JPH04250717A - 論理ゲート回路 - Google Patents

論理ゲート回路

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JPH04250717A
JPH04250717A JP3008195A JP819591A JPH04250717A JP H04250717 A JPH04250717 A JP H04250717A JP 3008195 A JP3008195 A JP 3008195A JP 819591 A JP819591 A JP 819591A JP H04250717 A JPH04250717 A JP H04250717A
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JP
Japan
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terminal
power supply
channel mos
gate circuit
conductive
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Pending
Application number
JP3008195A
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English (en)
Inventor
Hachiro Yamada
山田 八郎
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は論理ゲート回路に関し、
特に、消費電力が小さく集積度が高いという特徴を持つ
MOS電界効果トランジスタ(以後MOSトランジスタ
と記す)と、高速で動作するバイポーラトランジスタと
を組み合わせて構成したバイポーラCMOS(以後Bi
CMOSと記す)型の論理ゲート回路に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、LSIの速度性能を高めるために
、Nチャンネル型およびPチャンネル型の一対のMOS
トランジスタからなるCMOS論理ゲート回路と、バイ
ポーラトランジスタとを組み合わせて構成したBiCM
OS型の論理ゲート回路が注目されている。
【0003】このBiCMOS型の論理ゲート回路は、
CMOS論理ゲート回路が有する低消費電力性,高集積
性と、バイポーラトランジスタが持つ高速性とを兼ね備
えているため、今後のLSIにとってますます有用な論
理ゲート回路である。
【0004】BiCMOS型の論理ゲート回路は、上記
のような特徴を持つため、大きな容量性負荷を高速で駆
動するためのドライバとして、メモリやマイクロプロセ
ッサなどのLSIに適用されている。
【0005】従来のBiCMOS型の論理ゲート回路は
、図3に示すように、トーテムポール型に接続した2個
のNPN型バイポーラトランジスタ30及び31と、P
チャンネル型MOSトランジスタ32と、3個のNチャ
ンネル型MOSトランジスタ33,34,35とから構
成され、入力端子36に印加された入力信号を反転して
出力端子37から出力信号を出力する。
【0006】この回路で、グランド電位に等しい低レベ
ルの入力信号が与えられると、Pチャンネル型MOSト
ランジスタ32とNPN型バイポーラトランジスタ30
とが導通する。そして、出力信号の振幅VO は、電源
電圧をV、NPN型バイポーラトランジスタ30のベー
ス・エミッタ間のダイオードの順方向電圧をVBEとす
ると、VO =V−VBEとなる。
【0007】一方、振幅がVの高レベルの入力信号が与
えられると、Nチャンネル型MOSトランジスタ33,
34とNPN型バイポーラトランジスタ31とが導通し
、出力信号の振幅VO は、VO =VBEとなる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のBiC
MOS型の論理ゲート回路では、出力信号の高レベルの
振幅が電源電圧Vよりダイオードの順方向電圧VBEの
分だけ低下し、一方、低レベルの振幅がグランド電位よ
りVBEだけ持ち上る。
【0009】すなわち、出力信号のスイング幅は、VB
Eから(V−VBE)までである。このため、この出力
信号を入力とする次段の論理ゲート回路では、入力のM
OSトランジスタ(図3におけるMOSトランジスタ3
2,33に相当)は完全にカットオフせず、電源からグ
ランドに直流のリーク電流が流れる。
【0010】また、次段の論理ゲート回路のNチャンネ
ル型MOSトランジスタ34のソース電位がグランド電
位よりVBEだけ持ち上っているので、出力信号が高レ
ベルの時、このNチャンネル型MOSトランジスタ34
のゲート・ソース間の電圧VGSは、VGS=V−2V
BEとなる。
【0011】このため、プルダウン側NPN型バイポー
ラトランジスタ31のベース電流、従ってコレクタ電流
、が小さくなって、立下り速度が遅くなってしまう。
【0012】すなわち、従来のBiCMOS型の論理ゲ
ート回路は、出力信号のスイング幅が小さいことが原因
で、消費電力が大きく、動作速度が遅いという欠点を有
している。
【0013】本発明の目的は、上述した欠点を解決し、
低消費電力性,高速性に優れたBiCMOS型の論理ゲ
ート回路を、従来のものよりも、少ない素子数で実現す
ることにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の論理ゲート回路
は、エミッタが電源端子に接続されコレクタが出力端子
に接続されたPNP型バイポーラトランジスタと、前記
出力端子とグランド端子との間にソースとドレインが接
続されゲートが入力端子に接続された第1のNチャンネ
ル型MOS電界効果トランジスタと、前記PNP型バイ
ポーラトランジスタのベースと前記出力端子との間にソ
ースとドレインが接続されゲートが前記入力端子に接続
されたPチャンネル型MOS電界効果トランジスタと、
前記電源端子と前記ベースとの間にソースとドレインが
接続されゲートが前記入力端子に接続された第2のNチ
ャンネル型MOS電界効果トランジスタとを有する。
【0015】また、本発明の論理ゲート回路は、エミッ
タが電源端子に接続されコレクタが出力端子に接続され
