JPH04226929A - ビシクロヘキシル誘導体、その製造方法及び使用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明はビシクロヘキシルの新規な誘導体
、その製造法、ならびにこれらの化合物を含む液晶質混
合物及び電気光学目的に対するこれらの化合物の使用に
関するものである。

【０００２】液晶は、このような物質の光学的性質が、
かけられた電圧により影響され得るので、主に表示装置
における誘電体として使用される。液晶を基にした電気
光学装置は、当該技術に精通した者によく知られており
、種々な作用に基づくことができる。このような装置の
例は、動的錯乱を有するセル、ＤＡＰ（配向相変形）セ
ル、ゲスト／ホストセル、「ねじれネマチック」構造を
有するＴＮセル及びＳＴＮ（超ねじれネマチック）セル
、ＳＢＥ（超複屈折効果）セル及びＯＭＩ（光学モード
干渉）セルである。最も普通の表示装置は、シャドーヘ
ルフリッヒ効果（Ｓｃｈａｄｔ−Ｈｅｌｆｒｉｃｈ　ｅ
ｆｆｅｃｔ）に基づくものであり、ねじれネマチック構
造を有する。

【０００３】液晶物質は、良好な化学的及び熱的安定性
ならびに電場及び電磁放射に対する高い安定性を有して
いなければならない。さらに、液晶物質は、低い粘性を
有していなければならず、またセルにおいて短い応答時
間、低いしきい電位及び高いコントラストを生み出さな
ければならない。さらに、約−３０℃〜約＋８０℃、特
に約−２０℃〜約＋６０℃の通常の操作温度において、
液晶物質は、適当な中間相、例えば上に並べたセルに対
するネマチック又はコレステリックな中間相を有してい
なければならない。さらに電気伝導率、誘電異方性及び
光学異方性のような性質は、セルの型及び適用フィール
ドに依存する種々な必要条件を満たさなければならない
。例えば、ねじれネマチック構造を有するセルに対する
物質は、正の誘電異方性及び可能な限り低い電気伝導率
を有していなければならない。ここ数年間、例えばテレ
ビ受信機におけるＴＦＴ（薄膜トランジスター）への応
用といったような、盛んに要望されている液晶表示装置
に対して特別な関心が持たれている。しかし、このよう
な表示装置のうち正の誘電異方性を有するシアノ化合物
を使用すると、一般的に望ましくない電流の高い増大を
もたらす。

【０００４】液晶は通常数種の成分の混合物として使用
されるので、それらの成分が相互に優れた混和性を有す
ることが重要である。

【０００５】本発明は一般式

【０００６】

【化７】

【０００７】［式中、Ｚ１　は共有単結合又は−ＣＨ２
　ＣＨ２　−を表し、Ｘ１　は水素、フッ素又は塩素を
表し、Ｒ１　は２〜１２の炭素原子を有する１Ｅ−アル
ケニルを表す。］で示される化合物を提供する。

【０００８】本発明の化合物は、ネマチック相の範囲が
広く、予期しないほどの高い澄明点を有する液晶である
。同時にこれらの化合物は、特にねじれネマチック構造
を有する表示装置において、予期しないことに、短い切
換時間を有する。化合物は低い粘性及び通常の液晶との
優れた混和性を有し、比較的低いしきい電位を可能とす
る。

【０００９】本発明による化合物は、ネマチック及びコ
レステリック混合物の成分として特に適しており、また
、これらの化合物どうし及び既知の液晶物質への優れた
混和性を有しているため、比較的高い濃度において使用
することもできる。

【００１０】上記の“１Ｅ−アルケニル”なる用語は、
直鎖状残基及び分枝鎖状残基を包含する。ビニル、１Ｅ
−プロペニル、１Ｅ−ブテニル、１Ｅ−ペンテニル、１
Ｅ−ヘキセニル、１Ｅ−ヘプテニル等のような直鎖状残
基が通常好ましい。

【００１１】式Ｉは一般式

【００１２】

【化８】

【００１３】［式中、Ｒ１　及びＺ１　は上記の定義を
有する。］で示される化合物を包含する。

【００１４】上記の各式において好ましい残基Ｒ１　は
２〜７個の炭素原子、特に２〜５個の炭素原子を有する
ものである。ビニル及び１Ｅ−プロペニルは特に好まし
い。

【００１５】式Ｉの化合物は一般式

【００１６】

【化９】

【００１７】［式中、Ｘ１　及びＺ１　は上記の定義を
有する。］で示されるアルデヒドを、塩基の存在下にお
いて、アルキルトリフェニルホスホニウムハロゲン化物
と反応させることによって、本発明により製造すること
ができる。

【００１８】塩基の存在下におけるアルキルトリフェニ
ルホスホニウムハロゲン化物（特にアルキルトリフェニ
ルホスホニウムクロリド、アルキルトリフェニルホスホ
ニウムブロミド又はアルキルトリフェニルホスホニウム
ヨージド）との反応は、既知の方法で行われる。カリウ
ム−ｔｅｒｔ−ブチラート、ナトリウムメチラート、水
素化ナトリウム、ナトリウムアミド等が適当な塩基であ
る。従来は反応を不活性溶媒中、例えばジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン又はｔｅｒｔ−ブ
チルメチルエーテルのようなエーテル中で行った。温度
及び圧力は重要ではないが、反応は通常大気圧で、室温
から環流温度までの温度で行う。

【００１９】Ｒ１　がビニルを表わさない場合、通常、
既知の方法、例えば硝酸銀で含浸したシリカゲル上でク
ロマトグラフィー処理して分離し、Ｅ／Ｚ混合物を得る
ことができた。さらに、所望すればＥ／Ｚ混合物又はＺ
−異性体をスルフィン酸類、例えば、ベンゼンスルフィ
ン酸又はｐ−トルエンスルフィン酸と平衡化させること
により、主にＥ形に変化することができる。

