JPH04235745A - 大気清浄化方法 - Google Patents
大気清浄化方法Info
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- JPH04235745A JPH04235745A JP3004108A JP410891A JPH04235745A JP H04235745 A JPH04235745 A JP H04235745A JP 3004108 A JP3004108 A JP 3004108A JP 410891 A JP410891 A JP 410891A JP H04235745 A JPH04235745 A JP H04235745A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は大気清浄化方法、特に垂
直層流式クリーンルームに用いる大気清浄化方法の改良
に関する。
直層流式クリーンルームに用いる大気清浄化方法の改良
に関する。
【０００２】近年半導体素子の微細化に伴い、清浄度管
理対称物質も微粒子から原子、分子等のガス状物質へと
移行しつつある。これらガス状物質の中、特に陰イオン
は直接半導体ウエーハに付着してアルミニウム配線等の
腐蝕の原因となり、またクリーンルーム内で使用中の装
置に付着してその金属部を腐蝕し、そこから発生するパ
ーティクルによるクリーンルーム汚染の原因ともなる。 またガス状の金属イオンも、ウエーハに直接吸着されれ
ば当然素子性能の劣化を生ずる。以上の諸点からクリー
ンルーム内へ供給する大気に含まれる陰イオン、金属イ
オン等のガス状汚染物質を除去することが必要になる。
理対称物質も微粒子から原子、分子等のガス状物質へと
移行しつつある。これらガス状物質の中、特に陰イオン
は直接半導体ウエーハに付着してアルミニウム配線等の
腐蝕の原因となり、またクリーンルーム内で使用中の装
置に付着してその金属部を腐蝕し、そこから発生するパ
ーティクルによるクリーンルーム汚染の原因ともなる。 またガス状の金属イオンも、ウエーハに直接吸着されれ
ば当然素子性能の劣化を生ずる。以上の諸点からクリー
ンルーム内へ供給する大気に含まれる陰イオン、金属イ
オン等のガス状汚染物質を除去することが必要になる。
【０００３】
【従来の技術】図２は従来の垂直層流式クリーンルーム
の概略図で、１はクリーンルーム、２はＨＥＰＡ（ｈｉ
ｇｈ ｅｆｆｉｃｉｅｎｙ ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ
ａｉｒ） フィルター、３は通気機能を有する簀子状の
床、４は吸気ダクト、５は吸気ファン、６は送気ダクト
を示す。
の概略図で、１はクリーンルーム、２はＨＥＰＡ（ｈｉ
ｇｈ ｅｆｆｉｃｉｅｎｙ ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ
ａｉｒ） フィルター、３は通気機能を有する簀子状の
床、４は吸気ダクト、５は吸気ファン、６は送気ダクト
を示す。
【０００４】この図のように従来のクリーンルームの構
成においては、クリーンルーム１の天井全面にＨＥＰＡ
フィルター２が取付けられた空気噴出口を有する送気ダ
クト６と、簀子状床３の床下に開口する吸気ダクト４と
を吸気ファン５を介して接続して、クリーンルーム１内
の空気をＨＥＰＡフィルター２を通し循環させることに
よって、室内の清浄化が行われており、専ら ０．１μ
ｍ以上の大きさの微粒子が清浄度管理対象物質として除
去されていた。
成においては、クリーンルーム１の天井全面にＨＥＰＡ
フィルター２が取付けられた空気噴出口を有する送気ダ
クト６と、簀子状床３の床下に開口する吸気ダクト４と
を吸気ファン５を介して接続して、クリーンルーム１内
の空気をＨＥＰＡフィルター２を通し循環させることに
よって、室内の清浄化が行われており、専ら ０．１μ
ｍ以上の大きさの微粒子が清浄度管理対象物質として除
去されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来のクリー
ンルーム１においては、上記ＨＥＰＡフィルター２を通
過する陰イオンや金属イオン等のガス状汚染物質が供給
される大気中に含まれる量を制御することは不可能であ
り、そのためにクリーンルーム内で上記ガス状汚染物質
は順次蓄積されて常に滞留する。またガラス系の材料か
らなる微粒子除去用のＨＥＰＡフィルター２は弗酸（Ｈ
Ｆ）等のガスにより分解され易く、このフィルターから
も汚染物質が放出され、前記ガス状汚染物質やフィルタ
ーから発生する汚染物質が半導体ウエーハに付着して、
このウエーハを用いて製造される半導体装置の製造歩留
りや信頼性が低下するという問題があった。
ンルーム１においては、上記ＨＥＰＡフィルター２を通
過する陰イオンや金属イオン等のガス状汚染物質が供給
される大気中に含まれる量を制御することは不可能であ
