JPH0422317B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0422317B2 JPH0422317B2 JP61230661A JP23066186A JPH0422317B2 JP H0422317 B2 JPH0422317 B2 JP H0422317B2 JP 61230661 A JP61230661 A JP 61230661A JP 23066186 A JP23066186 A JP 23066186A JP H0422317 B2 JPH0422317 B2 JP H0422317B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bit line
- pair
- transistor
- potential
- column
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 22
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
- G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
- G11C11/419—Read-write [R-W] circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体記憶装置、特に絶縁ゲート型電
界効果トランジスタ（MIS型FET）が用いられ
たスタテイツク型メモリのビツト線回路部に関す
る。
界効果トランジスタ（MIS型FET）が用いられ
たスタテイツク型メモリのビツト線回路部に関す
る。
（従来の技術）
この種の従来のスタテイツク型メモリにおける
メモリセルアレイの各カラムに対応するビツト線
回路部の一部を第４図に示している。即ち、一対
のビツト線BL，は、常時オン型のｐチヤネル
型プルアツプ負荷用トランジスタQ1，Q2を介し
てVDD電源端に接続され、カラム選択信号CDに
より選択制御されるｎチヤネル型伝送ゲート用ト
ランジスタQ3，Q4を介して一対の書き込みデー
タ線din，に接続され、反転カラム選択信号
CDにより選択制御されるｐチヤネル型伝送ゲー
ト用トランジスタQ6，Q7を介してコモンデータ
線CL，に接続されると共にセンスアンプSA
に接続されている。また、上記ビツト線BL，
相互間には、ビツト線イコライズ信号BEQにより
選択制御されるｐチヤネル型イコライズ用トラン
ジスタQ5が接続されると共に複数のスタテイツ
ク型メモリセルMC…が並列に接続されている。
このメモリセルMCは、たとえば図示の如くフリ
ツプフロツプ回路を構成するｎチヤネル型駆動用
トランジスタQ8，Q9およびその負荷抵抗R1，R2
と、このフリツプフロツプ回路の一対の入出力端
と前記一対のビツト線BL，との間に接続され
たｎチヤネル型伝送ゲート用トランジスタQ10，
Q11とからなり、このトランジスタQ10，Q11の各
ゲートが同じワード線WLに接続されている。
メモリセルアレイの各カラムに対応するビツト線
回路部の一部を第４図に示している。即ち、一対
のビツト線BL，は、常時オン型のｐチヤネル
型プルアツプ負荷用トランジスタQ1，Q2を介し
てVDD電源端に接続され、カラム選択信号CDに
より選択制御されるｎチヤネル型伝送ゲート用ト
ランジスタQ3，Q4を介して一対の書き込みデー
タ線din，に接続され、反転カラム選択信号
CDにより選択制御されるｐチヤネル型伝送ゲー
ト用トランジスタQ6，Q7を介してコモンデータ
線CL，に接続されると共にセンスアンプSA
に接続されている。また、上記ビツト線BL，
相互間には、ビツト線イコライズ信号BEQにより
選択制御されるｐチヤネル型イコライズ用トラン
ジスタQ5が接続されると共に複数のスタテイツ
ク型メモリセルMC…が並列に接続されている。
このメモリセルMCは、たとえば図示の如くフリ
ツプフロツプ回路を構成するｎチヤネル型駆動用
トランジスタQ8，Q9およびその負荷抵抗R1，R2
と、このフリツプフロツプ回路の一対の入出力端
と前記一対のビツト線BL，との間に接続され
たｎチヤネル型伝送ゲート用トランジスタQ10，
Q11とからなり、このトランジスタQ10，Q11の各
ゲートが同じワード線WLに接続されている。
次に、上記ビツト線回路部の続み出し時の動作
を第５図に示したタイミングチヤートを参照して
説明する。アドレス入力等の外部入力信号の変化
に基いて発生する内部クロツク信号によりワード
線選択動作開始までの間に生成されるビツト線イ
コライズ信号BEQによりトランジスタQ5がオン状
態になると、ビツト線対の電位はイコライズされ
ながらプルアツプ負荷用トランジスタQ1，Q2に
よりVDD電源電圧レベルにまで引き上げられる。
次に、ワード線WL…のうちの１本が選択される
と、この選択ワード線に接続されているメモリセ
ルMCは、低電位（Ｌレベル）側の駆動用トラン
ジスタ（本例ではQ9）およびこれに直列に接続
されている伝送ゲート用トランジスタ（本例では
Q11）がそれぞれオン状態になり、低電位側のビ
ツト線（本例では）の電位をVDD電源電位と
VSS電位（接地電位）との中間電位にまで下げる。
これに対して、高電位（Ｈレベル）側のビツト線
（本例ではBL）はVDD電源電位のままであり、ビ
ツト線対間に電位差ΔVが生じる。そして、上記
ワード線選択の前に反転カラム選択信号によ
り選択カラムのトランジスタQ6，Q7がオン状態
になつているので、この選択カラムにおいては前
記ビツト線対間の電位差ΔVが上記トランジスタ
Q6，Q7を経てコモンデータ線CL，に伝達され
ると共にセンスアンプSAに入力されて差動的に
増幅される。この場合、電源VDD→低電位側のプ
ルアツプ負荷用トランジスタ（本例ではQ2）→
ビツト線、メモリセルMCのトランジスタQ11
→Q9→接地電位VSSの経路に直流的な貫通電流が
流れる。このため、上記低電位側のビツト線
は、メモリセルMCの低電位側の引き込み電流に
よる放電が上記貫通電流による充電により相殺さ
れるのでその電位変化が遅くなり、これにより前
記ビツト線対間電位差ΔVの開きが妨げられてそ
の速度が遅くなり、センスアンプSAのセンス動
作が遅くなる。この場合、上記貫通電流の大きさ
に関与する前記プルアツプ負荷用トランジスタ
Q1，Q2は、ビツト線BL，の前述したような
プルアツプ・イコライズ動作を高速化するために
ビツト線BL，の電圧振幅を制限するように設
けられている。したがつて、上記従来例のビツト
線回路部は、センス動作およびプルアツプ・イコ
ライズ動作の両方の速度をそれぞれ最適化するよ
うにプルアツプ負荷用トランジスタQ1，Q2のサ
