JPH04242917A - X線露光装置 - Google Patents

X線露光装置

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Publication number
JPH04242917A
JPH04242917A JP3000680A JP68091A JPH04242917A JP H04242917 A JPH04242917 A JP H04242917A JP 3000680 A JP3000680 A JP 3000680A JP 68091 A JP68091 A JP 68091A JP H04242917 A JPH04242917 A JP H04242917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
alignment
optical system
mask
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3000680A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoriyuki Ishibashi
石 橋 頼 幸
Ryoichi Hirano
平 野 亮 一
Nobutaka Kikuiri
菊 入 信 孝
Norio Uchida
内 田 憲 男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP3000680A priority Critical patent/JPH04242917A/ja
Publication of JPH04242917A publication Critical patent/JPH04242917A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線を利用して露光を
行うX線露光装置に係り、特にX線マスクと半導体ウェ
ハとの位置合わせを行うアライメント光学系に改良を加
えたX線露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、LSIパターンを形成するには、
光露光装置が一般に用いられていたが、LSIパターン
の微細化に伴って、微細化されたパターンを光露光装置
で形成するのは、解像度や生産性の面で限界に近くなっ
てきている。そこで最近では、光露光装置よりも微細な
パターンを形成することが可能なX線露光装置の開発が
進められている。
【0003】このX線露光装置では、その物理的特性か
ら縮小投影することが困難で、等倍の露光にならざるを
得ない。等倍露光を行うためには、X線マスクと半導体
ウェハとのギャップを極小にした近接露光となる。
【0004】ここに、X線マスクと半導体ウェハのX,
Y及びθ方向の位置ずれを正確に検出してこれを補正す
る必要があり、このため一般にX線露光装置には、X線
マスクと半導体ウェハに夫々形成されたアライメントマ
ークの画像データをITVカメラで取り込み、画像処理
によってX線マスクと半導体ウェハとの相対位置ずれ情
報を取り出すようにしたアライメント光学系が備えられ
ている。
【0005】ここで、本発明者等が先に開発したアライ
メント光学系の構成を図3に示す。なお、通常X線露光
装置には、X,Y及びθ方向の位置ずれを検出するため
、少なくとも3つのアライメント光学系(Xアライメン
ト光学系1a,Y1 アライメント光学系1b及びY2
 アライメント光学系1c)が備えられている(図2参
照)が、ここでは、Xアライメント光学系1aについて
説明する。
【0006】架台2の中央には、露光光としてのX線(
SOR光)3が通る通孔2aが穿設され、この通孔2a
の周囲に位置してマスクテーブル4が配置されている。 このマスクテーブル4には、X線マスク5を保持するマ
スクチャック6が装着されているとともに、このX線マ
スク5に近接させた位置に半導体ウェハ7を保持するウ
ェハチャック8が備えられている。
【0007】Xアライメント光学系1aは、上記X線マ
スク5に設けられたアライメントマーク5aにアライメ
ント光(ヘリウムネオンレーザ光)9を照射させ、半導
体ウェハ7から再びこのアライメントマーク5aを通過
した検出光9′を画像データとして取り込むようように
したものである。
【0008】即ち、このXアライメント光学系1aは、
支柱10を介して所定間隔離間して平行に配置された一
対の光学ベース11,12と、この光学ベース11,1
2上に配置された複数の光学部品とから主に構成されて
いる。図示の例では、この光学部品として、入射用の第
1及び第2のレンズ13,14、プリズム15、互いに
対峙して配置された一対のプリズム状ミラー16a,1
6b及び検出用のレンズ17とが備えられている。
【0009】そして、上記入射用の各レンズ13,14
、プリズム15及び一方のプリズム状ミラー16aは、
