JPH04232902A - 部分的又は完全にくぼんだ微細レンズの製作 - Google Patents
部分的又は完全にくぼんだ微細レンズの製作Info
- Publication number
- JPH04232902A JPH04232902A JP3118964A JP11896491A JPH04232902A JP H04232902 A JPH04232902 A JP H04232902A JP 3118964 A JP3118964 A JP 3118964A JP 11896491 A JP11896491 A JP 11896491A JP H04232902 A JPH04232902 A JP H04232902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- island
- bake
- layer
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)(Cl)Cl PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 235000019404 dichlorodifluoromethane Nutrition 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Cl AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- UMNKXPULIDJLSU-UHFFFAOYSA-N dichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)Cl UMNKXPULIDJLSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- KCBJDDCXBCEDRU-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydro-2h-borole Chemical compound C1CB=CC1 KCBJDDCXBCEDRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHWYHTJMGYCPBU-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Si]=O Chemical class [Ge].[Si]=O AHWYHTJMGYCPBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- LHMHCLYDBQOYTO-UHFFFAOYSA-N bromofluoromethane Chemical compound FCBr LHMHCLYDBQOYTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229940099364 dichlorofluoromethane Drugs 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
- G02B3/0018—Reflow, i.e. characterized by the step of melting microstructures to form curved surfaces, e.g. manufacturing of moulds and surfaces for transfer etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00365—Production of microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30621—Vapour phase etching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は光学レンズの製作、より具体的に
は微細レンズ（マイクロレンズ）、即ちＩＩＩ−Ｖ半導
体及び他の材料中に１００μｍより小さい厚さを有する
レンズの製作方法に係る。ここで用いるように、”レン
ズ”という用語は任意の両面凸状の表面を含む。
は微細レンズ（マイクロレンズ）、即ちＩＩＩ−Ｖ半導
体及び他の材料中に１００μｍより小さい厚さを有する
レンズの製作方法に係る。ここで用いるように、”レン
ズ”という用語は任意の両面凸状の表面を含む。
【０００２】
【本発明の背景】レンズ及び微細レンズは、各種の用途
で有用である。そのような用途には、例えば、なだれフ
ォトダイオード（ＡＰＤ）のような ＩＩＩ−Ｖ半導体
光検出器に光ファイバから光を結合するとともに、ＩＩ
Ｉ−Ｖ半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）から光ファイバ
へ光ビームを結合させることが含まれる。そのような用
途はまた、１つのファイバから他のファイバ又は複数の
他のファイバへ光ビームを結合することを含む。他のあ
る種の用途では、鏡を形成するために、レンズは金属加
工（薄い金属層で被覆される）される。
で有用である。そのような用途には、例えば、なだれフ
ォトダイオード（ＡＰＤ）のような ＩＩＩ−Ｖ半導体
光検出器に光ファイバから光を結合するとともに、ＩＩ
Ｉ−Ｖ半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）から光ファイバ
へ光ビームを結合させることが含まれる。そのような用
途はまた、１つのファイバから他のファイバ又は複数の
他のファイバへ光ビームを結合することを含む。他のあ
る種の用途では、鏡を形成するために、レンズは金属加
工（薄い金属層で被覆される）される。
【０００３】ＩｎＰ（インジウムリン）微細レンズの製
作方法については、ジャーナル・エレクトロケミカル・
ソサイアティ（Ｊ． Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ． Ｓｏ
ｃ．）ソリッド−ステート・サイエンス・アンド・テク
ノロジー（Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、第１３１巻、第１０
号、２３７３−２３８０頁（１９８４）に、オー・ワダ
（Ｏ．Ｗａｄａ）により発表された“ＩｎＰのイオンビ
ームエッチング及び高抵抗ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ発光
ダイオードの製作への応用”と題する論文に述べられて
いる。その方法では、第１のフォトレジスト層を、Ｉｎ
Ｐ基板の主表面上に堆積させる。次に、通常のフォトリ
ソグラフィ技術により、円筒上の島（複数）にのみパタ
ーン形成される。次にレジストはＵＶ放射に均一に露出
される。次に、パターン形成されたフォトレジストは、
十分高温で焼きなましをし、各島がその周界及び表面張
力で形の決まるドーム又は球形をもつ島に変形するよう
にする。次に、基板をアルゴン・イオンエッチングし、
ビームは基板の主表面上の法線に対し、角度θの方向に
向けられる。エッチング中、基板の主表面に垂直な球周
界の半径に沿った軸のまわりに回転させる。このように
