JPS5877647A - ガス感応酸化物半導体センサの安定化方法 - Google Patents
ガス感応酸化物半導体センサの安定化方法Info
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- JPS5877647A JPS5877647A JP17450781A JP17450781A JPS5877647A JP S5877647 A JPS5877647 A JP S5877647A JP 17450781 A JP17450781 A JP 17450781A JP 17450781 A JP17450781 A JP 17450781A JP S5877647 A JPS5877647 A JP S5877647A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、微量ガス中で安定な使用を可能としたガス
感応酸化物半導体センサの安定化方法に関するものであ
る。
感応酸化物半導体センサの安定化方法に関するものであ
る。
第１図はガス検出器の一例を示すもので、１はガス感応
酸化物半導体センサ（以下単に半導体センサという）で
、ｌ対の電極２．３な対向させて、ガス敏感性金属鹸化
物半導体物質４内に埋設して構成される。電極２は加熱
コイルを兼ねており、電源５により加熱される。６は負
荷抵抗器、７はセンサ出力端子で、警報器、指示計器等
の組み込みに際し接続するためのものである。８は電源
である。
酸化物半導体センサ（以下単に半導体センサという）で
、ｌ対の電極２．３な対向させて、ガス敏感性金属鹸化
物半導体物質４内に埋設して構成される。電極２は加熱
コイルを兼ねており、電源５により加熱される。６は負
荷抵抗器、７はセンサ出力端子で、警報器、指示計器等
の組み込みに際し接続するためのものである。８は電源
である。
従来の半導体センサは大気中での使用を前提として設定
して作られている。ところが、業務用の厨房等における
ような常時燃焼排ガスや高濃度の水蒸気が存在する雰囲
気で使用した場合、半導体センサ１の感度が次第に上昇
して高感度化されてしまう。このように、これまでの半
導体センサ１は微量のガスが常時存在しているような雰
囲気で使用すると、感度が変化するので、安定した作動
状態が得らｔ′ｌない欠点があった。
して作られている。ところが、業務用の厨房等における
ような常時燃焼排ガスや高濃度の水蒸気が存在する雰囲
気で使用した場合、半導体センサ１の感度が次第に上昇
して高感度化されてしまう。このように、これまでの半
導体センサ１は微量のガスが常時存在しているような雰
囲気で使用すると、感度が変化するので、安定した作動
状態が得らｔ′ｌない欠点があった。
この発明は、上記の欠点にかんがみてなされたもので、
微量の雑ガス等が存在する雰囲気中にあっても、半導体
センサが安定した状態で使用できるようにしたものであ
る。以下、この発明の一実施例について説明する。
微量の雑ガス等が存在する雰囲気中にあっても、半導体
センサが安定した状態で使用できるようにしたものであ
る。以下、この発明の一実施例について説明する。
まず、第１図の半導体センサ１をガス警報器に組み込み
、次に、空気中に約０．１％の都市ガスを含有するチャ
ンバ内で、３〜５日間通電してエージングを行うことに
より検出対象ガス濃度（例えばＣＨ４）に対して安定し
た半導体センサの感度状ｉｌｌ ’ｌ！＋−得られるの
である。これを第２図に示す。
、次に、空気中に約０．１％の都市ガスを含有するチャ
ンバ内で、３〜５日間通電してエージングを行うことに
より検出対象ガス濃度（例えばＣＨ４）に対して安定し
た半導体センサの感度状ｉｌｌ ’ｌ！＋−得られるの
である。これを第２図に示す。
第２図は半導体センサを適当なガス中でエージングする
ことＫより、特定のガスに対する半導体センサの出力が
変化し、安定化した経過を示す特性図で、ガス中エージ
ングすることにより半導体センサの出力が増加し、エー
ジング日数が増加しても半導体センサの出力が変化しな
い状態まで、すなわち、次第に一定の値に収れんした状
態になることを示す。
ことＫより、特定のガスに対する半導体センサの出力が
変化し、安定化した経過を示す特性図で、ガス中エージ
ングすることにより半導体センサの出力が増加し、エー
ジング日数が増加しても半導体センサの出力が変化しな
い状態まで、すなわち、次第に一定の値に収れんした状
態になることを示す。
第３図はこの発明の安定化方法により安定化した半導体
センサと、安定化されない従来の半導体センサをそれぞ
れ組み込んだ２台のガス警報器を、同時に都市ガス濃度
０．１％程度に相当する燃焼排ガスを含有する雰囲気中
で使用した場合の一例を示すもので、当初両センサ共Ｃ
Ｈ４ガス濃度が０．４％に達したとき警報を発するよう
に警報ガス濃度を設定する。使用日数の経過とともに、
この発明の方法により安定化された半導体センサはＯ印
で示すように当初より安定した警報ガス濃度を示してい
るが、従来の安定化されない半導体センサは、亀印で示
すように数日間で当初の約１／４の警報ガス一度を示す
ように太き（変化している。
センサと、安定化されない従来の半導体センサをそれぞ
れ組み込んだ２台のガス警報器を、同時に都市ガス濃度
０．１％程度に相当する燃焼排ガスを含有する雰囲気中
で使用した場合の一例を示すもので、当初両センサ共Ｃ
Ｈ４ガス濃度が０．４％に達したとき警報を発するよう
に警報ガス濃度を設定する。使用日数の経過とともに、
この発明の方法により安定化された半導体センサはＯ印
で示すように当初より安定した警報ガス濃度を示してい
るが、従来の安定化されない半導体センサは、亀印で示
すように数日間で当初の約１／４の警報ガス一度を示す
ように太き（変化している。
以上説明したように、この発明は、ガス感応唆化物半導
体センサを使用雰囲気と同等のガス中で感度が安定状態
に収れんするまで、エージングを施すようにしたので、
目的とする雰囲気中で使用した場合、当初より安定した
出力が得られる利点を有する。
体センサを使用雰囲気と同等のガス中で感度が安定状態
