JPH0422287Y2 - - Google Patents
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- JPH0422287Y2 JPH0422287Y2 JP1983098727U JP9872783U JPH0422287Y2 JP H0422287 Y2 JPH0422287 Y2 JP H0422287Y2 JP 1983098727 U JP1983098727 U JP 1983098727U JP 9872783 U JP9872783 U JP 9872783U JP H0422287 Y2 JPH0422287 Y2 JP H0422287Y2
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 48
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
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- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、センサの抵抗値変化に応じて、直
列抵抗体の抵抗値が変化するようにしたセンサ回
路に関するものである。
列抵抗体の抵抗値が変化するようにしたセンサ回
路に関するものである。
従来、検知対象の状態に応じてセンサ抵抗値が
変化し、その抵抗値の変化を利用して検知対象の
状態を検知するトランスデユーサは、多くの場
合、第１図のような回路構成によつていた。
変化し、その抵抗値の変化を利用して検知対象の
状態を検知するトランスデユーサは、多くの場
合、第１図のような回路構成によつていた。
第１図において、Ｓはセンサで、例えばガス吸
着により抵抗値Ｒが変化するガスセンサが使用さ
れている。RSは直列抵抗体、Ｅは印加電圧、Ｖ
は出力電圧である。
着により抵抗値Ｒが変化するガスセンサが使用さ
れている。RSは直列抵抗体、Ｅは印加電圧、Ｖ
は出力電圧である。
次に、動作について説明する。
直列抵抗体RSはその抵抗値は一定であるが、
センサＳは検知対象の状態に応じその抵抗値Ｒが
変化するので、出力電圧Ｖの変化から検知対象の
変化を検出することができる。ところが、使用目
的により、センサＳの抵抗値Ｒの変化に応じて直
列抵抗体RSの値も変化させたい場合がある。以
下、その理由について述べる。
センサＳは検知対象の状態に応じその抵抗値Ｒが
変化するので、出力電圧Ｖの変化から検知対象の
変化を検出することができる。ところが、使用目
的により、センサＳの抵抗値Ｒの変化に応じて直
列抵抗体RSの値も変化させたい場合がある。以
下、その理由について述べる。
一例として、センサＳが直接加熱型の半導体ガ
スセンサの場合について説明する。
スセンサの場合について説明する。
一般に、半導体ガスセンサは、300〜400℃の高
温で使用されるのが通例であり、いかなる温度で
使用されているかはガスセンサの性能を大きく支
配する。
温で使用されるのが通例であり、いかなる温度で
使用されているかはガスセンサの性能を大きく支
配する。
ところで、ガスセンサは使用される時間の大部
分がガス待ち状態、すなわち、対象ガスが存在し
ない状態で過すため、このガス待ち状態の温度が
ガスセンサの感度などの長期的な安定性を決定す
る。特に温度が高過ぎると、ガスセンサの抵抗値
の経時的な低下をもたらし、長期性能保証を難し
くするので、ガス待ち状態でのガスセンサ温度を
設計上決められた値より上げない配慮が重要とな
る。一方、ガスに対するガスセンサの感度（抵抗
変化率）は温度に大きく依存し、通常はガス待ち
状態の温度に比べて十分高い必要がある。
分がガス待ち状態、すなわち、対象ガスが存在し
ない状態で過すため、このガス待ち状態の温度が
ガスセンサの感度などの長期的な安定性を決定す
る。特に温度が高過ぎると、ガスセンサの抵抗値
の経時的な低下をもたらし、長期性能保証を難し
くするので、ガス待ち状態でのガスセンサ温度を
設計上決められた値より上げない配慮が重要とな