イズを決定しなければならない。なお、前述した
読み出し動作の際に、選択カラムではカラム選択
信号CDによりトランジスタQ3，Q4が選択される
が、読み出し動作の際には書き込みデータ線din，
din対はVDD電源電位に設定制御されるので、上
記トランジスタQ3，Q4はビツト線電位がVDD電源
電位から上記トランジスタQ3，Q4の閾値電圧だ
け下がるまでの間はオン状態にならないのでセン
ス動作には関与しない。また、非選択カラムで
は、トランジスタQ3，Q4，Q6，Q7がそれぞれオ
フ状態であり、センス動作は行なわれない。
を第５図に示したタイミングチヤートを参照して
説明する。アドレス入力等の外部入力信号の変化
に基いて発生する内部クロツク信号によりワード
線選択動作開始までの間に生成されるビツト線イ
コライズ信号BEQによりトランジスタQ5がオン状
態になると、ビツト線対の電位はイコライズされ
ながらプルアツプ負荷用トランジスタQ1，Q2に
よりVDD電源電圧レベルにまで引き上げられる。
次に、ワード線WL…のうちの１本が選択される
と、この選択ワード線に接続されているメモリセ
ルMCは、低電位（Ｌレベル）側の駆動用トラン
ジスタ（本例ではQ9）およびこれに直列に接続
されている伝送ゲート用トランジスタ（本例では
Q11）がそれぞれオン状態になり、低電位側のビ
ツト線（本例では）の電位をVDD電源電位と
VSS電位（接地電位）との中間電位にまで下げる。
これに対して、高電位（Ｈレベル）側のビツト線
（本例ではBL）はVDD電源電位のままであり、ビ
ツト線対間に電位差ΔVが生じる。そして、上記
ワード線選択の前に反転カラム選択信号によ
り選択カラムのトランジスタQ6，Q7がオン状態
になつているので、この選択カラムにおいては前
記ビツト線対間の電位差ΔVが上記トランジスタ
Q6，Q7を経てコモンデータ線CL，に伝達され
ると共にセンスアンプSAに入力されて差動的に
増幅される。この場合、電源VDD→低電位側のプ
ルアツプ負荷用トランジスタ（本例ではQ2）→
ビツト線、メモリセルMCのトランジスタQ11
→Q9→接地電位VSSの経路に直流的な貫通電流が
流れる。このため、上記低電位側のビツト線
は、メモリセルMCの低電位側の引き込み電流に
よる放電が上記貫通電流による充電により相殺さ
れるのでその電位変化が遅くなり、これにより前
記ビツト線対間電位差ΔVの開きが妨げられてそ
の速度が遅くなり、センスアンプSAのセンス動
作が遅くなる。この場合、上記貫通電流の大きさ
に関与する前記プルアツプ負荷用トランジスタ
Q1，Q2は、ビツト線BL，の前述したような
プルアツプ・イコライズ動作を高速化するために
ビツト線BL，の電圧振幅を制限するように設
けられている。したがつて、上記従来例のビツト
線回路部は、センス動作およびプルアツプ・イコ
ライズ動作の両方の速度をそれぞれ最適化するよ
うにプルアツプ負荷用トランジスタQ1，Q2のサ
イズを決定しなければならない。なお、前述した
読み出し動作の際に、選択カラムではカラム選択
信号CDによりトランジスタQ3，Q4が選択される
が、読み出し動作の際には書き込みデータ線din，
din対はVDD電源電位に設定制御されるので、上
記トランジスタQ3，Q4はビツト線電位がVDD電源
電位から上記トランジスタQ3，Q4の閾値電圧だ
け下がるまでの間はオン状態にならないのでセン
ス動作には関与しない。また、非選択カラムで
は、トランジスタQ3，Q4，Q6，Q7がそれぞれオ
フ状態であり、センス動作は行なわれない。
次に、前記ビツト線回路部の書き込み時の動作
を第６図に示したタイミングチヤートを参照して
説明する。前述した読み出し時の動作と同様に、
ビツト線イコライズ・プルアツプ後、カラム選択
およびワード線選択が行なわれ、所定のメモリセ
ルMCが選択される。この動作と逆行して、書き
込みデータ線din，は書き込みデータに対応し
て一方（本例ではdin）がVDD電源電位、他方
（本例では）が接地電位にそれぞれプルアツ
プ・プルダウンされる。これにより、選択カラム
においては、トランジスタQ3，Q4がオン状態に
なることによつてビツト線BL，がVDD電源電
位および接地電位の相異なる一方に設定され、メ
モリセルMCへの書き込み制御が行なわれる。ま
た、非選択カラムにおいては、トランジスタQ3，
Q4，Q6，Q7がそれぞれオフ状態になるので、ビ
ツト線BL，の電位はワード線WLにより選択
されたメモリセルのデータ内容に応じて変化す
る。
を第６図に示したタイミングチヤートを参照して
説明する。前述した読み出し時の動作と同様に、
ビツト線イコライズ・プルアツプ後、カラム選択
およびワード線選択が行なわれ、所定のメモリセ
ルMCが選択される。この動作と逆行して、書き
込みデータ線din，は書き込みデータに対応し
て一方（本例ではdin）がVDD電源電位、他方
（本例では）が接地電位にそれぞれプルアツ
プ・プルダウンされる。これにより、選択カラム
においては、トランジスタQ3，Q4がオン状態に
なることによつてビツト線BL，がVDD電源電
位および接地電位の相異なる一方に設定され、メ
モリセルMCへの書き込み制御が行なわれる。ま
た、非選択カラムにおいては、トランジスタQ3，
Q4，Q6，Q7がそれぞれオフ状態になるので、ビ
ツト線BL，の電位はワード線WLにより選択
されたメモリセルのデータ内容に応じて変化す
る。
上述したような書き込み時にも電源電位VDD→
選択カラムにおける低電位側のプルアツプ負荷用
トランジスタQ2→ビツト線→書き込み制御用
トランジスタQ4→書き込みデータ線の経路に
直流的な貫通電流が流れる。この場合、上記貫通
電流はプルアツプ負荷用トランジスタQ2の駆動
力によつて決定されるので、読み出し時に比べて
数倍も大きく、書き込み時の消費電力増大の原因
となつている。
選択カラムにおける低電位側のプルアツプ負荷用
トランジスタQ2→ビツト線→書き込み制御用
トランジスタQ4→書き込みデータ線の経路に
直流的な貫通電流が流れる。この場合、上記貫通
電流はプルアツプ負荷用トランジスタQ2の駆動
力によつて決定されるので、読み出し時に比べて
数倍も大きく、書き込み時の消費電力増大の原因
となつている。
即ち、上述したように第４図に示した従来例の
スタテイツク型メモリのビツト線回路部にあつて
は、ビツト線振幅を制限するために設けられた常
時オン型のｐチヤネル型プルアツプ負荷用トラン
ジスタにより、読み出しサイクルにおいて選択カ
ラムのビツト線に直流的な貫通電流が流れ、ビツ
ト線対間電位差ΔVの開きが遅くなり、高速セン
ス動作を妨げるという問題がある。また、書き込
みサイクルにおいても、選択カラムのビツト線に
読み出し時の数倍の大きさの直流的な貫通電流が