たPNP型バイポーラトランジスタと、前記出力端子と
グランド端子との間にソースとドレインが接続されゲー
トが入力端子に接続されたNチャンネル型MOS電界効
果トランジスタと、前記PNP型バイポーラトランジス
タのベースと前記出力端子との間にソースとドレインが
接続されゲートが前記入力端子に接続されたPチャンネ
ル型MOS電界効果トランジスタと、前記電源端子と前
記ベースとの間に接続された抵抗とを有している。
【0016】
【作用】本発明の論理ゲート回路では、出力段のプルア
ップ側に、エミッタが電源端子に接続されたPNP型バ
イポーラトランジスタを用い、プルダウン側に、Nチャ
ンネルMOSトランジスタを用いる構成を取っているた
め、出力信号のスイング幅を電源電圧まで高め、消費電
力を減少し、動作を高速にさせることが可能である。
【0017】
【実施例】次に、本発明の最適な実施例について、図面
を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施例の
回路構成を示す回路図である。
【0018】本実施例は、電源端子18にエミッタが接
続され、出力端子17にコレクタが接続されたPNP型
バイポーラトランジスタ10と、出力端子17とグラン
ド端子19との間にソースとドレインが接続され、入力
端子16にゲートが接続されたNチャンネル型MOSト
ランジスタ11と、PNP型バイポーラトランジスタ1
0のベースと出力端子17との間にソースとドレインが
接続され、入力端子16にゲートが接続されたPチャン
ネル型MOSトランジスタ12と、電源端子18とベー
スとの間にソースとドレインが接続され、入力端子16
にゲートが接続されたNチャンネル型MOSトランジス
タ13とから構成されている。
【0019】以下に本実施例の回路動作について説明す
る。この論理ゲート回路は、インバータとして動作する
【0020】図1の回路において、入力端子16に高レ
ベルの入力信号が印加されると、2つのNチャンネル型
MOSトランジスタ11と13が導通し、一方、Pチャ
ンネル型MOSトランジスタ12は非導通となる。
【0021】このため、PNP型バイポーラトランジス
タ10が非導通となり、出力端子17の電位がグランド
端子19の電位と等しくなる。
【0022】一方、入力端子16に低レベルの入力信号
が印加されると、Nチャンネル型MOSトランジスタ1
1が非導通となり、一方、Pチャンネル型MOSトラン
ジスタ12が導通する。また、Nチャンネル型MOSト
ランジスタ13が非導通となる。
【0023】このため、PNP型バイポーラトランジス
タ10のエミッタとコレクタ間が導通し、出力端子17
の電位が電源電圧Vに等しくなる。
【0024】このように、この論理ゲート回路の出力信
号のスイング幅は、電源電圧Vに等しくなる。
【0025】従って、次段に接続された論理ゲート回路
内のNチャンネル型MOSトランジスタ11,Pチャン
ネル型MOSトランジスタ12及びNチャンネル型MO
Sトランジスタ13は、完全に導通するか又は非導通と
なり、電源端子18からグランド端子19にリーク電流
が流れることはない。
【0026】又、プルダウン側に、移動度の高いNチャ
ンネル型MOSトランジスタ11を用いているので出力
信号の立下りが高速で行なわれる。
【0027】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図2は、本発明の第2の実施例の回路構成を示す
回路図である。
【0028】本実施例が図1に示す第1の実施例と異な
るのは、第1の実施例における入力側のNチャンネル型
MOSトランジスタ13に替えて、プルアップ側のPN
Pバイポーラトランジスタ20のベースと電源端子28
との間に抵抗23を接続している点である。
【0029】従って、入力端子26につながるMOSト
ランジスタの数は、Nチャンネル型MOSトランジスタ
21とPチャンネル型MOSトランジスタ22の2個だ
けとなる。
【0030】本実施例は、図1に示した第1の実施例と
同様の動作をし、出力信号の高レベルが電源電圧Vに等
しく、低レベルはグランド電位となる。
【0031】今、図2において、入力端子26への入力
信号が低レベルから高レベルに変化した場合、Pチャン
ネル型MOSトランジスタ22が導通から非導通になる
【0032】このため、PNP型バイポーラトランジス
タ20のベース電位は、抵抗23によって電源電圧Vに
引上げられ、このPNP型バイポーラトランジスタ20
は非導通となる。同時にNチャンネル型MOSトランジ
スタ21は非導通から導通に変るので、出力端子27の
電圧は、電源電圧Vからグランド電位へと変化する。
【0033】この出力信号の立下りは、入力信号が直接
ゲートに入力されるNチャンネル型MOSトランジスタ
21で行なわれるので高速である。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
出力信号の振幅幅を電源電圧に等しくすることができる
ので、次段に接続された論理ゲート回路のリーク電流を
小さくし、消費電力を低減することができる。
【0035】又、入力信号が直接にプルダウン側のMO
Sトランジスタのゲートに印加される構成を取っている
ため、出力信号の立下りを極めて高速で行わせることが
できる。
【0036】又、トランジスタの数を従来の論理ゲート
回路より2個減らして、4個のトランジスタで回路を構
成することができる。
【0037】以上をまとめると、本発明は、従来のBi
CMOS型の論理ゲート回路に比べて消費電力を減少さ
せ、動作速度を高速にし、しかも素子数を削減すること
ができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の回路図である。
【図2】本発明の第2の実施例の回路図である。
【図3】従来のBiCMOS型の論理ゲート回路の回路
図である。
【符号の説明】
10,20    PNP型バイポーラトランジスタ1
1,13,21,33,34,35    Nチャンネ
ル型MOSトランジスタ 12,22,32    Pチャンネル型MOSトラン
ジスタ 16,36    入力端子 17,37    出力端子 18,28    電源端子 19,29    グランド端子 23    抵抗