一方の光学ベース11のX線マスク5と反対側の表面(
下面)に、他方のプリズム状ミラー16b及び検出用の
レンズ17は、他方の光学ベース12のX線マスク5側
の表面(上面)に夫々配置されている。
【0010】また、図4に示すように、架台2の上面に
、ボールねじ18を介しガイド19に沿って前後動(Y
方向)するチップサーチ用テーブル20と、このチップ
サーチ用テーブル20と直交する方向(X方向)に移動
自在なマークサーチ用テーブル21とを備え、このマー
クサーチ用テーブル21を上記光学ベース12とするこ
とにより、X線マスク5の電子回路パターンの面積変化
、即ちチップサイズSがS′に変化するに伴ってアライ
メントマーク5aの位置が変化しても、これに追随して
アライメントマーク5aのサーチを行うとともに、この
配置方向に沿ってサーチできるようにしたものも本発明
者等により先に開発されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のものにおいては、次のような問題点があった。
【0012】■  各光学部品は、光学ベース11,1
2間にサンドイッチ状に挟み込まれた状態で配置されて
いるため、露光装置本体にアライメント光学系を組み込
んだ後、各光学部品の光軸を調整することができない。 この光軸調整を作業空間があるマスク面側から行えるよ
うにするため、図3に示すように、光学ベース11に調
整用穴11aを設けることが行われているが、このよう
に調整用穴11aを設けると光学ベース11自体の剛性
が下がり、その結果、その光軸が形成する平面(光学平
面)が理想平面から崩れてしまい、光学像が歪んでしま
う。
【0013】■  このような欠点を防止するため、図
3及び図4に示すように、架台2及び光学ベース12に
調整穴2b,12aを設けることも試みた。しかしなが
ら、図4に示すように、光学系をチップサイズ方向及び
マークサイズ方向に移動させるための移動機構を備える
と、ボールねじ18やガイド19等の部材が邪魔になっ
てしまい、その結果、光軸調整を優先させると、このよ
うな移動機構を備えることができない。
【0014】■  レンズの焦点距離が、光学ベース1
1の厚さh2 分だけ長くなり、その結果、レンズの直
径が大きくなって、コンパクト化が図れないばかりでな
く、この光学ベース11の厚さh2 は、15mm程度
であるが、X線3の飛行距離がその分長くなり、X線3
の減衰が問題となる。
【0015】本発明は上記に鑑み、光学ベースに調整用
穴を設けることなく、マスク側からアライメント光学系
を構成する各光学部品の光軸調整を行うことができると
ともに、この光学系をチップサイズ方向及びマークサイ
ズ方向に移動させるための移動機構上に設置できるよう
にしたものを提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明に係るX線露光装置は、複数の位置検出用アラ
イメント検出系を介してX線マスクと半導体ウェハとの
位置決めを行うアライメント光学系を備え、X線をX線
マスク面上の描画パターンに照射して該パターンを半導
体ウェハ面上に照射するX線露光装置において、前記ア
ライメント光学系を構成する各光学部品をマスク面側の
光学ベース上に配置したものである。
【0017】
【作用】上記のように構成した本発明によれば、アライ
メント光学系を構成する各光学部品はマスク面側の光学
ベース上に配置されているため、マスク面側から各光学
部品に触れてこれらの光軸調整を行うことができる。し
かも、光学ベースを介してアライメント光学系を互いに
直交する方向に移動可能な移動機構上に設置することが
できる。
【0018】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1及び図2を参照
して説明する。なお、上記従来例と同一部材は同一符番
を付してその説明を省略する。
【0019】図2に示すように、X,Y及びθ方向の位
置合わせを行うため、Xアライメント光学系1a,Y1
 アライメント光学系1a及びY2 アライメント光学
系1cの3つのアライメント光学系が備えられているの
であるが、この各アライメント光学系1a,1b,1c
は、以下のように構成されている。
【0020】即ち、図1はXアライメント光学系1aを
示すもので、チップサイズ方向(Y方向)に移動自在な
チップサーチ用テーブル20とマークサーチ方向(X方
向)に移動自在なマークサーチ用テーブル21とが互い
に積み重ねられて架台2上に配置され、このマークサー
チ用テーブル21上に光学ベース22が載置されている
。Xアライメント光学系1aは、この光学ベース22と
この上に配置された複数の光学部品とから主に構成され
ている。
【0021】図示の例では、この光学部品として、入射
用の第1及び第2レンズ13,14、プリズム15、互
いに対向して配置された計3対の反射ミラー23,24
,25及び検出用のレンズ17とが備えられている。
【0022】そして、上記入射用の各レンズ13,14