【００２０】式ＩＩの出発物質は既知の化合物であるか
、又はその類縁体であり、例えば例中に記載した方法に
より製造することができる。

【００２１】式Ｉの化合物は、相互の混合物及び／又は
他の液晶成分（例えば、シッフ塩基類、アゾベンゼン、
アゾキシベンゼン、フェニル安息香酸塩、シクロヘキサ
ンカルボン酸フェニルエステル、シクロヘキサンカルボ
ン酸シクロヘキシルエステル、ビフェニル、フェニルシ
クロヘキサン、シクロヘキシルシクロヘキサン、フェニ
ルピリミジン、シクロヘキシルピリミジン、フェニルジ
オキサン、２−シクロヘキシル−１−フェニルエタン、
タ−フェニル、シクロヘキシルビフェニル、シクロヘキ
シルフェニルピリミジンなどから得られる物質）との混
合物の形態で使用することができる。このような物質は
当該技術に精通した者には知られており、その多くは商
業的に入手することができる。

【００２２】本発明による液晶混合物は、少なくとも２
種の成分を含有し、そのうち少なくとも１種の成分は式
Ｉの化合物である。第２の成分、及び所望によりそれ以
上の成分は、式Ｉで示されるその他の化合物又は液晶化
合物であってもよい。式Ｉの化合物は特にネマチック混
合物に適しており、また混合物の少なくとも１種の成分
が光学的に活性である限りにおいて、さらにコレステリ
ック混合物にも適している。

【００２３】式Ｉの化合物の良好な溶解度及びその化合
物の相互の良好な混和性に関しては、本発明による混合
物中のこれらの化合物の量は比較的高い。しかし、一般
に、式Ｉの化合物は約１〜５０重量％、特に５〜３０重
量％の量が好ましい。

【００２４】本発明の混合物は、１種又は２種以上の式
Ｉの化合物のほかに、好ましくは以下の一般式の化合物
群からの１種又は２種以上の化合物を含有する。

【００２５】

【化１０】

【００２６】

【化１１】

【００２７】［式中、ｎは０又は１の数を表し；Ｒ２　
及びＲ５　はそれぞれアルキル、３Ｅ−アルケニル、４
−アルケニル又は飽和環上においては１Ｅ−アルケニル
をも表し；環Ａ１　は１，４−フェニレン、トランス−
１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイ
ル又はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル
を表し；Ｒ３　はシアノ、−ＮＣＳ、フッ素、アルキル
、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、３Ｅ−
アルケニル、４−アルケニル、アルコキシ、２Ｅ−アル
ケニルオキシ又は３−アルケニルオキシを表し；環Ａ２
　は１，４−フェニレン又はトランス−１，４−シクロ
ヘキシレンを表し；Ｒ４　はアルキル、３Ｅ−アルケニ
ル、４−アルケニルあるいはシクロヘキサン環上におい
ては１Ｅ−アルケニル又はベンゼン環上においてはシア
ノ、−ＮＣＳ、アルコキシ、２Ｅ−アルケニルオキシも
しくは３−アルケニルオキシを表し；Ｒ６　はアルキル
、１Ｅ−アルケニル、３Ｅ−アルケニル又は４−アルケ
ニルを表し；Ｚ２　は共有単結合又は−ＣＨ２　ＣＨ２
　−を表し；Ｒ７　はシアノ、アルキル、１Ｅ−アルケ
ニル、３Ｅ−アルケニル、４−アルケニル、アルコキシ
、２Ｅ−アルケニルオキシ、３−アルケニルオキシ、ア
ルコキシメチル又は（２Ｅ−アルケニル）オキシメチル
を表し；Ａ３　はトランス−１，４−シクロヘキシレン
又はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを
表し；Ｒ８　は３Ｅ−アルケニル、４−アルケニル又は
ｎが１の数を表す場合、１Ｅ−アルケニルをも表し；Ｒ
９　はアルキルを表す。］

【００２８】上記の“飽和環
”なる用語は、トランス−１，４−シクロヘキシレン及
びトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを包
含する。残基Ｒ２　〜Ｒ７　はそれぞれ好ましく最大１
２個の炭素原子、特に最大７個の炭素原子を有する。直
鎖状残基が一般に好ましい。

【００２９】液晶混合物及び電気光学装置は既知の方法
で製造することができる。

【００３０】本発明を以下の例によってさらに詳しく説
明する。例においてＣは結晶相を表し、Ｎはネマチック
相を表し、Ｉは等方性相を表す。Ｖ１０は１０％透過に
要する電圧を表す。ｔｏｎ及びｔｏｆｆ　はそれぞれス
イッチを入れる時間及びスイッチを切る時間を表す。△
ｎは光学的異方性を表す。

【００３１】例１ ａ）マグネシウム削り片４．５３ｍｇ及びヨウ素粒剤１
個を撹拌し、窒素ガスを通しながら、テトラヒドロフラ
ン１５０ｍｌを加えた。ついで混合物に４−ブロモ−１
−クロロベンゼン３８．４ｇをテトラヒドロフラン１５
０ｍｌに溶かした溶液を２０分間かけて滴下し、沸騰し
て１．２５時間還流した。その後、反応混合物を０℃に
冷却し、８−（４−オキソシクロヘキシル）−１，４−
ジオキサスピロ［４，５］デカン３５．７ｇをテトラヒ
ドロフラン２４０ｍｌに溶かした溶液を０〜５℃で３０
分間かけて滴下した。反応混合物を冷却せずにさらに４
時間撹拌した後、１０％塩化アンモニウム溶液２４０ｍ
ｌで処理し、ジエチルエーテルで抽出した。エーテル相
を水で２回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過し
て濃縮した。このようにして１−（４−クロロフェニル
）−４−（１，４−ジオキサ−８−スピロ［４，５］デ
シル）シクロヘキサノールのベージュ色結晶５４．７ｇ
を得た。

【００３２】ｂ）１−（４−クロロフェニル）−４−（
１，４−ジオキサ−８−スピロ［４，５］デシル）シク
ロヘキサノール５４．７ｇを塩化エチレン５７０ｍｌに
溶かした溶液に、エチレングリコール６．９５ｍｌ及び
アンバーライト（商標）１５（強酸性イオン交換樹脂、
Ｆｌｕｋａ　　ＡＧ製）６．９５ｇを加え、中性酸化ア
ルミニウムを通し２．３時間環流した。その後、反応混
合物を室温に冷却し、ろ過して水で３回洗浄した。水相
を塩化メチレンで２回抽出した。有機相を硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、ろ過して濃縮した。こうして得た粗製生
成物（５２．９ｇ）を酢酸エチル１５０ｍｌに溶解した
。溶液に活性炭を加え暖めながらろ過した。ろ液の溶媒
を一部蒸発させた後、メタノールを加えて室温に放置し
た。このようにして４−クロロ−１−［４−（１，４−
ジオキソ−８−スピロ［４，５］デシル）−１−シクロ
ヘキセニル］ベンゼンの無色結晶沈殿物２４．９ｇを得
た。母液を処理し、さらに６．３ｇの無色結晶の生成物
を得た。

【００３３】ｃ）４−クロロ−１−［４−（１，４−ジ
オキソ−８−スピロ［４，５］デシル）−１−シクロヘ
キセニル］ベンゼン３５．０ｇをトルエン１，０００ｍ
ｌに溶かした溶液にパラジウム／チャーコール（１０％
）２．６ｇを加え、室温、大気圧で、水素を吸収しなく
なるまで水素添加した。その後反応混合物をろ過し、ろ
液を濃縮して、粗製４−クロロ−１−［４−（１，４−
ジオキサ−８−スピロ［４，５］デシル）シクロヘキシ
ル］ベンゼンの褐色油状物３５．７ｇを得た。塩化アル
ミニウム３２．８ｇを塩化メチレン２１５ｍｌに溶かし
た懸濁液を、撹拌し、窒素ガスを通しながら、水素添加
物（褐色油３５．７ｇ）を塩化メチレン１１０ｍｌに溶
かした溶液を−１８℃で１０分間かけて加え、混合物を
０℃でさらに３０分間撹拌した。ついで、反応混合物を
氷／水６００ｍｌに注加し、１０分撹拌した後、塩化メ
チレンで３回抽出した。有機相を水、炭酸水素ナトリウ
ム飽和溶液、さらに水で２回、続けて洗浄した後、硫酸
ナトリウム上で乾燥し、ろ過して濃縮した。このように
して４−クロロ−１−［トランス−４−（１，４−ジオ
キサ−８−スピロ［４，５］デシル）シクロヘキシル］
ベンゼンのベージュ色結晶３１．１ｇを得た。

【００３４】ｄ）４−クロロ−１−［トランス−４−（
１，４−ジオキサ−８−スピロ［４，５］デシル）シク
ロヘキシル］ベンゼン３１．１ｇ、トルエン２０７ｍｌ
及びギ酸１０３ｍｌの混合物を室温で１．２５分窒素ガ
スを通しながら撹拌した。その後反応混合物を水５００
ｍｌに注加し、塩化メチレンで３回抽出した。有機相を
炭酸水素ナトリウム飽和溶液で１回、水で２回洗浄し、
硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過して濃縮した。このよ
うにして、トランス−４’−（４−クロロフェニル）−
［１，１’−ビシクロヘキシル］−４−１のベージュ色
結晶３０．３ｇを得た。

【００３５】ｅ）メトキシメチルトリフェニルホスホニ
ウムクロリド３５．５ｇをｔｅｒｔ−ブチルメチルエー
テル２１０ｍｌに溶かした懸濁液に、−１５℃で撹拌し
、窒素ガスを通しながら、カリウム−ｔｅｒｔ−ブチラ
ート１２．２ｇを加えた。懸濁液を５℃でさらに３０分
撹拌した後、０〜５℃で４０分間トランス−４’−（４
−クロロフェニル）−［１，１’−ビシクロヘキシル］
−４−オン２０ｇをテトラヒドロフラン５０ｍｌ及びｔ
ｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２００にｍｌ溶かした溶
液を滴下し、室温でさらに１時間撹拌した。ついで反応
混合物を吸引ろ過し、ろ液を濃縮した。こうして得た粗
製生成物（４５．０ｇ）にヘキサン２５０ｍｌを加えた
。混合物を室温で１０分間撹拌して吸引ろ過した。ろ液
を濃縮して粗製生成物の褐色油２７．０ｇを得た。この
生成物をシリカゲル上でヘキサン及びヘキサン／酢酸エ
チルを用いてクロマトグラフィー処理して再結晶させ、
トランス−４−（４−クロロフェニル）−４’−（メト
キシメチリジン）−［１，１’−ビシクロヘキシル］の
無色結晶１８．１ｇを得た。

【００３６】ｆ）トランス−４−（４−クロロフェニル
）−４’−（メトキシメチリジン）−［１，１’−ビシ
クロヘキシル］１８．１ｇをヒドロフラン９０ｍｌに溶
かした溶液に２Ｎ　塩酸２２．５ｍｌを加え、撹拌し、
窒素を通しながら、３０分間沸騰させて環流した。つい
で反応混合物を室温へ冷却し、水４００ｍｌに注加して
塩化メチレンで３回抽出した。有機相を水で２回洗浄し
、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過して濃縮した。残留
物（１７．０ｇ）をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１
５０ｍｌに溶解した。溶液の溶媒を大部分蒸発させた後
、メタノール２００ｍｌを加えた。−２５℃で再結晶さ
せて、無色結晶沈殿物として生成物７．５ｇを得た。母
液を処理し、さらに８．５ｇの生成物を得た。生成物を
再結晶させて、トランス−４’−（４−クロロフェニル
）−［１，１’−ビシクロヘキシル］−トランス−４−
カルボキシアルデヒドの無色結晶１３．６ｇを得た。

【００３７】ｇ）エチルトリフェニルホスホニウムブロ
ミド２．０ｇをｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２７５
ｍｌに溶かした懸濁液に、撹拌し、窒素を通しながら、
カリウム−ｔｅｒｔ−ブチラート６．７５ｇを加え、室
温でさらに１時間撹拌した。ついで懸濁液にトランス−
４’−（４−クロロフェニル）−［１，１’−ビシクロ
ヘキシル］−トランス−４−カルボキシアルデヒド１０
．０ｇをテトラヒドロフラン４０ｍｌ及びｔｅｒｔ−ブ
チルメチルエーテル１００ｍｌに溶かした溶液を滴下し
、氷浴で冷却しながらさらに４５分間撹拌した。その後
、反応混合物を吸引ろ過しろ液を真空中で濃縮した。ベ
ージュ色結晶である残留物（２１．７ｇ）にヘキサン２
５０ｍｌを加えた。混合物を１０分間撹拌した後、吸収
ろ過した。ろ液を真空中で再結晶させて、粗製生成物の
ベージュ色結晶１１．６ｇを得た。シリカゲル上でクロ
マトグラフィー処理して再結晶させて１−［トランス−
４−（トランス−４−（１−プロペニル）シクロヘキシ
ル）シクロヘキシル］−４−シクロベンゼン（Ｅ／Ｚ比
＝１１：８８）の無色結晶９．５ｇを得た。

【００３８】ｈ）１−［トランス−４−（トランス−４
−（１−プロペニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル
］−４−クロロベンゼン９．５ｇをトルエン１１５ｍｌ
に溶かした溶液に、室温で撹拌し、窒素ガスを通しなが
ら、２Ｎ　塩酸９．４ｍｌ及びベンゼンスルフィン酸ナ
トリウム１．４３ｇを加え、２．２５時間加熱（油浴温
度６０〜６５℃）した。その後、反応混合物を室温に冷
却し、炭酸水素ナトリウム１０％溶液１５０ｍｌに注加
して、ジエチルエーテルで３回抽出した。有機相を水で
２回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過して濃縮
した。このようにして得た粗製生成物（９．７ｇ）をｔ
ｅｒｔ−ブチルメチルエーテル／イソプロパノールから
再結晶させて、１−［トランス−４−（トランス−４−
（１Ｅ−プロペニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル
］−４−クロロベンゼンの無色結晶７．６ｇを得た。 融点（Ｃ−Ｎ）１０６．９℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）２２８
．５℃。

【００３９】以下の化合物を同様の方法で製造すること
ができた： １−［トランス−４−（トランス−４−ビニルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］−４−クロロベンゼン、融点
（Ｃ−Ｎ）　１０２．４℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）　１７９
．５℃； １−［トランス−４−（トランス−４−（１Ｅ−ペンテ
ニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシル］−４−クロ
ロベンゼン、融点（Ｃ−Ｎ）　８９．４℃、澄明点（Ｎ
−Ｉ）　２０７．１℃； １−［トランス−４−（トランス−４−ビニルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］−３−フルオロ−４−クロロ
ベンゼン、融点（Ｃ−Ｎ）　８３．５℃、澄明点（Ｎ−
Ｉ）　１４５℃； １−［トランス−４−（トランス−４−（１Ｅ−プロペ
ニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシル］−３−フル
オロ−４−クロロベンゼン、融点（Ｃ−Ｎ）　９０．８
℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）　１９５℃； １−［トランス−４−（トランス−４−（１Ｅ−ペンテ
ニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシル］−３−フル
オロ−４−クロロベンゼン、融点（Ｃ−Ｎ）　６４．８
℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）　１７３．５℃； １−［トランス−４−（トランス−４−ビニルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］−３，４−ジクロロベンゼン
、融点（Ｃ−Ｎ）　６４．３℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）　７
９℃； １−［トランス−４−（トランス−４−（１Ｅ−プロペ
ニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシル］−３，４−
ジクロロベンゼン、融点（Ｃ−Ｎ）　７６．３℃、澄明
点（Ｎ−Ｉ）　１２６．５℃； １−［トランス−４−（トランス−４−（１Ｅ−ペンテ
ニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシル］−３，４−
ジクロロベンゼン、融点（Ｃ−Ｎ）　５２．６℃、澄明
点（Ｎ−Ｉ）　１１３．４℃；

