JPH0425040A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0425040A JPH0425040A JP12618190A JP12618190A JPH0425040A JP H0425040 A JPH0425040 A JP H0425040A JP 12618190 A JP12618190 A JP 12618190A JP 12618190 A JP12618190 A JP 12618190A JP H0425040 A JPH0425040 A JP H0425040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defective
- pellet
- semiconductor device
- sheet
- pellets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 44
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェ
ハに多数個形成された半導体装置片を半導体ウェハー状
態で行う電気的及び光学的試験結果の表示とその後、各
半導体装置片を切断分離し前記試験結果で分類する半導
体装置の製造方法に関する。
ハに多数個形成された半導体装置片を半導体ウェハー状
態で行う電気的及び光学的試験結果の表示とその後、各
半導体装置片を切断分離し前記試験結果で分類する半導
体装置の製造方法に関する。
従来のこの種の半導体装置片く以下ペレッＩ・と記ず）
のウェハ状態での良否判定を表示し分類する方法には以
下の様な方法があった。
のウェハ状態での良否判定を表示し分類する方法には以
下の様な方法があった。
第２図（ａ）、（ｂ）に示す様に、半導体ウェハ１状態
のペレッ）〜に探針２を用いて電気的特性を測定し、不
良ベレット７にインク付着による不良マーク１２又は、
機械的な傷を付けることによる不良マーク１４で表示す
る。
のペレッ）〜に探針２を用いて電気的特性を測定し、不
良ベレット７にインク付着による不良マーク１２又は、
機械的な傷を付けることによる不良マーク１４で表示す
る。
その後、第２図（Ｃ）に示す様に、ダイシング等の方法
で半導体ウェハ１を各ペレットに分離し、人手によって
良品ペレット１、Ｏを取り出し再配列する。あるいは、
第２図（ｄ）に示す様に、自動認識装置によってインク
による不良マーク１２又は傷による不良マーク１４を検
出し、第２図（ｅ＞に示す様に、不良ペレッ１へ７を吸
着治具］、７にて吸着除去する。
で半導体ウェハ１を各ペレットに分離し、人手によって
良品ペレット１、Ｏを取り出し再配列する。あるいは、
第２図（ｄ）に示す様に、自動認識装置によってインク
による不良マーク１２又は傷による不良マーク１４を検
出し、第２図（ｅ＞に示す様に、不良ペレッ１へ７を吸
着治具］、７にて吸着除去する。
上述した従来の人手による良品ペレットを再配列する方
法では、多量の半導体装置を製造する場合に無理があっ
た。
法では、多量の半導体装置を製造する場合に無理があっ
た。
一方、ペレット上の良否判定マークを光学装置で自動認
識し、不良ペレットを除去又は良品ペレッ１〜を配列す
る方法では、認識時間が長く、更に、機械的傷又はイン
クによる良否判定マークの形状と光学的背景となる半導
体ペレット上の回路パターンの関係によっては、マーク
の認識率が低下し、良好な品質を維持出来ないという欠
点があった。
識し、不良ペレットを除去又は良品ペレッ１〜を配列す
る方法では、認識時間が長く、更に、機械的傷又はイン
クによる良否判定マークの形状と光学的背景となる半導
体ペレット上の回路パターンの関係によっては、マーク
の認識率が低下し、良好な品質を維持出来ないという欠
点があった。
また、上記２つの従来の方法ともに良品ペレツＩへの再
配列又は不良ペレット除去時にピンセット又は吸着治具
を使用してペレットを扱うため治具自体で良品ペレット
に傷つける及びペレット運搬時に他のペレット上に落下
して傷をつけるという欠点かあった。
配列又は不良ペレット除去時にピンセット又は吸着治具
を使用してペレットを扱うため治具自体で良品ペレット
に傷つける及びペレット運搬時に他のペレット上に落下
して傷をつけるという欠点かあった。
本発明の目的は、短時間て良否の判定が出来、良品ペレ
ットに傷をつけることがない良好な品質を維持出来る半
導体装置の製造方法を提供することにある。
ットに傷をつけることがない良好な品質を維持出来る半
導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハに多数
個の半導体装置片を形成し、前記半導体ウェハに形成さ
れた多数個の前記半導体装置片のそれぞれの電気的特性
試験を行い、該電気的特性試験後に両面に粘着性を有す
るシールを不良半導体装置片に付着させ、前記半導体ウ
ェハを切断し前記半導体装置片を分離後に、該半導体装
置片の上面にシートを乗せて前記不良半導体装置片を付
着させ、同時に多数個の該不良半導体装置片を除去する
工程を含んで構成されている。
個の半導体装置片を形成し、前記半導体ウェハに形成さ
れた多数個の前記半導体装置片のそれぞれの電気的特性
試験を行い、該電気的特性試験後に両面に粘着性を有す
るシールを不良半導体装置片に付着させ、前記半導体ウ
ェハを切断し前記半導体装置片を分離後に、該半導体装
置片の上面にシートを乗せて前記不良半導体装置片を付
着させ、同時に多数個の該不良半導体装置片を除去する