、プリズム15,反射ミラー23,24,25及び検出
用のレンズ17等の各光学部品は、光学ベース22の上
面、即ちマスク面側表面に配置され、これによってアラ
イメント光9及び検出光9′に対する光学部品の光軸が
形成する平面(光学平面)が光学ベース22に対してマ
スク面側に位置するようなされている。このように、各
光学部品を光学ベース22のマスク面側表面に配置する
ことにより、マスク面側より各光学部品に触れて、これ
らの光軸調整を行うことができる。
【0023】また、マスクに対応するウェハ面側の、例
えば高速で移動可能なウェハテーブル側から極微小なゴ
ミ等が光学ベース上の各光学部品へ付着するおそれがあ
るが、これに対しては各光学部品を覆うカバー等を設け
、光の軸調整はカバーを開閉して行なえばよい。
【0024】また、X線マスク5の回路パターンの面積
変化(チップサイズ変化)、例えば図2に示すように、
チップサイズがSからS′と変化するに伴って、アライ
メントマーク5aの位置が5a′に変化しても、チップ
サーチ用テーブル20を介してこれに追随してアライメ
ントマーク5a′の配置位置をサーチすることができる
とともに、マークサーチ用テーブル21を介してアライ
メントマーク5a′の配置方向に沿ってアライメント光
学系1aを移動させつつこのサーチができるようなされ
ている。
【0025】
【発明の効果】本発明は上記のような構成であるので、
アライメント光学系を露光装置本体に組み込んだ後でも
、マスク面側から各光学部品に手を触れて光軸調整を行
うことができ、しかも光学ベース自体の剛性が低下して
しまうこともない。
【0026】また、レンズの焦点距離を従来例に比べて
短くすることができ、これにより、レンズの直径を小さ
くして、コンパクト化を図るとともに、X線の飛行距離
もその分短くして、X線3の減衰の問題を低減させるこ
とができる。
【0027】更に、アライメント光学系を互いに直交す
る方向に移動自在な移動機構上に設置することにより、
チップサイズの変化及びマークサーチに伴い、アライメ
ントマークの位置が変化しても、所定のアライメントマ
ークをサーチするようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すXアライメント光学系
の概略側面図。
【図2】本発明の一実施例を示す概略全体平面図。
【図3】従来例を示すXアライメント光学系の概略側面
図。
【図4】他の従来例を示す要部拡大図。
【符号の説明】
1a  Xアライメント光学系 1b  Y1 アライメント光学系 1c  Y2 アライメント光学系 5  X線マスク 7  半導体チップ 13  レンズ(光学部品) 14  レンズ(光学部品) 17  レンズ(光学部品) 15  プリズム(光学部品) 20  チップサーチ用テーブル 21  マークサーチ用テーブル 22  光学ベース 23  反射ミラー(光学部品) 24  反射ミラー(光学部品) 25  反射ミラー(光学部品)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の位置検出用アライメント検出系を介
    してX線マスクと半導体ウェハとの位置決めを行うアラ
    イメント光学系を備え、X線をX線マスク面上の描画パ
    ターンに照射して該パターンを半導体ウェハ面上に照射
    するX線露光装置において、前記アライメント光学系を
    構成する各光学部品をマスク面側の光学ベース上に配置
    したことを特徴とするX線露光装置。
JP3000680A 1991-01-08 1991-01-08 X線露光装置 Pending JPH04242917A (ja)

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JP3000680A JPH04242917A (ja) 1991-01-08 1991-01-08 X線露光装置

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JP3000680A JPH04242917A (ja) 1991-01-08 1991-01-08 X線露光装置

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JPH04242917A true JPH04242917A (ja) 1992-08-31

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ID=11480473

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JP3000680A Pending JPH04242917A (ja) 1991-01-08 1991-01-08 X線露光装置

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