JPH0422121A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0422121A JPH0422121A JP12803490A JP12803490A JPH0422121A JP H0422121 A JPH0422121 A JP H0422121A JP 12803490 A JP12803490 A JP 12803490A JP 12803490 A JP12803490 A JP 12803490A JP H0422121 A JPH0422121 A JP H0422121A
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- chamber
- cryopump
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- pvd chamber
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
真空搬送路で接続されたＣＶＤ装置とＰＶＤ装置を有す
る半導体製造装置に関し ＣＶＤ／ＰＶＤマルチチャンバ成膜装置において。
る半導体製造装置に関し ＣＶＤ／ＰＶＤマルチチャンバ成膜装置において。
ＰＶＤチャンバに流入する微量の反応ガスに対する安全
性を向上することを目的とし １）化学的成膜を行うＣＶＤチャンバ（１）と、物理的
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と９両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）には バルブ
（６）を経由してクライオポンプ（４）が接続され、且
つバルブ（９）を経由して順にターボ分子ポンプ（８）
及び除害処理装置が接続されているように構成する。
性を向上することを目的とし １）化学的成膜を行うＣＶＤチャンバ（１）と、物理的
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と９両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）には バルブ
（６）を経由してクライオポンプ（４）が接続され、且
つバルブ（９）を経由して順にターボ分子ポンプ（８）
及び除害処理装置が接続されているように構成する。
２）化学的成膜を行うＣＶＤチャンバ（１）と、物理的
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と１両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）にはバルブ（
６）を経由してクライオポンプ（４）が接続され、該ク
ライオポンプ（４）には再生不活性ガスの排出口が設け
られ、該排出口にはバルブａυを経由して除害処理装置
が接続されているように構成する。
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と１両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）にはバルブ（
６）を経由してクライオポンプ（４）が接続され、該ク
ライオポンプ（４）には再生不活性ガスの排出口が設け
られ、該排出口にはバルブａυを経由して除害処理装置
が接続されているように構成する。
本発明は真空搬送路で接続されたＣＶＤ装置とＰＶＤ装
置を有する半導体製造装置に関する。
置を有する半導体製造装置に関する。
同一真空搬送路内でＣＶＤチャンバからＰＶＤチャンバ
に搬送する際に、 ＣＶＤに使用した反応ガスが微小で
はあるがＰＶＤチャンバ内に流出するため。
に搬送する際に、 ＣＶＤに使用した反応ガスが微小で
はあるがＰＶＤチャンバ内に流出するため。
ＰＶＤチャンバの排気に用いているクライオポンプ（低
温ポンプ）の再生時に反応ガスが拡散し危険性を伴うこ
とがある。
温ポンプ）の再生時に反応ガスが拡散し危険性を伴うこ
とがある。
本発明はこのような危険性を抑止したマルチチャンバ成
膜装置として利用することができる。
膜装置として利用することができる。
第３図は従来例によるマルチチャンバの成膜装置を説明
する構成図である。
する構成図である。
図において、１はＣＶＤチャンバ、２は真空搬送路とな
る中間室、３はＰＶＤチャンバ′、４はクライオポンプ
（ＣＰ）、 ５は回転ポンプ（ＲＰ）、 ６． ７
はバルブである。
る中間室、３はＰＶＤチャンバ′、４はクライオポンプ
（ＣＰ）、 ５は回転ポンプ（ＲＰ）、 ６． ７
はバルブである。
処理の流れは、まずＣＶＤチャンバ１て成膜された半導
体ウェハは中間室２を通ってＰＶＤチャンバ３内に真空
搬送され成膜される。
体ウェハは中間室２を通ってＰＶＤチャンバ３内に真空
搬送され成膜される。
ＰＶＤチャンバ３は回転ポンプ５て荒引きされた後、ク
ライオポンプ４で高真空に保たれ、その内部でＰＶＤ成
膜が行われる。
ライオポンプ４で高真空に保たれ、その内部でＰＶＤ成
膜が行われる。
従来例の装置では、 ＣＶＤ成膜時の反応ガスが微量Ｐ
ＶＤチャンバ３内に流入することがあり、この反応ガス
がクライオポンプ４の内壁に吸着されるため、クライオ
ポンプ４の再生時に再生不活性ガス中に反応ガスが放出
され危険性を伴うことがある。
ＶＤチャンバ３内に流入することがあり、この反応ガス
がクライオポンプ４の内壁に吸着されるため、クライオ
ポンプ４の再生時に再生不活性ガス中に反応ガスが放出
され危険性を伴うことがある。
本発明はＣＶＤ／ＰＶＤマルチチャンバ成膜装置におい
て、 ＰＶＤチャンバに流入する微量の反応ガスに対す
る安全性を向上することを目的とする。