る。一方、ガスに対するガスセンサの感度（抵抗
変化率）は温度に大きく依存し、通常はガス待ち
状態の温度に比べて十分高い必要がある。
以上のような２つの要請により、半導体ガスセ
ンサの一般的な加熱方法としては、第２図のよう
な２系統の電気的加熱方法がとられている。
ンサの一般的な加熱方法としては、第２図のよう
な２系統の電気的加熱方法がとられている。
第２図において、ESは電源電圧、EHはヒータ
電圧、Sgは半導体ガスセンサ、Ｈはヒータ、RS
は直列抵抗体、Ｖは出力電圧である。
電圧、Sgは半導体ガスセンサ、Ｈはヒータ、RS
は直列抵抗体、Ｖは出力電圧である。
この構成においては、(a)ヒータＨをヒータ電圧
EHにより加熱するものと、(b)電源電圧ESによつ
て、半導体ガスセンサSgを流れる電流のジユール
発熱によるもの、の２系統の加熱が行われる。(a)
の加熱は、ヒータＨによるものであるから、半導
体ガスセンサSgの抵抗によらず一定であるが、(b)
の加熱は、雰囲気に検知対象ガスがある場合、半
導体ガスセンサSgの抵抗値が低下し、ジユール発
熱量が増すため増加する。
EHにより加熱するものと、(b)電源電圧ESによつ
て、半導体ガスセンサSgを流れる電流のジユール
発熱によるもの、の２系統の加熱が行われる。(a)
の加熱は、ヒータＨによるものであるから、半導
体ガスセンサSgの抵抗によらず一定であるが、(b)
の加熱は、雰囲気に検知対象ガスがある場合、半
導体ガスセンサSgの抵抗値が低下し、ジユール発
熱量が増すため増加する。
上記第２図の構成によれば、ガス待ち状態では
一定温度を越えず、ガス雰囲気では半導体ガスセ
ンサSgの抵抗値が低下するので比較的高温になる
ということが達成され、前述した２つの要請に合
致し、このような構成の半導体ガスセンサSgはガ
ス警報器として実用化されている。
一定温度を越えず、ガス雰囲気では半導体ガスセ
ンサSgの抵抗値が低下するので比較的高温になる
ということが達成され、前述した２つの要請に合
致し、このような構成の半導体ガスセンサSgはガ
ス警報器として実用化されている。
ところが、警報器の普及に伴い、業務用の厨房
など燃焼排ガスや高濃度の水蒸気のような検知目
的以外のガスが微量ではあるが常時存在する環境
が使用環境として増加しつつあり、そのような環
境ではガス待ち状態において微量雰囲気ガスによ
る半導体ガスセンサSgの抵抗値の低下が起り、ジ
ユール発熱が増加し、結局、センサ温度が制限さ
れた範囲を超えて上昇して経時的に半導体ガスセ
ンサSgの感度変化（鋭敏化）がおこるという問題
がある。
など燃焼排ガスや高濃度の水蒸気のような検知目
的以外のガスが微量ではあるが常時存在する環境
が使用環境として増加しつつあり、そのような環
境ではガス待ち状態において微量雰囲気ガスによ
る半導体ガスセンサSgの抵抗値の低下が起り、ジ
ユール発熱が増加し、結局、センサ温度が制限さ
れた範囲を超えて上昇して経時的に半導体ガスセ
ンサSgの感度変化（鋭敏化）がおこるという問題
がある。
このような感度の鋭敏化を避けるうえで、直列
抵抗体RSの値を大きくすることによつてジユー
ル発熱を抑えることが一つの有効な方法である
が、直列抵抗体RSが固定であれば、雰囲気の検
知対象ガス濃度が検知すべき十分な濃度になつて
も直列抵抗体RSの抵抗値が大きな値であるため、
ジユール発熱が小さく温度が低く押えられ、必要
なガス感度が得られ難くなる。したがつて、ガス
待ち状態では直列抵抗体RSの値を適当に大きく
し、検知すべきガス雰囲気中では適当に小さくす
ることが排ガスなどの微量ガスが含まれる雰囲気
中での長期安定性と高感度性との両者を同時に満
足させるために必要な条件となる。
抵抗体RSの値を大きくすることによつてジユー
ル発熱を抑えることが一つの有効な方法である
が、直列抵抗体RSが固定であれば、雰囲気の検
知対象ガス濃度が検知すべき十分な濃度になつて
も直列抵抗体RSの抵抗値が大きな値であるため、
ジユール発熱が小さく温度が低く押えられ、必要
なガス感度が得られ難くなる。したがつて、ガス
待ち状態では直列抵抗体RSの値を適当に大きく
