JPH04226110A - 架橋重合体微粒子 - Google Patents
架橋重合体微粒子Info
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- JPH04226110A JPH04226110A JP10539491A JP10539491A JPH04226110A JP H04226110 A JPH04226110 A JP H04226110A JP 10539491 A JP10539491 A JP 10539491A JP 10539491 A JP10539491 A JP 10539491A JP H04226110 A JPH04226110 A JP H04226110A
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Landscapes
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は良好なめっき特性を有す
るスチレン系架橋重合体微粒子に関する。
るスチレン系架橋重合体微粒子に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
電子部品の小型化・薄型化が進み、その結果、極微細化
された電極端子を簡単、確実かつ経済的に接続する技術
がますます重要となっている。この要求を満たすべく異
方導電フィルムが、これらの電極接続用として開発され
ている。異方導電フィルムとは、接着剤樹脂とこれに分
散した粒径5〜30μm の導電粒子とから構成された
フィルム状の接続材料である。このものを加圧及び/又
は加熱により端子間で接着することにより、接着剤樹脂
中に分散した導電粒子によりフィルムの厚み方向のみの
導電性を発現するという性能を有するものである。
電子部品の小型化・薄型化が進み、その結果、極微細化
された電極端子を簡単、確実かつ経済的に接続する技術
がますます重要となっている。この要求を満たすべく異
方導電フィルムが、これらの電極接続用として開発され
ている。異方導電フィルムとは、接着剤樹脂とこれに分
散した粒径5〜30μm の導電粒子とから構成された
フィルム状の接続材料である。このものを加圧及び/又
は加熱により端子間で接着することにより、接着剤樹脂
中に分散した導電粒子によりフィルムの厚み方向のみの
導電性を発現するという性能を有するものである。
【0003】ここで使用される導電粒子としては、一般
にニッケル、金、はんだ等の金属粒子が用いられる。し
かし、このような金属粒子は接着剤樹脂に比べて比重が
大きく、形も不定形であるため、均一に分散し難く、圧
着後の導電性にむらが生じる等の問題がある。このよう
な点を解決するため、金属粒子の代わりに種々の重合体
粒子の表面に金属めっきを施した導電粒子の使用が提案
されている(例えば、特開昭61−277104号、特
開昭61−277105号、特開昭62−206772
号、特開昭63−190204号各公報)。
にニッケル、金、はんだ等の金属粒子が用いられる。し
かし、このような金属粒子は接着剤樹脂に比べて比重が
大きく、形も不定形であるため、均一に分散し難く、圧
着後の導電性にむらが生じる等の問題がある。このよう
な点を解決するため、金属粒子の代わりに種々の重合体
粒子の表面に金属めっきを施した導電粒子の使用が提案
されている(例えば、特開昭61−277104号、特
開昭61−277105号、特開昭62−206772
号、特開昭63−190204号各公報)。
【0004】しかし、これらの導電粒子では、重合体粒
子とめっき層との密着性が充分でなく導電層が剥離する
、圧縮強度が低いため圧力により粒子が潰れたり変形し
たりする等の問題があり、満足の行くものは得られてい
ないのが現状であった。
子とめっき層との密着性が充分でなく導電層が剥離する
、圧縮強度が低いため圧力により粒子が潰れたり変形し
たりする等の問題があり、満足の行くものは得られてい
ないのが現状であった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らはこのような
欠点を改善すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のスチレ
ン誘導体を単量体として用いることにより、導電粒子用
微粒子として有用なスチレン系架橋重合体微粒子が得ら
れることを見いだし、本発明を完成するに至った。
欠点を改善すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のスチレ
ン誘導体を単量体として用いることにより、導電粒子用
微粒子として有用なスチレン系架橋重合体微粒子が得ら
れることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0006】即ち、本発明は、フェノール性水酸基に誘
導可能な置換基を1個以上有するスチレン誘導体を構成
単量体単位として含有することを特徴とする架橋重合体
微粒子を提供するものである。
導可能な置換基を1個以上有するスチレン誘導体を構成
単量体単位として含有することを特徴とする架橋重合体
微粒子を提供するものである。
【0007】本発明に用いるスチレン誘導体は酸等で処
理することによりフェノール性水酸基に誘導可能な置換
基を有するものであり、具体的には、次の(1) 〜(
8) に示すもの等が挙げられる。
理することによりフェノール性水酸基に誘導可能な置換
基を有するものであり、具体的には、次の(1) 〜(
8) に示すもの等が挙げられる。
【0008】(1) (α−メチル−)p−メトキシス
チレン、(α−メチル−)p−エトキシスチレン、(α
−メチル−)p−ヒドロキシスチレンイソプロピルエー
テル、(α−メチル−)p−t−ブトキシスチレン、(
α−メチル−)m−t−ブトキシスチレン、(α−メチ
ル−)p−t−アミロキシスチレン、(α−メチル−)
p−ヒドロキシスチレンラウリルエーテル等の(α−メ
チル−)アルキルオキシスチレン。
チレン、(α−メチル−)p−エトキシスチレン、(α
−メチル−)p−ヒドロキシスチレンイソプロピルエー
テル、(α−メチル−)p−t−ブトキシスチレン、(
α−メチル−)m−t−ブトキシスチレン、(α−メチ
ル−)p−t−アミロキシスチレン、(α−メチル−)
p−ヒドロキシスチレンラウリルエーテル等の(α−メ
チル−)アルキルオキシスチレン。
【0009】(2) (α−メチル−)p−メチルペル
オキシスチレン、(α−メチル−)m−エチルペルオキ
シスチレン等の(α−メチル−)アルキルペルオキシス
チレン。
オキシスチレン、(α−メチル−)m−エチルペルオキ
シスチレン等の(α−メチル−)アルキルペルオキシス
チレン。
【0010】(3) (α−メチル−)p−アセトキシ
スチレン、(α−メチル−)p−イソブチロイルオキシ
スチレン、(α−メチル−)p−t−アミロイルオキシ
スチレン、(α−メチル−)m−ラウロイルオキシスチ
レン等の(α−メチル−)アシルオキシスチレン。
スチレン、(α−メチル−)p−イソブチロイルオキシ
スチレン、(α−メチル−)p−t−アミロイルオキシ
スチレン、(α−メチル−)m−ラウロイルオキシスチ
レン等の(α−メチル−)アシルオキシスチレン。
【0011】(4) (α−メチル−)p−エチルアミ
ノカルボニルオキシスチレン、(α−メチル−)p−t
−ブチルアミノカルボニルオキシスチレン等の(α−メ
チル−)アルキルアミノカルボニルオキシスチレン。
ノカルボニルオキシスチレン、(α−メチル−)p−t
−ブチルアミノカルボニルオキシスチレン等の(α−メ
チル−)アルキルアミノカルボニルオキシスチレン。
【0012】(5)(α−メチル−)p−t−ブトキシ
カルボニルオキシスチレン、(α−メチル−)m−t−
アミロキシカルボニルオキシスチレン等の(α−メチル
−)アルコキシカルボニルオキシスチレン。
カルボニルオキシスチレン、(α−メチル−)m−t−
アミロキシカルボニルオキシスチレン等の(α−メチル
−)アルコキシカルボニルオキシスチレン。
【0013】(6) (α−メチル−)トリメチルシリ
ルオキシスチレン、(α−メチル−)トリエチルシリル
オキシスチレン等の(α−メチル−)トリアルキルシリ
ルオキシスチレン。
ルオキシスチレン、(α−メチル−)トリエチルシリル
オキシスチレン等の(α−メチル−)トリアルキルシリ
ルオキシスチレン。
【0014】(7) (α−メチル−)p−t−ブチル
スルフェニルカルボニルオキシスチレン、(α−メチル
−)m−ラウリルスルフェニルカルボニルオキシスチレ
ン等の(α−メチル−)アルキルスルフェニルカルボニ
ルオキシスチレン。
スルフェニルカルボニルオキシスチレン、(α−メチル
−)m−ラウリルスルフェニルカルボニルオキシスチレ
ン等の(α−メチル−)アルキルスルフェニルカルボニ
ルオキシスチレン。
【0015】(8) (α−メチル−)p−t−ブチル
スルフェニルチオカルボニルオキシスチレン、(α−メ
チル−)p−t−アミルスルフェニルチオカルボニルオ
キシスチレン等の(α−メチル−)アルキルスルフェニ
ルチオカルボニルオキシスチレン。
スルフェニルチオカルボニルオキシスチレン、(α−メ
チル−)p−t−アミルスルフェニルチオカルボニルオ
キシスチレン等の(α−メチル−)アルキルスルフェニ
ルチオカルボニルオキシスチレン。
【0016】尚、上記において、例えば(α−メチル−
