JPH04219338A - 光ファイバ製造用プリフォームの製造方法 - Google Patents

光ファイバ製造用プリフォームの製造方法

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JPH04219338A
JPH04219338A JP3089663A JP8966391A JPH04219338A JP H04219338 A JPH04219338 A JP H04219338A JP 3089663 A JP3089663 A JP 3089663A JP 8966391 A JP8966391 A JP 8966391A JP H04219338 A JPH04219338 A JP H04219338A
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optical fiber
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JP3089663A
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Sergent Christian Le
クリスチヤン・ル・セルジヤン
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Alcatel Lucent SAS
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Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリカをベースとする
管の内部に、シリコンのガス状化合物と酸素と場合によ
りシリカのドーピング元素のガス状化合物とを含む気相
から、連続層として、シリカのデポジット（場合により
ドーピング剤が添加されている）を形成し、次にこの管
を潰して軸方向空隙ゾーンを無くすることからなる方法
であって、引き出し（線引き）により光ファイバを製造
するためのプリフォームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フッ素を含んだシリカの管の内部にシリ
コンのハロゲン化物と酸素と少量のドーピング元素（シ
リカの屈折率を増加させ又は減少させる）の化合物との
ガス状混合物を導入し、並進移動するトーチによりこの
管の外部から、又は可動プラズマを形成しながら、この
混合物を加熱することにより、この管の内部にシリカの
連続層（場合によりドーピングされている）を堆積させ
ることは周知である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、堆積されたシ
リカの量は実用上限られたものである（堆積されドーピ
ングされたシリカの断面積は殆ど１５０ｍｍ２　を超え
ることができない）と共に、コア直径に対する線引き後
のクラッドの直径の比は７より大きな値にとどまるので
、この方法はある程度不十分なものである。従って、線
引きによってプリフォーム１ｍ当たり２０ｋｍ以上の光
ファイバを得ることはできない。
【０００４】本発明の目的は、より多くの量のシリカを
堆積させることが可能で、コア直径に対するクラッド直
径の比がより大きく、プリフォーム単位長さ当たりの光
ファイバの長さがより長く、プリフォーム１ｍ当たり光
ファイバが１００〜２００ｋｍにも達することの可能な
、プリフォームの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、潰し工
程の後、最初の管のシリカを除去し、次に、酸素とシリ
カのハロゲン化誘導体とを含む気相からプラズマトーチ
によりデポジットを形成することにより、残ったシリン
ダ上に再被覆を行うことを特徴とする。
【０００６】本発明の方法は、好ましくは、さらに以下
の特徴の少なくとも１つを備える： ａ）酸水素トーチ若しくはプラズマトーチによる蒸発、
弗化水素酸によるエッチング、又は機械加工により、最
初の管のシリカを除去すること、 ｂ）ドーピング剤として作用するフッ素に高温で容易に
分解することの可能な弗化物を、プラズマトーチによる
再被覆の気相に導入すること。
【０００７】
【実施例】添付の模式図を参照しながら、本発明の光フ
ァイバ用プリフォームの製造方法の実施例を以下に記載
する。
【０００８】図１のＡに示した第１工程においては、シ
リコンのハロゲン化物と酸素と場合により少量のドーピ
ング元素の化合物とのガス状混合物の気相における公知
の気相堆積法により、トーチ又はプラズマ発生により外
側から加熱しながら、標準品質のシリカの管状基体１の
内側に内側層２を形成する。このシリカ基体は後で除去
されるので、特別な用心をすることなく加熱を行うこと
ができ、場合によりシリカ基体が部分的に蒸発しても構
わない。
【０００９】図面のＢに示した第２工程は、加熱による
管の潰し工程であり、軸方向空隙が消失し、シリカ管１
の内部に形成されたデポジットに対応するシリンダ４が
形成される。
【００１０】図面のＣに示した第３工程においては、酸
水素トーチ若しくはプラズマトーチによる加熱により、
又は弗化水素酸による化学的エッチングにより、又は旋
盤による機械加工により、最初のシリカ管を除去する。 最初のデポジット物質によって形成されたシリンダ４し
か残さない。
【００１１】第４工程（図面のＤ）においては、プラズ
マトーチを用いて、ガス状４塩化シリコンと少量の６弗
化硫黄（ドーピングフッ素元素を生成する）から、コア
のシリカの屈折率より小さな屈折率をもったフッ素含有
乾燥合成シリカの再被覆５をシリンダ４の周りに形成す
る。
【００１２】得られたプリフォームは、従来の線引き工
程により、プリフォーム１ｍ当たり光ファイバ１００〜
２００ｋｍ程度の、長い光ファイバを得ることを可能に
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光ファイバ用プリフォームの製造方法
の模式図である。
【符号の説明】
１　　シリカ基体 ２　　デポジット ３　　軸方向空隙 ４　　シリンダ ５　　再被覆

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　シリコンのガス状化合物と酸素と場合
    によりシリカのドーピング元素のガス状化合物とを含む
    気相から、ドーピング剤が場合により添加されたシリカ
    のデポジットを、シリカをベースとする管の内側に連続
    層として形成し、次に、この管を潰して軸方向空隙ゾー
    ンを消失させることからなり、線引きにより光ファイバ
    を製造するためのプリフォームを製造する方法であって
    、その後、最初の管のシリカを除去し、次に、酸素とシ
    リカのハロゲン化誘導体とを含む気相からプラズマトー
    チによりデポジットを形成することにより、残ったシリ
    ンダ上に再被覆を行うことを特徴とする光ファイバ製造
    用プリフォームの製造方法。
  2. 【請求項２】　　酸水素トーチ若しくはプラズマトーチ
    による蒸発、弗化水素酸によるエッチング、又は機械加
    工により、最初の管の材料を除去することを特徴とする
    請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】　　ドーピング剤として作用するフッ素に
    高温で容易に分解することの可能な弗化物を、プラズマ
    トーチによる再被覆の気相に導入することを特徴とする
    請求項１又は２に記載の方法。
JP3089663A 1990-03-29 1991-03-27 光ファイバ製造用プリフォームの製造方法 Pending JPH04219338A (ja)

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