して、最終的な結果は、基板中に形成された（長円形）
の非球面微細レンズである。
作方法については、ジャーナル・エレクトロケミカル・
ソサイアティ（Ｊ． Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ． Ｓｏ
ｃ．）ソリッド−ステート・サイエンス・アンド・テク
ノロジー（Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、第１３１巻、第１０
号、２３７３−２３８０頁（１９８４）に、オー・ワダ
（Ｏ．Ｗａｄａ）により発表された“ＩｎＰのイオンビ
ームエッチング及び高抵抗ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ発光
ダイオードの製作への応用”と題する論文に述べられて
いる。その方法では、第１のフォトレジスト層を、Ｉｎ
Ｐ基板の主表面上に堆積させる。次に、通常のフォトリ
ソグラフィ技術により、円筒上の島（複数）にのみパタ
ーン形成される。次にレジストはＵＶ放射に均一に露出
される。次に、パターン形成されたフォトレジストは、
十分高温で焼きなましをし、各島がその周界及び表面張
力で形の決まるドーム又は球形をもつ島に変形するよう
にする。次に、基板をアルゴン・イオンエッチングし、
ビームは基板の主表面上の法線に対し、角度θの方向に
向けられる。エッチング中、基板の主表面に垂直な球周
界の半径に沿った軸のまわりに回転させる。このように
して、最終的な結果は、基板中に形成された（長円形）
の非球面微細レンズである。
【０００４】上で述べた方法で得られた微細レンズは、
（イオンビームに対して法線が約６０°をなす球状表面
の部分を除いて）好ましくない表面の荒れをもつ。その
ような荒れは、湿式エッチングにより改善されるが、そ
のようなプロセスはプロセスのパラメータに対する注意
深い制御を必要とする余分な工程を必要とする。更に、
上で述べた方法により得られた微細レンズの焦点距離に
対する直径の比は、いくつかの実際的な用途にとって必
要なほど高くない。また、フォトレジストマスクに対す
る基板のエッチ速度Ｋ（上で述べた論文の２３７８頁で
用いられている）の不均一な比のため、基板表面に垂直
な１つの対称軸のみを有する長円形非球面微細レンズの
みが、上で述べた方法により得られる。しかし、ある種
の用途では、半導体端面レーザが円筒状に修正された微
細レンズにより、円状ファイバに結合されるようなシス
テムなどにおいて、球面レンズ、扁平な長円形レンズ又
は基板表面中で２つの対称軸をもつ非点収差のある非球
形レンズが必要である。最後に、いくつかの用途、特に
レンズが最終的にデバイス機能に対して必要な金属又は
他の構造に対して保護すべき場合に、レンズ又は鏡は基
板表面から完全にくぼむか、機械的な保護のため、少く
とも一部はくぼんでいることが望ましい。ここで用いる
“一部分がくぼんだ“という用語は、各レンズが基板上
に配置された材料層で囲まれ、レンズの厚さ（高さｈ）
の本質的な一部（１より小さい）に等しい状況をさし、
一方“完全にくぼんだ”という用語は、囲んでいる材料
の層が、レンズの高さと等しいかそれより大きい高さを
もつ状況をさす。しかし、上で述べた方法により作られ
たレンズは、少しもくぼんではいない。
（イオンビームに対して法線が約６０°をなす球状表面
の部分を除いて）好ましくない表面の荒れをもつ。その
ような荒れは、湿式エッチングにより改善されるが、そ
のようなプロセスはプロセスのパラメータに対する注意
深い制御を必要とする余分な工程を必要とする。更に、
上で述べた方法により得られた微細レンズの焦点距離に
対する直径の比は、いくつかの実際的な用途にとって必
要なほど高くない。また、フォトレジストマスクに対す
る基板のエッチ速度Ｋ（上で述べた論文の２３７８頁で
用いられている）の不均一な比のため、基板表面に垂直
な１つの対称軸のみを有する長円形非球面微細レンズの
みが、上で述べた方法により得られる。しかし、ある種
の用途では、半導体端面レーザが円筒状に修正された微
細レンズにより、円状ファイバに結合されるようなシス
テムなどにおいて、球面レンズ、扁平な長円形レンズ又
は基板表面中で２つの対称軸をもつ非点収差のある非球
形レンズが必要である。最後に、いくつかの用途、特に
レンズが最終的にデバイス機能に対して必要な金属又は
他の構造に対して保護すべき場合に、レンズ又は鏡は基
板表面から完全にくぼむか、機械的な保護のため、少く
とも一部はくぼんでいることが望ましい。ここで用いる
“一部分がくぼんだ“という用語は、各レンズが基板上
に配置された材料層で囲まれ、レンズの厚さ（高さｈ）
の本質的な一部（１より小さい）に等しい状況をさし、
一方“完全にくぼんだ”という用語は、囲んでいる材料
の層が、レンズの高さと等しいかそれより大きい高さを
もつ状況をさす。しかし、上で述べた方法により作られ
たレンズは、少しもくぼんではいない。
【０００５】部分的又は完全にくぼんだレンズを除いて
、先の問題はイオンエッチングの代りに、気相化学及び
高エネルギーイオンエッチング同時工程により解決でき
る。すなわち、低圧グロー放電中に形成されたイオンと
ともに、原子又は分子ラジカルを用いたイオン補助化学
エッチングを用いるか、反応性化学種がＣＡＩＢＥ（化
学的に補助したイオンビームエッチング）中のように別
々の化学ビームにより供給されるマルチビームエッチン
グプロセスを用いることにより、解決できる。
、先の問題はイオンエッチングの代りに、気相化学及び
高エネルギーイオンエッチング同時工程により解決でき
る。すなわち、低圧グロー放電中に形成されたイオンと
ともに、原子又は分子ラジカルを用いたイオン補助化学
エッチングを用いるか、反応性化学種がＣＡＩＢＥ（化
学的に補助したイオンビームエッチング）中のように別
々の化学ビームにより供給されるマルチビームエッチン
グプロセスを用いることにより、解決できる。
【０００６】
【本発明の要約】一実施例に従うと、本発明は基板のあ
らかじめ決められた部分に、一部がくぼんだレンズを作
製する方法を含み、レンズはあらかじめ決められた周界
をもち、方法は （ａ）基板の表面上の第１のパターン形成された層を形
成及び焼きなましし、第１のパターン形成された層は基
板のあらかじめ決められた部分上のアイランド部分及び
アイランド部分を囲む補助部分の両方をもち、第１のパ
ターン形成された層のアイランド部分はあらかじめ決め
られた周界とあらかじめ決められた容積をもつ第１のパ
ターン形成層の硬化ベークアイランド部分となり、第１
のパターン形成層の補助部分は、第１のパターン形成層
の硬化ベークアイランド部分を囲む第１のパターン形成
層の硬化ベーク補助部分となり、あらかじめ決められた
容積より大きな容積をもち、 （ｂ）第１のパターン形成層の硬化ベークアイランド部
分及び補助部分の両方の厚さの少くとも一部を除去する
のに十分なように、基板及び硬化アイランド部分及び補
助部分の両方に、同時にエッチング工程を施すことを含
む。
らかじめ決められた部分に、一部がくぼんだレンズを作
製する方法を含み、レンズはあらかじめ決められた周界
をもち、方法は （ａ）基板の表面上の第１のパターン形成された層を形
成及び焼きなましし、第１のパターン形成された層は基
板のあらかじめ決められた部分上のアイランド部分及び