)p−メトキシスチレンの表記は、p−メトキシスチレ
ン又はα−メチル−p−メトキシスチレンを示す意味の
表現である。これらの中でもt−ブチル基等のかさ高い
置換基を有するものが加水分解などされ易い点から好ま
しい。また、置換基が2個以上の場合には互いに同じで
も異なっていてもよい。
)p−メトキシスチレンの表記は、p−メトキシスチレ
ン又はα−メチル−p−メトキシスチレンを示す意味の
表現である。これらの中でもt−ブチル基等のかさ高い
置換基を有するものが加水分解などされ易い点から好ま
しい。また、置換基が2個以上の場合には互いに同じで
も異なっていてもよい。
【0017】上記スチレン誘導体において、フェノール
性水酸基に誘導可能な置換基はフェノール性水酸基の保
護基となり得るものであり、重合後、酸等で処理するこ
とにより脱離し、フェノール性水酸基を生成することが
できる。
性水酸基に誘導可能な置換基はフェノール性水酸基の保
護基となり得るものであり、重合後、酸等で処理するこ
とにより脱離し、フェノール性水酸基を生成することが
できる。
【0018】上記のスチレン誘導体の中でも下記一般式
(I)
(I)
【0019】
【化2】
【0020】(式中、R1は炭素数1〜18のアルキル
基又はアシル基を表し、R2は水素原子又はメチル基を
表す。)で表される化合物が本発明において好ましく用
いられ、更にアルキルオキシスチレン又はα−メチル−
アルキルオキシスチレンが特に好ましく用いられる。
基又はアシル基を表し、R2は水素原子又はメチル基を
表す。)で表される化合物が本発明において好ましく用
いられ、更にアルキルオキシスチレン又はα−メチル−
アルキルオキシスチレンが特に好ましく用いられる。
【0021】本発明の架橋重合体微粒子は、フェノール
性水酸基に誘導可能な置換基を1個以上有するスチレン
誘導体と架橋性単量体、及び必要に応じて用いられる他
の共重合性単量体を、懸濁重合、シード重合等、通常重
合体微粒子の製造に用いられる方法により重合させるこ
とにより得ることができる。これら単量体成分の使用量
は、フェノール性水酸基に誘導可能な置換基を1個以上
有するスチレン誘導体5〜99.5重量%、架橋性単量
体 0.5〜50重量%、その他の共重合性単量体0〜
94.5重量%が好ましい。
性水酸基に誘導可能な置換基を1個以上有するスチレン
誘導体と架橋性単量体、及び必要に応じて用いられる他
の共重合性単量体を、懸濁重合、シード重合等、通常重
合体微粒子の製造に用いられる方法により重合させるこ
とにより得ることができる。これら単量体成分の使用量
は、フェノール性水酸基に誘導可能な置換基を1個以上
有するスチレン誘導体5〜99.5重量%、架橋性単量
体 0.5〜50重量%、その他の共重合性単量体0〜
94.5重量%が好ましい。
【0022】本発明においては、全単量体中 0.5〜
50重量%の範囲で架橋性単量体が使用されるが、より
好ましくは1〜20重量%の範囲である。架橋性単量体
が 0.5重量%より少ない場合には圧縮強度が低くな
り導電層の剥離及び圧力による導電粒子の潰れが生じや
すくなり好ましくない。一方、50重量%より多く使用
した場合には圧縮強度はさらに増大するが、必然的にス
チレン誘導体の割合が低くなることや架橋重合体微粒子
が脆くなることなど本発明の効果が低減され好ましくな
い。
50重量%の範囲で架橋性単量体が使用されるが、より
好ましくは1〜20重量%の範囲である。架橋性単量体
が 0.5重量%より少ない場合には圧縮強度が低くな
り導電層の剥離及び圧力による導電粒子の潰れが生じや
すくなり好ましくない。一方、50重量%より多く使用
した場合には圧縮強度はさらに増大するが、必然的にス
チレン誘導体の割合が低くなることや架橋重合体微粒子
が脆くなることなど本発明の効果が低減され好ましくな
い。
【0023】本発明において用いられる架橋性単量体と
しては、ジビニルベンゼン、(ポリ)エチレングリコー
ルジアクリレート、(ポリ)エチレングリコールジメタ
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート
、1,4 −ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン、
ジアリルアミン等の多官能単量体が挙げられるが、中で
もジビニルベンゼン、(ポリ)エチレングリコールジ(
メタ)アクリレートが共重合性の点から好ましく、特に
ジビニルベンゼンが、耐薬品性(後述のめっき処理にお
ける酸処理における耐久性もその一つ)の点から好まし
い。これらの架橋性単量体は単独で又は2種以上を組合
せて用いることができる。また他の共重合性単量体とし
てはスチレンが好ましい。その使用量は全単量体中0〜