り、そのためにクリーンルーム内で上記ガス状汚染物質
は順次蓄積されて常に滞留する。またガラス系の材料か
らなる微粒子除去用のＨＥＰＡフィルター２は弗酸（Ｈ
Ｆ）等のガスにより分解され易く、このフィルターから
も汚染物質が放出され、前記ガス状汚染物質やフィルタ
ーから発生する汚染物質が半導体ウエーハに付着して、
このウエーハを用いて製造される半導体装置の製造歩留
りや信頼性が低下するという問題があった。
【０００６】そこで本発明は、クリーンルーム内に滞留
するガス状汚染物質を除去し、クリーンルーム内で製造
される半導体装置等の製造歩留りや信頼性を向上せしめ
ることを目的とする。
するガス状汚染物質を除去し、クリーンルーム内で製造
される半導体装置等の製造歩留りや信頼性を向上せしめ
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、垂直層流式
クリーンルーム（１）に用いる大気清浄化方法であって
、リターンエアー（１３）がフィルター（２） を通過
する前に、該リターンエアー（１３）を希硝酸（１４）
若しくは希塩酸の水溶液中及び純水（１５）中とを順に
通過させる本発明による大気清浄化方法、若しくは前記
希硝酸（１４）若しくは希塩酸の水溶液及び純水（１５
）は、各々シャワー部（８）（１１） にて供給され、
前記リターンエアー（１３）は該シャワー部（８）（１
１） を通過する前記本発明による大気清浄化方法によ
って解決される。
クリーンルーム（１）に用いる大気清浄化方法であって
、リターンエアー（１３）がフィルター（２） を通過
する前に、該リターンエアー（１３）を希硝酸（１４）
若しくは希塩酸の水溶液中及び純水（１５）中とを順に
通過させる本発明による大気清浄化方法、若しくは前記
希硝酸（１４）若しくは希塩酸の水溶液及び純水（１５
）は、各々シャワー部（８）（１１） にて供給され、
前記リターンエアー（１３）は該シャワー部（８）（１
１） を通過する前記本発明による大気清浄化方法によ
って解決される。
【０００８】
【作用】即ち本発明の方法においては、クリーンルーム
のリターンエアーを、希硝酸若しくは希塩酸のシャワー
中を通過させることによって、リターンエアー中に含ま
れるナトリウム（Ｎａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等の金属イオンを前記希酸
中に吸着除去し、その後にこのリターンエアーを、純水
のシャワー中を通過させることによりこのリターンエア
ー中に含まれる弗素（Ｆ） 、塩素（Ｃｌ）、硝酸（Ｎ
Ｏ３） 、硫酸（ＳＯ４） 等の陰イオンを純水中に吸
着除去する。
のリターンエアーを、希硝酸若しくは希塩酸のシャワー
中を通過させることによって、リターンエアー中に含ま
れるナトリウム（Ｎａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等の金属イオンを前記希酸
中に吸着除去し、その後にこのリターンエアーを、純水
のシャワー中を通過させることによりこのリターンエア
ー中に含まれる弗素（Ｆ） 、塩素（Ｃｌ）、硝酸（Ｎ
Ｏ３） 、硫酸（ＳＯ４） 等の陰イオンを純水中に吸
着除去する。
【０００９】これによりクリーンルーム中に滞留する陰
イオンや金属イオン等のガス状汚染物質の量は減少する
と同時に、陰イオンによるフィルターの腐蝕によって生
ずるパーティクルの量も大幅に減少する。従って上記ク
リーンルーム内で製造される半導体装置の清浄度が確保
されてその製造歩留りや信頼性が向上する。
イオンや金属イオン等のガス状汚染物質の量は減少する
と同時に、陰イオンによるフィルターの腐蝕によって生
ずるパーティクルの量も大幅に減少する。従って上記ク
リーンルーム内で製造される半導体装置の清浄度が確保
されてその製造歩留りや信頼性が向上する。
【００１０】
【実施例】以下本発明を一実施例について、図１に示す
本発明に係るクリーンルームの一実施例の概略図を参照
し具体的に説明する。
本発明に係るクリーンルームの一実施例の概略図を参照
し具体的に説明する。
【００１１】図１において、１はクリーンルーム、２は
ＨＥＰＡ（ｈｉｇｈ ｅｆｆｉｃｉｅｎｙ ｐａｒｔｉ
ｃｕｌａｔｅ ａｉｒ） フィルター、３は通気機能を
有する簀子状の床、４は吸気ダクト、５は吸気ファン、
６は送気ダクト、７は希硝酸または希塩酸を供給する希
酸供給管、８は希硝酸または希塩酸による希酸シャワー
部、９は希酸廃棄管、１０は純水供給管、１１は純水シ
ャワー部、１２は純水廃棄管を示す。
ＨＥＰＡ（ｈｉｇｈ ｅｆｆｉｃｉｅｎｙ ｐａｒｔｉ
ｃｕｌａｔｅ ａｉｒ） フィルター、３は通気機能を
有する簀子状の床、４は吸気ダクト、５は吸気ファン、
６は送気ダクト、７は希硝酸または希塩酸を供給する希
酸供給管、８は希硝酸または希塩酸による希酸シャワー
部、９は希酸廃棄管、１０は純水供給管、１１は純水シ
ャワー部、１２は純水廃棄管を示す。
【００１２】この図に示されるように本発明に係る大気