工程を含んで構成されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
工程順に示した断面図である。
工程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、電気的回路３か形成
された半導体ウェハ１について電気的動作、特性を測定
する。ペレットの電極４に測定器の探針２を接触させ、
測定器によって電気的特性の良否判定を行う。判定結果
は測定器により出力された良／不良信号で自動貼付治具
５を制御し、両面に粘着性を有する不良マーク用シール
６を不良ペレットに付着させる事で明示する。この状態
でも従来の自動認識による不良除去方法を使用し、不良
マークの大きさが規格化され、第２図（ａ）、（ｂ）の
従来のインク又は傷の不良マーク１２．１４に比べ背景
に対する濃淡差が大きくなるため、検出力を高める事か
出来るが、本実施例では、更に、不良ペレット７除去の
際の傷を無くず為、以下の工程で不良ペレッ１−７を除
去する。
された半導体ウェハ１について電気的動作、特性を測定
する。ペレットの電極４に測定器の探針２を接触させ、
測定器によって電気的特性の良否判定を行う。判定結果
は測定器により出力された良／不良信号で自動貼付治具
５を制御し、両面に粘着性を有する不良マーク用シール
６を不良ペレットに付着させる事で明示する。この状態
でも従来の自動認識による不良除去方法を使用し、不良
マークの大きさが規格化され、第２図（ａ）、（ｂ）の
従来のインク又は傷の不良マーク１２．１４に比べ背景
に対する濃淡差が大きくなるため、検出力を高める事か
出来るが、本実施例では、更に、不良ペレット７除去の
際の傷を無くず為、以下の工程で不良ペレッ１−７を除
去する。
」１記の良否判定後、第１図（ｂ）に示すように、従来
から知られている方法に従って、半導体ウェハ］を一定
量の粘着性を有する粘着シート８に貼り、ダイシング等
の方法によって各半導体ペレットに分離した後、上記半
導体ウェハ１１−上に不良ペレット除去用シート９を乗
せ、両面に充分な粘着性を持つ不良マーク用シール６を
介して不良ペレット７を不良ペレット除去用シート９に
付着させる。
から知られている方法に従って、半導体ウェハ］を一定
量の粘着性を有する粘着シート８に貼り、ダイシング等
の方法によって各半導体ペレットに分離した後、上記半
導体ウェハ１１−上に不良ペレット除去用シート９を乗
せ、両面に充分な粘着性を持つ不良マーク用シール６を
介して不良ペレット７を不良ペレット除去用シート９に
付着させる。
この後、第２図（ｃ）に示す様に、不良ペレット除去用
シート９を取り除く事で不良ペレット７を一括して短時
間に、しがも、周辺の良品ペレット１０に障害を与えず
に除去出来る。
シート９を取り除く事で不良ペレット７を一括して短時
間に、しがも、周辺の良品ペレット１０に障害を与えず
に除去出来る。
以上説明したように本発明は、半導体ウェハ状態での電
気的試験結果を不良ペレットの両面に粘着性を有する不
良マーク用シールを付着させること及びその後ウェハを
半導体ペレットに分離してその上部に不良ペレット除去
用シートを乗せ、不良ペレットを除去することで、品質
の良い半導体装置を多量に、且つ、短時間に製造できる
効果がある。
気的試験結果を不良ペレットの両面に粘着性を有する不
良マーク用シールを付着させること及びその後ウェハを
半導体ペレットに分離してその上部に不良ペレット除去
用シートを乗せ、不良ペレットを除去することで、品質
の良い半導体装置を多量に、且つ、短時間に製造できる
効果がある。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明する工
程順に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は従来の半
導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示した断
面図である。 ］、・・・半導体ウェハ、２・・・探針、３・・・回路
、４・・電極、５・・・自動貼付治具、６・・・不良マ
ーク用シール、７・・・不良ペレット、８・・・粘着性
シート、９不良ペレッ１〜除去用シート、コ−０・・・
良品ペレット、１１．．１３・・・マーク治具、１２．
１４・・・不良マーク、］５・・光学センサ、１６・・
・マーク検出器、１．７・・・吸着治具。
程順に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は従来の半
導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示した断
面図である。 ］、・・・半導体ウェハ、２・・・探針、３・・・回路
、４・・電極、５・・・自動貼付治具、６・・・不良マ
ーク用シール、７・・・不良ペレット、８・・・粘着性
シート、９不良ペレッ１〜除去用シート、コ−０・・・
良品ペレット、１１．．１３・・・マーク治具、１２．
１４・・・不良マーク、］５・・光学センサ、１６・・
・マーク検出器、１．７・・・吸着治具。
Claims (1)
- 半導体ウェハに多数個の半導体装置片を形成し、前記
半導体ウェハに形成された多数個の前記半導体装置片の
それぞれの電気的特性試験を行い、該電気的特性試験後
に両面に粘着性を有するシールを不良半導体装置片に付
着させ、前記半導体ウェハを切断し前記半導体装置片を
分離後に、該半導体装置片の上面にシートを乗せて前記
不良半導体装置片を付着させ、同時に多数個の該不良半
