JPH042403A - 鋳鉄の高能率切削方法 - Google Patents
鋳鉄の高能率切削方法Info
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- JPH042403A JPH042403A JP2104979A JP10497990A JPH042403A JP H042403 A JPH042403 A JP H042403A JP 2104979 A JP2104979 A JP 2104979A JP 10497990 A JP10497990 A JP 10497990A JP H042403 A JPH042403 A JP H042403A
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- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、鋳鉄の高能率切削方法に関し、詳細には、難
削材である球状黒鉛鋳鉄（以降、ＦＣＤという）、オー
ステンバードダクタイル鋳鉄（以降、ＭＤＩ という）
や２７％Ｃｒ鋳鉄等を高速、高切り込み量（即ち、高能
率）でスローアウェイチップにより切削する方法に関す
るものである。
削材である球状黒鉛鋳鉄（以降、ＦＣＤという）、オー
ステンバードダクタイル鋳鉄（以降、ＭＤＩ という）
や２７％Ｃｒ鋳鉄等を高速、高切り込み量（即ち、高能
率）でスローアウェイチップにより切削する方法に関す
るものである。
（従来の技術）
ＦＣＤは、高強度、高靭性を有するため切削加工が難し
い材料、ＷｒＪち、難削材である。ＡＤＩ も高強度、
高靭性、高硬度を有し、切削加工中に硬化するため、切
削加工が極めて難しい材料である。又、２７％Ｃｒ鋳鉄
は高硬度を有し、切削加工が極めて難しい材料である。
い材料、ＷｒＪち、難削材である。ＡＤＩ も高強度、
高靭性、高硬度を有し、切削加工中に硬化するため、切
削加工が極めて難しい材料である。又、２７％Ｃｒ鋳鉄
は高硬度を有し、切削加工が極めて難しい材料である。
かかる難削性鋳鉄に対して旋削加工やフライス加工等の
切削を行うに際し、比較的高能率で切削するには、出来
るだけ高温で高硬度及び高強度を有するスローアウェイ
チップ（以降、千ンブという）を使用することが要求さ
れる。
切削を行うに際し、比較的高能率で切削するには、出来
るだけ高温で高硬度及び高強度を有するスローアウェイ
チップ（以降、千ンブという）を使用することが要求さ
れる。
このような要求を充たし得るチップは従来得られていな
いが、それらの中で高温での硬度及び強度が最も高いの
は超硬製チップである。従って、難削性鋳鉄の切削は超
硬製チップを使用して行われている。しかし、超硬製チ
ップを使用する方法（以降、従来超硬チップ法という）
でも、極めて低い切削速度（約３０ｍ／ｓｉｎ未満）で
ないとかかる難削性鋳鉄を切削し得す、そのため切削能
率が極めて低く、切削加工に長時間を要するという問題
点がある。
いが、それらの中で高温での硬度及び強度が最も高いの
は超硬製チップである。従って、難削性鋳鉄の切削は超
硬製チップを使用して行われている。しかし、超硬製チ
ップを使用する方法（以降、従来超硬チップ法という）
でも、極めて低い切削速度（約３０ｍ／ｓｉｎ未満）で
ないとかかる難削性鋳鉄を切削し得す、そのため切削能
率が極めて低く、切削加工に長時間を要するという問題
点がある。
そこで、かかる問題点を解決すべく、高温で高硬度及び