て、 ＰＶＤチャンバに流入する微量の反応ガスに対す
る安全性を向上することを目的とする。
上記課題の解決は。
１）化学的成膜を行うＣＶＤチャンバ（１）と、物理的
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と９両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）には、バルブ
（６）を経由してクライオポンプ（４）が接続され、且
つバルブ（９）を経由して順にターホ分子ポンプ（８）
及び除害処理装置が接続されている半導体製造装置。
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と９両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）には、バルブ
（６）を経由してクライオポンプ（４）が接続され、且
つバルブ（９）を経由して順にターホ分子ポンプ（８）
及び除害処理装置が接続されている半導体製造装置。
あるいは
２）化学的成膜を行うＣＶＤチャンバ（１）と、物理的
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と１両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）にはバルブ（
６）を経由してクライオポンプ（４）が接続され、該ク
ライオポンプ（４）には再生不活性ガスの排出口が設け
られ、該排出口にはバルブ（１１）を経由して除害処理
装置が接続されている半導体製造装置により達成される
。
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と１両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）にはバルブ（
６）を経由してクライオポンプ（４）が接続され、該ク
ライオポンプ（４）には再生不活性ガスの排出口が設け
られ、該排出口にはバルブ（１１）を経由して除害処理
装置が接続されている半導体製造装置により達成される
。
ＣＶＤチャンバからＰＶＤチャンバへ連続真空搬送する
マルチチャンバ装置が研究段階にあり、 ＰＶＤチャン
バのクライオポンプ再生時に、 ＣＶＤチャンバからＰ
ＶＤチャンバへ流入する反応ガスによる危険性は従来周
知ではないが、今後安全性が要求されるものと予想され
る。
マルチチャンバ装置が研究段階にあり、 ＰＶＤチャン
バのクライオポンプ再生時に、 ＣＶＤチャンバからＰ
ＶＤチャンバへ流入する反応ガスによる危険性は従来周
知ではないが、今後安全性が要求されるものと予想され
る。
本発明者は、この点に着目して次の作用によるマルチチ
ャンバ装置を開発した。
ャンバ装置を開発した。
■ ＰＶＤチャンバに流入する微量の反応ガスをクライ
オポンプに吸着させないようにするっそのために、 Ｐ
ＶＤチャンバにウェハを搬入すると、まずターホ分子ポ
ンプ（ＴＭＰ）で１０−７〜１Ｏ−８Ｔｏｒｒの高真空
に排気した後、クライオポンプに切り換える。
オポンプに吸着させないようにするっそのために、 Ｐ
ＶＤチャンバにウェハを搬入すると、まずターホ分子ポ
ンプ（ＴＭＰ）で１０−７〜１Ｏ−８Ｔｏｒｒの高真空
に排気した後、クライオポンプに切り換える。
この際、ターホ分子ポンプの排出口は除害処理を行う。
■ ＰＶＤチャンバに流入する微量の反応ガスもその他
の排気ガスと同様にクライオポンプに吸着させるが、ク
ライオポンプに再生不活性ガスの排出口を設けて除害処
理装置に接続する。
の排気ガスと同様にクライオポンプに吸着させるが、ク
ライオポンプに再生不活性ガスの排出口を設けて除害処
理装置に接続する。
第１図は本発明の一実施例によるマルチチャンバの成膜
装置を説明する構成図である。
装置を説明する構成図である。
図において、１はＣＶＤチャンバ、２は真空搬送路とな
る中間室、３はＰＶＤチャンバ、４はクライオポンプ（
ＣＰ）、 ５は回転ポンプ（ＲＰ）、 ６． ７は
バルブ、８はターボ分子ポンプ（ＴＭＰ） 、 ９．
１０はバルブである。
る中間室、３はＰＶＤチャンバ、４はクライオポンプ（
ＣＰ）、 ５は回転ポンプ（ＲＰ）、 ６． ７は
バルブ、８はターボ分子ポンプ（ＴＭＰ） 、 ９．
１０はバルブである。
処理の流れは、まずＣＶＤチャンバＩて成膜された半導
体ウェハは中間室２を通ってＰＶＤチャンバ３内に真空
搬送される。
体ウェハは中間室２を通ってＰＶＤチャンバ３内に真空
搬送される。
回転ポンプ５の経路はＰＶＤチャンバ３の荒引き用のも
のである。
のである。
ウェハがＰＶＤチャンバ３内に真空搬送されるとまずタ
ーボ分子ポンプ８て所定の真空度まで排気し、その後ク
ライオポンプ４に切り換えてＰＶＤ成膜が行われる。
ーボ分子ポンプ８て所定の真空度まで排気し、その後ク
ライオポンプ４に切り換えてＰＶＤ成膜が行われる。
この例では、 ＰＶＤチャンバに流入する微量の反応ガ
スはクライオポンプに吸着することはなく従ってクライ
オポンプの再生時に反応ガスを排出する心配がなくなる
。
スはクライオポンプに吸着することはなく従ってクライ
オポンプの再生時に反応ガスを排出する心配がなくなる
。
この際、ターボ分子ポンプの排出口は除害処理装置に接
続する。
続する。
除害装置は有害な反応ガスを除去目的に合わせた除害剤
に吸収させて除去する等通常の装置を用いる。
に吸収させて除去する等通常の装置を用いる。
第２図は他の実施例によるマルチチャンバの成膜装置を
説明する構成図である。
説明する構成図である。
図において、ＩはＣＶＤチャンバ、２は真空搬送路とな
る中間室、３はＰＶＤチャンバ゛ ４はクライオポンプ
（ＣＰ）、 ５は回転ポンプ（ＲＰ）、６． ７はバ