アイランド部分を囲む補助部分の両方をもち、第１のパ
ターン形成された層のアイランド部分はあらかじめ決め
られた周界とあらかじめ決められた容積をもつ第１のパ
ターン形成層の硬化ベークアイランド部分となり、第１
のパターン形成層の補助部分は、第１のパターン形成層
の硬化ベークアイランド部分を囲む第１のパターン形成
層の硬化ベーク補助部分となり、あらかじめ決められた
容積より大きな容積をもち、 （ｂ）第１のパターン形成層の硬化ベークアイランド部
分及び補助部分の両方の厚さの少くとも一部を除去する
のに十分なように、基板及び硬化アイランド部分及び補
助部分の両方に、同時にエッチング工程を施すことを含
む。
【０００７】別の実施例に従うと、本発明は基板のあら
かじめ決められた部分に、完全にくぼんだレンズを作製
する方法を含む。レンズはあらかじめ決められた周界を
もち、上で述べた工程（ａ）及び（ｂ）を含み、工程（
ｂ）の前に、第１の硬化ベークパターン形成層の補助部
分を被覆する第２の硬化ベークパターン形成層が形成さ
れる。
かじめ決められた部分に、完全にくぼんだレンズを作製
する方法を含む。レンズはあらかじめ決められた周界を
もち、上で述べた工程（ａ）及び（ｂ）を含み、工程（
ｂ）の前に、第１の硬化ベークパターン形成層の補助部
分を被覆する第２の硬化ベークパターン形成層が形成さ
れる。
【０００８】第１の硬化ベークパターン形成層の厚さの
一部分のみをエッチングにより除去することにより、部
分レンズ、すなわち周界曲線部分のみをもつレンズがで
き、一方第１の硬化ベークパターン形成層の厚さ全部を
除去すると、完全レンズ、すなわち周界曲線部分に加え
て、近軸曲線部分を有し、これら２つの曲線部分をあわ
せたものが、それらの間に目に見える境界をもたないレ
ンズができる。
一部分のみをエッチングにより除去することにより、部
分レンズ、すなわち周界曲線部分のみをもつレンズがで
き、一方第１の硬化ベークパターン形成層の厚さ全部を
除去すると、完全レンズ、すなわち周界曲線部分に加え
て、近軸曲線部分を有し、これら２つの曲線部分をあわ
せたものが、それらの間に目に見える境界をもたないレ
ンズができる。
【０００９】本発明の部分的又は完全にくぼんだレンズ
のいずれかをエッチングする工程は、気相化学種（原子
状又は分子状）及び高エネルギーイオン種の両方がＲＩ
Ｅ又はＣＡＩＢＥのようなエッチングプロセスで有効で
ある技術により行うのが望ましい。また、パターン形成
された層の各補助部分の容積は、そのような補助部分に
より囲まれたアイランド部分のそれより大きいことが望
ましい。
のいずれかをエッチングする工程は、気相化学種（原子
状又は分子状）及び高エネルギーイオン種の両方がＲＩ
Ｅ又はＣＡＩＢＥのようなエッチングプロセスで有効で
ある技術により行うのが望ましい。また、パターン形成
された層の各補助部分の容積は、そのような補助部分に
より囲まれたアイランド部分のそれより大きいことが望
ましい。
【００１０】このようにして、部分的又は完全にくぼん
だ微細レンズが得られる。アイランド部分にのみパター
ン形成されたレジスト層を用いたため、上で述べたイオ
ンミリングプロセスを用いてそのようなくぼみを得るこ
とはできない。
だ微細レンズが得られる。アイランド部分にのみパター
ン形成されたレジスト層を用いたため、上で述べたイオ
ンミリングプロセスを用いてそのようなくぼみを得るこ
とはできない。
【００１１】
【詳細な記述】ＩｎＰのような ＩＩＩ−Ｖ半導体基板
に付随する特殊な難しさ、即ちＰ成分に対してＩｎ成分
の不揮発性のため、本発明について、最初にＩｎＰ基板
に関し詳細に述べる。しかし、本発明の視野はそのよう
には限定されず、ガリウムひ素（ＧａＡｓ）ガラス、シ
リコン、石英又はサファイアのような他の基板でも実施
できることを理解する必要がある。特に、シリコン、サ
ファイア及び石英では実施して成功している。いずれの
場合も、基板は光学的に透明な基体である。但し、レン
ズを鏡として用いるために金属層で被覆する場合は除き
、その場合基板は透明である必要はない。
に付随する特殊な難しさ、即ちＰ成分に対してＩｎ成分
の不揮発性のため、本発明について、最初にＩｎＰ基板
に関し詳細に述べる。しかし、本発明の視野はそのよう
には限定されず、ガリウムひ素（ＧａＡｓ）ガラス、シ
リコン、石英又はサファイアのような他の基板でも実施
できることを理解する必要がある。特に、シリコン、サ
ファイア及び石英では実施して成功している。いずれの
場合も、基板は光学的に透明な基体である。但し、レン
ズを鏡として用いるために金属層で被覆する場合は除き
、その場合基板は透明である必要はない。
【００１２】図１及び４に示されるように、ＩｎＰ基板
１０の最上部主表面１３上に、補助レジスト部分５４に
より囲まれた一対のレジストアイランド１１及び１２が
ある。これらのレジストアイランドは補助レジスト部分
とともに、基板１０の最上部表面全体を、均一な厚さを
もつレジスト層で最初覆い、次に周知の方法によりパタ
ーン形成し、典型的な場合パターン状の光露出とそれに
続く湿式エッチによる現像により形成される。典型的な
場合、パターン形成層（複数）が形成される材料はフォ
トレジストであるが、他の材料、例えばリンシリケート
ガラス又はポリイミドを用いることもでき、それは不動
液滴のようなあらかじめ決められた周界をもつ硬化ベー
クアイランドを形成するため、熱的に緩和される。アイ
ランドの端部１５は円（図４）又は他の所望の周界に形
成できる。アイランドの直径は典型的な場合約５０乃至
１００μｍで、典型的な場合約１０又は２０μｍから４
００μｍの距離離れている。（ベーキングを続ける前の
）レジスト層の厚さは典型的な場合約１乃至１５μｍの
範囲である。補助レジスト部分５４の最も接近した端部
５５とアイランド１２の端部１５の間の距離は、典型的
な場合、約２０μｍである。
１０の最上部主表面１３上に、補助レジスト部分５４に
より囲まれた一対のレジストアイランド１１及び１２が
ある。これらのレジストアイランドは補助レジスト部分
とともに、基板１０の最上部表面全体を、均一な厚さを
もつレジスト層で最初覆い、次に周知の方法によりパタ
ーン形成し、典型的な場合パターン状の光露出とそれに
続く湿式エッチによる現像により形成される。典型的な
場合、パターン形成層（複数）が形成される材料はフォ
トレジストであるが、他の材料、例えばリンシリケート
ガラス又はポリイミドを用いることもでき、それは不動
液滴のようなあらかじめ決められた周界をもつ硬化ベー
クアイランドを形成するため、熱的に緩和される。アイ
ランドの端部１５は円（図４）又は他の所望の周界に形
成できる。アイランドの直径は典型的な場合約５０乃至
１００μｍで、典型的な場合約１０又は２０μｍから４
００μｍの距離離れている。（ベーキングを続ける前の
）レジスト層の厚さは典型的な場合約１乃至１５μｍの
範囲である。補助レジスト部分５４の最も接近した端部
５５とアイランド１２の端部１５の間の距離は、典型的
な場合、約２０μｍである。
【００１３】図４に更に示されるように、中心が正方形
のアレイを形成するアイランドの場合、直径ｄをもつア
イランド１２は補助レジスト部５４の端部５５とアイラ
ンド１２の中心及び隣接のアイランド１１、１４、１６
及び１８の中心間に引かれた仮想の正方形５６の間に含
