JPH04223617A - 半導体集積回路装置のインターフェース - Google Patents

半導体集積回路装置のインターフェース

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JPH04223617A
JPH04223617A JP2414233A JP41423390A JPH04223617A JP H04223617 A JPH04223617 A JP H04223617A JP 2414233 A JP2414233 A JP 2414233A JP 41423390 A JP41423390 A JP 41423390A JP H04223617 A JPH04223617 A JP H04223617A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
circuit
output
interface
buffer circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP2414233A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Otsuki
聡 大槻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04223617A publication Critical patent/JPH04223617A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は汎用の半導体集積回路装
置や、ゲートアレイ、PLD(プログラマブル・ロジッ
ク・デバイス)などの半導体集積回路装置における入出
力インターフェースに関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般の半導体集積回路装置では、各チッ
プごとにその入出力インターフェースの規格がTTLレ
ベル、CMOSレベル、ECL100Kレベル又は独自
の規格というように、唯一の規格が選択されて設定され
ている。また、ゲートアレイの場合はゲートアレイを設
計する段階においてその入出力インターフェースの選択
がなされる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】汎用の半導体集積回路
装置にしても、ゲートアレイにしても、完成してユーザ
ーの手元に届いた段階ではそのインターフェースの規格
は唯一のものに設定されており、ユーザー自身が使用時
に規格を選択することはできない。本発明は、半導体集
積回路装置を用いるユーザーが用途に応じて入出力イン
ターフェースの規格を決定することができるようにして
、インターフェースに関する汎用性を高めることを目的
とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明では、入出力イン
ターフェースに電圧レベルの異なる複数のバッファ回路
を設け、ユーザー側でいずれかのバッファ回路を選択で
きるようにする。本発明ではまた、入出力インターフェ
ースに駆動能力を選択できるバッファ回路を設け、この
バッファ回路の駆動能力を選択できるようにする。本発
明ではさらに、入出力インターフェースに駆動能力と電
圧レベルをともに選択できるバッファ回路を設け、この
バッファ回路の駆動能力と電圧レベルを選択できるよう
にする。
【0005】
【実施例】図1は一実施例を概略的に表わしたものであ
る。半導体集積回路装置の入出力信号線に複数の入出力
バッファ回路4,6が並列に接続されている。2は半導
体集積回路装置の内部回路である。8はユーザー側でプ
ログラム可能なスイッチング装置であり、例えばPRO
M、EPROMもしはEEPROMなどのプロセス技術
により、又は機械的なスイッチ装置などにより構成され
ている。E1,E2はそれぞれイネーブル信号であり、
イネーブル信号E1,E2によりスイッチング装置8か
ら入出力バッファ回路4又は6が選択されて活性状態と
なる。
【0006】外部回路と選択された入出力バッファ回路
4又は6の間で入出力信号S1が授受され、内部回路2
と選択された入出力バッファ回路4又は6の間で入出力
信号S2が授受される。入出力バッファ回路4と6はそ
れぞれ信号レベルの規格が互いに異なるバッファ回路で
ある。
【0007】図2及び図3は図1の実施例を入力インタ
ーフェースと出力インターフェースにそれぞれ適用した
例を表わしている。図2において、入力バッファ回路と
して4a,6aが設けられ、入力バッファ回路4aはイ
ネーブル信号がハイレベルのときに活性状態となるTT
Lレベルの出力信号をもつバッファ回路、入力バッファ
回路6aはイネーブル信号がローレベルのときに活性状
態となるCMOSレベルの出力信号をもつバッファ回路
である。8aはスイッチング装置の一例としてのスイッ