【００４０】例２ ａ）塩化アルミニウム１３３．３ｇを塩化メチレン２５
０ｍｌに溶かした懸濁液を冷却しつつ窒素ガスを通しな
がら、４−フェニルシクロヘキサノン１７４．２ｇを塩
化メチレン２５０ｍｌに溶かした溶液を２０℃で滴下し
た。 反応混合物をさらに３０分間撹拌して透明な溶液を得た
。一方、塩化アルミニウム１３３．３ｇを塩化メチレン
５００ｍｌに溶かした懸濁液に、窒素ガスを通しながら
塩化オキサリル１７２ｍｌを加えた。ついでこの混合物
に、４−フェニルシクロヘキサノン−塩化アルミニウム
錯体の上記溶液を２０〜２５℃で１時間かけて滴下した
。反応混合物をさらに３０分間撹拌した後、２℃に冷却
して、撹拌しながら、塩化カルシウム３００ｇを水１，
０００ｍｌに溶かした溶液に２０分間かけて滴下した。 混合物を室温でさらに１．５時間撹拌した後、氷／水５
００ｍｌ中に注加した。有機相を分離し、塩化ナトリウ
ム半飽和溶液５００ｍｌで洗浄した。水相を塩化メチレ
ン５００ｍｌずつで２回逆抽出した。合した有機相を硫
酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過して濃縮した。こうして
得た油状の４−（４−オキソシクロヘキシル）　ベンゾ
イルクロリドをトルエン４００ｍｌに溶解し、この溶液
をメタノール１５０ｍｌ、ピリジン２００ｍｌ及びトル
エン１，０００ｍｌの混合物に滴下した。反応混合物を
一夜放置した後、水、３Ｎ　塩酸、炭酸水素ナトリウム
半飽和溶液及び再び水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾
燥し、ろ過して濃縮した。残留物を−２５℃でトルエン
から再結晶させて、純粋な４−（４−オキソシクロヘキ
シル）安息香酸メチル（融点９１〜９２℃）　１２８ｇ
を得た。

【００４１】ｂ）乾燥したメトキシメチルトリフェニル
ホスホニウムクロリド２３６ｇをテトラヒドロフラン９
００ｍｌに溶かした懸濁液に、窒素ガスを通しながらカ
リウム−ｔｅｒｔ−ブチラート７７ｇを加えた。懸濁液
をさらに３０分間撹拌した後、０℃に冷却し、４−（４
−オキソシクロヘキシル）安息香酸メチル１２８ｇをテ
トラヒドロフラン４２０ｍｌに溶かした溶液を３０分間
かけて滴下した。反応混合物を０℃でさらに３時間撹拌
した後、炭酸水素ナトリウム飽和溶液５５０ｍｌを加え
、ジエチルエーテルで３回抽出した。有機相を水で洗浄
し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過して濃縮した。残
留物をヘキサン２，５００ｍｌ及びメタノール／水（容
量比４：１）　混液に溶解した。ヘキサン相をメタノー
ル／水（容量比４：１）　混液３００ｍｌで洗浄し、硫
酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過して濃縮した。このよう
にして４−［４−（メトキシメチリジン）　−シクロヘ
キシル］安息香酸メチル（融点５８℃）　１２３ｇを得
た。

【００４２】ｃ）４−［４−（メトキシメチリジン）　
シクロヘキシル］安息香酸メチル１２３ｇ、トルエン１
，０００ｍｌ及びギ酸５００ｍｌの混合物を室温で一夜
激しく撹拌した。ギ酸相を分離した。トルエン相を水で
洗浄して中性にし、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過し
て濃縮した。こうして得た粗製シス／トランス混合物を
メタノール６００ｍｌに溶解した。溶液を窒素ガスを通
しながら０．１Ｎ　メタノール性水酸化カリウム溶液１
，２００ｍｌへ３℃で１０分間かけて滴下した。反応混
合物を３℃でさらに１時間撹拌した後、氷／水中に注加
してジエチルエーテルで抽出した。有機相を水で洗浄し
、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過して濃縮した。残留
物をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルから再結晶させて
４−（トランス−４−ホルミルシクロヘキシル）安息香
酸メチル（融点８４〜８５℃）　８８．５ｇを得た。

【００４３】ｄ）４−（トランス−４−ホルミルシクロ
ヘキシル）　安息香酸メチル８８．５ｇをトルエン７０
０ｍｌ及びジエチレングリコール２５ｍｌに溶かした溶
液に、撹拌しながら、１０容量％硫酸１．５ｍｌを加え
、加熱して１時間沸騰させて、湿ったトルエンを留出さ
せ、新しいトルエンを加えて置換した。ついで反応溶液
にトリエチルアミン１，０００ｍｌを加えた。混合物を
水１５０ｍｌずつで３回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾
燥し、ろ過して濃縮した。残留物をｔｅｒｔ−ブチルエ
ーテルから−２５℃で２回再結晶させて、純粋な４−［
トランス−４−（１，３−ジオキソラン−２−イル）シ
クロヘキシル］安息香酸メチル（融点１１０〜１１１℃
）　７５．４ｇを得た。

【００４４】ｅ）４−［トランス−４−（１，３−ジオ
キソラン−２−イル）シクロヘキシル］安息香酸メチル
１００ｇ、５％ロジウム／酸化アルミニウム１０ｇ、メ
タノール１，０００ｍｌ及びトリエチルアミン１ｍｌの
混合物を６０℃、１０ｂａｒ　の水素雰囲気下で水素を
吸収しなくなるまで水素添加した。混合物をろ過し、ろ
液を濃縮した。こうしてトランス−４−（１，３−ジオ
キソラン−２−イル）　−［１，１’−ビシクロヘキシ
ル］−４−カルボン酸メチル（シス／トランス比６０：
４０）　を得た。これにメタノール１９．３ｇ及び水酸
化ナトリウム１０％溶液３．４ｍｌを加えた。撹拌し、
窒素ガスを通しながら溶剤を留去していくと、沸点が９
０℃に達した。 ついで混合物をこの温度でさらに１．５時間撹拌した。 こうして得られた半固体混合物をゆっくり冷却し、同時
に塩化メチレン３００ｍｌを慎重に加えた。ついで混合
物を炭酸水素ナトリウム飽和溶液１５０ｍｌで洗浄し、
硫酸ナトリウム上で乾燥させ、ろ過して濃縮した。残留
物とヘキサン８００ｍｌから再結晶させて、純粋な４’
−（１，３−ジオキソラン−２−イル）　−［１，１’
−ビクシクロヘキシル］−トランス−４−カルボン酸メ
チル（融点１２６〜１２７℃）　８０．７ｇを得た。

【００４５】ｆ）水素化アルミニウムリチウム３．４ｇ
を無水ジエチルエーテル２００ｍｌに溶かした懸濁液に
、４’−（１，３−ジオキソラン−２−イル）　−［１
，１’−ビシクロヘキシル］−トランス−４−カルボン
酸メチル２６．７ｇを無水ジエチルエーテル５００ｍｌ
に溶かした溶液を、２時間かけて滴下した。反応混合物
をさらに２時間撹拌し、氷／水２５ｍｌ及び２５％塩酸
６０ｍｌの混合物に慎重に注加した。水相を分離し、ジ
エチルエーテルで抽出した。合した有機相を水で洗浄し
て中性にし、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、ろ過して濃
縮した。 このようにしてトランス−４’−（１，３−ジオキソラ
ン−２−イル）　−［１，１’−ビシクロヘキシル］−
トランス−４−カルビノール２３．７ｇを得た。

【００４６】ｇ）クロロクロム酸ピリジニウム３４．５
ｇを塩化メチレン１５０ｍｌに溶かした懸濁液に、トラ
ンス−４’−（１，３−ジオキソラン−２−イル）　−
［１，１’−ビシクロヘキシル］−トランス−４−カル
ビノール２３．７ｇの溶液を３０分間かけて滴下した。 反応混合物を室温でさらに３時間撹拌した後、無水ジエ
チルエーテル５００ｍｌ中に注加して、残留物からデカ
ントした。残留物をジエチルエーテル１００ｍｌずつで
さらに３回洗浄した。溶液をろ過し、濃縮してトランス
−４’−（１，３−ジオキソラン−２−イル）　−［１
，１’−ビシクロヘキシル］−トランス−４−カルボキ
シアルデヒド１９．８ｇを得た。］−トランス−４−カ
ルボキシアルデヒド１９．８ｇを得た。

【００４７】ｈ）トリフェニルホスフィン２９．４ｇを
トルエン２００ｍｌに溶かした溶液に、臭化−４−クロ
ロベンジル２０．５ｇを滴下した。混合物を６５℃に３
時間加熱した後、２時間沸騰させた。室温まで冷却した
後、沈殿物をろ過し、トルエンで洗浄して真空で乾燥し
た。こうして得た４−クロロベンジル−トリフェニルホ
スホニウムブロミドをジエチルエーテル５００ｍｌに懸
濁した。懸濁液に窒素ガスを通しながらカリウム−ｔｅ
ｒｔ−ブチラート９．５ｇを加え、室温でさらに３０分
間撹拌した後、トランス−４’−（１，３−ジオキソラ
ン−２−イル）　−［１，１’−ビシクロヘキシル］−
トランス−４−カルボキシアルデヒド１９．８ｇを無水
エーテル２５０ｍｌに溶かした溶液を２℃で滴下した。 反応混合物を室温でさらに２．５時間撹拌した。ついで
混合物を炭酸水素ナトリウム半飽和溶液５００ｍｌ及び
水３００ｍｌで洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ
過して濃縮した。残留物をヘキサン２００ｍｌ及びメタ
ノール／水（容量比４：１）　混液１２０ｍｌに溶解し
た。ヘキサン相を分離し、メタノール／水（容量比４：
１）　混液４０ｍｌで洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥
し、ろ過して濃縮した。残留物をシリカゲル上でヘキサ
ン／酢酸エチル（容量比９：１）　混液を用いて再結晶
させて、トランス−４−（１，３−ジオキソラン−２−
イル）　−トランス−４’−（４−クロロスチリル）　
−［１，１’−ビシクロヘキシル］を得た。

【００４８】ｉ）トランス−４−（１，３−ジオキソラ
ン−２−イル）　−トランス−４’−（４−クロロスチ
リル）　−［１，１’−ビシクロヘキシル］２３．６ｇ
をジオキサン１，２００ｍｌ及びトリエチルアミン２．
５ｍｌに溶かした溶液に、５％パラジウム／チャーコー
ルを用いて、室温常圧で水素を吸収しなくなるまで水素
添加した。反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮してトラン
ス−４−（１，３−ジオキソラン−２−イル）　−トラ
ンス−４’−（４−クロロフェネチル）　−［１，１’
−ビシクロヘキシル］を得た。

【００４９】ｊ）トランス−４−（１，３−ジオキソラ
ン−２−イル）　−トランス−４’−（４−クロロフェ
ネチル）　−［１，１’−ビシクロヘキシル］１２．３
ｇ、トルエン３００ｍｌ及びギ酸５０ｍｌを、窒素の雰
囲気下で一夜撹拌した。ついでギ酸相を分離した。トル
エン相を水及び炭酸水素ナトリウム飽和溶液で洗浄し、
硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過して濃縮した。こうし
て得たトランス−４’−（４−クロロフェネチル）　−
［１，１’−ビシクロヘキシル］−トランス−４−カル
ボキシアルデヒドを、メタノールから再結晶させた。

【００５０】ｋ）例１ｇ）及び１ｈ）と同様の方法で、
トランス−４’−（４−クロロフェネチル）　−［１，
１’−ビシクロヘキシル］−トランス−４−カルボキシ
アルデヒドを１−［２−［トランス−４−（トランス−
４−（１Ｅ−プロペニル）　シクロヘキシル）　シクロ
ヘキシル］エチル］−４−クロロベンゼン（融点（Ｃ−
Ｎ）　８１．４℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）　１８６℃）　に
変換した。

