JPH04240751A - チップキャリア - Google Patents
チップキャリアInfo
- Publication number
- JPH04240751A JPH04240751A JP3006704A JP670491A JPH04240751A JP H04240751 A JPH04240751 A JP H04240751A JP 3006704 A JP3006704 A JP 3006704A JP 670491 A JP670491 A JP 670491A JP H04240751 A JPH04240751 A JP H04240751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- substrate
- groove
- chip carrier
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
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- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子装置等に使用され
る配線基板にICを実装するために用いるチップキャリ
アの構造に関する。
る配線基板にICを実装するために用いるチップキャリ
アの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のチップキャリアは、基板表面の平
坦な部分にメタライズし、このメタライズパターンとキ
ャップの平坦な裏面とをハンダ付け、もしくはロー付け
あるいはシームウェルドにてキャップ封止をしていた。
坦な部分にメタライズし、このメタライズパターンとキ
ャップの平坦な裏面とをハンダ付け、もしくはロー付け
あるいはシームウェルドにてキャップ封止をしていた。
【0003】図3は従来技術のチップキャリア構造図を
示す。
示す。
【0004】基板1は上面に複数のパッド2、下面に複
数の入出力用バンプ3を有し、パッド2とバンプ3とは
内部配線4により接続されている。複数のリード7を有
するIC5はリード7を所定の形状に成形された後、基
板1に実装される。そしてリード7とパッド2はAu−
Au熱圧着法等により接続される。そしてキャップ8は
IC5とAgエポキシ等の接着剤9で接着される。同時
にキャップ8は基板1とAu/SnあるいはSn/Pb
等の接合剤10により接合されて、IC5を封止する。
数の入出力用バンプ3を有し、パッド2とバンプ3とは
内部配線4により接続されている。複数のリード7を有
するIC5はリード7を所定の形状に成形された後、基
板1に実装される。そしてリード7とパッド2はAu−
Au熱圧着法等により接続される。そしてキャップ8は
IC5とAgエポキシ等の接着剤9で接着される。同時
にキャップ8は基板1とAu/SnあるいはSn/Pb
等の接合剤10により接合されて、IC5を封止する。
【0005】この時、キャップ8を取り付ける際、図3
の如く、キャップ8と基板1とのギャップを少しだけ開
けておくことが必要で0〜50μmの範囲で管理される
。たとえば、ギャップが大きいとキャップ8の上面に加
わる荷重によりギャップ分だけIC5が下方に押され、
リード7が変形してリードの強度劣化をまねく。逆にギ
ャップが全くない場合は、キャップ8とIC5の間のA
gエポキシ接着剤9の厚さが厚くなったり、あるいはボ
イド,空隙が発生して熱抵抗が極端に高くなり、IC5
の信頼性低下をまねく。
の如く、キャップ8と基板1とのギャップを少しだけ開
けておくことが必要で0〜50μmの範囲で管理される
。たとえば、ギャップが大きいとキャップ8の上面に加
わる荷重によりギャップ分だけIC5が下方に押され、
リード7が変形してリードの強度劣化をまねく。逆にギ
ャップが全くない場合は、キャップ8とIC5の間のA
gエポキシ接着剤9の厚さが厚くなったり、あるいはボ
イド,空隙が発生して熱抵抗が極端に高くなり、IC5
の信頼性低下をまねく。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した従来の
チップキャリアではキャップ取り付け時にキャップ裏面
と基板上のメタライズのギャップを精度よくあわせてお
かなければならない。たとえば、ギャップが大きすぎる
と封止時にキャップに加える荷重を大きくしこのギャッ
プを補正する必要があり、結局、ICを押さえつけるこ
とになり、この結果ICのリードにも大きなストレスが
生じることになる。反面ギャップが全くないとICとキ
ャップとの間に隙間ができてしまいICからの熱放散が
極端に低下してしまうという欠点があった。
チップキャリアではキャップ取り付け時にキャップ裏面
と基板上のメタライズのギャップを精度よくあわせてお
かなければならない。たとえば、ギャップが大きすぎる
と封止時にキャップに加える荷重を大きくしこのギャッ
プを補正する必要があり、結局、ICを押さえつけるこ
とになり、この結果ICのリードにも大きなストレスが
生じることになる。反面ギャップが全くないとICとキ
ャップとの間に隙間ができてしまいICからの熱放散が
極端に低下してしまうという欠点があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のチップキャリア
は、基板と前記基板上に形成された複数のパッドと、前
記パッドと接続される複数のリードを有し前記基板上に
フェースダウンで実装されるICと、該ICの裏面と接
着し縁が前記基板と接合剤で接合されて前記ICを封止
するキャップとを有するチップキャリアにおいて、前記
基板に前記キャップの縁が挿入される溝を有している。
は、基板と前記基板上に形成された複数のパッドと、前
記パッドと接続される複数のリードを有し前記基板上に
フェースダウンで実装されるICと、該ICの裏面と接
着し縁が前記基板と接合剤で接合されて前記ICを封止
するキャップとを有するチップキャリアにおいて、前記
基板に前記キャップの縁が挿入される溝を有している。
【0008】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0009】図1は本発明の一実施例の断面図、図2は
封止部の詳細図を示す。
封止部の詳細図を示す。
