JPH04254364A - 半導体装置の製造方法及びリードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びリード
フレームの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体チップをリードフレームに
載置して封止し、配線基板などに実装する半導体装置の
製造方法には、図６に示すものが知られている。

【０００３】このリードフレーム１は、プレス若しくは
エッチングにより形成される。このリードフレームの形
成工程においてリードフレーム１には、ベルト状に平行
に延びる一対のフレーム部２と、一対のフレーム部２、
２間を連結する多数のタイバー３…と、一対のタイバー
３、３間の中間に配設され、分割後未載置状態の半導体
素子としての半導体チップを載置する半導体チップ搭載
部４と、一対のタイバー３、３から半導体チップ載置部
４に向かって延びる多数のリード５…と、半導体チップ
載置部４と一対のフレーム部２、２とを連結して半導体
チップ載置部５を支持する吊りリード６とが形成される
。各リード５は、半導体チップ載置部４側に延びるイン
ナーリード５ａと半導体チップ載置部４から遠ざかる方
向に延びるアウターリード５ｂとを有している。インナ
ーリード５ａは半導体チップ載置部４の周囲に密集する
ように細幅とされている。アウターリード５ｂは例えば
プリント配線基板などに実装するために幅広で太く形成
されている。

【０００４】このリードフレームの形成工程後、メッキ
液用の開口部を有する上型と下型とでリードフレーム１
を押さえた状態でリード５の内側インナーリード５ａに
金メッキ等のメッキを施すメッキ処理工程が設けられて
いる。

【０００５】半導体チップを半導体チップ載置部４に固
定する工程では、半導体チップ載置部４の上に前述の半
導体チップが固着された後に、半導体チップの端子部と
各々の内側インナーリード５ａのボンディングエリアと
が互いに導通するワイヤボンディング工程が設けられ、
更に、この後の封止工程によりこの半導体チップとリー
ド５とが樹脂或はガラス等により封止される。封止工程
後は、リード５同士を接続しているタイバー３、３がプ
レス装置によりカットされるとともに吊りリード６が一
対のフレーム２、２からカットされ、更に、アウターリ
ード５ｂが配線基板への実装のためにアウターリード５
ｂを折り曲げる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の製造方法によると、メッキ処理工程におい
て、上下の型板と内側インナーリード５ａ、５ａ間とで
出来る隙間にメッキ液をいれて内側インナーリード５ａ
の少なくともボンディングエリア表面をメッキするが、
リードフレーム１を挟持している上下の型板とインナー
リード５ａ、５ａ及びタイバー３、３の半導体チップ載
置部４或は吊りリード６等の密着が不完全であると、そ
の隙間にメッキ液が浸入する場合がある。この場合、内
側インナーリード５ａの側面に不定形なメッキ層が形成
されるので、リード５の封止が不完全になる課題がある
。

【０００７】

【発明の目的】本発明は、このような課題に着目してな
されたものであり、リードの半導体チップの端子と導通
接続される部位以外の部分の表裏面にメッキ層が形成さ
れないようにすることにより、半導体装置の封止による
密封性及び耐湿性を向上させる半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半
導体チップ搭載部に向かって延びるリードを少なくとも
有するリードフレームを形成する工程の後に、前記リー
ドの先端部がメッキ液に接触するように一対の型により
リードフレームを挟持してそのリードをメッキするメッ
キ処理工程を設け、このメッキ処理工程の後に、半導体
チップと前記リードのメッキ部とを導通接続させる導通
接続工程を有する半導体装置の製造方法において、前記
リードフレームの形成工程時に前記リードフレームのリ
ードの少なくともインナーリード側面の一部にメッキ液
の流出を防止する壁部を形成し、このリードフレームの
形成工程後に前記メッキ処理工程を設け、このメッキ処
理工程の後に前記壁部を除去する除去工程を設け、この
壁部の除去工程後に前記導通接続工程を設けることを特
徴とする。

【０００９】又、本発明のリードフレームの製造方法は
、半導体チップ載置部に向かって延びるリードを少なく
とも有するリードフレームを形成する工程の後に、前記
リードの先端部がメッキ液に接触するように一対の型に
よりリードフレームを挟持してそのリードをメッキする
メッキ処理工程を有するリードフレームの製造方法にお
いて、前記リードフレームの形成工程時に前記リードフ
レームのリードの少なくともインナーリード側面の一部
にメッキ液の流出を防止する壁部を形成し、このリード
フレームの形成工程後に前記メッキ処理工程を設け、こ
のメッキ処理工程の後に前記壁部を除去する除去工程を
設け、この壁部の除去工程後に半導体チップとリード先
端部の導通接続工程を設けることを特徴とする。