94.5重量%の範囲で、適宜選ぶことができる。
しては、ジビニルベンゼン、(ポリ)エチレングリコー
ルジアクリレート、(ポリ)エチレングリコールジメタ
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート
、1,4 −ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン、
ジアリルアミン等の多官能単量体が挙げられるが、中で
もジビニルベンゼン、(ポリ)エチレングリコールジ(
メタ)アクリレートが共重合性の点から好ましく、特に
ジビニルベンゼンが、耐薬品性(後述のめっき処理にお
ける酸処理における耐久性もその一つ)の点から好まし
い。これらの架橋性単量体は単独で又は2種以上を組合
せて用いることができる。また他の共重合性単量体とし
てはスチレンが好ましい。その使用量は全単量体中0〜
94.5重量%の範囲で、適宜選ぶことができる。
【0024】本発明において用いられる重合開始剤とし
ては、一般に用いられる油溶性重合開始剤が使用できる
。具体的には、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル等
の過酸化物;2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、
2,2’−アゾビス−(2,4 −ジメチルバレロニト
リル)等のアゾ化合物等が挙げられる。これらはモノマ
ー 100重量部に対して通常 0.1〜10重量部、
好ましくは 0.5〜5重量部が使用される。
ては、一般に用いられる油溶性重合開始剤が使用できる
。具体的には、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル等
の過酸化物;2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、
2,2’−アゾビス−(2,4 −ジメチルバレロニト
リル)等のアゾ化合物等が挙げられる。これらはモノマ
ー 100重量部に対して通常 0.1〜10重量部、
好ましくは 0.5〜5重量部が使用される。
【0025】本発明の架橋重合体微粒子の平均粒子径は
、目的や種類によって任意に設計し得るが、前述の異方
導電フィルム用の導電粒子として用いる場合、通常5〜
30μm 程度である。また粒子径分布の広い粒子を使
用すると、導電不良の問題が発生しやすくなるため、粒
子径分布の標準偏差がその粒子径の20%以下であるこ
とが好ましい。
、目的や種類によって任意に設計し得るが、前述の異方
導電フィルム用の導電粒子として用いる場合、通常5〜
30μm 程度である。また粒子径分布の広い粒子を使
用すると、導電不良の問題が発生しやすくなるため、粒
子径分布の標準偏差がその粒子径の20%以下であるこ
とが好ましい。
【0026】したがって、得られる重合体微粒子の粒子
径分布が広い場合には水簸法又は風力法等により分級す
るのが好ましい。
径分布が広い場合には水簸法又は風力法等により分級す
るのが好ましい。
【0027】次に得られた架橋重合体微粒子に対してめ
っきを施す場合、一般には次のような方法でニッケル、
コバルト、金等の無電解めっきを行なう。まず、前処理
として硫酸、無水クロム酸等の酸水溶液に架橋重合体微
粒子を浸漬し、脱脂及び親水化(腐食又はエッチング)
処理を行なう。次に塩化スズ(II)水溶液に浸漬する
。 さらに塩化パラジウム水溶液に浸漬し活性化処理を行な
った後、塩化ニッケル水溶液中で無電解めっきを行なう
。以上述べたように通常これらの工程は、各水溶液に重
合体微粒子を浸漬する方法で行なわれるため、均一なめ
っきを行なうためには、重合体微粒子の親水化処理を十
分に行なう必要がある。
っきを施す場合、一般には次のような方法でニッケル、
コバルト、金等の無電解めっきを行なう。まず、前処理
として硫酸、無水クロム酸等の酸水溶液に架橋重合体微
粒子を浸漬し、脱脂及び親水化(腐食又はエッチング)
処理を行なう。次に塩化スズ(II)水溶液に浸漬する
。 さらに塩化パラジウム水溶液に浸漬し活性化処理を行な
った後、塩化ニッケル水溶液中で無電解めっきを行なう
。以上述べたように通常これらの工程は、各水溶液に重
合体微粒子を浸漬する方法で行なわれるため、均一なめ
っきを行なうためには、重合体微粒子の親水化処理を十
分に行なう必要がある。
【0028】
【作用】本発明の架橋重合体微粒子は、めっき処理のた
めの親水化処理を施す際に、フェノール性水酸基に誘導
可能な置換基を1個以上有するスチレン誘導体単位が酸
処理により脱保護基化してヒドロキシスチレン単位にな
り、他の重合体微粒子に比べ、親水化の度合が高く、め