まれるレジストに付随した容積５７により囲まれている
ように見える。本発明において、レジストに付随したこ
の容積は、アイランド１２に含まれるレジストの容積よ
り大きいことが望ましい。
のアレイを形成するアイランドの場合、直径ｄをもつア
イランド１２は補助レジスト部５４の端部５５とアイラ
ンド１２の中心及び隣接のアイランド１１、１４、１６
及び１８の中心間に引かれた仮想の正方形５６の間に含
まれるレジストに付随した容積５７により囲まれている
ように見える。本発明において、レジストに付随したこ
の容積は、アイランド１２に含まれるレジストの容積よ
り大きいことが望ましい。
【００１４】次に、パターン形成されたレジストは硬化
ベーク、即ち加熱される。ホットプレートベーキングに
より、最小表面への変形が起こる温度以上に加熱するこ
とが好ましい。このようにして、補助レジスト部分６４
により囲まれた一対のレジストアイランド２１及び２２
が形成される（図２）。冷却の後、アイランド及びレジ
ストの補助部分はこのように硬化ベークされ、それによ
って基板１０の表面２３上のアイランドの最上部の高さ
は、典型的な場合約１．５乃至２０μｍである。硬化ベ
ーキングの後（図２）、得られる硬化ベークレジストア
イランド２１及び２２の最上部は、得られる補助硬化ベ
ークレジスト部分６４の表面の最も高い点より、僅か、
しかし少しだけ、高く配置される。このように、これら
のアイランドは“部分的にくぼむ”。
ベーク、即ち加熱される。ホットプレートベーキングに
より、最小表面への変形が起こる温度以上に加熱するこ
とが好ましい。このようにして、補助レジスト部分６４
により囲まれた一対のレジストアイランド２１及び２２
が形成される（図２）。冷却の後、アイランド及びレジ
ストの補助部分はこのように硬化ベークされ、それによ
って基板１０の表面２３上のアイランドの最上部の高さ
は、典型的な場合約１．５乃至２０μｍである。硬化ベ
ーキングの後（図２）、得られる硬化ベークレジストア
イランド２１及び２２の最上部は、得られる補助硬化ベ
ークレジスト部分６４の表面の最も高い点より、僅か、
しかし少しだけ、高く配置される。このように、これら
のアイランドは“部分的にくぼむ”。
【００１５】レジストアイランド２１及び２２（図２）
の夫々の容積は、他のパラメータの中で、レジストアイ
ランド１１及び１２（図１）のそれぞれの厚さに依存す
る。次に、構造の最上部表面２３全体を、例えばソース
ガスＣＣｌ２Ｆ２を用いて形成したプラズマで、典型的
な場合レジストの厚さ全体を除去するのに十分な時間、
反応性イオンビームエッチング（ＲＩＥ）する。同時に
、レジストで被覆されていない基板１０の最上部表面２
３の一部を、ＲＩＥプロセスのパラメータで制御された
レジストのエッチング速度に比べ、ＲＩＥプロセスが終
った時、基板１０の最上部表面２３（図３）が一対のド
ーム形ＩｎＰ領域３１及び３２、即ち夫々が高さｈをも
つ所望の微細レンズで特徴づけられるように、エッチン
グする。比ｈ／ｈ’は（ＲＩＥチェンバ圧及び基板温度
のような）エッチングパラメータで制御されるように、
レジスト対ＩｎＰの相対的エッチング速度で決まる。補
助ＩｎＰ部分７４（図３）はドーム形ＩｎＰ領域３１及
び３２と、補助レジスト部分６４（先の図２）が存在し
た下の領域を囲む。
の夫々の容積は、他のパラメータの中で、レジストアイ
ランド１１及び１２（図１）のそれぞれの厚さに依存す
る。次に、構造の最上部表面２３全体を、例えばソース
ガスＣＣｌ２Ｆ２を用いて形成したプラズマで、典型的
な場合レジストの厚さ全体を除去するのに十分な時間、
反応性イオンビームエッチング（ＲＩＥ）する。同時に
、レジストで被覆されていない基板１０の最上部表面２
３の一部を、ＲＩＥプロセスのパラメータで制御された
レジストのエッチング速度に比べ、ＲＩＥプロセスが終
った時、基板１０の最上部表面２３（図３）が一対のド
ーム形ＩｎＰ領域３１及び３２、即ち夫々が高さｈをも
つ所望の微細レンズで特徴づけられるように、エッチン
グする。比ｈ／ｈ’は（ＲＩＥチェンバ圧及び基板温度
のような）エッチングパラメータで制御されるように、
レジスト対ＩｎＰの相対的エッチング速度で決まる。補
助ＩｎＰ部分７４（図３）はドーム形ＩｎＰ領域３１及
び３２と、補助レジスト部分６４（先の図２）が存在し
た下の領域を囲む。
【００１６】ドーム形ＩｎＰ領域３１及び及び３２（図
３）の最上部は、このようにこれらアイランドを囲む補
助ＩｎＰ部分７４の最も高い点より上にわずかに（少し
だけ）突き出し、従ってこれらドーム形ＩｎＰアイラン
ドは所望の部分的にくぼんだ微細レンズを形成する。ア
イランド毎に付随した補助レジスト部分７４（図１及び
４）の容積が大きければ大きいほど、各微細レンズの突
き出しは小さくなる。即ち、よりくぼむ。しかし、完全
なくぼみは、このようにしては得られない。
３）の最上部は、このようにこれらアイランドを囲む補
助ＩｎＰ部分７４の最も高い点より上にわずかに（少し
だけ）突き出し、従ってこれらドーム形ＩｎＰアイラン
ドは所望の部分的にくぼんだ微細レンズを形成する。ア
イランド毎に付随した補助レジスト部分７４（図１及び
４）の容積が大きければ大きいほど、各微細レンズの突
き出しは小さくなる。即ち、よりくぼむ。しかし、完全
なくぼみは、このようにしては得られない。
【００１７】ソースガスＣＣｌ２Ｆ２を用いて形成され
るプラズマでＩｎＰを反応性イオンエッチングする場合
、エッチングプロセスの典型的なパラメータは、圧力＝
０．６乃至３Ｐａ ＲＦパワー密度＝０．１乃至２．０ Ｗ／ｃｍ２ＲＦ周
波数＝１３．５６ ＭＨｚ 流速＝２乃至５０ｓｃｃｍ
るプラズマでＩｎＰを反応性イオンエッチングする場合
、エッチングプロセスの典型的なパラメータは、圧力＝
０．６乃至３Ｐａ ＲＦパワー密度＝０．１乃至２．０ Ｗ／ｃｍ２ＲＦ周
波数＝１３．５６ ＭＨｚ 流速＝２乃至５０ｓｃｃｍ
【００１８】いずれの場合も、パワー密度及び圧力は、
約６００乃至７００ボルトのバイアス電圧を生じるよう
に調整する必要がある。
約６００乃至７００ボルトのバイアス電圧を生じるよう
に調整する必要がある。
【００１９】ＧａＡｓ（ガリウムひ素）基板の場合、典
型的なソースガスは本質的に純粋なＣＣｌ２Ｆ２で、Ｏ
２と（約５乃至２０モルパーセント）混合され、ＩｎＰ
基板に対して用いたのと同じエッチングパラメータが使
える。
型的なソースガスは本質的に純粋なＣＣｌ２Ｆ２で、Ｏ
２と（約５乃至２０モルパーセント）混合され、ＩｎＰ
基板に対して用いたのと同じエッチングパラメータが使
える。
【００２０】図５−図６は微細レンズの完全なくぼみを
実現するための修正を示す。具体的には、図２に示され
た構造に関して先に示したように、構造を硬化ベークし
た後、図５に示されるように、硬化ベーク補助レジスト
層６４上に（レジストアイランド２１及び２２を除いて
）重畳したパターン形成した硬化ベークレジスト層９４
を形成するため、最上部表面上に均一な厚さに別のレジ
スト層を堆積させ、パターン形成し、硬化ベークする。 硬化ベークパターン形成層９４を形成するためのこのパ
ターン形成において、レジストアイランド２１及び２２
はすでに硬化ベークされているから、それらはこのパタ
ーン形成に用いた典型的な湿式エッチ液には溶解せず、
そのためそれらはパターン形成中、エッチング（現象）