【００１０】

【作用】本発明にかかる半導体装置及びリードフレーム
の製造方法によれば、メッキ処理工程で、リードの壁部
がインナーリードの先端部から遠い位置へのメッキ液の
流出を防止するので、インナーリードのボンディングエ
リアを中心とした部分にのみメッキ液が付着してメッキ
層が形成される。このとき、壁部を境としてインナーリ
ードの一部のダムバーに近い部位の側部にメッキ層が形
成されることがない。従って、導通接続工程後の封止工
程で樹脂若しくはガラスなどのモールド部材により半導
体チップとリードフレームの封止をするときに、モール
ド部材のシーリングがより向上する。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例にかかる半導体装置及
びそれに用いるリードフレームの製造方法を説明する。

【００１２】図１はリードフレームの主要部分を拡大し
て示したものであり、このリードフレームの形成工程で
は、リードフレーム基材１０は鉄系或は銅系の薄い金属
板をプレス或はエッチングして形成される。リードフレ
ームの形成工程において、リードフレーム基材１０には
平行に延びる一対のフレーム部１１、１１が形成される
。一対のフレーム１１、１１には搬送用のピン孔１１ａ
，１１ｂが開口され、一対のフレーム部１１、１１は複
数のタイバー１２…によって連結されている。隣合う一
対のタイバー１２、１２の間には、回路が形成された半
導体チップを載置する半導体チップ載置部１３が配設さ
れている。半導体チップ載置部１３は一対のフレーム１
１、１１からそれぞれ延びる吊りリード１４、１４に支
持されている。タイバー１２…には半導体チップ載置部
１３の周縁部に向かって延びるリード１５…が多数形成
されている。タイバー１３は、リード１５…を支持する
と共に、半導体チップ載置部１３上の半導体チップのワ
イヤボンディング後に樹脂封止を行なうときに、樹脂の
流れを止める機能を有する。このタイバー１３は樹脂封
止後リード１５…同士が短絡しないようにプレスカッタ
ーによりカットされるものである。リード１５のタイバ
ー１２を境として半導体チップ載置部１３に近い位置の
先端部にはインナーリードのボンディングエリア１５ａ
が形成されている。リード１５のタイバー１２を境とし
て半導体チップ載置部１３から遠い位置のアウターリー
ド１５ｂは配線基板などに実装されるものである。リー
ド１５のボンディングエリア１５ａは、ワイヤボンディ
ング工程で半導体チップ載置部１３に固定される半導体
チップの端子と導通接続されるワイヤーの端部を固定す
るワイヤー固定部位とされている。このボンディングエ
リア１５ａは、ワイヤボンディングの前処理工程でワイ
ヤーの固着を容易なものとするためにメッキ液が付着さ
れる。リード１５のボンディングエリア１５ａの近傍に
は、隣合うリード１５、１５同士を連結する連結部１６
が形成されている。この連結部１６は、メッキ液をボン
ディングエリア１５ａに付着させるときにメッキ液がタ
イバー１２側へ浸入することを防止するためのものであ
り、本発明の請求項１並びに２において壁部を構成する
。

【００１３】リードフレーム基材１０の形成後、リード
フレーム基材１０を洗浄、乾燥した後には、リード１５
…のメッキを行なうメッキ処理工程が設けられている。 このメッキ処理工程では、図２に示す上下の型板１７ａ
、１７ｂによりリードフレーム基材１０の表裏面を挟持
する。上方に配設される型板１７ａにはリード１５のボ
ンディングエリア１５ａのみをメッキし得るように開口
部１７ｃ、１７ｃが形成されている。上下の型板１７ａ
、１７ｂによってリードフレーム基材１０を挟持する場
合、開口部１７ｃ、１７ｃからリード１５のボンディン
グエリア１５ａが露呈し、連結部１６が覆われるように
セットする。これによって、図３に示すように、一対の
型板１７ａ、１７ｂとリードフレーム基材１０の連結部
１６と半導体チップ載置部１３とによって空間１８が形
成される。この空間１８内に向かってメッキ液流を形成
してメッキ液とリードフレーム基材１０に通電すること
によりリード１５のボンディングエリア１５ａにメッキ
層が形成される。