っき特性の向上に寄与するものと推察される。
めの親水化処理を施す際に、フェノール性水酸基に誘導
可能な置換基を1個以上有するスチレン誘導体単位が酸
処理により脱保護基化してヒドロキシスチレン単位にな
り、他の重合体微粒子に比べ、親水化の度合が高く、め
っき特性の向上に寄与するものと推察される。
【0029】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。なお、実施例中「部」は重量部を示す。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。なお、実施例中「部」は重量部を示す。
【0030】実施例1
ポリビニルアルコール(GH−17 、日本合成化学工
業(株)製;ケン化度86.5〜89 mol%)の3
%水溶液 800部に、スチレン45部、p−t−ブト
キシスチレン50部、ジビニルベンゼン5部、過酸化ベ
ンゾイル 2.0部の混合液を加えて微分散させ、攪拌
しながら窒素気流下80℃で15時間重合を行なった。 得られた微粒子をイオン交換水及び溶剤で洗浄後、分級
操作を施し、さらに単離乾燥して平均粒径10.0μm
、標準偏差が 1.5μm である架橋重合体微粒子
を得た。
業(株)製;ケン化度86.5〜89 mol%)の3
%水溶液 800部に、スチレン45部、p−t−ブト
キシスチレン50部、ジビニルベンゼン5部、過酸化ベ
ンゾイル 2.0部の混合液を加えて微分散させ、攪拌
しながら窒素気流下80℃で15時間重合を行なった。 得られた微粒子をイオン交換水及び溶剤で洗浄後、分級
操作を施し、さらに単離乾燥して平均粒径10.0μm
、標準偏差が 1.5μm である架橋重合体微粒子
を得た。
【0031】無水クロム酸 7.5部、濃硫酸 0.4
部を水 100部に溶かした溶液に、この重合体微粒子
10部を室温で30分間浸漬し表面親水化処理を行なっ
た。これを水洗した後、塩化スズ(II)1部、濃塩酸
4部を水100 部に溶かした溶液に、室温で30分間
浸漬して表面感受化を行った。更に水洗後、塩化パラジ
ウム 0.045部、濃塩酸1部を水 100部に溶か
した溶液に、室温で30分間浸漬し表面活性化処理を行
なった。これを水洗した後、さらに硫酸ニッケル3部、
次亜リン酸ナトリウム1部、酢酸ナトリウム1部と水
100部からなるめっき浴に、 100℃で10分間浸
漬し無電解ニッケルめっきを行なった。得られた導電性
粒子の表面状態は良好でありめっきむらは認められなか
った。
部を水 100部に溶かした溶液に、この重合体微粒子
10部を室温で30分間浸漬し表面親水化処理を行なっ
た。これを水洗した後、塩化スズ(II)1部、濃塩酸
4部を水100 部に溶かした溶液に、室温で30分間
浸漬して表面感受化を行った。更に水洗後、塩化パラジ
ウム 0.045部、濃塩酸1部を水 100部に溶か
した溶液に、室温で30分間浸漬し表面活性化処理を行
なった。これを水洗した後、さらに硫酸ニッケル3部、
次亜リン酸ナトリウム1部、酢酸ナトリウム1部と水
100部からなるめっき浴に、 100℃で10分間浸
漬し無電解ニッケルめっきを行なった。得られた導電性
粒子の表面状態は良好でありめっきむらは認められなか
った。
【0032】なお、めっき層と架橋重合体微粒子の密着
性の評価は次のような方法にて行なった。すなわち、得
られた導電性粒子0.1gを打錠器(直径10mm)に
入れて30kg/cm2の圧力にて10分間保持した。 試験後の導電性粒子を走査型電子顕微鏡にて観察したと
ころ、粒子が多少楕円形になる変形は認められたが、め
っき層のひびわれや剥離は見られず、密着性は良好であ
った。
性の評価は次のような方法にて行なった。すなわち、得
られた導電性粒子0.1gを打錠器(直径10mm)に
入れて30kg/cm2の圧力にて10分間保持した。 試験後の導電性粒子を走査型電子顕微鏡にて観察したと
ころ、粒子が多少楕円形になる変形は認められたが、め
っき層のひびわれや剥離は見られず、密着性は良好であ
った。
【0033】実施例2
単量体混合液を、スチレン85.5部、p−t−ブトキ
シスチレン9.5 部、エチレングリコールジメタクリ
レート5.0 部、過酸化ベンゾイル2.0 部とした
以外は実施例1と同様に重合を行い、分級操作を施して
平均粒径8.3 μm 、標準偏差1.5μm の架橋
重合体微粒子を得た。更に実施例1と同様にめっき処理
を行い性能を評価したところ、良好な特性を示した。
シスチレン9.5 部、エチレングリコールジメタクリ
レート5.0 部、過酸化ベンゾイル2.0 部とした
以外は実施例1と同様に重合を行い、分級操作を施して
平均粒径8.3 μm 、標準偏差1.5μm の架橋
重合体微粒子を得た。更に実施例1と同様にめっき処理