流れ、消費電流が大きくなるという問題がある。
スタテイツク型メモリのビツト線回路部にあつて
は、ビツト線振幅を制限するために設けられた常
時オン型のｐチヤネル型プルアツプ負荷用トラン
ジスタにより、読み出しサイクルにおいて選択カ
ラムのビツト線に直流的な貫通電流が流れ、ビツ
ト線対間電位差ΔVの開きが遅くなり、高速セン
ス動作を妨げるという問題がある。また、書き込
みサイクルにおいても、選択カラムのビツト線に
読み出し時の数倍の大きさの直流的な貫通電流が
流れ、消費電流が大きくなるという問題がある。
一方、上記従来例とは別の従来のスタテイツク
型メモリにおけるビツト線回路部を第７図に示し
ている。このビツト線回路部は、第４図に示した
ものと比べて、プルアツプ負荷用トランジスタ
Q1，Q2にそれぞれ並列にビツト線プリチヤー
ジ・イコライズ信号BEQによつて選択制御される
ｐチヤネル型プリチヤージ用トランジスタQ12，
Q13を有し、このトランジスタQ12，Q13およびイ
コライズ用トランジスタQ5によりビツト線プリ
チヤージ・イコライズ回路を形成している点が異
なり、その他は同じであるので第４図中と同じ符
号を付している。上記ビツト線回路部の基本的な
動作は、第４図に示したものとほぼ同じである
が、イコライズ動作時にプリチヤージ用トランジ
スタQ12，Q13がオン状態になることによりカラ
ムの負荷トランジスタの電流駆動力が強くなり、
プリチヤージ・イコライズ動作が第４図に示した
ものよりも高速に行なわれるようになる。したが
つて、プルアツプ用トランジスタQ12，Q13の電
流駆動力に見合う分だけ常時オン型プルアツプ負
荷用トランジスタQ1，Q2の電流駆動力を弱くす
るように設計することが可能になり、このトラン
ジスタQ1，Q2による読み出し時のビツト線対間
電位差の開きの遅れおよび書き込み時の選択カラ
ムにおける貫通電流による消費電力の増大という
問題を若干抑えることが可能になるが、必らずし
も十分に上記問題を解決することができない。
型メモリにおけるビツト線回路部を第７図に示し
ている。このビツト線回路部は、第４図に示した
ものと比べて、プルアツプ負荷用トランジスタ
Q1，Q2にそれぞれ並列にビツト線プリチヤー
ジ・イコライズ信号BEQによつて選択制御される
ｐチヤネル型プリチヤージ用トランジスタQ12，
Q13を有し、このトランジスタQ12，Q13およびイ
コライズ用トランジスタQ5によりビツト線プリ
チヤージ・イコライズ回路を形成している点が異
なり、その他は同じであるので第４図中と同じ符
号を付している。上記ビツト線回路部の基本的な
動作は、第４図に示したものとほぼ同じである
が、イコライズ動作時にプリチヤージ用トランジ
スタQ12，Q13がオン状態になることによりカラ
ムの負荷トランジスタの電流駆動力が強くなり、
プリチヤージ・イコライズ動作が第４図に示した
ものよりも高速に行なわれるようになる。したが
つて、プルアツプ用トランジスタQ12，Q13の電
流駆動力に見合う分だけ常時オン型プルアツプ負
荷用トランジスタQ1，Q2の電流駆動力を弱くす
るように設計することが可能になり、このトラン
ジスタQ1，Q2による読み出し時のビツト線対間
電位差の開きの遅れおよび書き込み時の選択カラ
ムにおける貫通電流による消費電力の増大という
問題を若干抑えることが可能になるが、必らずし
も十分に上記問題を解決することができない。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記したような読み出しモードにお
いてビツト線に流れる貫通電流が高速センス動作
を妨げると共に、書き込みモードにおいて選択カ
ラムのビツト線に流れる大きな貫通電流により消
費電力が大きくなるという問題点を解決すべくな
されたもので、読み出し動作の高速化を実現し、
しかも書き込み時における選択カラムでの貫通電
流成分を除去して低消費電力化を実現し得るスタ
テイツク型メモリを提供することを目的とする。
いてビツト線に流れる貫通電流が高速センス動作
を妨げると共に、書き込みモードにおいて選択カ
ラムのビツト線に流れる大きな貫通電流により消
費電力が大きくなるという問題点を解決すべくな
されたもので、読み出し動作の高速化を実現し、
しかも書き込み時における選択カラムでの貫通電
流成分を除去して低消費電力化を実現し得るスタ
テイツク型メモリを提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、メモリセルアレイの各カラムにおけ
るビツト線対にビツト線プリチヤージ・イコライ
ズ信号により選択制御されるｐチヤネル型プリチ
ヤージ用トランジスタおよびｐチヤネル型イコラ
イズ用トランジスタからなるビツト線プリチヤー
ジ・イコライズ回路が接続されているスタテイツ
ク型メモリにおいて、書き込みデータ線対と前記
ビツト線対との間に接続されてカラム選択信号に
より選択制御されるｎチヤネル型伝送ゲート用ト
ランジスタ対と、上記ビツト線対に接続されて上
記カラム選択信号により非選択状態に制御される
ｐチヤネル型ビツト線プルアツプ用トランジスタ
対とを具備することを特徴とする。
るビツト線対にビツト線プリチヤージ・イコライ
ズ信号により選択制御されるｐチヤネル型プリチ
ヤージ用トランジスタおよびｐチヤネル型イコラ
イズ用トランジスタからなるビツト線プリチヤー
ジ・イコライズ回路が接続されているスタテイツ
ク型メモリにおいて、書き込みデータ線対と前記
ビツト線対との間に接続されてカラム選択信号に
より選択制御されるｎチヤネル型伝送ゲート用ト
ランジスタ対と、上記ビツト線対に接続されて上
記カラム選択信号により非選択状態に制御される
ｐチヤネル型ビツト線プルアツプ用トランジスタ
対とを具備することを特徴とする。
（作用）
選択カラムにおいては、上記プルアツプ用トラ
ンジスタ対が選択されずに伝送ゲート用トランジ
スタ対が選択され、読み出し時には上記伝送ゲー
ト用トランジスタ対がビツト線対のプルアツプ用
負荷となるが、ビツト線電位が電源電位から上記
伝送ゲート用トランジスタの閾値電圧だけ下がる
までオン状態にはならない。したがつて、上記電
源電位からこれより上記閾値電圧だけ低い電位ま
での範囲ではビツト線に直流電流経路がなく、ビ
ツト線対間電位差の開く速さがメモリセルの引き
込み電流によつてのみ決定されるので高速とな
り、高速センス動作が可能となる。また、上記選
択カラムにおいて、書き込み時には上記伝送ゲー
ト用トランジスタ対がビツト線プルアツプ用また
はビツト線プルダウン用としての役割を果たし、
常時オン型のビツト線負荷トランジスタが存在し
ないのでビツト線を含む貫通電流経路が存在せ
ず、低消費電力化が可能になる。一方、非選択カ
ラムにおいては、上記伝送ゲート用トランジスタ