ルブ、 １１は再生不活性ガスの排出口に設けたバルブ
である。
る中間室、３はＰＶＤチャンバ゛ ４はクライオポンプ
（ＣＰ）、 ５は回転ポンプ（ＲＰ）、６． ７はバ
ルブ、 １１は再生不活性ガスの排出口に設けたバルブ
である。
処理の流れは、まずＣＶＤチャンバＩで成膜された半導
体ウェハは中間室２を通ってＰＶＤチャンバ３内に真空
搬送され成膜される。
体ウェハは中間室２を通ってＰＶＤチャンバ３内に真空
搬送され成膜される。
ＰＶＤチャンバ３は回転ポンプ５で荒引きされた後、ク
ライオポンプ４て高真空に保たれ、内部てＰＶＤ成膜が
行われる。
ライオポンプ４て高真空に保たれ、内部てＰＶＤ成膜が
行われる。
成膜中はバルブ１１は閉じられている。
この例では、 ＰＶＤチャンバに流入する微量の反応ガ
スはクライオポンプに吸着されるが、クライオポンプ再
生時に再生不活性ガスの排出口に設けたバルブ１１を解
放して反応ガスの混入した再生不活性ガスを除害処理装
置に導くことにより安全性を確保できる。
スはクライオポンプに吸着されるが、クライオポンプ再
生時に再生不活性ガスの排出口に設けたバルブ１１を解
放して反応ガスの混入した再生不活性ガスを除害処理装
置に導くことにより安全性を確保できる。
以上説明したように本発明によれば、 ＣＶＤ／ＰＶＤ
マルチチャンバ成膜装置において、 ＰＶＤチャンバに
流入する微量の反応ガスに対する安全性を向上すること
ができる。
マルチチャンバ成膜装置において、 ＰＶＤチャンバに
流入する微量の反応ガスに対する安全性を向上すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例によるマルチチャンバの成膜
装置を説明する構成図。 第２図は他の実施例によるマルチチャンバの成膜装置を
説明する構成図。 第３図は従来例によるマルチチャンバの成膜装置を説明
する構成図である。 図において ＩはＣＶＤチャンバ ２は真空搬送路となる中間室。 ３はＰＶＤチャンバ ４はクライオポンプ（ＣＰ）。 ５は回転ポンプ（ＲＰ） ６．７はバルブ。 ８はターボ分子ポンプ（ＴＭＰ） 。 ９．１０はバルブ。 ＩＩは再生不活性ガスの排出口に設けたハルブ実能伊）
の構ハ図 ′１ｆＪｉ 図 他の寅仕例の博へ図 イかＢｉｕ弓の横刃）３「≧］ ！Ｐ］３図
装置を説明する構成図。 第２図は他の実施例によるマルチチャンバの成膜装置を
説明する構成図。 第３図は従来例によるマルチチャンバの成膜装置を説明
する構成図である。 図において ＩはＣＶＤチャンバ ２は真空搬送路となる中間室。 ３はＰＶＤチャンバ ４はクライオポンプ（ＣＰ）。 ５は回転ポンプ（ＲＰ） ６．７はバルブ。 ８はターボ分子ポンプ（ＴＭＰ） 。 ９．１０はバルブ。 ＩＩは再生不活性ガスの排出口に設けたハルブ実能伊）
の構ハ図 ′１ｆＪｉ 図 他の寅仕例の博へ図 イかＢｉｕ弓の横刃）３「≧］ ！Ｐ］３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）化学的成膜を行うＣＶＤチャンバ（１）と、物理的
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と、両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）には、バルブ（６）を経由してク
ライオポンプ（４）が接続され、且つバルブ（９）を経
由して順にターボ分子ポンプ（８）及び除害処理装置が
接続されていることを特徴とする半導体製造装置。 ２）化学的成膜を行うＣＶＤチャンバ（１）と、物理的
成膜を行うＰＶＤチャンバ（３）と、両方のチャンバの
真空搬送路となる中間室（２）とを有するマルチチャン
バ装置であって、 ＰＶＤチャンバ（３）にはバルブ（６）を経由してクラ
イオポンプ（４）が接続され、該クライオポンプ（４）
には再生不活性ガスの排出口が設けられ、該排出口には
バルブ（１１）を経由して除害処理装置が接続されてい
ることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12803490A JPH0422121A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12803490A JPH0422121A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0422121A true JPH0422121A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14974884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12803490A Pending JPH0422121A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0422121A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100297971B1 (ko) * | 1998-01-19 | 2001-08-07 | 니시히라 순지 | 스퍼터화학증착복합장치 |
-
1990
- 1990-05-17 JP JP12803490A patent/JPH0422121A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100297971B1 (ko) * | 1998-01-19 | 2001-08-07 | 니시히라 순지 | 스퍼터화학증착복합장치 |
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