し、検知すべきガス雰囲気中では適当に小さくす
ることが排ガスなどの微量ガスが含まれる雰囲気
中での長期安定性と高感度性との両者を同時に満
足させるために必要な条件となる。
先に提案した考案（実願昭57−184334号）は、
上記の点にかんがみなされたもので、ツエナーダ
イオードを用いることにより、センサ抵抗値が決
められたある値以上では、直列抵抗体の抵抗値が
一定値であり、その決められた値以下では、セン
サの抵抗値に対し、ほぼ直線的に減少するような
センサ回路を形成している。
上記の点にかんがみなされたもので、ツエナーダ
イオードを用いることにより、センサ抵抗値が決
められたある値以上では、直列抵抗体の抵抗値が
一定値であり、その決められた値以下では、セン
サの抵抗値に対し、ほぼ直線的に減少するような
センサ回路を形成している。
以下、上記先に提案したセンサ回路を第３図に
より説明する。この図において、R1，R2，R3は
固定抵抗器、DZはツエナーダイオードで、その
ツエナー電圧はVZである。Ｅは印加電圧であり、
これらで等価的に第１図、第２図の直列抵抗体
RSを構成している。そして便宜上固定抵抗器R1
を直列抵抗体という。その他は第１図と同じであ
る。固定抵抗器R2は、ツエナーダイオードDZと
直列接続され、このツエナーダイオードDZと固
定抵抗器R2の直列接続体が直列抵抗体R1と並列
に接続され、また、固定抵抗器R3が、直列抵抗
体R1と、固定抵抗器R2とツエナーダイオードDZ
と直列接続体との並列接続体に、直列接続されて
いる。なお、当然のことながら、各固定抵抗器
R1，R2，R3の抵抗値は、R1≠０、R2≠∞，R3≠
∞である。
より説明する。この図において、R1，R2，R3は
固定抵抗器、DZはツエナーダイオードで、その
ツエナー電圧はVZである。Ｅは印加電圧であり、
これらで等価的に第１図、第２図の直列抵抗体
RSを構成している。そして便宜上固定抵抗器R1
を直列抵抗体という。その他は第１図と同じであ
る。固定抵抗器R2は、ツエナーダイオードDZと
直列接続され、このツエナーダイオードDZと固
定抵抗器R2の直列接続体が直列抵抗体R1と並列
に接続され、また、固定抵抗器R3が、直列抵抗
体R1と、固定抵抗器R2とツエナーダイオードDZ
と直列接続体との並列接続体に、直列接続されて
いる。なお、当然のことながら、各固定抵抗器
R1，R2，R3の抵抗値は、R1≠０、R2≠∞，R3≠
∞である。
次に、この回路における動作について説明す
る。
る。
第３図の回路において、実効的な直列抵抗S
は第４図の等価回路で表わすことができ S＝Ｖ／Ｉ ……(1) ここで、Ｉは、センサＳを流れる電流である。
は第４図の等価回路で表わすことができ S＝Ｖ／Ｉ ……(1) ここで、Ｉは、センサＳを流れる電流である。
この直列抵抗Sについて、ツエナーダイオー
ドDZが導通しているものとして計算してみると、 S＝γ・VZ／Ｅ−γ・VZ・Ｒ＋Ｅ（R′＋R3）／Ｅ−
γ・VZ……(2) ただし、R′＝１／１／R1＋１／R3，γ＝R′／R2とす
る となり、結局、 S＝ａ・Ｒ＋ｂ ……(3) の形で変化することが分かる。しかしながら、前
記定数ａ，ｂはツエナーダイオードDZが不導通
の場合は、固定抵抗器R2に電流が流れないので
R2＝∞とみることができ、ａ＝０，ｂ＝R1＋R3
となつてS＝R1＋R3と一定値になる。
ドDZが導通しているものとして計算してみると、 S＝γ・VZ／Ｅ−γ・VZ・Ｒ＋Ｅ（R′＋R3）／Ｅ−
γ・VZ……(2) ただし、R′＝１／１／R1＋１／R3，γ＝R′／R2とす
る となり、結局、 S＝ａ・Ｒ＋ｂ ……(3) の形で変化することが分かる。しかしながら、前
記定数ａ，ｂはツエナーダイオードDZが不導通
の場合は、固定抵抗器R2に電流が流れないので
R2＝∞とみることができ、ａ＝０，ｂ＝R1＋R3
となつてS＝R1＋R3と一定値になる。
したがつて、直列抵抗Sの変化はセンサＳの
抵抗値Ｒによつて第５図に示すように変化する。
なお、RCはツエナーダイオードDZが導通すると
きのセンサＳの抵抗値Ｒを示し、この値は、 RC＝（Ｅ／VZ−1R1−R3 ……(4) で示される。