対が選択されずに前記プルアツプ用トランジスタ
が選択されるので、読み出し時、書き込み時とも
ビツト線電圧振幅が前記選択カラムの読み出し時
におけるビツト線電圧振幅と同程度に小さく絞る
ことが可能となり、低消費電力化が可能になる。
ンジスタ対が選択されずに伝送ゲート用トランジ
スタ対が選択され、読み出し時には上記伝送ゲー
ト用トランジスタ対がビツト線対のプルアツプ用
負荷となるが、ビツト線電位が電源電位から上記
伝送ゲート用トランジスタの閾値電圧だけ下がる
までオン状態にはならない。したがつて、上記電
源電位からこれより上記閾値電圧だけ低い電位ま
での範囲ではビツト線に直流電流経路がなく、ビ
ツト線対間電位差の開く速さがメモリセルの引き
込み電流によつてのみ決定されるので高速とな
り、高速センス動作が可能となる。また、上記選
択カラムにおいて、書き込み時には上記伝送ゲー
ト用トランジスタ対がビツト線プルアツプ用また
はビツト線プルダウン用としての役割を果たし、
常時オン型のビツト線負荷トランジスタが存在し
ないのでビツト線を含む貫通電流経路が存在せ
ず、低消費電力化が可能になる。一方、非選択カ
ラムにおいては、上記伝送ゲート用トランジスタ
対が選択されずに前記プルアツプ用トランジスタ
が選択されるので、読み出し時、書き込み時とも
ビツト線電圧振幅が前記選択カラムの読み出し時
におけるビツト線電圧振幅と同程度に小さく絞る
ことが可能となり、低消費電力化が可能になる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はスタテイツク型メモリにおけるメモリ
セルアレイの各カラムに対応するビツト線回路部
の１カラム分を代表的に示している。即ち、一対
のビツト線BL，の一端側には、ビツト線プリ
チヤージ・イコライズ信号BEQにより選択制御さ
れるｐチヤネル型プルアツプ用トランジスタ
Q12，Q13対およびビツト線BL，間に接続され
たｐチヤネル型イコライズ用トランジスタQ5か
らなるビツト線プリチヤージ・イコライズ回路１
を介してVDD電源端が接続されている。また、上
記ビツト線BL，の他端側には、カラム選択信
号CDの反転信号により選択制御されるｐチヤ
ネル型カラム選択用トランジスタQ6，Q7を介し
てコモンデータ線CL，対が接続されると共に
複数のカラムで共通に使用される差動型のセンス
アンプSAが接続されている。また、ビツト線
BL，間には複数のスタテイツク型メモリセル
MC…が並列に接続されている。このメモリセル
MCは、たとえば図示の如くフリツプフロツプ回
路を構成するｎチヤネル型駆動用トランジスタ
Q8，Q9およびその負荷抵抗R1，R2と、このフリ
ツプフロツプ回路の一対の入出力端と前記一対の
ビツト線BL，との間に接続されたｎチヤネル
型伝送ゲート用トランジスタQ10，Q11とからな
り、このトランジスタQ10，Q11の各ゲートが同
じワード線WLに接続されている。また、ビツト
線BL，対と書き込みデータ線din，対との
間にはカラム選択信号CDにより選択制御される
ｎチヤネル型伝送ゲート用トランジスタQ3，Q4
対からなる書き込み制御回路２が接続されてい
る。また、ビツト線BL，対とVDD電源端との
間にはカラム選択信号CDにより非選択状態に制
御されるｐチヤネル型ビツト線プルアツプ用トラ
ンジスタQ14，Q15対からなるビツト線プルアツ
プ制御回路３が接続されている。したがつて、ビ
ツト線BL，には常時オン型の負荷は接続され
ておらず、前記BEQ信号に同期してオン動作する
ビツト線プリチヤージ・イコライズ回路１および
カラム選択信号CDに同期してオン動作する書き
込み制御回路２ならびにカラム選択信号CDの非
活性レベルのときにオン動作するビツト線プルア
ツプ制御回路３が負荷の役割を果たす。
セルアレイの各カラムに対応するビツト線回路部
の１カラム分を代表的に示している。即ち、一対
のビツト線BL，の一端側には、ビツト線プリ
チヤージ・イコライズ信号BEQにより選択制御さ
れるｐチヤネル型プルアツプ用トランジスタ
Q12，Q13対およびビツト線BL，間に接続され
たｐチヤネル型イコライズ用トランジスタQ5か
らなるビツト線プリチヤージ・イコライズ回路１
を介してVDD電源端が接続されている。また、上
記ビツト線BL，の他端側には、カラム選択信
号CDの反転信号により選択制御されるｐチヤ
ネル型カラム選択用トランジスタQ6，Q7を介し
てコモンデータ線CL，対が接続されると共に
複数のカラムで共通に使用される差動型のセンス
アンプSAが接続されている。また、ビツト線
BL，間には複数のスタテイツク型メモリセル
MC…が並列に接続されている。このメモリセル
MCは、たとえば図示の如くフリツプフロツプ回
路を構成するｎチヤネル型駆動用トランジスタ
Q8，Q9およびその負荷抵抗R1，R2と、このフリ
ツプフロツプ回路の一対の入出力端と前記一対の
ビツト線BL，との間に接続されたｎチヤネル
型伝送ゲート用トランジスタQ10，Q11とからな
り、このトランジスタQ10，Q11の各ゲートが同
じワード線WLに接続されている。また、ビツト
線BL，対と書き込みデータ線din，対との
間にはカラム選択信号CDにより選択制御される
ｎチヤネル型伝送ゲート用トランジスタQ3，Q4
対からなる書き込み制御回路２が接続されてい
る。また、ビツト線BL，対とVDD電源端との
間にはカラム選択信号CDにより非選択状態に制
御されるｐチヤネル型ビツト線プルアツプ用トラ
ンジスタQ14，Q15対からなるビツト線プルアツ
プ制御回路３が接続されている。したがつて、ビ
ツト線BL，には常時オン型の負荷は接続され
ておらず、前記BEQ信号に同期してオン動作する
ビツト線プリチヤージ・イコライズ回路１および
カラム選択信号CDに同期してオン動作する書き
込み制御回路２ならびにカラム選択信号CDの非
活性レベルのときにオン動作するビツト線プルア
ツプ制御回路３が負荷の役割を果たす。
次に、上記メモリにおける読み出しモードでの
ビツト線駆動動作について第２図を参照して説明
する。アドレス入力の変化後に始まるアドレスサ
イクルにおいて、各カラムではワード線WLの選
択が始まる前にBEQ信号によつてビツト線プリチ
ヤージ・イコライズ回路１が動作してビツト線
BL，のプリチヤージ・イコライズが行なわ
れ、これによつて各カラムのビツト線はVDD電源
電位にプリチヤージされる。次に、カラムの選択
が行なわれると、選択されたカラムについてはカ
ラム選択用トランジスタQ6，Q7がオン状態にな
り、選択カラムのビツト線BL，はコモンデー
タ線CL，に接続される。この際、ビツト線プ
ルアツプ制御回路３のトランジスタQ14，Q15は
オフ状態になるので、読み出し時および後述する