【００１４】リード１５のボンディングエリア１５ａへ
のメッキ処理工程後には、図４に示す破線１６ａを基準
として連結部１６をプレス若しくはエッチングにより除
去する除去工程が設けられている。連結部１６の除去に
よりリードフレームは完成する。

【００１５】リードフレームが完成したら、次に、半導
体チップ１９を半導体チップ載置部１３に固定するマウ
ント工程の後、リード１５のボンディングエリア１５ａ
と半導体チップ１９の端子とのワイヤボンディングを行
なう。尚、ワイヤレスボンディングの場合には半導体チ
ップ１９のマウントの後にリード１５のボンディングエ
リア１５ａのボンディングを行なう。ワイヤボンディン
グ工程で半導体チップ１９とリード１５との導通接続の
検査が完了したら、樹脂若しくはガラスによって、半導
体チップ１９とリードフレームとを一体に封止する。樹
脂若しくはガラスが硬化したら、タイバー１２をプレス
装置によりカットした後、リード１５…の外側のアウタ
ーリード１５ｂ…をベンディングする。これによって、
半導体装置が出来上がる。

【００１６】図５は、リード１５…の側面にメッキ層が
形成されるのを防止する壁部２０をリード１５…の側面
及びタイバー１２の半導体チップ載置部１３側の側面に
沿って形成したものである。この壁部２０は第１実施例
と同様にメッキ工程後ワイヤボンディング工程の前に点
線２０ａに沿って切断する。そのほかの構成は第１実施
例の説明を援用する。

【００１７】

【効果】以上述べたように、本発明にかかる半導体装置
の製造方法によれば、リードフレームに半導体チップを
載置して封止する場合に、リードフレームのリードの導
通接続部以外の側面にメッキ層が形成されることに起因
して半導体装置のシーリングが不完全になることを防止
でき、半導体装置の耐湿性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明の実施例にかかるリードフレームの
概略構成を示す部分拡大図である。

【図２】　　リードフレーム基材の形成後リードのボン
ディングエリアにメッキするために型板によりリードフ
レームのメッキ部以外の部位を覆った状態の平面図であ
る。

【図３】　　型板により連結部を挟持してメッキ液をい
れる空間を形成した状態の部分断面図である。

【図４】　　リードフレームの連結部の拡大図である。

【図５】　　本発明の第２実施例にかかるリードのメッ
キ防止壁部の平面図である。

【図６】　　従来のリードフレームの１形態を示す平面
図である。 １０…リードフレーム基材１ １１…フレーム １２…タイバー １３…半導体チップ載置部 １４…吊りリード １５…リード １５ａ…ボンディングエリア １６…連結部 １７ａ、１７ｂ…型板 １７ｃ、１７ｃ…開口部 １８…空間 １９…半導体チップ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体チップ搭載部に向かって延びるリー
   ドを少なくとも有するリードフレームを形成する工程の
   後に、前記リードの先端部がメッキ液に接触するように
   一対の型によりリードフレームを挟持してそのリードを
   メッキするメッキ処理工程を設け、このメッキ処理工程
   の後に、半導体チップと前記リードのメッキ部とを導通
   接続させる導通接続工程を有する半導体装置の製造方法
   において、前記リードフレームの形成工程時に前記リー
   ドフレームのリードの少なくともインナーリード側面の
   一部にメッキ液の流出を防止する壁部を形成し、このリ
   ードフレームの形成工程後に前記メッキ処理工程を設け
   、このメッキ処理工程の後に前記壁部を除去する除去工
   程を設け、この壁部の除去工程後に前記導通接続工程を
   設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】半導体チップ載置部に向かって延びるリー
   ドを少なくとも有するリードフレームを形成する工程の
   後に、前記リードの先端部がメッキ液に接触するように
   一対の型によりリードフレームを挟持してそのリードを
   メッキするメッキ処理工程を有するリードフレームの製
   造方法において、前記リードフレームの形成工程時に前
   記リードフレームのリードの少なくともインナーリード
   側面の一部にメッキ液の流出を防止する壁部を形成し、
   このリードフレームの形成工程後に前記メッキ処理工程
   を設け、このメッキ処理工程の後に前記壁部を除去する
   除去工程を設け、この壁部の除去工程後に半導体チップ
   とリード先端部の導通接続工程を設けることを特徴とす
   るリードフレームの製造方法。