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  エミッタが電源端子に接続されコレク
    タが出力端子に接続されたPNP型バイポーラトランジ
    スタと、前記出力端子とグランド端子との間にソースと
    ドレインが接続されゲートが入力端子に接続された第1
    のNチャンネル型MOS電界効果トランジスタと、前記
    PNP型バイポーラトランジスタのベースと前記出力端
    子との間にソースとドレインが接続されゲートが前記入
    力端子に接続されたPチャンネル型MOS電界効果トラ
    ンジスタと、前記電源端子と前記ベースとの間にソース
    とドレインが接続されゲートが前記入力端子に接続され
    た第2のNチャンネル型MOS電界効果トランジスタと
    を有することを特徴とする論理ゲート回路。
  2. 【請求項2】  エミッタが電源端子に接続されコレク
    タが出力端子に接続されたPNP型バイポーラトランジ
    スタと、前記出力端子とグランド端子との間にソースと
    ドレインが接続されゲートが入力端子に接続されたNチ
    ャンネル型MOS電界効果トランジスタと、前記PNP
    型バイポーラトランジスタのベースと前記出力端子との
    間にソースとドレインが接続されゲートが前記入力端子
    に接続されたPチャンネル型MOS電界効果トランジス
    タと、前記電源端子と前記ベースとの間に接続された抵
    抗とを有することを特徴とする論理ゲート回路。
JP3008195A 1991-01-28 1991-01-28 論理ゲート回路 Pending JPH04250717A (ja)

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JP3008195A JPH04250717A (ja) 1991-01-28 1991-01-28 論理ゲート回路

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JPH04250717A true JPH04250717A (ja) 1992-09-07

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