【0010】本実施例では、基板1のキャップ8が接着
される部分に予め溝11を形成しておき、この部分にキ
ャップ8を挿入しAu/SnあるいはSn/Pb等の接
着剤10で接合する。この時キャップ8の上面から予め
決められた荷重をかけると、キャップ8の縁は溝11中
のAu/SnあるいはSn/Pb等の接着剤10中に荷
重にみあったところまで挿入されることになり、溝11
の深さの途中で止まるようになる。と同時にキャップ8
とIC5の間のギャップもまた安定した状態で形成され
る。
される部分に予め溝11を形成しておき、この部分にキ
ャップ8を挿入しAu/SnあるいはSn/Pb等の接
着剤10で接合する。この時キャップ8の上面から予め
決められた荷重をかけると、キャップ8の縁は溝11中
のAu/SnあるいはSn/Pb等の接着剤10中に荷
重にみあったところまで挿入されることになり、溝11
の深さの途中で止まるようになる。と同時にキャップ8
とIC5の間のギャップもまた安定した状態で形成され
る。
【0011】溝の深さを予め余裕のある設計にしておく
と、基板1上に実装したIC5の形成後の高さ精度は要
求されない。キャップ8とIC5の間のAgエポキシ接
着剤9はキャップ上面に加える荷重が常に一定にできる
ため、厚さも常にコントロールされ、熱抵抗的にも安全
した特性が実現できる。
と、基板1上に実装したIC5の形成後の高さ精度は要
求されない。キャップ8とIC5の間のAgエポキシ接
着剤9はキャップ上面に加える荷重が常に一定にできる
ため、厚さも常にコントロールされ、熱抵抗的にも安全
した特性が実現できる。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は基板に設
けた溝にキャップの縁を挿入し接合する構造とすること
でICのリードにストレスのかからないかつ熱抵抗の低
いチップキャリアが実現できる。
けた溝にキャップの縁を挿入し接合する構造とすること
でICのリードにストレスのかからないかつ熱抵抗の低
いチップキャリアが実現できる。
【図1】本発明の一実施例のチップキャリアの断面図で
ある。
ある。
【図2】図1の溝11の部分拡大図である。
【図3】従来のチップキャリアの断面図である。
1 基板
2 パッド
3 バンプ
4 内部配線
5 IC
7 リード
8 キャップ
9 接着剤
10 接合剤
11 溝
Claims (1)
- 【請求項1】 基板と前記基板上に形成された複数の
パッドと、前記パッドと接続される複数のリードを有し
前記基板上にフェースダウンで実装されるICと、該I
Cの裏面と接着し縁が前記基板と接合剤で接合されて前
記ICを封止するキャップとを有するチップキャリアに
おいて、前記基板に前記キャップの縁が挿入される溝を
有することを特徴とするチップキャリア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3006704A JP2629459B2 (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | チップキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3006704A JP2629459B2 (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | チップキャリア |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04240751A true JPH04240751A (ja) | 1992-08-28 |
JP2629459B2 JP2629459B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=11645701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3006704A Expired - Lifetime JP2629459B2 (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | チップキャリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2629459B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5889323A (en) * | 1996-08-19 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
US6218730B1 (en) * | 1999-01-06 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus for controlling thermal interface gap distance |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI497614B (zh) * | 2012-06-29 | 2015-08-21 | Universal Scient Ind Shanghai | 組裝結構 |
-
1991
- 1991-01-24 JP JP3006704A patent/JP2629459B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5889323A (en) * | 1996-08-19 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
US6218730B1 (en) * | 1999-01-06 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus for controlling thermal interface gap distance |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2629459B2 (ja) | 1997-07-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970225 |