸気を約−３０
℃〜＋４０℃の温度にて吸着すべくなされている物質を
含有した第３の層に工程（ｂ）からの不活性ガス流れを
通し，これによって各不純物を１ｐｐｍ未満含有した生
成物ガスを得る工程；を含む前記方法。 - 【請求項２９】 前記第３の層中の物質が，アルミナ
担持ニッケル又はアルミナ担持銅から選ばれる，請求項
２８記載の方法。 - 【請求項３０】 パージガスを使用して前記物質を再
生する工程をさらに含む，請求項２８記載の方法。 - 【請求項３１】 （ａ） 精製すべき前記不活性ガ
ス流れを前記層に通すのを停止する工程； （ｂ） 前記層を最高約２００℃までの温度に加熱す
る工程；及び （ｃ） 不活性パージガス流れを前記層に通して，前
記層に吸着されていた不純物を除去し，これによって前
記層を再生する工程；をさらに含む，請求項２９記載の
方法。 - 【請求項３２】 前記方法が，変動する温度の下で屋
外にて行われる，請求項２８記載の方法。
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