高強度を有するセラミックスに着目して種々検討が行わ
れ、最近ではＡｌｚ（ｈ−ＴｉＣ系セラミックス製チッ
プを使用する難削性鋳鉄の切削方法（以降、従来セラミ
ックスチップ法という）が開発されてきた。
高強度を有するセラミックスに着目して種々検討が行わ
れ、最近ではＡｌｚ（ｈ−ＴｉＣ系セラミックス製チッ
プを使用する難削性鋳鉄の切削方法（以降、従来セラミ
ックスチップ法という）が開発されてきた。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来セラミンクスチンプ法は、難削性鋳鉄を比較的
高速度（約３０〜６０ｍ／ｆｆ１ｉｎ）で切削し得る。
高速度（約３０〜６０ｍ／ｆｆ１ｉｎ）で切削し得る。
ところが、千ノブの靭性不足に基づきチップの欠損がし
ばしば生しるという問題点がある。そのため、極めて小
さい切り込み量（１１１１ｍ未満）での切削を余儀無く
され、切削能率が極めて低く、切削加工に長時間を要す
るという問題点がある。
ばしば生しるという問題点がある。そのため、極めて小
さい切り込み量（１１１１ｍ未満）での切削を余儀無く
され、切削能率が極めて低く、切削加工に長時間を要す
るという問題点がある。
本発明はかかる事情に着目してなされたものであって、
その目的は従来のものがもつ以上のような問題点を解消
し、前記従来セラミックスチップ法の場合に比し、難削
性鋳鉄をチップ欠損を生ずることなく高切り込み量で、
且つ、同等もしくはそれ以上の高速度で切削し得る難削
性鋳鉄の高能率切削方法を提供しようとするものである
。即ち、前記従来超硬子ノブ法及び従来セラミックスチ
ップ法の場合に比して難削性鋳鉄を高能率で切削し得る
切削方法の提供を課題とするものである。
その目的は従来のものがもつ以上のような問題点を解消
し、前記従来セラミックスチップ法の場合に比し、難削
性鋳鉄をチップ欠損を生ずることなく高切り込み量で、
且つ、同等もしくはそれ以上の高速度で切削し得る難削
性鋳鉄の高能率切削方法を提供しようとするものである
。即ち、前記従来超硬子ノブ法及び従来セラミックスチ
ップ法の場合に比して難削性鋳鉄を高能率で切削し得る
切削方法の提供を課題とするものである。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、本発明は次のような構成
の鋳鉄の高能率切削方法としている。
の鋳鉄の高能率切削方法としている。
即ち、本発明に係る鋳鉄の高能率切削方法は、鋳鉄を高
速、高切り込み量の高能率でスローアウェイチップによ
り切削する方法であって、スローアウェイチップが、Ｓ
ｉＣウィスカ＝３〜４０ ｗｔχを含むと共に該ウィス
カをチップのすくい面に略平行に配向させたＡｈＯａ基
セラミックスよりなることを特徴とする鋳鉄の高能率切
削方法である。
速、高切り込み量の高能率でスローアウェイチップによ
り切削する方法であって、スローアウェイチップが、Ｓ
ｉＣウィスカ＝３〜４０ ｗｔχを含むと共に該ウィス
カをチップのすくい面に略平行に配向させたＡｈＯａ基
セラミックスよりなることを特徴とする鋳鉄の高能率切
削方法である。
（作 用）
本発明に係る鋳鉄の高能率切削方法（以降、本発明法い
う）は、以上説明したように鋳鉄を切削するに際し、Ｓ
ｉＣウィスカ：３〜４０ ｗｔχを含むと共に該ウィス
カをチップのすくい面に略平行に配向させたＡＩｚ（ｈ
基セラミックスよりなるチップ（以降、本発明に係るチ
ップという）を使用するようにしている。
う）は、以上説明したように鋳鉄を切削するに際し、Ｓ