抵抗値Ｒによつて第５図に示すように変化する。
なお、RCはツエナーダイオードDZが導通すると
きのセンサＳの抵抗値Ｒを示し、この値は、 RC＝（Ｅ／VZ−1R1−R3 ……(4) で示される。
ところが、センサＳの抵抗値Ｒが前記第(4)式の
RC近傍では大きな値の直列抵抗Sがよいが、セ
ンサＳの抵抗値Ｒが十分大きいときには直列抵抗
ＲSが適当に小さい方がよいという場合がある。
RC近傍では大きな値の直列抵抗Sがよいが、セ
ンサＳの抵抗値Ｒが十分大きいときには直列抵抗
ＲSが適当に小さい方がよいという場合がある。
例えば、ガスセンサの場合は、センサＳの抵抗
値Ｒが十分大きなガス待ち状態で、直列抵抗S
が大きすぎると、センサ温度が低く抑えられすぎ
て被検ガスの雰囲気となつたとき反応速度が遅
く、ガスセンサの性能に問題が生じるという場合
がある。
値Ｒが十分大きなガス待ち状態で、直列抵抗S
が大きすぎると、センサ温度が低く抑えられすぎ
て被検ガスの雰囲気となつたとき反応速度が遅
く、ガスセンサの性能に問題が生じるという場合
がある。
この考案は、上記の点にかんがみてなされたも
ので、第５図に示された特性を与えるセンサ回路
（第３図）において、さらに、金属コイル（また
は金属線）発熱体を用いることにより、抵抗値Ｒ
が十分大きな値になるに従つて、直列抵抗Sが
減少するような新たなセンサ回路を提供すること
を目的としている。以下この考案を図面について
説明する。
ので、第５図に示された特性を与えるセンサ回路
（第３図）において、さらに、金属コイル（また
は金属線）発熱体を用いることにより、抵抗値Ｒ
が十分大きな値になるに従つて、直列抵抗Sが
減少するような新たなセンサ回路を提供すること
を目的としている。以下この考案を図面について
説明する。
第６図ａはこの考案の一実施例を示すものであ
り、第３図において、固定抵抗器R1に金属コイ
ル発熱体R′を接続したものを、固定抵抗器R1の
代わりに置きかえたものである。第６図ｂは、第
６図ａの動作を説明するためのもので、計算を簡
単にするために固定抵抗器R2の値をゼロとし、
第６図ａ中から削除し、かつ出力端子を省略して
示したものである。
り、第３図において、固定抵抗器R1に金属コイ
ル発熱体R′を接続したものを、固定抵抗器R1の
代わりに置きかえたものである。第６図ｂは、第
６図ａの動作を説明するためのもので、計算を簡
単にするために固定抵抗器R2の値をゼロとし、
第６図ａ中から削除し、かつ出力端子を省略して
示したものである。
つづいて、第６図ｂの回路の動作について説明
する。一般に、金属コイル発熱体R′は、それ自
体に流れる電流I′によつて発熱するため、金属の
正の抵抗温度係数に起因して、その抵抗値は電流
の増加とともに増加する。一般には、ｎを１前後
の正の定数として、 R′＝ROI′n ……(5) で表わされる。
する。一般に、金属コイル発熱体R′は、それ自
体に流れる電流I′によつて発熱するため、金属の
正の抵抗温度係数に起因して、その抵抗値は電流
の増加とともに増加する。一般には、ｎを１前後
の正の定数として、 R′＝ROI′n ……(5) で表わされる。
ツエナーダイオードDZの両端の電圧がツエナ
ー電圧VZを越えるまでは、すなわち、Ｒ＞RCの
ときツエナーダイオードDZには電流は流れない
から、第６図ｂにおいてI′についての方程式 （Ｒ＋R1＋R3＋ROI′n）I′＝Ｅ がの解I′（但し、I′＞０）を第(1)式のＩに置きかえ
て、前述した直列抵抗RSを求めることができる。
ー電圧VZを越えるまでは、すなわち、Ｒ＞RCの
ときツエナーダイオードDZには電流は流れない
から、第６図ｂにおいてI′についての方程式 （Ｒ＋R1＋R3＋ROI′n）I′＝Ｅ がの解I′（但し、I′＞０）を第(1)式のＩに置きかえ
て、前述した直列抵抗RSを求めることができる。
また、Ｒ＜RCにおいては、ツエナーダイオー
ドDZは導通し、第６図ｂのＡ，Ｂ間の電圧は常
にツエナー電圧VZだからI′は一定となり、この時
の値をI′Oとすると、第６図ｂは第３図において、