清浄化方法を用いた垂直層流式クリーンルームにおいて
は、リターンエアー１３が送気ダクト６先端部に取付け
られているＨＥＰＡフィルター２を通過してクリーンル
ーム１内へ導入される手前、即ち図示装置においてはエ
アーのリターンに寄与している吸気ファン５の手前に、
吸気ダクト４により相互に接続して、希酸シャワー部８
と純水シャワー部１１とを吸気ダクト４のクリーンルー
ム１側開口部側からフィルター２側に向かって順番に設
けた。そして希酸シャワー部８には希酸供給管７により
上部から例えば濃度０．１〜０．５ ％程度の希硝酸１
４をシャワー状に噴射せしめると同時に、純水シャワー
部１１には純水供給管１０により上部から純水１５をシ
ャワー状に噴射させる。そしてクリーンルーム１の床下
から吸気されてくる汚染されたリターンエアー１３は上
記希酸シャワー部８において希硝酸１４のシャワー中を
通過し、その間にリターンエアー１３中に含まれるＮａ
、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属イオンは希硝酸１４によっ
て吸着除去され、次いで純水シャワー部１１において純
水１５のシャワー中を通過し、その間に上記リターンエ
アー１３中に含まれるＦ、Ｃｌ、ＳＯ４ 等の陰イオン
及び前記希硝酸のミストが純水１５によって吸着除去さ
れ、上記金属イオン及び陰イオンの除去されたリターン
エアー１３がＨＥＰＡフィルター２を通してクリーンル
ーム１内へ噴出される。
清浄化方法を用いた垂直層流式クリーンルームにおいて
は、リターンエアー１３が送気ダクト６先端部に取付け
られているＨＥＰＡフィルター２を通過してクリーンル
ーム１内へ導入される手前、即ち図示装置においてはエ
アーのリターンに寄与している吸気ファン５の手前に、
吸気ダクト４により相互に接続して、希酸シャワー部８
と純水シャワー部１１とを吸気ダクト４のクリーンルー
ム１側開口部側からフィルター２側に向かって順番に設
けた。そして希酸シャワー部８には希酸供給管７により
上部から例えば濃度０．１〜０．５ ％程度の希硝酸１
４をシャワー状に噴射せしめると同時に、純水シャワー
部１１には純水供給管１０により上部から純水１５をシ
ャワー状に噴射させる。そしてクリーンルーム１の床下
から吸気されてくる汚染されたリターンエアー１３は上
記希酸シャワー部８において希硝酸１４のシャワー中を
通過し、その間にリターンエアー１３中に含まれるＮａ
、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属イオンは希硝酸１４によっ
て吸着除去され、次いで純水シャワー部１１において純
水１５のシャワー中を通過し、その間に上記リターンエ
アー１３中に含まれるＦ、Ｃｌ、ＳＯ４ 等の陰イオン
及び前記希硝酸のミストが純水１５によって吸着除去さ
れ、上記金属イオン及び陰イオンの除去されたリターン
エアー１３がＨＥＰＡフィルター２を通してクリーンル
ーム１内へ噴出される。
【００１３】なおこの装置で、希硝酸１４の廃液及び純
水１５の廃液に含まれる不純物量を測定したところ、も
との希硝酸１４及び純水１５に比べて金属イオンや陰イ
オンが多量に検出され、金属イオンや陰イオンの除去効
果が十分にあることが確かめられた。
水１５の廃液に含まれる不純物量を測定したところ、も
との希硝酸１４及び純水１５に比べて金属イオンや陰イ
オンが多量に検出され、金属イオンや陰イオンの除去効
果が十分にあることが確かめられた。
【００１４】また上記クリーンルームと同種の構成を有
するクリーンブースに上記本発明の大気清浄化方法を適
用して、クリーンブース雰囲気中の金属イオン及び陰イ
オン量を測定した結果、本発明の方法を用いない従来の
クリーンブースに対してイオン量は１０分の１以下に減
少されていた。
するクリーンブースに上記本発明の大気清浄化方法を適
用して、クリーンブース雰囲気中の金属イオン及び陰イ
オン量を測定した結果、本発明の方法を用いない従来の
クリーンブースに対してイオン量は１０分の１以下に減
少されていた。
【００１５】上記実施例においては酸によるシャワーに
０．１〜０．５％の希硝酸を用いたが、０．１〜０．
５ ％の希塩酸を用いてもほぼ同様の効果が得られる。
０．１〜０．５％の希硝酸を用いたが、０．１〜０．
５ ％の希塩酸を用いてもほぼ同様の効果が得られる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明のように本発明の大気清浄化方
法によれば、希硝酸若しくは希塩酸を用いたシャワーと
純水を用いたシャワーとによってクリーンルームのリタ
ーンエアー中に含まれる金属イオン、陰イオン等のガス
状汚染物質が吸着除去されると同時に、弗素等の陰イオ
ンによって生じていたフィルターの分解も防止されて、
クリーンルーム内の清浄度が向上し、クリーンルーム内
で製造される半導体装置等の製造歩留りや信頼性の向上
が図れる。