を行い性能を評価したところ、良好な特性を示した。
【0034】実施例3〜6
表1に示す各種モノマー組成にて懸濁重合を行ない、分
級操作を施し架橋重合体微粒子を得た。これらの架橋重
合体微粒子に対し、実施例1と同様の操作にて無電解ニ
ッケルめっきを行なった。さらに、めっき層と架橋重合
体微粒子の密着性の評価を実施例1と同様の方法で行な
った。結果を表1に示したが、めっきは均一に行なわれ
ており、密着性の評価を行なったところ、めっき層のひ
びわれや剥離は見られず、密着性は良好であった。
級操作を施し架橋重合体微粒子を得た。これらの架橋重
合体微粒子に対し、実施例1と同様の操作にて無電解ニ
ッケルめっきを行なった。さらに、めっき層と架橋重合
体微粒子の密着性の評価を実施例1と同様の方法で行な
った。結果を表1に示したが、めっきは均一に行なわれ
ており、密着性の評価を行なったところ、めっき層のひ
びわれや剥離は見られず、密着性は良好であった。
【0035】比較例1
表1に示すように、架橋性単量体を使用せずに懸濁重合
を行い、分級操作を施して重合体微粒子を得た。この重
合体微粒子に対し、実施例1と同様の操作にて無電解ニ
ッケルめっきを行なった。さらに、めっき層と重合体微
粒子の密着性の評価を実施例1と同様の方法で行なった
。表1に示したように、均一にめっき層は形成されてい
たが、強度が不十分で粒子自体が変形しひびわれ剥離が
生じていることが分かった。
を行い、分級操作を施して重合体微粒子を得た。この重
合体微粒子に対し、実施例1と同様の操作にて無電解ニ
ッケルめっきを行なった。さらに、めっき層と重合体微
粒子の密着性の評価を実施例1と同様の方法で行なった
。表1に示したように、均一にめっき層は形成されてい
たが、強度が不十分で粒子自体が変形しひびわれ剥離が
生じていることが分かった。
【0036】比較例2
表1に示すように、本発明のスチレン誘導体を使用せず
に懸濁重合及び分級操作を行い、架橋重合体微粒子を得
た。この架橋重合体微粒子に対し、実施例1と同様の操
作にて無電解ニッケルめっきを行なった。さらに、めっ
き層と架橋重合体微粒子の密着性の評価を実施例1と同
様の方法で行なった。表1に示したように、めっき層は
むらになっており、密着性も不十分であることが分かっ
た。
に懸濁重合及び分級操作を行い、架橋重合体微粒子を得
た。この架橋重合体微粒子に対し、実施例1と同様の操
作にて無電解ニッケルめっきを行なった。さらに、めっ
き層と架橋重合体微粒子の密着性の評価を実施例1と同
様の方法で行なった。表1に示したように、めっき層は
むらになっており、密着性も不十分であることが分かっ
た。
【0037】
【表1】
【0038】注)
*1:スチレン誘導体A:p−t−ブトキシスチレンス
チレン誘導体B:α−メチル−p−t−アミロキシスチ
レン DVB:ジビニルベンゼン *2:AIBN:2,2’−アゾビスイソブチロニトリ
ルV−65:2,2’−アゾビス(2,4 −ジメチル
バレロニトリル) (和光純薬工業(株)製) *3:めっき状態:○…均一、×…不均一*4:強度:
○…良好、△…脆い、×…低い*5:密着性:○…良好
、×…ひび割れ・剥離あり実施例7〜9 表2に示す各種モノマー組成にて懸濁重合を行ない、分
級操作を施し架橋重合体微粒子を得た。これらの架橋重
合体微粒子に対し、実施例1と同様の操作にて無電解ニ
ッケルめっきを行なった。さらに、めっき層と架橋重合
体微粒子の密着性の評価を実施例1と同様の方法で行な
った。
チレン誘導体B:α−メチル−p−t−アミロキシスチ
レン DVB:ジビニルベンゼン *2:AIBN:2,2’−アゾビスイソブチロニトリ
ルV−65:2,2’−アゾビス(2,4 −ジメチル
バレロニトリル) (和光純薬工業(株)製) *3:めっき状態:○…均一、×…不均一*4:強度:
○…良好、△…脆い、×…低い*5:密着性:○…良好
、×…ひび割れ・剥離あり実施例7〜9 表2に示す各種モノマー組成にて懸濁重合を行ない、分
級操作を施し架橋重合体微粒子を得た。これらの架橋重
合体微粒子に対し、実施例1と同様の操作にて無電解ニ
ッケルめっきを行なった。さらに、めっき層と架橋重合
体微粒子の密着性の評価を実施例1と同様の方法で行な
った。
【0039】結果を表2に示したが、いずれもめっきは
均一に行なわれており、密着性の評価を行なったところ
、めっき層のひび割れや剥離は見られず、密着性は良好
であった。
均一に行なわれており、密着性の評価を行なったところ
、めっき層のひび割れや剥離は見られず、密着性は良好
であった。
【0040】
【表2】
【0041】注)
*1:スチレン:10部、DVB:27.3部使用スチ
レン誘導体C:m−t−ブトキシスチレンスチレン誘導