【００５１】以下の化合物を同様の方法で製造すること
ができた。１−［２−［トランス−４−（トランス−４
−ビニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］エチル］−
４−クロロベンゼン；融点（Ｃ−Ｎ）　６２．６℃、澄
明点（Ｎ−Ｉ）　１４７℃；１−［２−［トランス−４
−（トランス−４−ビニルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］エチル］−３−フルオロ−４−クロロベンゼン；
融点（Ｃ−Ｎ）　４９．４℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）　１２
７．５℃；１−［２−［トランス−４−（トランス−４
−（１Ｅ−プロペニル）　シクロヘキシル）　シクロヘ
キシル］エチル］−３−フルオロ−４−クロロベンゼン
融点（Ｃ−Ｎ）　７２℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）　１６５℃
；１−［２−［トランス−４−（トランス−４−ビニル
シクロヘキシル）シクロヘキシル］エチル］−３，４−
ジクロロベンゼン；１−［２−［トランス−４−（トラ
ンス−４−（１Ｅ−プロペニル）　シクロヘキシル）　
シクロヘキシル］エチル］−３，４−ジクロロベンゼン
；

【００５２】例３ 式Ｉの化合物の性質を調べるために、４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリルを含有す
る二元混合物（ＢＭ）　を調整した。しきい電位及び反
応時間を２２℃で電極距離８μｍ　有するＴＮセル；操
作電圧として選択したしきい電位値の２．５倍の電位値
を有するＴＮセル（低バイアスチルト）　において測定
した。 純粋な４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
ベンゾニトリルに対する測定値は；澄明点（Ｎ−１）　
５４．６℃、Ｖ１０＝１．６２Ｖ、ｔＯＮ＝３０ｍｓ（
ミリ秒）　ｔｏｆｆ　＝４２ｍｓ、△ｎ　＝０．１２０

【００５３】ＢＭ−１ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
ビニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−４−クロロ
ベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　６３．５℃、Ｖ１０＝１．６５Ｖ、
ｔＯＮ＝２６ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝４０ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２５

【００５４】ＢＭ−２ ８０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 ２０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
ビニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−４−クロロ
ベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　７３．８℃、Ｖ１０＝１．６９Ｖ、
ｔＯＮ＝２４ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝３９ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２６

【００５５】ＢＭ−３ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
（１Ｅ−プロペニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］−４−クロロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　６６．１℃、Ｖ１０＝１．６６Ｖ、
ｔＯＮ＝２７ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝３６ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２７

【００５６】ＢＭ−４ ８０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 ２０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
（１Ｅ−プロペニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］−４−クロロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　７８．４℃、Ｖ１０＝１．８４Ｖ、
ｔＯＮ＝２１ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝３６ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２３

【００５７】ＢＭ−５ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
（１Ｅ−ペンテニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］−４−クロロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　６４．５℃、Ｖ１０＝１．６４Ｖ、
ｔＯＮ＝２９ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝４０ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２４

【００５８】ＢＭ−６ ８０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 ２０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
（１Ｅ−ペンテニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］−４−クロロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　７５．３℃、Ｖ１０＝１．８９Ｖ、
ｔＯＮ＝２４ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝４０ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２５

【００５９】ＢＭ−７ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
ビニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−３−フルオ
ロ−４−クロロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　５９．９℃、Ｖ１０＝１．５８Ｖ、
ｔＯＮ＝２３ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝４０ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２３

【００６０】ＢＭ−８ ８０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 ２０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
ビニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−３−フルオ
ロ−４−クロロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　６６．３℃、Ｖ１０＝１．６２Ｖ、
ｔＯＮ＝２５ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝４０ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２５

【００６１】ＢＭ−９ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
（１Ｅ−プロペニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］−３−フルオロ−４−クロロベンゼン；澄明点（Ｎ
−Ｉ）　６２．７℃、Ｖ１０＝１．６１Ｖ、ｔＯＮ＝２
４ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝３９ｍｓ、△ｎ　＝０．１２５

【
００６２】ＢＭ−１０ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
（１Ｅ−ペンテニル）　シクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］−３−フルオロ−４−クロロベンゼン；澄明点（Ｎ
−Ｉ）　６２．０℃、Ｖ１０＝１．６０Ｖ、ｔＯＮ＝２
３ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝３９ｍｓ、△ｎ　＝０．１２３

【
００６３】ＢＭ−１１ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［トランス−４−（トランス−４−
ビニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−３，４−ジ
クロロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　５５．２℃、Ｖ１０＝１．４９Ｖ、
ｔＯＮ＝２７ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝４４ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２１

【００６４】ＢＭ−１２ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［トランス−４−（１Ｅプロペニル
）シクロヘキシル）シクロヘキシル］−３，４−ジクロ
ロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　５８．５℃、Ｖ１０＝１．５５Ｖ、
ｔＯＮ＝２７ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝４７ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２２

【００６５】ＢＭ−１３ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［２−［トランス−４−（トランス
−４−ビニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］エチル
］−４−クロロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　６１℃、Ｖ１０＝１．７５Ｖ、ｔＯ
Ｎ＝２３ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝３９ｍｓ、△ｎ　＝０．１
２４．

【００６６】ＢＭ−１４ ８０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 ２０重量％　　１−［２−［トランス−４−（トランス
−４−ビニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］エチル
］−４−クロロベンゼン； 澄明点（Ｎ−Ｉ）　６９．９℃、Ｖ１０＝１．８９Ｖ、
ｔＯＮ＝２３ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝３６ｍｓ、△ｎ　＝０
．１２５．

【００６７】ＢＭ−１５ ９０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 １０重量％　　１−［２−［トランス−４−（トランス
−４−（１Ｅ−プロペニル）　シクロヘキシル）シクロ
ヘキシル］エチル］−４−クロロベンゼン；澄明点（Ｎ
−Ｉ）　６４．２℃、Ｖ１０＝１．７４Ｖ、ｔＯＮ＝２
５ｍｓ、ｔｏｆｆ　＝４０ｍｓ、△ｎ　＝０．１２６．

【００６８】ＢＭ−１６ ８０重量％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　一般式 【化１】 ［式中、Ｚ１　は共有単結合又は−ＣＨ２　ＣＨ２　−
   を表し、Ｘ１　は水素、フッ素又は塩素を表し、Ｒ１　
   は２〜１２個の炭素原子を有する１Ｅ−アルケニルを表
   す］で示される化合物。
2. 【請求項２】　　Ｒ１　が直鎖状残基を表す請求項１記
   載の化合物。
3. 【請求項３】　　Ｒ１　が２〜７個、好ましくは２〜５
   個の炭素原子を有する請求項１又は２記載の化合物。
4. 【請求項４】　　少なくとも１種の成分が請求項１に定
   義した式Ｉの化合物である少なくとも２種の成分を有す
   る液晶混合物。
5. 【請求項５】　　式Ｉの化合物の量が１〜５０重量％、
   好ましくは５〜３０重量％である請求項４記載の液晶混
   合物。
6. 【請求項６】　　１種又は２種以上の式Ｉの化合物及び
   以下の一般式の化合物群の１種又は２種以上の化合物を
   含有する請求項４又は５記載の液晶混合物。 【化２】 【化３】 ［式中、ｎは０又は１の数を表し；Ｒ２　及びＲ５　は
   それぞれアルキル、３Ｅ−アルケニル、４−アルケニル
   又は飽和環上においては１Ｅ−アルケニルをも表し；環
   境Ａ１　は１，４−フェニレン、トランス−１，４−シ
   クロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル又はトラ
   ンス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを表し；Ｒ
   ３　はシアノ、−ＮＣＳ、フッ素、アルキル、３Ｅ−ア
   ルケニル、４−アルケニル、アルコキシ、２Ｅ−アルケ
   ニルオキシ又は３−アルケニルオキシを表し；環Ａ２　
   は１，４−フェニレン又はトランス−１，４−シクロヘ
   キシレンを表し；Ｒ４　はアルキル、３Ｅ−アルケニル
   、４Ｅ−アルケニルあるいはシクロヘキサン環上におい
   ては、１Ｅ−アルケニル又はベンゼン環上においてはシ
   アノ、−ＮＣＳ、アルコキシ、２Ｅ−アルケニルオキシ
   もしくは３−アルケニルオキシをも表し；Ｒ６　はアル
   キル、１Ｅ−アルケニル、３Ｅ−アルケニル又は４−ア
   ルケニルを表し；Ｚ２　は共有単結合又は−ＣＨ２　Ｃ
   Ｈ２　−を表し；Ｒ７　はシアノ、アルキル、１Ｅ−ア
   ルケニル、３Ｅ−アルケニル、４−アルケニル、アルコ
   キシ、２Ｅ−アルケニルオキシ、３−アルケニルオキシ
   、アルコキシメチル又は（２Ｅ−アルケニル）オキシメ
   チルを表す。］
7. 【請求項７】　　１種又は２種以上の式
   Ｉの化合物及び以下の一般式の化合物群からの１種又は
   ２種以上の化合物を含有する請求項４又は５の液晶混合
   物。 【化４】 【化５】 ［式中、ｎは０又は１の数を表し；Ｒ２　及びＲ５　は
   それぞれアルキル、３Ｅ−アルケニル、４−アルケニル
   又は飽和環上においては１Ｅ−アルケニルをも表し；環
   Ａ１　は１，４−フェニレン、トランス−１，４−シク
   ロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル又はトラン
   ス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを表し；Ｒ３
   　はシアノ、−ＮＣＳ、フッ素、アルキル、ジフルオロ
   メトキシ、トリフルオロメトキシ、３Ｅ−アルケニル、
   ４−アルケニル、アルコキシ、２Ｅ−アルケニルオキシ
   又は３−アルケニルオキシを表し；環Ａ２　は１，４−
   フェニレンヌはトランス−１，４−シクロヘキシレンを
   表し；Ｒ４　はアルキル、３Ｅ−アルケニル、４−アル
   ケニルあるいはシクロヘキサン環上においては１Ｅ−ア
   ルケニル又はベンゼン環上においてはシアノ、−ＮＣＳ
   、アルコキシ、２Ｅ−アルケニルオキシもしくは３−ア
   ルケニルオキシをも表し；Ｒ６　はアルキル、１Ｅ−ア
   ルケニル、３Ｅ−アルケニル又は４−アルケニルを表し
   ；Ｚ２　は共有単結合又は−ＣＨ２　ＣＨ２　−を表し
   ；Ｒ７　はシアノ、アルキル、１Ｅ−アルケニル、３Ｅ
   −アルケニル、４−アルケニル、アルコキシ、２Ｅ−ア
   ルケニルオキシ、３−アルケニルオキシ、アルコキシメ
   チル又は　（２Ｅ−アルケニル）　オキシメチルを表し
   ；Ａ３　はトランス−１，４−シクロヘキシレン又はト
   ランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを表し；
   Ｒ８　は３Ｅ−アルケニル、４−アルケニル又はｎが１
   の数を表す場合１Ｅ−アルケニルをも表し；Ｒ９　はア
   ルキルを表す。］
8. 【請求項８】　　一般式 【化６】 ［式中、Ｘ１　及びＺ１　は請求項１に記載された定義
   を有する。］で示されるアルデヒドを塩基の存在下でア
   ルキルトリフェニルホスホニウムハロゲン化物と反応さ
   せる方法による請求項１に記載した式Ｉの化合物の製造
   方法。
9. 【請求項９】　　請求項１記載の式Ｉの化合物の電気光
   学目的への使用。