ｉＣウィスカ：３〜４０ ｗｔχを含むと共に該ウィス
カをチップのすくい面に略平行に配向させたＡＩｚ（ｈ
基セラミックスよりなるチップ（以降、本発明に係るチ
ップという）を使用するようにしている。
上記本発明に係るチップは材質的にみると、前記の如（
ＳｉＣウィスカを含むＡｌｚ０３基セラミックスであり
、該セラミックスはＡ１□０３−Ｔ＋Ｃ系セラミックス
等の如き従来の４１□０３基セラミックスに比し、高靭
性を有し、又、同等もしくはそれ以上の優れた高温硬度
、高温強度及び耐摩耗性を有している。このようにチッ
プの靭性が高いと、耐欠損性が優れたものになるので、
高切り込み量での難削性鋳鉄の切削が可能になり、又、
チップの高温硬度、高温強度及び耐摩耗性が優れている
と、難削性鋳鉄の高速度切削が可能である。従って、か
かるチップを使用する本発明法は、前記従来セラミック
スチップ法の場合に比し、難削性鋳鉄をチップ欠損を生
ずることなく高切り込み量で切削し得、又、同等もしく
はそれ以上の高速度で難削性鋳鉄を切削し得るようにな
る。
ＳｉＣウィスカを含むＡｌｚ０３基セラミックスであり
、該セラミックスはＡ１□０３−Ｔ＋Ｃ系セラミックス
等の如き従来の４１□０３基セラミックスに比し、高靭
性を有し、又、同等もしくはそれ以上の優れた高温硬度
、高温強度及び耐摩耗性を有している。このようにチッ
プの靭性が高いと、耐欠損性が優れたものになるので、
高切り込み量での難削性鋳鉄の切削が可能になり、又、
チップの高温硬度、高温強度及び耐摩耗性が優れている
と、難削性鋳鉄の高速度切削が可能である。従って、か
かるチップを使用する本発明法は、前記従来セラミック
スチップ法の場合に比し、難削性鋳鉄をチップ欠損を生
ずることなく高切り込み量で切削し得、又、同等もしく
はそれ以上の高速度で難削性鋳鉄を切削し得るようにな
る。
ここで、ＳｉＣウィスカ含有量を３〜４０ｗｔχとして
いるのは、３ｗｔ！未満では高靭性化の効果が小さくな
って耐欠損性が劣化し、４０−ｔχ超では鉄との反応性
を有するＳｉＣが相対的に増加して耐摩耗性が劣化し、
且つＳｉＣウィスカの充分な均一分散状態が得られず、
強度低下を招くようになるからである。尚、ＳｉＣウィ
スカは針状の形状を有するものである。
いるのは、３ｗｔ！未満では高靭性化の効果が小さくな
って耐欠損性が劣化し、４０−ｔχ超では鉄との反応性
を有するＳｉＣが相対的に増加して耐摩耗性が劣化し、
且つＳｉＣウィスカの充分な均一分散状態が得られず、
強度低下を招くようになるからである。尚、ＳｉＣウィ
スカは針状の形状を有するものである。
又、本発明に係るチップは、上記の如きウィスカをチッ
プのすくい面に略平行に配回させるようにしている。こ
のようにすると、針状ＳｉＣウィスカの軸方向とすくい
面とが平行になっているので、チップは切削加工時の切
削主分力に対し極めて強い抵抗力を有するようになり、
そのため耐欠損性が更に優れたものになる。尚、上記ウ
ィスカ配向は、少なくとも、切削性能に直接影響するす
くい面内、即ちすくい面の近傍において成されておれば
よい。又、ウィスカ同士が平行でもよく、直交していて
もよく、放射状になっていてもよい。
プのすくい面に略平行に配回させるようにしている。こ
のようにすると、針状ＳｉＣウィスカの軸方向とすくい
面とが平行になっているので、チップは切削加工時の切
削主分力に対し極めて強い抵抗力を有するようになり、
そのため耐欠損性が更に優れたものになる。尚、上記ウ
ィスカ配向は、少なくとも、切削性能に直接影響するす