R1をR1＋ROI0′nで置き換えたもので（R2＝０）
とする）に等価である。
ドDZは導通し、第６図ｂのＡ，Ｂ間の電圧は常
にツエナー電圧VZだからI′は一定となり、この時
の値をI′Oとすると、第６図ｂは第３図において、
R1をR1＋ROI0′nで置き換えたもので（R2＝０）
とする）に等価である。
このようにして、第６図ｂの回路構成では直列
抵抗Sは第７図のような特性で変化することに
なる。第７図を、第５図の変化に比べてみると、
明らかにセンサＳの抵抗値ＲがRCより大なると
きに、直列抵抗Sが減少する点が改良されてい
る。
抵抗Sは第７図のような特性で変化することに
なる。第７図を、第５図の変化に比べてみると、
明らかにセンサＳの抵抗値ＲがRCより大なると
きに、直列抵抗Sが減少する点が改良されてい
る。
したがつて、前述したように、センサＳの抵抗
値Ｒが大きいガス待ち状態では直列抵抗Sが小
さくなり、センサＳを流れる電流によつてセンサ
Ｓの温度が上昇するので、ガスセンサの反応速度
が遅くなるという欠点を解消することができる。
値Ｒが大きいガス待ち状態では直列抵抗Sが小
さくなり、センサＳを流れる電流によつてセンサ
Ｓの温度が上昇するので、ガスセンサの反応速度
が遅くなるという欠点を解消することができる。
第８図、第９図は印加電圧Ｅを交流電圧Eaと
した場合のこの考案の他の実施例を示すもので、
第８図では第２のツエナーダイオードDZ2を採用
し、交流電圧Eaの正・負に対応させたものであ
る。
した場合のこの考案の他の実施例を示すもので、
第８図では第２のツエナーダイオードDZ2を採用
し、交流電圧Eaの正・負に対応させたものであ
る。
なお、固定抵抗器R2がツエナーダイオードDZ
に直列に接続されている第６図ａの場合は、Ｒ＜
Rcの領域においてＡ，Ｂ間の電圧はツエナー電
圧VZと多少異なるが、全体的な直列抵抗Sの特
性は第７図の傾向を示すことはいうまでもない。
に直列に接続されている第６図ａの場合は、Ｒ＜
Rcの領域においてＡ，Ｂ間の電圧はツエナー電
圧VZと多少異なるが、全体的な直列抵抗Sの特
性は第７図の傾向を示すことはいうまでもない。
以上説明したように、この考案のセンサ回路
は、センサの抵抗値が高いガス待ち状態におい
て、センサに流れる電流が増加するような直列抵
抗回路を金属線からなる発熱体を挿入することに
よつて形成し、センサの温度を上昇するようにし
たので、排ガス、微量ガスが含まれる雰囲気中で
も感度の高いセンサ回路とすることができるとと
もに、反応速度も向上するという利点を有するも
のである。
は、センサの抵抗値が高いガス待ち状態におい
て、センサに流れる電流が増加するような直列抵
抗回路を金属線からなる発熱体を挿入することに
よつて形成し、センサの温度を上昇するようにし
たので、排ガス、微量ガスが含まれる雰囲気中で
も感度の高いセンサ回路とすることができるとと
もに、反応速度も向上するという利点を有するも
のである。
第１図は従来のセンサ回路の一例を示す図、第
２図はセンサの一般的な加熱方法の構成を示す回
路図、第３図は先に提案されたセンサ回路を示す
図、第４図は第３図の等価回路を示す図、第５図
はセンサの抵抗値による実効的な直列抵抗の変化
を示す特性図、第６図ａはこの考案の一実施例を
示す回路図、第６図ｂは、第６図ａの動作を説明
するための回路図、第７図は実効的な直列抵抗と
センサ抵抗との関係を示す特性図、第８図、第９
図はこの考案の他の実施例を示す回路図である。 図中、Ｓはセンサ、R1，R3は固定抵抗器、
R′は金属コイル発熱体、DZはツエナーダイオー
ド、Ｅは印加電圧である。
２図はセンサの一般的な加熱方法の構成を示す回
路図、第３図は先に提案されたセンサ回路を示す
図、第４図は第３図の等価回路を示す図、第５図
はセンサの抵抗値による実効的な直列抵抗の変化
を示す特性図、第６図ａはこの考案の一実施例を
示す回路図、第６図ｂは、第６図ａの動作を説明
するための回路図、第７図は実効的な直列抵抗と
センサ抵抗との関係を示す特性図、第８図、第９
図はこの考案の他の実施例を示す回路図である。 図中、Ｓはセンサ、R1，R3は固定抵抗器、
