JPH04224972A - イオンフロー記録用ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、イオンフロー記録用
ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】図３はイオンフローを用いて静電潜像を
形成する記録ヘッドの構成図であり、コロナ放電器５１
に対向して、イオンフロー記録用ヘッド５２が設けられ
ている。イオンフロー記録用ヘッド５２は、例えば３０
０ｄｐｉの高密度の貫通孔列５２ａが形成され、貫通孔
列５２ａの各位置の上面及び下面に共通電極５２ｂ及び
個別電極５２ｃが形成され、共通電極５２ｂ及び個別電
極５２ｃの間には各貫通孔で独立して所定の電圧を印加
することができる構成となっている。この記録ヘッドは
ドラム５３上の誘電体層５３ａと対向している。そして
コロナ放電器５１より発生したコロナイオンを、電圧印
加により電界が生じた貫通孔５２ａより飛び出させ、誘
電体層５３ａに付着させ、これにより静電潜像が形成さ
れるようになっている。

【０００３】ところで、イオンフロー記録用ヘッド５２
は記録紙サイズ等から、２０〜３０ｃｍ等の長さが必要
であり、例えば厚み０．４ｍｍの薄板のイオンフロー記
録用ヘッド５２を２０〜３０ｃｍ等の長さで製造し、ま
た取り扱うことは非常に困難であるため、通常、貫通孔
が形成された例えば１０ｃｍ角以下の基板を複数個、組
み立て工程等でつないで、イオンフロー記録用ヘッド５
２を形成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、貫通孔列は極
めて高密度であり、良好な静電潜像を得る等のために、
基板同士を接続したときに貫通孔列は同一ピッチで続い
ていなければならず、従って基板の端縁に極めて近い位
置に端の貫通孔を形成しなければならず、端の貫通孔及
びその貫通孔の位置の電極が極めて形成し難いという問
題点があった。

【０００５】すなわち端の貫通孔と基板の端縁との間に
ひびが入ったり、欠けが生じたりし、基板を接続すると
きに、端の貫通孔の位置に形成した電極同士がショート
したりした。

【０００６】そこで本発明の目的は、基板の端の貫通孔
や電極等を容易に形成することが可能なイオンフロー記
録用ヘッドを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板には貫通孔列が形成され、各貫通孔
の周囲の基板の表裏両面に第１の電極と第２の電極とが
それぞれ形成してあり、上記基板を複数個つないで１つ
のヘッドモジュールとするイオンフロー記録用ヘッドに
おいて、基板の端の貫通孔の径はその他の貫通孔の径よ
り小さく、かつ基板の端の貫通孔の位置の第１の電極と
第２の電極との間にかけられる電圧は、その他の貫通孔
の位置の第１の電極と第２の電極との間にかけられる電
圧より大きい。

【０００８】第１の電極は個別電極であり、第２の電極
は基板の両端の貫通孔を包囲する第１の共通電極と、そ
の他の貫通孔を包囲する第２の共通電極とからなり、第
１の共通電極の電位と、第２の共通電極の電位とが異な
っていてもよい。

【０００９】また第１の電極は個別電極であり、第２の
電極は基板の全ての貫通孔を包囲する共通電極であり、
基板の端の貫通孔の位置の個別電極の電位と、その他の
貫通孔の位置の個別電極の電位とが異なっていてもよい
。

【００１０】

【作用】基板の端の貫通孔の径はその他の貫通孔の径よ
り小さいため、端の貫通孔と基板端縁との距離が長くな
り、ひびや欠け等が生じにくく、貫通孔が形成しやすく
なる。また端の貫通孔の径が小さくなった分、その位置
の電極を小さく作ることができるため、端の貫通孔の位
置の電極同士のショート等も少なくなり、電極の形成も
容易となる。

【００１１】また基板の端の貫通孔の位置の第１の電極
と第２の電極との間にかけられる電圧は、その他の貫通
孔の位置の第１の電極と第２の電極との間にかけられる
電圧より大きいため、径が小さくなった分のイオン量の
通過の減少を電圧でカバーして各貫通孔での記録濃度の
均一を図ることができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００１３】まず第１実施例を図１，図２を用いて説明
する。