に収れんするまで、エージングを施すようにしたので、
目的とする雰囲気中で使用した場合、当初より安定した
出力が得られる利点を有する。
第１図は従来のガス検出器の一例を示す回路図、第２図
は半導体センサをガス中でエージングすることにより、
ガス濃度に対する半導体センサの出力が安定化する経過
を示す特性図、第３図はこの発明の安定化方法により安
定化した半導体センサと、安定化されない従来の半導体
センサとの排ガス含有空気中の使用期間とＣＨａに対す
る警報ガス濃度の変移の関係を示す特性図である。 図中、１は半導体センサ、２．３は電極、４はガス敏感
性金属酸化物半導体物質、５．８は電源、６は負荷抵抗
器、７はセンサ出力端子である。
は半導体センサをガス中でエージングすることにより、
ガス濃度に対する半導体センサの出力が安定化する経過
を示す特性図、第３図はこの発明の安定化方法により安
定化した半導体センサと、安定化されない従来の半導体
センサとの排ガス含有空気中の使用期間とＣＨａに対す
る警報ガス濃度の変移の関係を示す特性図である。 図中、１は半導体センサ、２．３は電極、４はガス敏感
性金属酸化物半導体物質、５．８は電源、６は負荷抵抗
器、７はセンサ出力端子である。
Claims (1)
- ガス感応酸化物半導体センサを、使用雰囲気ガスと同等
のガス中で感度が安定状態に収れんするまでエージング
を施すことを特徴とするガス感応酸化物半導体センサの
安定化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17450781A JPS5877647A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | ガス感応酸化物半導体センサの安定化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17450781A JPS5877647A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | ガス感応酸化物半導体センサの安定化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877647A true JPS5877647A (ja) | 1983-05-11 |
Family
ID=15979707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17450781A Pending JPS5877647A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | ガス感応酸化物半導体センサの安定化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877647A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0191172A2 (de) * | 1985-02-09 | 1986-08-20 | Drägerwerk Aktiengesellschaft | Verfahren zur Sensibilisierung und Stabilisierung des Betriebszustandes von Halbleitergassensoren |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168538A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Sharp Corp | Aging device for sno2 series semiconductor gas sensor |
| JPS56168537A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Sharp Corp | Aging device for sno2 series semiconductor gas sensor |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP17450781A patent/JPS5877647A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168538A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Sharp Corp | Aging device for sno2 series semiconductor gas sensor |
| JPS56168537A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Sharp Corp | Aging device for sno2 series semiconductor gas sensor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0191172A2 (de) * | 1985-02-09 | 1986-08-20 | Drägerwerk Aktiengesellschaft | Verfahren zur Sensibilisierung und Stabilisierung des Betriebszustandes von Halbleitergassensoren |
| EP0191172A3 (en) * | 1985-02-09 | 1987-08-12 | Dragerwerk Aktiengesellschaft | Method for sensitization and stabilization of the working state of semiconductor gas sensors |
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