体D:p−t−アミロキシスチレンスチレン誘導体E:
p−ヒドロキシスチレンイソプロピルエーテル *2:AIBN:2,2’−アゾビスイソブチロニトリ
ルV−65:2,2’−アゾビス(2,4 −ジメチル
バレロニトリル) (和光純薬工業(株)製) *3:めっき状態:○…均一、×…不均一*4:密着性
:○…良好、×…ひび割れ・剥離あり実施例10〜11 表3に示す各種モノマー組成にて懸濁重合を行ない、分
級操作を施し架橋重合体微粒子を得た。これらの架橋重
合体微粒子に対し、実施例1と同様の操作にて無電解ニ
ッケルめっきを行なった。さらに、めっき層と架橋重合
体微粒子の密着性の評価を実施例1と同様の方法で行な
った。
レン誘導体C:m−t−ブトキシスチレンスチレン誘導
体D:p−t−アミロキシスチレンスチレン誘導体E:
p−ヒドロキシスチレンイソプロピルエーテル *2:AIBN:2,2’−アゾビスイソブチロニトリ
ルV−65:2,2’−アゾビス(2,4 −ジメチル
バレロニトリル) (和光純薬工業(株)製) *3:めっき状態:○…均一、×…不均一*4:密着性
:○…良好、×…ひび割れ・剥離あり実施例10〜11 表3に示す各種モノマー組成にて懸濁重合を行ない、分
級操作を施し架橋重合体微粒子を得た。これらの架橋重
合体微粒子に対し、実施例1と同様の操作にて無電解ニ
ッケルめっきを行なった。さらに、めっき層と架橋重合
体微粒子の密着性の評価を実施例1と同様の方法で行な
った。
【0042】結果を表3に示したが、いずれもめっきは
均一に行なわれており、密着性の評価を行なったところ
、めっき層のひび割れや剥離は見られず、密着性は良好
であった。
均一に行なわれており、密着性の評価を行なったところ
、めっき層のひび割れや剥離は見られず、密着性は良好
であった。
【0043】
【表3】
【0044】注)
*1:スチレン誘導体F:p−イソブチロイルオキシス
チレン スチレン誘導体G:α−メチル−m−ラウロイルオキシ
スチレン DVB:ジビニルベンゼン *2:BPO:過酸化ベンゾイル LPO:過酸化ラウロイル *3:めっき状態:○…均一、×…不均一*4:強度:
○…良好、△…脆い、×…低い*5:密着性:○…良好
、×…ひび割れ・剥離あり実施例12 実施例1で得られた導電性粒子10部を、シアン金カリ
ウム 0.5部、塩化ニッケル 0.5部、エチレンジ
アミンテトラ酢酸2ナトリウム5部、塩化アンモニウム
1部、水 100部からなるめっき浴に、95℃で30
分間浸漬し無電解金−ニッケルめっきを行なった。得ら
れた導電性粒子の表面状態は良好でありめっきむら等は
認められなかった。 さらに実施例1と同様の方法にて密着性の評価を行なっ
たが、めっき層のひび割れや剥離は見られず、密着性は
良好であった。
チレン スチレン誘導体G:α−メチル−m−ラウロイルオキシ
スチレン DVB:ジビニルベンゼン *2:BPO:過酸化ベンゾイル LPO:過酸化ラウロイル *3:めっき状態:○…均一、×…不均一*4:強度:
○…良好、△…脆い、×…低い*5:密着性:○…良好
、×…ひび割れ・剥離あり実施例12 実施例1で得られた導電性粒子10部を、シアン金カリ
ウム 0.5部、塩化ニッケル 0.5部、エチレンジ
アミンテトラ酢酸2ナトリウム5部、塩化アンモニウム
1部、水 100部からなるめっき浴に、95℃で30
分間浸漬し無電解金−ニッケルめっきを行なった。得ら
れた導電性粒子の表面状態は良好でありめっきむら等は
認められなかった。 さらに実施例1と同様の方法にて密着性の評価を行なっ
たが、めっき層のひび割れや剥離は見られず、密着性は
良好であった。
【0045】
【発明の効果】上記実施例からも明らかなように、本発
明の架橋重合体微粒子はめっきにより設けた導電層との
密着性に優れている。従って、本発明の架橋重合体微粒
子は、異方導電フィルム、導電性ペースト、電磁波シー
ルド樹脂用フィラー等の導電性材料の用途に利用される
導電粒子の母体粒子として好適である。
明の架橋重合体微粒子はめっきにより設けた導電層との
密着性に優れている。従って、本発明の架橋重合体微粒
子は、異方導電フィルム、導電性ペースト、電磁波シー
ルド樹脂用フィラー等の導電性材料の用途に利用される
導電粒子の母体粒子として好適である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 フェノール性水酸基に誘導可能な置換
基を1個以上有するスチレン誘導体を構成単量体単位と
して含有することを特徴とする架橋重合体微粒子。 【請求項2】 フェノール性水酸基に誘導可能な置換
基を1個以上有するスチレン誘導体5〜99.5重量%
と、架橋性単量体0.5 〜50重量%と、その他の共
重合性単量体0〜94.5重量%との共重合体であるこ