R′は金属コイル発熱体、DZはツエナーダイオー
ド、Ｅは印加電圧である。
Claims (1)
- 検知対象の状態に応じて抵抗値が変化するセン
サと、このセンサと直列に接続された第１の抵抗
体と電流量に応じて抵抗値が増加する抵抗体から
なる第１の直列接続体と、この第１の直列接続体
に並列に接続されたツエナーダイオードと第２の
抵抗体からなる第２の直列接続体と、前記第１、
第２の直列接続体に直列に接続した第３の抵抗体
と、前記センサの一端と前記第３の抵抗体の一端
との間に電圧を印加する電源と、前記第１、第
２、第３の抵抗体の各両端のうち任意の２点に接
続された出力端子とからなることを特徴とするセ
ンサ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9872783U JPS607017U (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | センサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9872783U JPS607017U (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | センサ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607017U JPS607017U (ja) | 1985-01-18 |
| JPH0422287Y2 true JPH0422287Y2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=30234273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9872783U Granted JPS607017U (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | センサ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607017U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS573036A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Oxygen concentration detector |
| JPS596291B2 (ja) * | 1977-04-04 | 1984-02-10 | 株式会社クラレ | ジオ−ルおよびそのモノエ−テルの製造法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51127797U (ja) * | 1975-04-11 | 1976-10-15 | ||
| JPS596291U (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-14 | フイガロ技研株式会社 | ガス警報装置 |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP9872783U patent/JPS607017U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS596291B2 (ja) * | 1977-04-04 | 1984-02-10 | 株式会社クラレ | ジオ−ルおよびそのモノエ−テルの製造法 |
| JPS573036A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Oxygen concentration detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS607017U (ja) | 1985-01-18 |
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