書き込み時にオン状態のビツト線プルアツプ用負
荷は存在しない。これに対して、非選択カラムに
おいては、ビツト線プルアツプ制御回路３のトラ
ンジスタQ14，Q15はオン状態になるので、ビツ
ト線プルアツプ用負荷として動作する。この後、
ワード線WL…のうちの１本が選択されると、選
択されたワード線に接続されているメモリセル
MCの伝送ゲート用トランジスタQ10，Q11がオン
状態になり、各カラムのビツト線対上に選択メモ
リセルからのデータが出力される。そして、選択
メモリセルの伝送ゲート用トランジスタQ10，
Q11のうちオン状態になつている低電位側のトラ
ンジスタ（本例ではQ11）に接続されているビツ
ト線（本例では）の電位は、上記トランジス
タQ11に接続されている駆動用トランジスタ（本
例ではQ9）の駆動電流によつて下がり始める。
この場合、書き込みデータ線din，は両方とも
VDD電源電位に制御されているので、選択カラム
においては書き込み制御回路２の伝送ゲート用ト
ランジスタQ3，Q4がプルアツプ用負荷としてオ
ン状態になつているが、このトランジスタQ3，
Q4はビツト線電位がVDD電源電位からその閾値電
圧VTNだけ下がるまでの範囲では電流駆動力を持
たない。したがつて、この範囲の電位領域では
VDD電位からVSS電位への直流電流経路がなく、
ビツト線電荷がメモリセルMCの低電位側の伝送
ゲート用トランジスタQ11および駆動用トトラン
ジスタQ9により放電されるのみであるので、従
来例のような常時オン型のビツト線負荷トランジ
スタが存在する場合よりもビツト線対間電位差の
開きが高速になる。そして、上記電位差ΔVが
ΔV＝VTNとなればセンスアンプSAの検出に必要
な電位差として十分であるのでセンス動作が可能
となる。そして、低電位側のビツト線の電位
は、VDD−VTNより低くなると書き込み制御回路
２のプルアツプ用トランジスタQ3，Q4の一方Q4
が電流駆動力を持ち始め、このトランジスタQ4
とメモリセルMCの低電位側の伝送ゲート用トラ
ンジスタQ11および駆動用トランジスタQ9の駆動
力によつて決まるVDD電源電位と接地電位との中
間電位に落ち着く。これに対して、非選択カラム
における低電位側のビツト線の電位は、オン状態
になつているプルアツプ用トランジスタQ14また
はQ15とメモリセルMCの低電位側の伝送ゲート
用トランジスタおよび駆動用トランジスタの駆動
力によつて決まる中間電位に落ち着く。
ビツト線駆動動作について第２図を参照して説明
する。アドレス入力の変化後に始まるアドレスサ
イクルにおいて、各カラムではワード線WLの選
択が始まる前にBEQ信号によつてビツト線プリチ
ヤージ・イコライズ回路１が動作してビツト線
BL，のプリチヤージ・イコライズが行なわ
れ、これによつて各カラムのビツト線はVDD電源
電位にプリチヤージされる。次に、カラムの選択
が行なわれると、選択されたカラムについてはカ
ラム選択用トランジスタQ6，Q7がオン状態にな
り、選択カラムのビツト線BL，はコモンデー
タ線CL，に接続される。この際、ビツト線プ
ルアツプ制御回路３のトランジスタQ14，Q15は
オフ状態になるので、読み出し時および後述する
書き込み時にオン状態のビツト線プルアツプ用負
荷は存在しない。これに対して、非選択カラムに
おいては、ビツト線プルアツプ制御回路３のトラ
ンジスタQ14，Q15はオン状態になるので、ビツ
ト線プルアツプ用負荷として動作する。この後、
ワード線WL…のうちの１本が選択されると、選
択されたワード線に接続されているメモリセル
MCの伝送ゲート用トランジスタQ10，Q11がオン
状態になり、各カラムのビツト線対上に選択メモ
リセルからのデータが出力される。そして、選択
メモリセルの伝送ゲート用トランジスタQ10，
Q11のうちオン状態になつている低電位側のトラ
ンジスタ（本例ではQ11）に接続されているビツ
ト線（本例では）の電位は、上記トランジス
タQ11に接続されている駆動用トランジスタ（本
例ではQ9）の駆動電流によつて下がり始める。
この場合、書き込みデータ線din，は両方とも
VDD電源電位に制御されているので、選択カラム
においては書き込み制御回路２の伝送ゲート用ト
ランジスタQ3，Q4がプルアツプ用負荷としてオ
ン状態になつているが、このトランジスタQ3，
Q4はビツト線電位がVDD電源電位からその閾値電
圧VTNだけ下がるまでの範囲では電流駆動力を持
たない。したがつて、この範囲の電位領域では
VDD電位からVSS電位への直流電流経路がなく、
ビツト線電荷がメモリセルMCの低電位側の伝送
ゲート用トランジスタQ11および駆動用トトラン
ジスタQ9により放電されるのみであるので、従
来例のような常時オン型のビツト線負荷トランジ
スタが存在する場合よりもビツト線対間電位差の
開きが高速になる。そして、上記電位差ΔVが
ΔV＝VTNとなればセンスアンプSAの検出に必要
な電位差として十分であるのでセンス動作が可能
となる。そして、低電位側のビツト線の電位
は、VDD−VTNより低くなると書き込み制御回路
２のプルアツプ用トランジスタQ3，Q4の一方Q4
が電流駆動力を持ち始め、このトランジスタQ4
とメモリセルMCの低電位側の伝送ゲート用トラ
ンジスタQ11および駆動用トランジスタQ9の駆動
力によつて決まるVDD電源電位と接地電位との中
間電位に落ち着く。これに対して、非選択カラム
における低電位側のビツト線の電位は、オン状態
になつているプルアツプ用トランジスタQ14また
はQ15とメモリセルMCの低電位側の伝送ゲート
用トランジスタおよび駆動用トランジスタの駆動
力によつて決まる中間電位に落ち着く。
このように、読み出しモードにおいて、選択カ
ラムでは書き込み制御回路２のｎチヤネル型トラ
ンジスタにより、非選択カラムではプルアツプ制
御回路３のｐチヤネル型トランジスタによりそれ
ぞれ低電位側のビツト線の電位を中間電位に制御
しておくことによつて、次の読み出しサイクルま
たは書き込みサイクルでのビツト線プリチヤー
ジ・イコライズ動作に必要な時間を短かくできる
と共にビツト線に交流的に流れる電流を少なくす
ることができ、アクセスタイムの高速化および低
消費電力化を実現できる。
ラムでは書き込み制御回路２のｎチヤネル型トラ
ンジスタにより、非選択カラムではプルアツプ制
御回路３のｐチヤネル型トランジスタによりそれ
ぞれ低電位側のビツト線の電位を中間電位に制御
しておくことによつて、次の読み出しサイクルま
たは書き込みサイクルでのビツト線プリチヤー
ジ・イコライズ動作に必要な時間を短かくできる
と共にビツト線に交流的に流れる電流を少なくす
ることができ、アクセスタイムの高速化および低
消費電力化を実現できる。
一方、上記メモリの書き込みモードにおける各