【００１４】例えば０．４ｍｍ厚さの基板１の中央部に
は貫通孔列１ａが例えば３００ｄｐｉの等ピッチで形成
されている。両端の貫通孔１ｂを除くその他の貫通孔１
ｃは例えば孔径５０〜１００μｍで、すべて同一径とな
っている。両端の貫通孔１ｂはいずれも同じ径であるが
、その他の貫通孔１ｃより径が小さくなっており、例え
ば孔径２５〜５０μｍとなっている。端の貫通孔１ｂの
中心と端縁との距離は、貫通孔ピッチの半分となってい
る。

【００１５】図１に示すように、基板１の一方の面には
個別電極（第１の電極）２が形成してある。個別電極２
は貫通孔の周囲のリング状の部分２ａ及びリング状の部
分より基板の幅方向へ導かれた導線の部分２ｂより構成
されている。リング状の部分２ａの貫通孔端縁と電極の
外縁との間の電極の幅はその他の貫通孔１ｂの部分と、
端の貫通孔１ｃの部分とで等しくなっており、したがっ
て端の貫通孔１ｃの部分におけるリング状の部分２ａの
外径は、その他の貫通孔１ｂにおけるリング状の部分２
ａの外径より小さくなっている。したがって端の貫通孔
１ｃの部分におけるリング状の部分２ａの外縁と基板１
の端縁との距離は、その他の貫通孔１ｂにおけるリング
状の部分２ａの外縁間の距離の半分より大きくなってい
る。導線の部分２ｂの幅はすべての貫通孔において等し
くなっている。

【００１６】図２に示すように、基板１の他方の面には
共通電極（第２の電極）３が形成してある。共通電極３
は端の貫通孔１ｃを包囲する第１の共通電極３ａと、そ
の他の貫通孔１ｂを包囲する第２の共通電極３ｂとから
構成されている。第１の共通電極３ａは、端の貫通孔１
ｃの径が小さくなった分、端の貫通孔１ｃの部分におけ
る横幅が小さくなっており、従ってその分、第１の共通
電極３ａの端縁と基板１の端縁との間の距離が長くなっ
ている。

【００１７】第１の共通電極３ａにかけられる電位と第
２の共通電極３ｂにかけられる電位とは異なるようにな
っている。すなわち個別電極側より共通電極側に高い電
位がかけられる場合には、第１の共通電極３ａにかけら
れる電位が第２の共通電極３ｂにかけられる電位より高
くなるようになっている。

【００１８】このような構成になっており、基板１を作
るには例えば、基板の大きさに切断した感光性ガラス板
と、図１，２の孔形状を有するフォトマスクを用意し、
感光性ガラス板の上にフォトマスクを載せてＵＶライト
を照射して露光し、熱現像し、孔部分を結晶化し、次に
エッチングして、孔部分を開ける。フォトマスクが位置
ずれし、端の貫通孔が基板の端縁に寄ったとしても、端
の貫通孔１ｃは径が小さくなっているため、端の貫通孔
の外縁と基板の端縁との間にはまだ距離があり、この部
分のひび，欠け等が防止される。

【００１９】次に個別電極を作るには、スパッタリング
等により電極層を全面に形成した後、フォトレジストを
全面に塗り、電極の形状を有するフォトマスクを用意し
、フォトレジストの上にフォトマスクを載せ、パターニ
ングを行い、その後エッチングを行って所定の個別電極
形状を得る。この場合においても、フォトマスクが位置
ずれし、端の個別電極が基板の端縁に寄ったとしても、
端の個別電極のリング状の部分２ａの外径が小さくなっ
ているため、リング状の部分２ａの外縁と基板の端縁と
の間にはまだ距離があり、基板を接続したときの端の個
別電極同士のショート等が防止される。

【００２０】基板１を複数個、つないでヘッドモジュー
ルを作り、上述のように、例えば個別電極側より共通電
極側に高い電位がかけられる場合には、第１の共通電極
３ａにかけられる電位が第２の共通電極３ｂにかけられ
る電位より高くなるように共通電極に電位をかけておく
。そして、印加信号に応じて、所定の個別電極に、共通
電極の電位より低い、一定の定まった電位をかける。 すると一定の電位がかけられた貫通孔よりイオンが飛び
出して、誘電体層に付着し静電潜像が形成される。そし
て、端の貫通孔の位置の電極間に生じる電位差が、その
他の貫通孔の位置の電極間に生じる電位差より大きいの
で、径が小さくなった分のイオン量の通過の減少を電位
差でカバーして各貫通孔でのイオン通過量を等しくして
記録濃度の均一を図り、優れた記録品質を得ることがで
きる。

【００２１】なお、第１の共通電極３ａ，第２の共通電
極３ｂの形状は本実施例に限られない。

【００２２】次に本発明の第２実施例を説明する。

【００２３】本実施例では、共通電極は基板のすべての
貫通孔を包囲しており、共通電極側には全ての貫通孔で
等しい電位がかけられるようになっている（図示省略）
。

【００２４】貫通孔の形状，個別電極の形状等は第１実
施例と同様である。

【００２５】そして例えば個別電極側より共通電極側に
高い電位がかけられる場合には、端の貫通孔１ｃの個別
電極にかけられる電位はその他の貫通孔１ｂの個別電極
にかけられる電位より小さくなるようになっている。

【００２６】したがって、印加信号により、端の貫通孔
１ｃの個別電極に電位がかけられたとき、この貫通孔１
ｃでの電極間の電位差は、その他の貫通孔の電極間の電
位差より大きいため、径が小さくなった分のイオン量の
通過の減少を電位差でカバーして各貫通孔でのイオン通
過量を等しくすることができる。

【００２７】

【発明の効果】本発明は端の貫通孔の径を小さくしたた
め、基板の端の貫通孔や電極等を、ひび，欠けやショー
ト等を防止して、容易に形成することが可能となる。

【００２８】また、基板の端の貫通孔の第１の電極と第
２の電極との間にかけられる電圧は、その他の貫通孔の
第１の電極と第２の電極との間にかけられる電圧より大
きいため、径が小さくなった分のイオン量の通過の減少
を電圧でカバーして各貫通孔での記録濃度の均一を図り
、優れた記録品質を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の基板の個別電極側の平面
図である。

【図２】第１実施例の基板の共通電極側の平面図である
。

【図３】イオンフローを用いて静電潜像を形成する記録
ヘッドの構成図である。

【符号の説明】

１　　基板 １ａ　　貫通孔列 １ｂ　　その他の貫通孔 １ｃ　　端の貫通孔 ２　　個別電極（第１の電極） ３　　共通電極（第２の電極） ３ａ　　第１の共通電極 ３ｂ　　第２の共通電極

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基板には貫通孔列が形成され、上記各
   貫通孔の周囲の上記基板の表裏両面に第１の電極と第２
   の電極とがそれぞれ形成してあり、上記基板を複数個つ
   ないで１つのヘッドモジュールとするイオンフロー記録
   用ヘッドにおいて、上記基板の端の貫通孔の径はその他
   の貫通孔の径より小さく、上記基板の端の貫通孔の位置
   の上記第１の電極と上記第２の電極との間にかけられる
   電圧は、その他の貫通孔の位置の上記第１の電極と上記
   第２の電極との間にかけられる電圧より大きいことを特
   徴とするイオンフロー記録用ヘッド。
2. 【請求項２】　　請求項１において、上記第１の電極は
   個別電極であり、上記第２の電極は上記基板の両端の貫
   通孔を包囲する第１の共通電極と、上記その他の貫通孔
   を包囲する第２の共通電極とからなり、上記第１の共通
   電極の電位と、上記第２の共通電極の電位とが異なって
   いることを特徴とするイオンフロー記録用ヘッド。
3. 【請求項３】　　請求項１において、上記第１の電極は
   個別電極であり、上記第２の電極は上記基板の全ての貫
   通孔を包囲する共通電極であり、上記基板の端の貫通孔
   の位置の上記個別電極の電位と、その他の貫通孔の位置
   の上記個別電極の電位とが異なっていることを特徴とす
   るイオンフロー記録用ヘッド。