くい面内、即ちすくい面の近傍において成されておれば
よい。又、ウィスカ同士が平行でもよく、直交していて
もよく、放射状になっていてもよい。
以上の如く、本発明に係るチップは、前記従来のＡＩｚ
Ｏ＋基セラミックスよりなるチップに比較し、優れた耐
欠損性を有し、又、同等もしくはそれ以上の高速度切削
性能を有する。本発明法はかかるチップを使用するので
、前記従来セラミックスチップ法の場合に比し、難削性
鋳鉄をチップ欠損を生ずることなく高切り込み量で、且
つ、同等もしくはそれ以上の高速度で切削し得るように
なる。即ち、定量的には難削性鋳鉄を切削速度＝３０ｍ
／ｌｌ１ｉｎ以上、切り込みＩ：１ｏ＋ｍ以上で切削し
得る。
Ｏ＋基セラミックスよりなるチップに比較し、優れた耐
欠損性を有し、又、同等もしくはそれ以上の高速度切削
性能を有する。本発明法はかかるチップを使用するので
、前記従来セラミックスチップ法の場合に比し、難削性
鋳鉄をチップ欠損を生ずることなく高切り込み量で、且
つ、同等もしくはそれ以上の高速度で切削し得るように
なる。即ち、定量的には難削性鋳鉄を切削速度＝３０ｍ
／ｌｌ１ｉｎ以上、切り込みＩ：１ｏ＋ｍ以上で切削し
得る。
従って、本発明法は、前記従来超硬チップ法及び従来セ
ラミックスチップ法の場合に比して難削性鋳鉄を高能率
で切削し得るようになる。
ラミックスチップ法の場合に比して難削性鋳鉄を高能率
で切削し得るようになる。
前記の如＜ ＳｉＣウィスカを含むＡｌ２Ｏ’３基セラ
ミックス製チツプを製造するには、ＳｉＣウィスカを溶
媒中に分散してスラリとし、これにＡＩｚＯ：＋粉末を
混合し、焼結した後、チップ形状に加工すればよい。コ
ノとき、Ｏｌｌ：ｏ、３〜１．５ｗｔ！（７） ＳｉＣ
ウィスカを用いるようにすると、ウィスカの充分な均一
分散状態が得られ、高強度を確保し易くなる。Ｏ量が０
．３ｗｔχ未満では上記均一分散効果が小さくなり、１
．５ｗｔχ超ではＳｉＯ□とＡｌ２Ｏ３との反応が生じ
て強度低下を招くようになる。
ミックス製チツプを製造するには、ＳｉＣウィスカを溶
媒中に分散してスラリとし、これにＡＩｚＯ：＋粉末を
混合し、焼結した後、チップ形状に加工すればよい。コ
ノとき、Ｏｌｌ：ｏ、３〜１．５ｗｔ！（７） ＳｉＣ
ウィスカを用いるようにすると、ウィスカの充分な均一
分散状態が得られ、高強度を確保し易くなる。Ｏ量が０
．３ｗｔχ未満では上記均一分散効果が小さくなり、１
．５ｗｔχ超ではＳｉＯ□とＡｌ２Ｏ３との反応が生じ
て強度低下を招くようになる。
上記チップの製造過程の焼結前に、焼結助剤としてＹＪ
ｚ、ＭｇＯ，ＺｒＯ□或いは焼結中に上記酸化物となる
Ｙ、 Ｍｇ、 Ｚｒの化合物の１種または２種以上を０
．１〜１０．０ｉｉｔχ添加すると、焼結性が向上し、
焼結組織が微細化及び均一化され、高強度及び高靭性を
確保し易くなる。添加量が０．１重量％未満ではこの効
果が極めて小さく、１０．０重量％を越えると高温強度
が低下するようになる。
ｚ、ＭｇＯ，ＺｒＯ□或いは焼結中に上記酸化物となる
Ｙ、 Ｍｇ、 Ｚｒの化合物の１種または２種以上を０
．１〜１０．０ｉｉｔχ添加すると、焼結性が向上し、
焼結組織が微細化及び均一化され、高強度及び高靭性を
確保し易くなる。添加量が０．１重量％未満ではこの効
果が極めて小さく、１０．０重量％を越えると高温強度
が低下するようになる。
前記チップは、それを構成するセラミックスが前記Ｓｉ
Ｃウィスカに加えて、さらにＴｉＣ，ＴｉＮ、Ｔ１ＣＮ
等の炭窒化物の１種または２種以上（以降、ＴｉＣ等と