部信号波形を第３図に示している。即ち、アドレ
ス入力変化後にBEQ信号によりビツト線プリチヤ
ージ・イコライズ動作が始まつてからワード線選
択が行なわれるまでの間の動作は前述した読み出
しモードにおけると同様である。そして、メモリ
セル選択と並行して書き込みデータ線din，の
一方（本例ではdin）がVDD電源電位にプルアツ
プされ、他方（本例では）が接地電位にプル
ダウンされる。これにより、選択カラムにおいて
は書き込み制御回路２の伝送ゲート用トランジス
タQ3，Q4がオン状態になり、ビツト線BL，
の電位がそれぞれVDD電源電位、接地電位の相異
なる一方に設定され、メモリセルMCへのデータ
の書き込みが行なわれる。これに対して、非選択
カラムにおいては、書き込み制御回路２の伝送ゲ
ート用トランジスタQ3，Q4がオフ状態になり、
プルアツプ制御回路３のプルアツプ用トランジス
タQ14，Q15がオン状態になるので、ビツト線BL，
BLの電位は前述した読み出し時におけると同様
に中間電位に落ち着く。
部信号波形を第３図に示している。即ち、アドレ
ス入力変化後にBEQ信号によりビツト線プリチヤ
ージ・イコライズ動作が始まつてからワード線選
択が行なわれるまでの間の動作は前述した読み出
しモードにおけると同様である。そして、メモリ
セル選択と並行して書き込みデータ線din，の
一方（本例ではdin）がVDD電源電位にプルアツ
プされ、他方（本例では）が接地電位にプル
ダウンされる。これにより、選択カラムにおいて
は書き込み制御回路２の伝送ゲート用トランジス
タQ3，Q4がオン状態になり、ビツト線BL，
の電位がそれぞれVDD電源電位、接地電位の相異
なる一方に設定され、メモリセルMCへのデータ
の書き込みが行なわれる。これに対して、非選択
カラムにおいては、書き込み制御回路２の伝送ゲ
ート用トランジスタQ3，Q4がオフ状態になり、
プルアツプ制御回路３のプルアツプ用トランジス
タQ14，Q15がオン状態になるので、ビツト線BL，
BLの電位は前述した読み出し時におけると同様
に中間電位に落ち着く。
このように、書き込みモードにおいて、選択カ
ラムでは接地電位側のビツト線にプルアツプ用負
荷が全く存在せず、直流的な貫通電流成分が一切
生じないので、書き込み時の低消費電力化が実現
される。また、非選択カラムではビツト線に直流
的な貫通電流成分が流れるが、その大きさは読み
出し時におけると同じ大きさであるに過ぎない。
ラムでは接地電位側のビツト線にプルアツプ用負
荷が全く存在せず、直流的な貫通電流成分が一切
生じないので、書き込み時の低消費電力化が実現
される。また、非選択カラムではビツト線に直流
的な貫通電流成分が流れるが、その大きさは読み
出し時におけると同じ大きさであるに過ぎない。
上述したように上記実施例のスタテイツク型メ
モリによれば、従来例のスタテイツク型メモリに
比べて読み出し時における読み出し動作の高速化
および書き込み時における低消費電力化を実現可
能である。即ち、読み出し時には、選択カラムで
は低電位側ビツト線の電位の低下がメモリセルの
引き込み電流によるビツト線電荷の放電により決
まり、従来例のような常時オン型のビツト線負荷
トランジスタによるビツト線電位低下に対する妨
げが存在しないので、ビツト線駆動の高速化が実
現される。さらに、選択カラムにおいては、セン
スアンプの検出感度より十分大きくビツト線対間
電位差が開いた後、書き込み制御回路のトランジ
スタによるプルアツプ負荷作用によつて低電位側
ビツト線が中間電位に落ち着き、非選択カラムに
おいてはプルアツプ制御回路のトランジスタによ
るプルアツプ負荷作用によつて低電位側ビツト線
が中間電位に落ち着く。このように、選択・非選
択カラムに拘らず全カラムのビツト線電位が中間
電位に落ち着くことによつて、次サイクルの読み
出し・書き込み動作に際してビツト線プリチヤー
ジ・イコライズ回路によるビツト線プリチヤージ
を高速化することが可能である。また、ビツト線
対電位差の開きがプルアツプ用負荷とメモリセル
の引き込み電流との競合関係に依存しないので、
メモリセルトランジスタの閾値電圧のばらつきな
どによるメモリセル駆動電流のばらつき、ひいて
はビツト線駆動時間のばらつきに対する余裕も向
上するという利点がある。また、書き込み時に
は、選択カラムでは接地電位側のビツト線にプル
アツプ用負荷が一切存在しないので、従来例のよ
うな大きな貫通電流成分が存在せず、書き込み時
の低消費電力化を実現することが可能になる。換
言すれば、従来例のように書き込み時に選択カラ
ムに読み出し時の数倍の大きさの貫通電流が流れ
る場合に比べて、上記実施例によれば貫通電流に
よるビツト線（通常はアルミニウム配線）のエレ
クトロマイグレーシヨンに対する余裕が大きくな
るという効果もある。
モリによれば、従来例のスタテイツク型メモリに
比べて読み出し時における読み出し動作の高速化
および書き込み時における低消費電力化を実現可
能である。即ち、読み出し時には、選択カラムで
は低電位側ビツト線の電位の低下がメモリセルの
引き込み電流によるビツト線電荷の放電により決
まり、従来例のような常時オン型のビツト線負荷
トランジスタによるビツト線電位低下に対する妨
げが存在しないので、ビツト線駆動の高速化が実
現される。さらに、選択カラムにおいては、セン
スアンプの検出感度より十分大きくビツト線対間
電位差が開いた後、書き込み制御回路のトランジ
スタによるプルアツプ負荷作用によつて低電位側
ビツト線が中間電位に落ち着き、非選択カラムに
おいてはプルアツプ制御回路のトランジスタによ
るプルアツプ負荷作用によつて低電位側ビツト線
が中間電位に落ち着く。このように、選択・非選
択カラムに拘らず全カラムのビツト線電位が中間
電位に落ち着くことによつて、次サイクルの読み
出し・書き込み動作に際してビツト線プリチヤー
ジ・イコライズ回路によるビツト線プリチヤージ
を高速化することが可能である。また、ビツト線
対電位差の開きがプルアツプ用負荷とメモリセル
の引き込み電流との競合関係に依存しないので、
メモリセルトランジスタの閾値電圧のばらつきな
どによるメモリセル駆動電流のばらつき、ひいて
はビツト線駆動時間のばらつきに対する余裕も向
上するという利点がある。また、書き込み時に
は、選択カラムでは接地電位側のビツト線にプル
アツプ用負荷が一切存在しないので、従来例のよ
うな大きな貫通電流成分が存在せず、書き込み時
の低消費電力化を実現することが可能になる。換
言すれば、従来例のように書き込み時に選択カラ
ムに読み出し時の数倍の大きさの貫通電流が流れ
る場合に比べて、上記実施例によれば貫通電流に
よるビツト線（通常はアルミニウム配線）のエレ
クトロマイグレーシヨンに対する余裕が大きくな
るという効果もある。