に対して自動的に保護される。このように、ここで関心
があるのは補助硬化ベークレジスト層６４の端部と位置
合せしたレジスト層９４のパターン形成のみで、レジス
トアイランド２１及び２２ではない。最後に、先に述べ
たのと同じ種類のものでできるもう１つのＲＩＥプロセ
スにより、より大きなあるいは完全にくぼんだレンズ３
１及び３２、即ちレンズ３１及び３２の間に配置された
残った（より薄い）レジスト部分１０４の最上部表面に
対して完全にくぼんだものすら生成する（図６）。 これらのレンズの厚さは典型的な場合、約１乃至２０μ
ｍの範囲にある。もし、必要に応じてＲＩＥプロセスを
更に続けるなら、レジスト部分１０４は完全に除去され
、補助部分の最上部表面全体はレンズとともにＩｎＰか
ら成る。
実現するための修正を示す。具体的には、図２に示され
た構造に関して先に示したように、構造を硬化ベークし
た後、図５に示されるように、硬化ベーク補助レジスト
層６４上に（レジストアイランド２１及び２２を除いて
）重畳したパターン形成した硬化ベークレジスト層９４
を形成するため、最上部表面上に均一な厚さに別のレジ
スト層を堆積させ、パターン形成し、硬化ベークする。 硬化ベークパターン形成層９４を形成するためのこのパ
ターン形成において、レジストアイランド２１及び２２
はすでに硬化ベークされているから、それらはこのパタ
ーン形成に用いた典型的な湿式エッチ液には溶解せず、
そのためそれらはパターン形成中、エッチング（現象）
に対して自動的に保護される。このように、ここで関心
があるのは補助硬化ベークレジスト層６４の端部と位置
合せしたレジスト層９４のパターン形成のみで、レジス
トアイランド２１及び２２ではない。最後に、先に述べ
たのと同じ種類のものでできるもう１つのＲＩＥプロセ
スにより、より大きなあるいは完全にくぼんだレンズ３
１及び３２、即ちレンズ３１及び３２の間に配置された
残った（より薄い）レジスト部分１０４の最上部表面に
対して完全にくぼんだものすら生成する（図６）。 これらのレンズの厚さは典型的な場合、約１乃至２０μ
ｍの範囲にある。もし、必要に応じてＲＩＥプロセスを
更に続けるなら、レジスト部分１０４は完全に除去され
、補助部分の最上部表面全体はレンズとともにＩｎＰか
ら成る。
【００２１】ＡＰＤ又はＬＥＤ又は（シリコン、ガラス
、サファイア又は石英のような）他の基板に用いるアイ
ランド、従って微細レンズの直径は、典型的な場合約５
乃至５００μｍであることに注意すべきである。
、サファイア又は石英のような）他の基板に用いるアイ
ランド、従って微細レンズの直径は、典型的な場合約５
乃至５００μｍであることに注意すべきである。
【００２２】グロー放電により石英が反応性イオンエッ
チングを受ける場合、ソースＣＨＦ３又はＣＣｌ２Ｆ２
を用いたエッチングプラズマパラメータは、典型的な場
合以下のとおりである。
チングを受ける場合、ソースＣＨＦ３又はＣＣｌ２Ｆ２
を用いたエッチングプラズマパラメータは、典型的な場
合以下のとおりである。
【００２３】
圧力＝０．６乃至３Ｐａ
パワー密度＝１Ｗ／ｃｍ２
周波数＝１３．５６ＭＨｚ
流速＝１０乃至５０ｓｃｃｍ
【００２４】本発明について、具体的な実施例をあげて
詳細に述べたが、本発明の視野を離れることなく、各種
の修正を行うことができる。例えば、基板の最上部表面
におけるレンズの最上部表面上に配置されたファイバか
ら又はファイバへの光を結合させるため、基板の底部に
おいて、なだれ光検出器（ＡＰＤ）又は発光ダイオード
を、基板の最上部表面に対して垂直方向を向いたファイ
バと集積化することができる。ＣＣｌ２Ｆ２の代りに、
他のエッチャントを用いてもよい。例えば、四塩化シリ
コン（ＳｉＣｌ４）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、塩素
（Ｃｌ２）、ホウ素（Ｂｒ２）、クロロトリフルオロメ
タン（ＣＦ３Ｃｌ）、ブロムフルオロメタン（ＣＢｒＦ
３）及びジクロロフルオロメタン（ＣＨＣｌ２Ｆ）単独
あるいはＯ２又はＳＦ６のような二次ガスとの組合せで
ある。レジスト又はフォトレジストの代りに、ポリイミ
ド又はリンシリケートガラスのような他の材料も使用で
きる。それは不動液滴のような予め決められた周界をも
つ硬化ベークアイランドを形成するため、パターン形成
及び熱的に緩和させることができる。ＲＩＥにより硬化
ベークレジストの厚さ全体を除去する（図２から図３へ
の工程）代りに、厚さの一部のみを除去することができ
る。それにより得られる光レンズは、レンズにより透過
する光の周界光線に対してのみ有効である。最後に、石
英に加えて、ボロリンシリケートガラス及びゲルマニウ
ム−シリコン酸化物のような他の酸化物ガラスを、基板
として用いることができる。
詳細に述べたが、本発明の視野を離れることなく、各種
の修正を行うことができる。例えば、基板の最上部表面
におけるレンズの最上部表面上に配置されたファイバか
ら又はファイバへの光を結合させるため、基板の底部に
おいて、なだれ光検出器（ＡＰＤ）又は発光ダイオード
を、基板の最上部表面に対して垂直方向を向いたファイ
バと集積化することができる。ＣＣｌ２Ｆ２の代りに、
他のエッチャントを用いてもよい。例えば、四塩化シリ
コン（ＳｉＣｌ４）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、塩素
（Ｃｌ２）、ホウ素（Ｂｒ２）、クロロトリフルオロメ
タン（ＣＦ３Ｃｌ）、ブロムフルオロメタン（ＣＢｒＦ
３）及びジクロロフルオロメタン（ＣＨＣｌ２Ｆ）単独
あるいはＯ２又はＳＦ６のような二次ガスとの組合せで
ある。レジスト又はフォトレジストの代りに、ポリイミ
ド又はリンシリケートガラスのような他の材料も使用で
きる。それは不動液滴のような予め決められた周界をも
つ硬化ベークアイランドを形成するため、パターン形成
及び熱的に緩和させることができる。ＲＩＥにより硬化
ベークレジストの厚さ全体を除去する（図２から図３へ
の工程）代りに、厚さの一部のみを除去することができ
る。それにより得られる光レンズは、レンズにより透過
する光の周界光線に対してのみ有効である。最後に、石
英に加えて、ボロリンシリケートガラス及びゲルマニウ
ム−シリコン酸化物のような他の酸化物ガラスを、基板
として用いることができる。
【図１】図１は、本発明の具体的な実施例に従って製作
される一対の微細レンズの各種製作工程における断面図
の１である。
される一対の微細レンズの各種製作工程における断面図
の１である。
【図２】図２は、本発明の具体的な実施例に従って製作
される一対の微細レンズの各種製作工程における断面図
の２である。
される一対の微細レンズの各種製作工程における断面図
の２である。
【図３】図３は、本発明の具体的な実施例に従って製作
される一対の微細レンズの各種製作工程における断面図
の３である。
される一対の微細レンズの各種製作工程における断面図
の３である。
【図４】図４は、図１の上面図である。
【図５】図５は、本発明の別の具体的な実施例に従って
製作される一対の微細レンズの各種製作工程における断
面図の１である。
製作される一対の微細レンズの各種製作工程における断
面図の１である。
【図６】図６は、本発明の別の具体的な実施例に従って
製作される一対の微細レンズの各種製作工程における断
面図の２である。
製作される一対の微細レンズの各種製作工程における断
面図の２である。
１０ ＩｎＰ基板、基板１１
レジストアイランド１２ レジス
トアイランド１３ 最上部主表面 １４ アイランド １５ 端部 １６ アイランド １８ アイランド ２１ 硬化ベークレジストアイランド２
２ 硬化ベークレジストアイランド２３
最上部表面 ３１ ＩｎＰ領域、レンズ３２
ＩｎＰ領域、レンズ３３ 最上
部表面 ５４ 補助レジスト部分５５
端部 ５６ 正方形 ５７ 容積 ６４ 補助アイランド、補助硬化ベーク
レジスト部分、補助硬化ベークレジスト層 ７４ 補助ＩｎＰ部分、補助レジスト部
分９４ 硬化ベークレジスト層、硬化ベ
ークパターン形成層 １０４ レジスト部分
レジストアイランド１２ レジス
トアイランド１３ 最上部主表面 １４ アイランド １５ 端部 １６ アイランド １８ アイランド ２１ 硬化ベークレジストアイランド２
２ 硬化ベークレジストアイランド２３
最上部表面 ３１ ＩｎＰ領域、レンズ３２
ＩｎＰ領域、レンズ３３ 最上
部表面 ５４ 補助レジスト部分５５
端部 ５６ 正方形 ５７ 容積 ６４ 補助アイランド、補助硬化ベーク
レジスト部分、補助硬化ベークレジスト層 ７４ 補助ＩｎＰ部分、補助レジスト部
分９４ 硬化ベークレジスト層、硬化ベ
ークパターン形成層 １０４ レジスト部分
Claims (15)
- 【請求項１】 基板（１０）のあらかじめ決められた
部分に、少くとも部分的にくぼんだレンズ（３１）を形
成する方法において、レンズはあらかじめ決められた周
界をもち、 （ａ）基板の表面上に第１のパターン形成層（５４、１
１、１２）を形成及びベークし、第１のパターン形成層
は基板のあらかじめ決められた部分上のアイランド部分
（１１）と、アイランド部分を囲む補助部分（５４）の
両方を有し、それによって第１のパターン形成層のアイ
ランド部分はあらかじめ決められた周界とあらかじめ決
められた容積を有する第１のパターン形成層の硬化ベー
クアイランド部分となり、第１のパターン形成層の補助
部分は、第１のパターン形成層の硬化ベークアイランド
部分を囲み、あらかじめ決められた容積より大きな容積
を有する第１のパターン形成層の硬化ベーク補助部分と
なり、 （ｂ）基板及び第１のパターン形成層の硬化ベークアイ
ランド及び補助部分の両方に、第１のパターン形成層の
硬化ベークアイランド及び補助部分の両方の厚さの少く
とも一部を除去するのに十分なように、同時にエッチン
グを施す工程が含まれることを特徴とする形成の方法。 - 【請求項２】 第１のパターン形成層は第１のパター
ン形成レジスト層である請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 基板は本質的にＩｎＰである請求項２
記載の方法。 - 【請求項４】 エッチングはＣＣｌ２Ｆ２のグロー放
電により行われる請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 基板は本質的にＧａＡｓである請求項
２記載の方法。 - 【請求項６】 エッチングはＣＣｌ２Ｆ２又はＣＣｌ
２Ｆ２とＯ２の混合気体のグロー放電により行われる請
求項５記載の方法。 - 【請求項７】 基板のあらかじめ決められた部分に完
全にくぼんだレンズを形成する方法において、レンズは
あらかじめ決められた周界をもち、方法は請求項１の工
程を含み、その工程（ｂ）の前に、第１のパターン形成
層の硬化ベーク補助部分を被覆する第２の硬化ベークパ
ターン形成層が形成される方法。 - 【請求項８】 第１又は第２のパターン形成層又は両
方は、パターン形成されたレジスト層である請求項７記
載の方法。 - 【請求項９】 基板は本質的にＩｎＰである請求項８
記載の方法。 - 【請求項１０】 反応性イオンエッチングはＣＣｌ２
Ｆ２のグロー放電により行う請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 基板は本質的にＧａＡｓである請求
項８記載の方法。 - 【請求項１２】 エッチングはＣＣｌ２Ｆ２又はＣＣ
ｌ２Ｆ２とＯ２の混合気体のグロー放電により行う請求
項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 基板は本質的に石英である請求項１
記載の方法。 - 【請求項１４】 エッチングはＣＣｌ２Ｆ２のグロー
放電により行う請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 アイランドに付随した第１のパター
ンレジスト層中のレジストの容積は、アイランド自身中
に含まれるレジストの容積を越える請求項１記載の方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US529,055 | 1990-05-25 | ||
| US07/529,055 US5079130A (en) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | Partially or fully recessed microlens fabrication |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04232902A true JPH04232902A (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=24108318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3118964A Pending JPH04232902A (ja) | 1990-05-25 | 1991-05-24 | 部分的又は完全にくぼんだ微細レンズの製作 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5079130A (ja) |
| EP (1) | EP0458514B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04232902A (ja) |
| CA (1) | CA2034671C (ja) |
| DE (1) | DE69106044T2 (ja) |
| HK (1) | HK43596A (ja) |
| SG (1) | SG31095G (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012514848A (ja) * | 2008-09-15 | 2012-06-28 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 光の取り出しが改善された反転ｌｅｄ構造体 |
| WO2019194043A1 (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-10 | 日本電信電話株式会社 | 受光素子および素子の製造方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298366A (en) * | 1990-10-09 | 1994-03-29 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for producing a microlens array |
| EP0503473A3 (en) * | 1991-03-12 | 1992-10-28 | Texas Instruments Incorporated | Method of dry etching ina1as and ingaas lattice matched to inp |
| US5286338A (en) * | 1993-03-01 | 1994-02-15 | At&T Bell Laboratories | Methods for making microlens arrays |
| US5346583A (en) * | 1993-09-02 | 1994-09-13 | At&T Bell Laboratories | Optical fiber alignment techniques |
| US5370768A (en) * | 1993-10-14 | 1994-12-06 | At&T Corp. | Method for making microstructures |
| US5439782A (en) * | 1993-12-13 | 1995-08-08 | At&T Corp. | Methods for making microstructures |
| US5536455A (en) * | 1994-01-03 | 1996-07-16 | Omron Corporation | Method of manufacturing lens array |
| DE19602736A1 (de) * | 1996-01-26 | 1997-07-31 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von optischen Linsen und optischen Linsenarrays |
| US6107000A (en) * | 1996-12-17 | 2000-08-22 | Board Of Regents - University Of California - San Diego | Method for producing micro-optic elements with gray scale mask |
| US5932643A (en) * | 1997-04-11 | 1999-08-03 | Ncr Corporation | Thermal transfer ribbon with conductive polymers |
| JP4208305B2 (ja) * | 1998-09-17 | 2009-01-14 | 株式会社東芝 | マスクパターンの形成方法 |
| US6335151B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Micro-surface fabrication process |
| US6420202B1 (en) | 2000-05-16 | 2002-07-16 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for shaping thin film resonators to shape acoustic modes therein |
| US7129179B2 (en) * | 2000-07-13 | 2006-10-31 | Seagate Technology Llc | Method for topographical patterning of a device |
| EP1345059A1 (en) * | 2002-03-16 | 2003-09-17 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Integrated micro-optical elements |
| JP3698144B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2005-09-21 | ヤマハ株式会社 | マイクロレンズアレイの製法 |
| WO2004104646A1 (en) * | 2003-05-20 | 2004-12-02 | Kansas State University Research Foundation | Microlens comprising a group iii-nitride material |
| US7535649B2 (en) * | 2004-03-09 | 2009-05-19 | Tang Yin S | Motionless lens systems and methods |
| US7097778B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-08-29 | Chunghwa Telecom Co., Ltd. | Process for fabricating a micro-optical lens |
| US20060181600A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-17 | Eastman Kodak Company | Patterns formed by transfer of conductive particles |
| KR100867520B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2008-11-07 | 삼성전기주식회사 | 결상 렌즈 및 그 제조 방법 |
| CN113031131B (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-17 | 欧梯恩智能科技(苏州)有限公司 | 微型凹透镜的制备方法及微型凹透镜 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154735A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Sharp Corp | Manufacture of semiconductor device |
| US4389482A (en) * | 1981-12-14 | 1983-06-21 | International Business Machines Corporation | Process for forming photoresists with strong resistance to reactive ion etching and high sensitivity to mid- and deep UV-light |
| US4530736A (en) * | 1983-11-03 | 1985-07-23 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing Fresnel phase reversal plate lenses |
| KR890005567A (ko) * | 1987-09-28 | 1989-05-15 | 클라이드 씨. 블린 | 렌즈 레트상에 개구를 형성하기 위한 장치 및 방법 |
-
1990
- 1990-05-25 US US07/529,055 patent/US5079130A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-24 CA CA002034671A patent/CA2034671C/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-15 EP EP91304332A patent/EP0458514B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-15 DE DE69106044T patent/DE69106044T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-24 JP JP3118964A patent/JPH04232902A/ja active Pending
-
1995
- 1995-02-22 SG SG31095A patent/SG31095G/en unknown
-
1996
- 1996-03-14 HK HK43596A patent/HK43596A/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012514848A (ja) * | 2008-09-15 | 2012-06-28 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 光の取り出しが改善された反転ｌｅｄ構造体 |
| WO2019194043A1 (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-10 | 日本電信電話株式会社 | 受光素子および素子の製造方法 |
| JP2019186317A (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-24 | 日本電信電話株式会社 | 受光素子および素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0458514B1 (en) | 1994-12-21 |
| DE69106044T2 (de) | 1995-05-11 |
| EP0458514A3 (en) | 1992-05-06 |
| EP0458514A2 (en) | 1991-11-27 |
| DE69106044D1 (de) | 1995-02-02 |
| SG31095G (en) | 1995-08-18 |
| CA2034671C (en) | 1995-05-23 |
| CA2034671A1 (en) | 1991-11-26 |
| US5079130A (en) | 1992-01-07 |
| HK43596A (en) | 1996-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04232902A (ja) | 部分的又は完全にくぼんだ微細レンズの製作 | |
| US5853960A (en) | Method for producing a micro optical semiconductor lens | |
| JP3352057B2 (ja) | ミクロ光学部材の製造法 | |
| JP3735880B2 (ja) | 半導体材料支持体上へのレリーフ構造の製造方法 | |
| US6913705B2 (en) | Manufacturing method for optical integrated circuit having spatial reflection type structure | |
| US20030108821A1 (en) | Microlens array fabrication | |
| US5705025A (en) | Method for dry etching of a semiconductor substrate | |
| Strzelecka et al. | Fabrication of refractive microlenses in semiconductors by mask shape transfer in reactive ion etching | |
| US11977204B2 (en) | Method for producing optical element and optical element | |
| US8711484B2 (en) | Fabrication of thin pellicle beam splitters | |
| JPH0990162A (ja) | 光ファイバ接続孔付マイクロレンズアレイ及びその製造方法 | |
| JP3515801B2 (ja) | 光学デバイス用材料・光学デバイス・光学デバイス製造方法 | |
| JPH05136460A (ja) | マイクロレンズ形成方法 | |
| CN100592496C (zh) | 图像传感器的制造方法 | |
| EP3499573B1 (en) | Method for manufacturing a microlens | |
| US6995915B2 (en) | Manufacturing method of micro-lens, manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device | |
| JP3566331B2 (ja) | 光学デバイス・光学デバイス製造方法 | |
| Nussbaum et al. | Potential of dry etching for the fabrication of fused silica micro-optical elements | |
| US6947223B2 (en) | Multi-focal length miniature refractive element and method for making the same | |
| JP4361186B2 (ja) | マイクロレンズの製造方法 | |
| JP3527274B2 (ja) | 光学デバイス用材料・光学デバイス・光学デバイス製造方法 | |
| JPH08179106A (ja) | 光学デバイス用材料・光学デバイス・光学デバイス製造方法 | |
| Borek et al. | Gray-scale fabrication of micro-optics in bulk zinc selenide and bulk multispectral zinc sulfide | |
| WO2024141756A1 (en) | Method of manufacturing three-dimensional microstructures | |
| JPH01199479A (ja) | 発光素子の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010815 |