いう）を０．５〜４０−ｔχ含むようにすると、強度及
び靭性がより向上する。上記ＴｉＣ等の含［１が０．５
ｗｔχ未満では強度及び靭性向上効果が小さく４０−ｔ
χ超では強度及び靭性低下を招くようになる。
Ｃウィスカに加えて、さらにＴｉＣ，ＴｉＮ、Ｔ１ＣＮ
等の炭窒化物の１種または２種以上（以降、ＴｉＣ等と
いう）を０．５〜４０−ｔχ含むようにすると、強度及
び靭性がより向上する。上記ＴｉＣ等の含［１が０．５
ｗｔχ未満では強度及び靭性向上効果が小さく４０−ｔ
χ超では強度及び靭性低下を招くようになる。
又、添加したＴｉＣ等がＡｈ（ｈ粒内にナノオーダ（数
１０ナノメートル程度）で分散したナノ複合組織を有す
るようにすると、さらに強度が向上し、チップの耐欠損
性が改善される。これは、ＳｉＣウィスカによる繊維強
化とＴｉｃｋ！こよるナノ複合強化の組合せによって高
強度化するためである。
１０ナノメートル程度）で分散したナノ複合組織を有す
るようにすると、さらに強度が向上し、チップの耐欠損
性が改善される。これは、ＳｉＣウィスカによる繊維強
化とＴｉｃｋ！こよるナノ複合強化の組合せによって高
強度化するためである。
（実施例）
１隻医上
ＯＩを０．６ｗｔχに調整したＳｉＣウィスカを、溶媒
に添加し、超音波エネルギを３０分間付与し、溶媒中に
均一に分散させ、スラリを得た。該スラリにＡＩｔＯｚ
粉末、或いはＡ１□０３粉末とＴｉＣ等や焼結助剤との
混合体を添加し、′両者を湿式ミルにより２０時間攪拌
・混合した後、スプレードライヤにより乾燥・造粒した
。得られた混合粉末を、里鉛型内に詰め込み、Ａｒ気流
中にて１８５０°Ｃ，２００Ｋｇ／ｃｍ２の条件でホッ
トプレスにより３０分間の一軸加圧焼結を行い、焼結体
（即ちＡｌ２０１基セラミックス）を得た。このように
すると焼結体中のウィスカばボットプレス面に平行に２
次元に配向させ得る。尚ＳｉＣウィスカ及びＴｉＣ等の
添加量、焼結助剤の種類及び添加量を第１〜２表に示す
如く変化させた。ＳｉＣウィスカ含有量は２０又は３０
ｗｔχである。
に添加し、超音波エネルギを３０分間付与し、溶媒中に
均一に分散させ、スラリを得た。該スラリにＡＩｔＯｚ
粉末、或いはＡ１□０３粉末とＴｉＣ等や焼結助剤との
混合体を添加し、′両者を湿式ミルにより２０時間攪拌
・混合した後、スプレードライヤにより乾燥・造粒した
。得られた混合粉末を、里鉛型内に詰め込み、Ａｒ気流
中にて１８５０°Ｃ，２００Ｋｇ／ｃｍ２の条件でホッ
トプレスにより３０分間の一軸加圧焼結を行い、焼結体
（即ちＡｌ２０１基セラミックス）を得た。このように
すると焼結体中のウィスカばボットプレス面に平行に２
次元に配向させ得る。尚ＳｉＣウィスカ及びＴｉＣ等の
添加量、焼結助剤の種類及び添加量を第１〜２表に示す
如く変化させた。ＳｉＣウィスカ含有量は２０又は３０
ｗｔχである。
上記焼結体から、ホントプレス面とチップのすくい面と
が平行になるように５．２ ＸＩ３．５Ｘ］３．５ｍｍ
の千ノブを切り出し、これをチップ研磨機により５ＮＧ
Ｎ ４３４ Ｔ−４の形状（ＩＳＯ規格）に加工した。
が平行になるように５．２ ＸＩ３．５Ｘ］３．５ｍｍ
の千ノブを切り出し、これをチップ研磨機により５ＮＧ
Ｎ ４３４ Ｔ−４の形状（ＩＳＯ規格）に加工した。
このチップの正面図を第１図に、側面図を第２１；２Ｉ
に示す。これらの図において、〔１）はすくい面、（２
）は丸コーナ部、（３）はホーニング部、（４）はホー
ニング巾を示すものである。丸コーナ部（２）のコーナ
半径は１．６ｍｍ 、ホーニング巾（４）は０．２１で
ある。
に示す。これらの図において、〔１）はすくい面、（２
）は丸コーナ部、（３）はホーニング部、（４）はホー
ニング巾を示すものである。丸コーナ部（２）のコーナ
半径は１．６ｍｍ 、ホーニング巾（４）は０．２１で
ある。
このようにして得たチップは、本発明に係る千ノブの実
施例であり、本発明に係るチップの条件を全て充たして
いるものである。
施例であり、本発明に係るチップの条件を全て充たして
いるものである。
上記千ノブをハイドに取りつけて工具とし、これらを用
いて下記切削試験を行った。
いて下記切削試験を行った。
即ちＦｅ１２を被削材とし、切削速度： ３００ｍ／ｍ
ｉｎ切り込みｉｌ：５ｍｍ、送りｆ ： ０．２５ｍｍ
／ｒｅｖで切削試験し、欠損までの時間を最高３０分ま
で測定した。
ｉｎ切り込みｉｌ：５ｍｍ、送りｆ ： ０．２５ｍｍ
／ｒｅｖで切削試験し、欠損までの時間を最高３０分ま
で測定した。
ＦＣＤ４５を被削材とし、切削速度： ２５０ｍ／ｍｉ
ｎ、切り込みＩ：５ｍｎ＋、送り量： ０．２５ｎｍ／
ｒｅｖ（７）切削試験、ＭＤＩを被削材とし、切削速度
： １００＋＋＋／ｍｉｎ、切り込み量：５ｍｍ、送り
！ ： ０．２０ｍｍ／ｒｅｖの切削試験、又、２７％
Ｃｒ鋳鉄を被削材とし、切削速度：４０ｍ＋／ｓｉｎ切
り込み量＝５１．送り量： ０．１５ｍｍ１ｒｅｖの切
削試験も行った。上記試験結果を、実施例Ｉで用いたチ
ップの組成と共に第１表及び第２表に示す。
ｎ、切り込みＩ：５ｍｎ＋、送り量： ０．２５ｎｍ／
ｒｅｖ（７）切削試験、ＭＤＩを被削材とし、切削速度
： １００＋＋＋／ｍｉｎ、切り込み量：５ｍｍ、送り
！ ： ０．２０ｍｍ／ｒｅｖの切削試験、又、２７％
Ｃｒ鋳鉄を被削材とし、切削速度：４０ｍ＋／ｓｉｎ切
り込み量＝５１．送り量： ０．１５ｍｍ１ｒｅｖの切
削試験も行った。上記試験結果を、実施例Ｉで用いたチ
ップの組成と共に第１表及び第２表に示す。
裏隻班Ｉ
実施例１と同様のチップをフライスカッター（Φ２００
．７枚歯）に取り付けて工具とし、これらを用いて下記
切削試験を行った。
．７枚歯）に取り付けて工具とし、これらを用いて下記
切削試験を行った。
即ち、Ｆｅ１２を被削材とし、切削速度＝２５抛／ｗｉ
ｎ切り込み量：５ｖ＋＋、送り量： ０．２０ｍｍ／１
ｏｏｔｈで切削試験し、欠損までの時間を最高６０分ま
で測定した。
ｎ切り込み量：５ｖ＋＋、送り量： ０．２０ｍｍ／１
ｏｏｔｈで切削試験し、欠損までの時間を最高６０分ま
で測定した。
ＦＣＤ４５を被削材とし、切削速度： ２００ｍ／ｌｌ
１ｎ、切り込み量：５１．送り量： ０．２０ｗｍ／１
ｏｏｔｈの切削試験、ＡＤＩを被削材とし、切削速度：
１００ｍ／ｓｉｎ、切り込みｌ）：５ｍｍ、送り量：
０．２５ｍ５＋／１ｏｏｔｈの切削試験、又、２７％
Ｃｒ鋳鉄を被削材とし、切削速度＝４０ｍ／ｓｉｎ、切
り込み量：５ｍｍ、送りＩ： ０．１４＋＋＋ｗ／１ｏ
ｏｔｈの切削試験を行った。上記試験結果を、実施例２
で用いたチップの組成と共に第３表及び第４表に示す。
１ｎ、切り込み量：５１．送り量： ０．２０ｗｍ／１
ｏｏｔｈの切削試験、ＡＤＩを被削材とし、切削速度：
１００ｍ／ｓｉｎ、切り込みｌ）：５ｍｍ、送り量：
０．２５ｍ５＋／１ｏｏｔｈの切削試験、又、２７％
Ｃｒ鋳鉄を被削材とし、切削速度＝４０ｍ／ｓｉｎ、切
り込み量：５ｍｍ、送りＩ： ０．１４＋＋＋ｗ／１ｏ
ｏｔｈの切削試験を行った。上記試験結果を、実施例２
で用いたチップの組成と共に第３表及び第４表に示す。
止較■上
実施例Ｉと同様の方法（操作、手順、条件）により、焼
結体を得た。このときのＳｉＣウィスカ、ＴｉＣ等の添
加量を第１表及び第２表に示す。尚、ウィスカ中の○量
は実験Ｎｏ、１５及び１６が０．２及び２、Ｏｗｔχで
あり、その他は０．６ｗｔχである。
結体を得た。このときのＳｉＣウィスカ、ＴｉＣ等の添
加量を第１表及び第２表に示す。尚、ウィスカ中の○量
は実験Ｎｏ、１５及び１６が０．２及び２、Ｏｗｔχで
あり、その他は０．６ｗｔχである。
上記焼結体から、実施例１と同様の方法により、同様の
寸法のチップを切り出した。但し、実験Ｎｏ、１５のも
のは、実施例１の場合と異なり、ホントプレス面とチッ
プのすくい面とが直交するように切り出した。尚、焼結
体中のウィスカをアトランダムに配向させた焼結体から
なるチップも比較のために製作した。実験Ｎｏ、１４の
ものがこれに相当する。
寸法のチップを切り出した。但し、実験Ｎｏ、１５のも
のは、実施例１の場合と異なり、ホントプレス面とチッ
プのすくい面とが直交するように切り出した。尚、焼結
体中のウィスカをアトランダムに配向させた焼結体から
なるチップも比較のために製作した。実験Ｎｏ、１４の
ものがこれに相当する。
上記チップをバイトに取りつけて工具とし、実施例１と
同様の切削試験を行った。その結果を、比較例１で用い
たチップの組成と共に第１表及び第２表に示す。
同様の切削試験を行った。その結果を、比較例１で用い
たチップの組成と共に第１表及び第２表に示す。
北較±１
第１表
第２表
（以下、余白）
第３表
第４表
（以下、余白）
比較例１と同様の千ノブをフライスカンタ−に取り付け
て工具とし、実施例２と同様の切削試験を行った。その
結果を、比較例１で用いたチップの組成と共に第３表及
び第４表に示す。
て工具とし、実施例２と同様の切削試験を行った。その
結果を、比較例１で用いたチップの組成と共に第３表及
び第４表に示す。
比較■主
ＭｇＯ：Ｏ，１ｗｔχのＡｌ２Ｏ３系チンブ、Ａｌｚ（
ｈニア０ｗｔχＴｉｃ：３０ｗｔχ、焼結助剤としてＹ
ｔＯｓ：１ｗｔχ＋ Ｚｒ０ｚ：１ｗｔχを含有させた
Ａｌ２Ｏ３〜ＴｉＣ系チツプ、焼結助剤としてＹｚＯｓ
：５ｗｔχ＋ ＡｈＯｓ：５ｗｔχを含有させた５ｉｉ
Ｎ４系チツプ、Ｐ−３０の超硬チップを各々用い、実施
例１と同様の切削試験を行った。
ｈニア０ｗｔχＴｉｃ：３０ｗｔχ、焼結助剤としてＹ
ｔＯｓ：１ｗｔχ＋ Ｚｒ０ｚ：１ｗｔχを含有させた
Ａｌ２Ｏ３〜ＴｉＣ系チツプ、焼結助剤としてＹｚＯｓ
：５ｗｔχ＋ ＡｈＯｓ：５ｗｔχを含有させた５ｉｉ
Ｎ４系チツプ、Ｐ−３０の超硬チップを各々用い、実施
例１と同様の切削試験を行った。
超硬チップは、いづれの切削試験でもクレータ摩耗が大
きく、５分以内に切削不能になった。
きく、５分以内に切削不能になった。
Ａ１□０．系チップやＡｈ（ｈ−ＴｉＣ系チップは、試
験開始と同時に欠損を生じた。５ｉＪａ系チツプは、大
きなコーナ摩耗を生した後、３分以内に欠損を生じ、安
定した切削ができなかった。
験開始と同時に欠損を生じた。５ｉＪａ系チツプは、大
きなコーナ摩耗を生した後、３分以内に欠損を生じ、安
定した切削ができなかった。
（発明の効果）
本発明に係る鋳鉄の高能率切削方法によれば、従来セラ
ミックスチップ法の場合に比し、難削性鋳鉄をチップ欠
損を生ずることなく高切り込み量、且つ、同等もしくは
それ以上の高速度で切削し得るようになる。従って、従
来超硬チップ法及び従来セラミックスチップ法の場合に
比して難削性鋳鉄を高能率で切削し得るようになり、そ
の結果難削性鋳鉄の切削加工時間を短縮し得るようにな
る。
ミックスチップ法の場合に比し、難削性鋳鉄をチップ欠
損を生ずることなく高切り込み量、且つ、同等もしくは
それ以上の高速度で切削し得るようになる。従って、従
来超硬チップ法及び従来セラミックスチップ法の場合に
比して難削性鋳鉄を高能率で切削し得るようになり、そ
の結果難削性鋳鉄の切削加工時間を短縮し得るようにな
る。
第１図は、実施例Ｉに係るスローアウエイチ。
プの形状を示す正面図、第２図は、実施例１に係るスロ
ーアウェイチップの形状を示す側面図である。 （１）−すくい面 （２）−丸コーナ部（３）−
ホーニング部 （４）−ホーニング巾特許出願人 株
式会社 神戸製鋼所 代 理 人 弁理士 金丸 章−
ーアウェイチップの形状を示す側面図である。 （１）−すくい面 （２）−丸コーナ部（３）−
ホーニング部 （４）−ホーニング巾特許出願人 株
式会社 神戸製鋼所 代 理 人 弁理士 金丸 章−
Claims (1)
- （１）鋳鉄を高速，高切り込み量の高能率でスローアウ
ェイチップにより切削する方法であって、スローアウェ
イチップが、ＳｉＣウイスカ：３〜４０ｗｔ％を含むと
共に該ウイスカをチップのすくい面に略平行に配向させ
たＡｌ＿２Ｏ＿３基セラミックスよりなることを特徴と
する鋳鉄の高能率切削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2104979A JP2879931B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 鋳鉄の高能率切削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2104979A JP2879931B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 鋳鉄の高能率切削方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042403A true JPH042403A (ja) | 1992-01-07 |
| JP2879931B2 JP2879931B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=14395212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2104979A Expired - Fee Related JP2879931B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 鋳鉄の高能率切削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2879931B2 (ja) |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP2104979A patent/JP2879931B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2879931B2 (ja) | 1999-04-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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