［発明の効果］
上述したように本発明のスタテイツク型メモリ
によれば、読み出し動作の高速化が可能になり、
メモリセル駆動電流のばらつきに対する余裕が大
きくなり、書き込み時における選択カラムでの貫
通電流の除去が可能になつて低消費電力化が可能
になると共にビツト線のエレクトロマイグレーシ
ヨンに対する余裕が大きくなるなどの効果が得ら
れる。
によれば、読み出し動作の高速化が可能になり、
メモリセル駆動電流のばらつきに対する余裕が大
きくなり、書き込み時における選択カラムでの貫
通電流の除去が可能になつて低消費電力化が可能
になると共にビツト線のエレクトロマイグレーシ
ヨンに対する余裕が大きくなるなどの効果が得ら
れる。
第１図は本発明のスタテイツク型メモリの一実
施例における１カラム分のビツト線回路部を示す
回路図、第２図は第１図のメモリにおける読み出
しモードでの各部信号波形を示すタイミング図、
第３図は第１図のメモリにおける書き込みモード
での各部信号波形を示すタイミング図、第４図お
よび第７図はそれぞれ従来のスタテイツク型メモ
リにおける１カラム分のビツト線回路部を示す回
路図、第５図は第４図のメモリにおける読み出し
モードでの各部信号波形を示すタイミング図、第
６図は第４図のメモリにおける書き込みモードで
の各部信号波形を示すタイミング図である。 BL，…ビツト線、MC…スタテイツク型メ
モリセル、WL…ワード線、Q3，Q4…伝送ゲート
用トランジスタ、Q6，Q7…カラム選択用トラン
ジスタ、Q14，Q15…プルアツプ用トランジスタ、
１…ビツト線プリチヤージ・イコライズ回路。
施例における１カラム分のビツト線回路部を示す
回路図、第２図は第１図のメモリにおける読み出
しモードでの各部信号波形を示すタイミング図、
第３図は第１図のメモリにおける書き込みモード
での各部信号波形を示すタイミング図、第４図お
よび第７図はそれぞれ従来のスタテイツク型メモ
リにおける１カラム分のビツト線回路部を示す回
路図、第５図は第４図のメモリにおける読み出し
モードでの各部信号波形を示すタイミング図、第
６図は第４図のメモリにおける書き込みモードで
の各部信号波形を示すタイミング図である。 BL，…ビツト線、MC…スタテイツク型メ
モリセル、WL…ワード線、Q3，Q4…伝送ゲート
用トランジスタ、Q6，Q7…カラム選択用トラン
ジスタ、Q14，Q15…プルアツプ用トランジスタ、
１…ビツト線プリチヤージ・イコライズ回路。
Claims (1)
- １ メモリセルアレイにおける各カラムのビツト
線対に、絶縁ゲート型トランジスタを用いてなる
フリツプフロツプ回路およびワード線により選択
制御される伝送ゲート用トランジスタ対からなる
スタテイツク型メモリセルの一対の入出力端が接
続されているスタテイツク型メモリにおいて、前
記ビツト線対と電源端との間に接続されたビツト
線プリチヤージ・イコライズ信号により駆動され
るビツト線プリチヤージ・イコライズ回路と、前
記ビツト線対とビツト線対間電位差検知増幅用の
センスアンプとの間に接続されたカラム選択信号
により選択制御されるカラム選択用トランジスタ
対と、前記ビツト線対と書き込みデータ線対との
間に接続された前記カラム選択信号により選択制
御されるｎチヤネル伝送ゲート用トランジスタ対
と、前記ビツト線対と前記電源端との間に接続さ
れた前記カラム選択信号により非選択状態に制御
されるｐチヤネル型ビツト線プルアツプ用トラン
ジスタ対とを具備してなることを特徴とするスタ
テイツク型メモリ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230661A JPS6383991A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | スタテイツク型メモリ |
| US07/100,640 US4815040A (en) | 1986-09-29 | 1987-09-24 | Static memory using a MIS field effect transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230661A JPS6383991A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | スタテイツク型メモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6383991A JPS6383991A (ja) | 1988-04-14 |
| JPH0422317B2 true JPH0422317B2 (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16911307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61230661A Granted JPS6383991A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | スタテイツク型メモリ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4815040A (ja) |
| JP (1) | JPS6383991A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5260899A (en) * | 1986-11-14 | 1993-11-09 | Seiko Epson Corporation | Sense amplifier for semiconductor memory device |
| US5345420A (en) * | 1986-10-27 | 1994-09-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor memory device |
| US5054000A (en) * | 1988-02-19 | 1991-10-01 | Sony Corporation | Static random access memory device having a high speed read-out and flash-clear functions |
| JPH01251496A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | スタティック型ランダムアクセスメモリ |
| JPH0777346B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1995-08-16 | 株式会社東芝 | 論理レベル変換回路 |