導体装置片を除去する工程を含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12618190A JPH0425040A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12618190A JPH0425040A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425040A true JPH0425040A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14928694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12618190A Pending JPH0425040A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425040A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021572A (ja) * | 2007-06-12 | 2009-01-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 欠陥検出方法及び欠陥検出システム並びに発光素子の製造方法 |
| JP2010114117A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Sinfonia Technology Co Ltd | Ｉｃチップ選別方法、及びｉｃチップ選別装置 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12618190A patent/JPH0425040A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021572A (ja) * | 2007-06-12 | 2009-01-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 欠陥検出方法及び欠陥検出システム並びに発光素子の製造方法 |
| JP2010114117A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Sinfonia Technology Co Ltd | Ｉｃチップ選別方法、及びｉｃチップ選別装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1484791A4 (en) | DIE CUTTING METHOD, INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT INSPECTION METHOD, SUBSTRATE SUPPORT DEVICE, AND SELF-ADHESIVE FILM | |
| US7772830B2 (en) | Test handler automatic contactor cleaner methods and surrogate cleaning device | |
| JP2008098348A (ja) | 半導体チップの検査方法 | |
| JPH0425040A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6281694B1 (en) | Monitor method for testing probe pins | |
| US6992499B2 (en) | Test method and test apparatus for semiconductor device | |
| JP2008172203A (ja) | 半導体チップの選別装置 | |
| US7169469B2 (en) | Particle-removing wafer | |
| JPH06216207A (ja) | ウエーハの検査方法 | |
| CN101587850A (zh) | 承载结构以及测试装置 | |
| JPS6222448A (ja) | Ｉｃの形成されたウエ−ハ | |
| JP2005044949A (ja) | 半導体チップの選別装置、半導体チップの選別方法、及び半導体チップの製造方法 | |
| JPS6185837A (ja) | チツプ分離装置 | |
| JPH02235355A (ja) | 半導体製造装置及び製造方法 | |
| JPH07106390A (ja) | 半導体基板 | |
| JPS59130437A (ja) | 半導体装置の選別方法 | |
| JPS59175739A (ja) | 半導体素子の選別方法 | |
| KR100499167B1 (ko) | 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프 | |
| JPS5935441A (ja) | プロ−バ装置 | |
| CN111725104A (zh) | 一种晶圆的编带方法、装置和设备 | |
| JPH04162644A (ja) | 半導体ウェーハ及び半導体素子の識別方法 | |
| JPH01125949A (ja) | 検査方法 | |
| JPH0242744A (ja) | チップ選別方法 | |
| JPS57121244A (en) | Evaluating method for wafer | |
| JPH02162748A (ja) | 半導体装置の製造方法 |