とを特徴とする架橋重合体微粒子。 【請求項3】 スチレン誘導体が、下記一般式(I)
で表される化合物である請求項1又は2記載の架橋重合
体微粒子。 【化1】 (式中、R1は炭素数1〜18のアルキル基又はアシル
基を表し、R2は水素原子又はメチル基を表す。)【請
求項4】 スチレン誘導体がアルキルオキシスチレン
又はα−メチル−アルキルオキシスチレンである請求項
1又は2記載の架橋重合体微粒子。 【請求項5】 アルキルオキシスチレン又はα−メチ
ル−アルキルオキシスチレンが、p−t−ブトキシスチ
レン又はα−メチル−p−t−アミロキシスチレンであ
る請求項4記載の架橋重合体微粒子。 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか一項に記載の
架橋重合体微粒子にめっき処理を施してなることを特徴
とする導電粒子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10539491A JP2951744B2 (ja) | 1990-06-14 | 1991-05-10 | 架橋重合体微粒子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-156897 | 1990-06-14 | ||
JP15689790 | 1990-06-14 | ||
JP10539491A JP2951744B2 (ja) | 1990-06-14 | 1991-05-10 | 架橋重合体微粒子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04226110A true JPH04226110A (ja) | 1992-08-14 |
JP2951744B2 JP2951744B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=26445690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10539491A Expired - Lifetime JP2951744B2 (ja) | 1990-06-14 | 1991-05-10 | 架橋重合体微粒子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2951744B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004156145A (ja) * | 1995-11-16 | 2004-06-03 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子 |
JP2009135366A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-18 | Panasonic Corp | 部品実装装置 |
WO2011114993A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 日立化成工業株式会社 | 架橋ポリマー粒子及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3821217B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2006-09-13 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP10539491A patent/JP2951744B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004156145A (ja) * | 1995-11-16 | 2004-06-03 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子 |
JP2009135366A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-18 | Panasonic Corp | 部品実装装置 |
WO2011114993A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 日立化成工業株式会社 | 架橋ポリマー粒子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2951744B2 (ja) | 1999-09-20 |
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