法によれば、希硝酸若しくは希塩酸を用いたシャワーと
純水を用いたシャワーとによってクリーンルームのリタ
ーンエアー中に含まれる金属イオン、陰イオン等のガス
状汚染物質が吸着除去されると同時に、弗素等の陰イオ
ンによって生じていたフィルターの分解も防止されて、
クリーンルーム内の清浄度が向上し、クリーンルーム内
で製造される半導体装置等の製造歩留りや信頼性の向上
が図れる。
【図１】 本発明に係るクリーンルームの一実施例の
概略図
概略図
【図２】 従来の垂直層流式クリーンルームの概略図
１はクリーンルーム
２はＨＥＰＡフィルター
３は簀子状の床
４は吸気ダクト
５は吸気ファン
６は送気ダクト
７は希酸供給管
８は希酸シャワー部
９は希酸廃棄管
１０は純水供給管
１１は純水シャワー部
１２は純水廃棄管
１３はリターンエアー
１４は希硝酸
１５は純水
Claims (2)
- 【請求項１】 垂直層流式クリーンルーム（１） に
用いる大気清浄化方法であって、リターンエアー（１３
）がフィルター（２） を通過する前に、該リターンエ
アー（１３）を希硝酸（１４）若しくは希塩酸の水溶液
中及び純水（１５）中とを順に通過させることを特徴と
する大気清浄化方法。 - 【請求項２】 前記希硝酸（１４）若しくは希塩酸の
水溶液及び純水（１５）は、各々シャワー部（８）（１
１） にて供給され、前記リターンエアー（１３）は該
シャワー部（８）（１１） を通過することを特徴とす
る請求項１記載の大気清浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004108A JP2870198B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 大気清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004108A JP2870198B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 大気清浄化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04235745A true JPH04235745A (ja) | 1992-08-24 |
| JP2870198B2 JP2870198B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=11575599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3004108A Expired - Lifetime JP2870198B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 大気清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2870198B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11156139A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Toshiba Corp | 外気処理装置及び外気清浄化システム |
| JP2002282712A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | パージ容器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102371499B1 (ko) | 2020-03-31 | 2022-03-07 | 주식회사 아이엠씨 | 방열 폼 테이프 |
| KR102600530B1 (ko) | 2020-03-31 | 2023-11-09 | 주식회사 아이엠씨 | 방열 폼 테이프 |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP3004108A patent/JP2870198B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11156139A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Toshiba Corp | 外気処理装置及び外気清浄化システム |
| JP2002282712A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | パージ容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2870198B2 (ja) | 1999-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981201 |