チ回路であり、スイッチ回路8aにつながるイネーブル
信号ラインは抵抗Rを介して電源端子Vccに接続され
ている。10は外部回路に接続される入力パッド、12
は内部回路に接続される入力パッドである。
【0008】図2の入力インターフェースの動作を説明
する。スイッチ回路8aが図のようにオフの状態にプロ
グラムされると、イネーブル信号がハイレベルとなって
入力バッファ回路4aが活性状態、入力バッファ回路6
aが不活性状態となって、入力パッド10から12へは
TTLレベルの入力バッファ回路4aを介して信号が入
力される。一方、スイッチ回路8aがオンの状態にプロ
グラムされると、イネーブル信号がローレベルとなって
入力バッファ回路6aが活性状態、入力バッファ回路4
aが不活性状態となって、入力パッド10から12へは
CMOSレベルの入力バッファ回路6aを介して信号が
入力される。
【0009】図3においては、図2と同じインターフェ
ースが出力インターフェースとして利用され、内部回路
に接続される出力パッド14と外部回路に接続される出
力パッド16の間にこの出力インターフェースが接続さ
れている。図3のインターフェースの構成及び動作は図
2のものと同じである。
【0010】このように、図2又は図3のインターフェ
ースにより入力信号レベル又は出力信号レベルをユーザ
ー側においてTTLレベルかCMOSレベルかに切り換
えるようにプログラムすることができる。
【0011】図4は出力インターフェースの他の実施例
を表わす。図4で内部回路に接続される出力パッド14
と外部回路に接続される出力パッド16の間に常に活性
状態の出力バッファ回路22が接続されている。出力バ
ッファ回路22と並列に他の出力バッファ回路20が接
続され、出力バッファ回路20はプログラム可能なスイ
ッチ回路8aのオン又はオフによりイネーブル信号を介
して制御されて活性状態又は不活性状態になるように選
択される。
【0012】図4の出力インターフェースの動作につい
て説明する。このインターフェースが設けられている半
導体集積回路装置の出力信号に大きな駆動能力が必要と
される場合には、スイッチ回路8aをオンになるように
プログラムを施して出力バッファ回路20を活性状態に
する。これにより出力バッファ回路20と22がともに
活性状態となって2個のバッファ回路が並列接続された
出力バッファ回路として作用し、大きな駆動能力が発揮
される。一方、大きな駆動能力が必要でない場合には、
スイッチ回路8aがオフになるようにプログラムを施す
と、バッファ回路20が不活性状態となり、出力バッフ
ァ回路22だけが作用する。このときは余分な消費電流
を減らすことができる。
【0013】図2又は図3において、バッファ回路4a
,6a又は4b,6bが出力信号の電圧レベルと駆動能
力がともに異なるように設定されているとすると、スイ
ッチ回路8aのプログラムにより信号レベルの選択と駆
動能力の選択とをともに備えたインターフェースとする
ことができる。
【0014】
【発明の効果】本発明では電圧レベルもしくは駆動能力
、又はそれらの両方をユーザー側においてプログラム可
能に選択できるようにしたので、同一種類の半導体集積
回路装置であっても多様なインターフェース特性を発揮
することができるようになり、このインターフェースを
備えた半導体集積回路装置の利用範囲が広がり、汎用性
が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例を概略的に示すブロック図である。
【図2】入力インターフェースの一実施例を示す回路図
である。
【図3】出力インターフェースの一実施例を示す回路図
である。
【図4】出力インターフェースの他の実施例を示す回路
図である。
【符号の説明】
2  内部回路4,6  入出力バッファ回路4a,6
a  入力バッファ回路 4b,6b,20,22  出力バッファ回路8  ス
イッチング装置 8a  スイッチ回路

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  電圧レベルの異なる複数のバッファ回
    路と、いずれかのバッファ回路を選択する選択手段とを
    備えた半導体集積回路装置のインターフェース。
  2. 【請求項2】  駆動能力を選択できるバッファ回路と
    、このバッファ回路の駆動能力を選択する選択手段とを
    備えた半導体集積回路装置のインターフェース。
  3. 【請求項3】  電圧レベル及び駆動能力を選択できる
    バッファ回路と、このバッファ回路の電圧レベルと駆動
    能力を選択する選択手段とを備えた半導体集積回路装置
    のインターフェース。
JP2414233A 1990-12-25 1990-12-25 半導体集積回路装置のインターフェース Pending JPH04223617A (ja)

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