| JP2583606B2 (ja) * | 1989-05-16 | 1997-02-19 | 富士通株式会社 | センスアンプ回路 |
| US5197031A (en) * | 1989-06-10 | 1993-03-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for writing data in testing memory device and circuit for testing memory device |
| JP3072871B2 (ja) * | 1992-03-19 | 2000-08-07 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置 |
| KR970011971B1 (ko) * | 1992-03-30 | 1997-08-08 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 비트라인 프리차아지회로 |
| GB2277390B (en) * | 1993-04-21 | 1997-02-26 | Plessey Semiconductors Ltd | Random access memory |
| US6445049B1 (en) * | 1997-06-30 | 2002-09-03 | Artisan Components, Inc. | Cell based array comprising logic, transfer and drive cells |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4370737A (en) * | 1980-02-11 | 1983-01-25 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Sense amplifier and sensing methods |
| JPS58168310A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-04 | Fujitsu Ltd | 出力回路 |
| US4658382A (en) * | 1984-07-11 | 1987-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Dynamic memory with improved dummy cell circuitry |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61230661A patent/JPS6383991A/ja active Granted
-
1987
- 1987-09-24 US US07/100,640 patent/US4815040A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6383991A (ja) | 1988-04-14 |
| US4815040A (en) | 1989-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1048153A (en) | High-density, high-speed random access read-writer memory | |
| US4150441A (en) | Clocked static memory | |
| KR970001340B1 (ko) | 다이나믹형 랜덤억세스메모리 | |
| JPH0422318B2 (ja) | ||
| US5539700A (en) | Column selection circuit of semiconductor memory with transfer gate | |
| KR940006994B1 (ko) | 다이나믹 랜덤액세스메모리와 그 데이터 기록방법 | |
| JPH029081A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US6130846A (en) | Semiconductor memory device | |
| US5640355A (en) | Semiconductor memory device | |
| EP0124868A2 (en) | Semiconductor memory | |
| US6320806B1 (en) | Input/output line precharge circuit and semiconductor memory device adopting the same | |
| JPH0422317B2 (ja) | ||
| KR0166044B1 (ko) | 감지증폭기 어레이 | |
| JPH03272087A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS63304491A (ja) | 半導体メモリ | |
| US5305272A (en) | Sense amplifier circuit | |
| KR20190108649A (ko) | 입력 버퍼 회로 | |
| US5067109A (en) | Data output buffer circuit for a SRAM | |
| US6108256A (en) | NFET/PFET RAM precharge circuitry to minimize read sense amp operational range | |
| US6067264A (en) | High speed semiconductor memory device | |
| US4768168A (en) | Memory circuit having an improved writing scheme | |
| JPS62202398A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| KR100318464B1 (ko) | 재쓰기회로를갖는스태틱램디바이스 | |
| US4821237A (en) | Semiconductor memory device | |
| US5355349A (en) | Semiconductor integrated circuit device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |