JP2003300744A - 光ファイバの製造方法及び光ファイバ - Google Patents

光ファイバの製造方法及び光ファイバ

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JP2003300744A JP2002105263A JP2002105263A JP2003300744A JP 2003300744 A JP2003300744 A JP 2003300744A JP 2002105263 A JP2002105263 A JP 2002105263A JP 2002105263 A JP2002105263 A JP 2002105263A JP 2003300744 A JP2003300744 A JP 2003300744A
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知行 横川
Eiji Yanada
英二 梁田
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正晃 平野
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 OH基がコア部の近傍に侵入することを防止
して伝送損失の増加を抑制することのできる光ファイバ
の製造方法及び光ファイバを提供する。 【解決手段】 本発明の光ファイバの製造方法は、出発
材としての出発パイプ14の内面にリング部15を内付
けしてガラスパイプ16を形成し、中心コア部11及び
ディプレスト部12となるべきガラスロッド13をガラ
スパイプ16の内側に挿入し、ガラスパイプ16とガラ
スロッド13とをコラップスにより一体化してガラス体
17を形成した後、ガラス体17の外側にジャケット部
18を設けてプリフォーム10aを形成し、プリフォー
ム10aを線引きして光ファイバ10を製造する光ファ
イバの製造方法であって、出発パイプ14の肉厚14a
を、4mm〜8mmに設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバの製造
方法及び光ファイバに関し、より詳しくは、出発パイプ
にガラス層を内付けしたガラスパイプの内側に、ガラス
ロッドを挿入してコラップスにより一体化した後、その
外側にジャケット部を設けてプリフォームを形成し、さ
らに線引きして光ファイバを製造する光ファイバの製造
方法及び光ファイバに関する。
【0002】
【従来の技術】図4に示すような光ファイバ100を作
製する従来の製造方法について説明する。図4(a)
は、従来の光ファイバ100の断面を示す図であり、図
4(b)は、光ファイバ100の屈折率分布を示す図で
ある。まず、出発材である出発パイプ101の内面にM
CVD法(Modified Chemical Vapor Deposition M
ethod、内付けCVD法)によりガラス微粒子を堆積させて
リング部102を形成する。次に、リング部102の内
側に、コア部103とディプレスト部104を備えたガ
ラスロッド105を挿入して、ロッドインコラップスに
より一体化してガラス体106を作製する。そして、ガ
ラス体106の外側にジャケット部107をすす付けし
た後、透明化処理を施してプリフォーム100aを作製
する。その後プリフォーム100aを加熱しながら線引
きして光ファイバ100を製造する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の製造方法では、肉厚101aが2mm〜3mmであ
る出発パイプ101を用いて、MCVD法によりリング
部102を形成している。MCVD法を行う際には、酸
水素火炎を用いて出発パイプ101を加熱している。ま
た、ロッドインコラップス、ジャケット部107のすす
付けの工程でも、酸水素火炎を用いて出発パイプ101
を加熱している。そのため、出発パイプ101の表面に
酸水素火炎に含まれるOH基が侵入してしまう。このO
H基がコア部103の近傍まで侵入することがあり、プ
リフォーム100aを光ファイバ100とした際にOH
基に光が吸収されて伝送損失が増加してしまうという状
況を招いていた。
【0004】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、OH基がコア部の近傍に侵入するこ
とを防止して伝送損失の増加を抑制することのできる光
ファイバの製造方法及び光ファイバを提供することを目
的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、OH基がコア
部の近傍まで侵入する一因が、出発パイプの肉厚、もし
くはガラスロッドと出発パイプの断面積比にあることを
見出した。
【0006】上記目的を達成するための本発明に係る光
ファイバの製造方法は、出発材としての出発パイプの内
面にガラス層を内付けしてガラスパイプを形成し、中心
コア部及びクラッド部の一部となるべきガラスロッドを
ガラスパイプの内側に挿入し、ガラスパイプとガラスロ
ッドとをコラップスにより一体化してガラス体を形成し
た後、ガラス体の外側にジャケット部を設けてプリフォ
ームを形成し、プリフォームを線引きして光ファイバを
製造する光ファイバの製造方法であって、出発パイプの
肉厚を、4mm〜8mmに設定することを特徴とする。
【0007】このように構成された光ファイバの製造方
法においては、出発パイプの肉厚を従来の薄い(2mm
〜3mm)ものから4mm〜8mmの範囲に設定してい
る。これにより、OH基が侵入する出発ガラスの表面か
らコア部までの距離を大きく設けることができる。した
がって、侵入したOH基がコア部の近傍まで達するのを
効果的に防止して、OH基による伝送損失の増加を抑制
することができる。なお、出発パイプの肉厚が4mm未
満であるとOH基がコア部の近傍まで達してしまうと推
定できる。また、出発パイプの肉厚が8mmを超える
と、ガラスパイプ内にガラスロッドをコラップスするこ
とが困難になる。
【0008】また、上記目的を達成するための本発明に
係る光ファイバの製造方法は、出発材としての出発パイ
プの内面にガラス層を内付けしてガラスパイプを形成
し、中心コア部及びクラッド部の一部となるべきガラス
ロッドをガラスパイプの内側に挿入し、ガラスパイプと
ガラスロッドとをコラップスにより一体化してガラス体
を形成した後、ガラス体の外側にジャケット部を設けて
プリフォームを形成し、プリフォームを線引きして光フ
ァイバを製造する光ファイバの製造方法であって、ガラ
スロッドの断面積S1と出発パイプの断面積S2の比S
1/S2を、0.03〜0.30に設定することを特徴
とする。
【0009】このように構成された光ファイバの製造方
法においては、ガラスロッドの断面積S1に対する出発
パイプの断面積S2の比S1/S2を、従来に比べて大
きい0.03〜0.30に設定している。これにより、
OH基が侵入する出発ガラスの表面からコア部までの距
離を大きく設けることができる。したがって、侵入した
OH基がコア部近傍まで達するのを防止して、OH基に
よる伝送損失の増加を抑制することができる。なお、S
1/S2が0.03未満であるとガラスパイプ内にガラ
スロッドをコラップスすることが困難になる。また、S
1/S2が0.30を超えると、OH基がコア部の近傍
まで達してしまうと推定できる。
【0010】また、本発明に係る光ファイバの製造方法
は、ジャケット部の軟化点温度が、純シリカの軟化点温
度よりも低いことが望ましい。このような構成の光ファ
イバの製造方法によれば、プリフォームを線引きする際
の加熱温度を下げることができるので、レーリー散乱に
よる伝送損失の増加を抑制することができる。
【0011】また、本発明に係る光ファイバの製造方法
は、ジャケット部が、0.1mol%〜1.0mol%の濃度
の塩素を添加したシリカガラスであることが望ましい。
このような構成の光ファイバの製造方法によれば、塩素
濃度の下限値である0.1mol%を設定することによ
り、レーリー散乱係数であるA値を2.0μm4dB/k
m以下にして、散乱を低減することができる。また、上
限値である1.0mol%を設定することにより、塩素の
過剰添加によるファイバの強度低下を防いで、線引き中
に発生する光ファイバの破断頻度を減らすことができ
る。
【0012】また、本発明に係る光ファイバの製造方法
は、ジャケット部が、0.1mol%〜1.0mol%の濃度
のフッ素を添加したシリカガラスであることが望まし
い。このような構成の光ファイバの製造方法によれば、
フッ素濃度の下限値である0.1mol%を設定すること
により、レーリー散乱係数であるA値を2.0μm4dB
/km以下にして、散乱を低減することができる。ま
た、上限値である1.0mol%を設定することにより、
塩素の過剰添加によるファイバの強度低下を防いで、線
引き中に発生する光ファイバの破断頻度を減らすことが
できる。
【0013】また、本発明に係る光ファイバの製造方法
は、線引き時の線引き張力が、60g〜350gである
ことが望ましい。このような構成の光ファイバの製造方
法によれば、線引き張力の下限値である60gを設定す
ることにより、レーリー散乱係数であるA値を2.0μ
4dB/km以下にして散乱を低減することができ
る。また、上限値である350gを設定することによ
り、線引き張力が大きくなりすぎて線引き中に光ファイ
バの破断を引き起こすことを防止することができる。
【0014】また、本発明に係る光ファイバの製造方法
は、線引き時のプリフォームの被加熱部分の温度が、1
600℃〜2200℃であることが望ましい。このよう
な構成の光ファイバの製造方法によれば、線引き時のプ
リフォーム温度の上限値である2200℃を設定するこ
とにより、レーリー散乱係数であるA値を2.0μm4
B/km以下にして散乱を低減することができる。ま
た、下限値である1600℃を設定することにより、プ
リフォームが軟化するための充分な温度が得られるた
め、線引きにより生じる破断を防止することができる。
【0015】また、上記目的を達成するための本発明に
係る光ファイバは、本発明に係る上記の光ファイバの製
造方法により製造されたことを特徴としている。このよ
うに製造された光ファイバにおいては、出発パイプの肉
厚を従来の薄い(2mm〜3mm)ものから4mm〜8
mmの範囲に設定するか、あるいはガラスロッドの断面
積に対する出発パイプの断面積の比を、従来より大きい
0.03〜0.30に設定している。これにより、OH
基が侵入する出発ガラスの表面からコア部までの距離を
大きく設けることができる。したがって、侵入したOH
基がコア部近傍まで達するのを防止して、OH基による
伝送損失の増加を抑制することができる。
【0016】また、本発明に係る光ファイバは、波長
1.55μmにおける分散値が(−200)ps/km/nm
〜(+4)ps/km/nmであることが望ましい。このよう
な構成の光ファイバによれば、波長1.55μmにおけ
る分散値の下限値である(−200)ps/km/nmを設定
することにより、光ファイバの曲げ損失を所望の値より
も低く抑えることができる。また、上限値である(+
4)ps/km/nmを設定することにより、所望の分散補償
量を達成することができる。
【0017】また、本発明に係る光ファイバは、波長
1.55μmにおける分散スロープが(−2)ps/km/
nm2〜(+0.02)ps/km/nm2であることが望まし
い。このような構成の光ファイバによれば、分散スロー
プの範囲を制限することにより、様々な分散スロープ及
び分散値を有する既存の伝送路の分散を50%以上で高
補償することができる。
【0018】また、本発明に係る光ファイバは、波長
1.55μmにおける伝送損失が、0.2dB/km〜
0.5dB/kmであることが望ましい。このような構成
の光ファイバによれば、伝送損失を低く制限することに
より、分散補償量を大きくすることができることにな
る。
【0019】また、本発明に係る光ファイバは、波長
1.38μmにおけるOH基による伝送損失の増加量が、
0.4dB/km以下であることが望ましい。このような
構成の光ファイバによれば、OH基による伝送損失の増加
を低く抑えることにより、波長1.53μm〜1.57
μmのCバンド及び波長1.57μm〜1.62μmのL
バンドのみならず、波長1.40μm〜1.48μmの
Eバンドや波長1.48μm〜1.53μmのSバンド
等の短波長帯を利用することができるようになる。
【0020】また、本発明に係る光ファイバは、ガラス
ロッドからなる断面積S3と出発パイプからなる断面積
S4の比S3/S4が、0.03〜0.30であること
が望ましい。このような構成の光ファイバは、上述した
光ファイバの製造方法によって光ファイバを製造した場
合に得ることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光ファイバの
製造方法及び光ファイバの実施形態を図1及び図2に基
づいて説明する。図1は、本実施形態の光ファイバ及び
光ファイバのプリフォームを示す図であり、図1(a)
は、プリフォーム(または光ファイバ)の断面図、図1
(b)は、光ファイバの屈折率分布を示す図である。ま
た、図2は、図1に示した実施形態の変形例を示す図で
ある。
【0022】図1に示すように、本実施形態の光ファイ
バ10のプリフォーム10aは、中心に屈折率が高い中
心コア部11を有し、その周囲には屈折率の低い第1ク
ラッド部であるディプレスト部12を有している。ディ
プレスト部12の外側には、純シリカに比べて屈折率が
やや高い第2クラッド部であるリング部15が形成され
ている。さらに、リング部15の周囲には第3クラッド
部を構成する出発パイプ14及びジャケット部18が設
けられている。このプリフォーム10aを線引きするこ
とにより、光ファイバ10が得られる。
【0023】本発明者は、光ファイバ10を製造する際
にOH基が中心コア部11の近傍に侵入することを防ぐ
ために、鋭意研究を重ねた結果、光ファイバ10の伝送
損失を許容範囲である0.5dB/km以下に抑えるた
めには、出発パイプ14の肉厚14aを4mm〜8mm
に設定すれば良いことを見出した。また、中心コア部1
1とディプレスト部12の断面積の和S1と出発パイプ
14の断面積S2との比S1/S2を、0.03〜0.
30に設定すれば良いことを見出した。
【0024】図1に示す光ファイバ10の製造方法につ
いて説明する。まず、出発材である石英ガラス製の出発
パイプ14の内面に、MCVD法でリング部15となる
べきガラス層を内付けし、これをガラスパイプ16とす
る。より詳しくMCVD法について述べると、出発パイ
プ14の内側に原料ガスを供給しながら、出発パイプ1
4を回転させつつ酸水素バーナにより出発パイプ14を
外側から加熱して、原料ガスからガラス微粒子を生成
し、これを出発パイプ14の内側に堆積させる。このと
き、酸水素バーナを出発パイプ14の長手方向に往復移
動させることにより、複数層のガラス層を内付けしてリ
ング部15を形成する。なお、本実施形態では、出発パ
イプ14として、肉厚14aが4mm〜8mmの石英パ
イプを用いる。この出発パイプ14の肉厚14aは、上
述した従来の出発パイプ101の肉厚101a(2mm
〜3mm)より厚い。また、リング部15を内付けする
ために出発パイプ14内に供給する原料ガスとして、例
えば四塩化ケイ素(SiCl4)及び四塩化ゲルマニウ
ム(GeCl4)を用いる。
【0025】続いて、中心コア部11及びディプレスト
部12を有するガラスロッド13をガラスパイプ16の
内側に挿入し、ロッドインコラップスにより一体化して
ガラス体17を形成する。より詳しくロッドインコラッ
プスについて述べると、ガラスロッド13をガラスパイ
プ16の内側に挿入した状態で、ガラスロッド13とガ
ラスパイプ16とを一体に回転させつつ、酸水素バーナ
によってガラスパイプ16を外側から加熱する。これに
より、少なくともガラスパイプ16が表面張力により収
縮して、ガラスロッド13がガラスパイプ16の内側に
ほぼ隙間なく固定される。ガラスロッド13としては、
例えばゲルマニウム(Ge)を添加したシリカ(SiO
2)からなる比屈折率差の極大値が(+1.6)%の中
心コア部11と、フッ素(F)を添加したSiO2から
成る比屈折率差の極小値が(−0.5)%のディプレス
ト部12を有する外径8mmのものを用いる。なお、こ
こでいう比屈折率差とは、純シリカの屈折率に対する中
心コア部11やディプレスト部12等の屈折率の差を表
すものである。このとき、中心コア部11とディプレス
ト部12からなるガラスロッド13の断面積S1と、出
発パイプ14の断面積S2との比S1/S2を、0.0
3〜0.30に設定する。
【0026】続いて、ガラス体17の外側にジャケット
部18を設けてプリフォーム10aを形成する。ジャケ
ット部18は、例えば多重管バーナを用いて四塩化ケイ
素を含む原料ガスと酸水素ガスを燃焼させて、これによ
り生成するガラス微粒子をガラス体17の外側に堆積さ
せる(すす付けと呼ぶ)ことによって得られる。このと
き、ジャケット部18としては、軟化点温度が純シリカ
の軟化点温度よりも低いものを使用するのが望ましい。
また、ジャケット部18として、0.1mol%〜1.0m
ol%の濃度の塩素を添加したシリカガラスを使用するの
が望ましい。あるいは、ジャケット部18として、0.
1mol%〜1.0mol%の濃度のフッ素を添加したシリカ
ガラスを用いるようにしても良い。
【0027】そして、プリフォーム10aを1600℃
〜2200℃に加熱して線引きし光ファイバ10を製造
する。このとき、線引き張力を、60〜350gの範囲
に設定するのが望ましい。このように設定した条件によ
り線引きを行うことにより、レーリー散乱係数であるA
値を2.0μm4dB/km以下にして、レーリー散乱
による伝送損失の増加を抑えることができる。
【0028】上述した光ファイバの製造方法及び光ファ
イバ10によれば、出発パイプ14の肉厚14aを4m
m〜8mmに設定するか、もしくはガラスロッド13の
断面積S1と、出発パイプ14の断面積S2との比S1
/S2を、0.03〜0.30に設定するため、中心コ
ア部11から出発パイプ14の表面までの距離を従来と
比べて大きく設けることができる。したがって、MCV
D法によりガラスパイプ16を形成する際と、ロッドイ
ンコラップスによりガラス体17を形成する際と、すす
付けによりジャケット部18を形成する際に、出発パイ
プ14の表面から侵入するOH基が中心コア部11の近
傍まで侵入するのを防止できる。よって、OH基による
伝送損失の増加を抑制することができる。
【0029】なお、上述した光ファイバ10は、OH基
による伝送損失の増加を抑制することができるので、波
長1.55μmにおける分散値を(−200)ps/km/
nm〜(+4)ps/km/nmとすることが容易である。ま
た、波長1.55μmにおける分散スロープを(−2)
ps/km/nm2〜(+0.02)ps/km/nm2とすることが
容易である。また、波長1.55μmにおける伝送損失
α1を、0.2≦α1≦0.5dB/kmとすることが容
易である。また、波長1.38μmにおけるOH基による
伝送損失の増加量Δα2を、0.4dB/km以下とする
ことが容易である。これにより、光ファイバ10をノン
ゼロ分散シフトファイバ(NZ−DSF)の分散を補償
する分散補償用光ファイバ(DCF)として使用するこ
とができる。
【0030】また、光ファイバ10は、線引き前のプリ
フォーム時にガラスロッド13であった中心コア部11
及びディプレスト部12の断面積の和S3と、線引き前
のプリフォーム時に出発パイプ14であった部分の断面
積S4の比S3/S4が、0.03〜0.30であるこ
とが望ましい。プリフォーム時のガラスロッド13から
なる断面積S3は、例えばRNFP法による屈折率分布
の測定や、EPMA分析によるゲルマニウムの径方向分
布測定等によって特定することが可能である。また、プ
リフォーム時の出発パイプ14からなる断面積S4は、
光ファイバ10の断面をエッチング処理することによっ
て、出発パイプ14とジャケット部18との界面を段差
として観察できるので、特定が可能である。
【0031】また、図2に示すように、本発明の光ファ
イバの製造方法及び光ファイバは、4重クラッドの構造
を有する光ファイバ、及びこの光ファイバを製造する場
合にも適用できる。図2に示す光ファイバ20を製造す
る方法について述べる。まず、出発パイプ24の内面
に、MCVD法で第2ディプレスト部25となるべきガ
ラス層と、リング部26となるべきガラス層を内付け
し、これをガラスパイプ27とする。ここで、出発パイ
プ24は、上述した出発パイプ14と同様に、肉厚24
aが4mm〜8mmである。次に、中心コア部21及び
第1ディプレスト部22を有するガラスロッド23をガ
ラスパイプ27の内側に挿入し、ロッドインコラップス
により一体化してガラス体28を形成する。続いて、ガ
ラス体28の外側にジャケット部29を設けてプリフォ
ーム20aを形成する。このプリフォーム20aを線引
きすることにより、光ファイバ20が得られる。
【0032】このとき、ガラスロッド23の断面積は、
上述した断面積S1に対応し、出発パイプ24の断面積
は、上述した断面積S2に対応するように構成される。
したがって、中心コア部21から出発パイプ24の表面
までの距離を従来と比べて大きく設けることができる。
【0033】(第1実施例)次に、本発明に係る光ファ
イバの製造方法及び光ファイバについて第1実施例を説
明する。図1に示す出発パイプ14の肉厚を、2mm〜
8mmの範囲で1mm毎に設定し、上記実施形態に基づ
いて7種類の光ファイバを製造した。それらの光ファイ
バについて、1.55μmにおける伝送損失を測定し、
比較評価した。
【0034】第1実施例の光ファイバの製造方法につい
て述べる。まず、MCVD法を用いて、出発パイプ14
の内面にガラス層であるリング部15を内付けしてガラ
スパイプ16を形成した。このとき、出発パイプ14と
して、内径が28mmで、肉厚が2mm〜8mmの石英
ガラス製のパイプを用いた。すなわち、出発パイプ14
の外径は、肉厚の増加に伴って30mm〜36mmとな
っている。これらの出発パイプ14にリング部15を内
付けするために供給するガスは、四塩化ケイ素、四塩化
ゲルマニウム、酸素を用いた。これらのガスの供給量
は、SiCl4を200sccm(standard cm3/min)、
GeCl4を45sccm、O2を2500sccmとした。出発
パイプ14を加熱する酸水素炎の加熱温度は1600℃
に設定して、ガラス微粒子を10層積層させた。これに
より、比屈折率差の極大値が(+0.3)%であるリン
グ部15を形成した。
【0035】続いて、中心コア部11及び第1クラッド
部であるディプレスト部12を有するガラスロッド13
をガラスパイプ16の内面に挿入し、コラップスにより
一体化してガラス体17を形成した。中心コア部11
は、ゲルマニウムを添加したシリカからなり、純シリカ
に対する比屈折率差の極大値が(+1.6)%である。
ディプレスト部12は、フッ素を添加したシリカからな
り、純シリカに対する比屈折率差の極小値が(−0.
5)%である。ガラスロッド13の外径は、8mmであ
る。
【0036】続いて、ガラス体17の外側に、酸水素炎
多重管バーナを用いて外径が46mmとなるようにジャ
ケット部18をすす付けしてプリフォーム10aを形成
した。それらのプリフォーム10aを1800℃に加熱
して線引きし、さらに紫外線硬化樹脂を被覆すること
で、外径185mmの光ファイバ10を製造した。この
とき、線引き張力を200gに設定した。
【0037】上記の方法により製造した7種類の光ファ
イバについて、波長1.55μmにおける伝送損失を測
定した。この測定結果を図3に示す。
【0038】図3に示したように、出発パイプの肉厚が
2mm、3mmの光ファイバは、その伝送損失が許容範
囲の0.5dB/kmを超えてしまった。これに対し
て、出発パイプの肉厚が4mm、5mm、6mm、7m
m、8mmの光ファイバは、その伝送損失が許容範囲の
0.5dB/km以下となった。
【0039】以上の結果から、出発パイプの肉厚を4m
m〜8mmに設定することにより、光ファイバの伝送損
失を許容値に抑えることができることが判った。 (第2実施例)次に、本発明に係る光ファイバの製造方
法及び光ファイバについて第2実施例を説明する。上述
したガラスロッド13の断面積S1と、出発パイプ14
の断面積S2との比S1/S2を変動させて、3種類の
光ファイバ(光ファイバA,B,C)を製造した。それ
らの光ファイバについて、1.55μmにおける伝送損
失を測定し、比較評価した。
【0040】第2実施例の光ファイバの製造方法は、上
記第1実施例とほぼ同様であり、異なる外径のガラスロ
ッド13と異なる外径及び厚さの出発パイプ14を用い
て、断面積比S1/S2を変動させた点のみが異なった
条件であった。
【0041】光ファイバAは、プリフォーム時のガラス
ロッドの外径が8.0mmであり、出発パイプの外径は
34.0mm、出発パイプの厚さは6.5mmであっ
た。すなわち、ガラスロッドの断面積S1と、出発パイ
プの断面積S2との比S1/S2は、0.09であっ
た。この光ファイバAの1.55μmにおける伝送損失
は、0.31dB/kmであった。光ファイバBは、プ
リフォーム時のガラスロッドの外径が10.0mmであ
り、出発パイプの外径は34.0mm、出発パイプの厚
さは4.0mmであった。すなわち、断面積比S1/S
2は、0.21であった。この光ファイバBの1.55
μmにおける伝送損失は、0.30dB/kmであっ
た。光ファイバCは、プリフォーム時のガラスロッドの
外径が10.0mmであり、出発パイプの外径は25.
0mm、出発パイプの厚さは5.0mmであった。すな
わち、断面積比S1/S2は、0.25であった。この
光ファイバCの1.55μmにおける伝送損失は、0.
30dB/kmであった。
【0042】以上の結果から、光ファイバA,B,C
は、伝送損失が許容範囲の0.5dB/km以下であっ
たので、ガラスロッドの断面積S1と、出発パイプの断
面積S2との比S1/S2が0.03〜0.30である
場合には、光ファイバの伝送損失を許容値に抑えること
ができることが判った。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光フ
ァイバの製造方法及び光ファイバによれば、出発パイプ
の肉厚を4mm〜8mmに設定することで、出発ガラス
の表面から侵入したOH基がコア部の近傍まで達するの
を効果的に防止して、OH基による伝送損失の増加を抑
制することができる。また、ガラスロッドと出発パイプ
との断面積の比を0.03〜0.30に設定すること
で、出発ガラスの表面から侵入したOH基がコア部の近
傍まで達するのを効果的に防止して、OH基による伝送
損失の増加を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光ファイバの製造方法により得ら
れるプリフォーム及び光ファイバの実施形態を示す図で
あり、図1(a)は、プリフォーム(または光ファイ
バ)の断面図、図1(b)は、光ファイバの屈折率分布
を示す図である。
【図2】図1に示した実施形態の変形例を示す図であ
る。
【図3】出発パイプの肉厚と波長1.55μmにおける
伝送損失との関係を示すグラフである。
【図4】従来の光ファイバの製造方法により得られるプ
リフォーム及び光ファイバを示す図であり、図3(a)
は、プリフォーム(または光ファイバ)の断面図、図3
(b)は、光ファイバの屈折率分布を示す図である。
【符号の説明】
10 光ファイバ 10a プリフォーム 11 中心コア部 12 ディプレスト部(第1クラッド部) 13 ガラスロッド 14 出発パイプ 15 リング部(ガラス層) 16 ガラスパイプ 17 ガラス体 18 ジャケット部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平野 正晃 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Fターム(参考) 2H050 AB05 AB05Z AB10 AB10Z AC14 AC15 4G021 BA02 BA04 HA01 HA05

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 出発材としての出発パイプの内面にガラ
    ス層を内付けしてガラスパイプを形成し、中心コア部及
    びクラッド部の一部となるべきガラスロッドを前記ガラ
    スパイプの内側に挿入し、前記ガラスパイプと前記ガラ
    スロッドとをコラップスにより一体化してガラス体を形
    成した後、該ガラス体の外側にジャケット部を設けてプ
    リフォームを形成し、該プリフォームを線引きして光フ
    ァイバを製造する光ファイバの製造方法であって、 前記出発パイプの肉厚を、4mm〜8mmに設定するこ
    とを特徴とする光ファイバの製造方法。
  2. 【請求項2】 出発材としての出発パイプの内面にガラ
    ス層を内付けしてガラスパイプを形成し、中心コア部及
    びクラッド部の一部となるべきガラスロッドを前記ガラ
    スパイプの内側に挿入し、前記ガラスパイプと前記ガラ
    スロッドとをコラップスにより一体化してガラス体を形
    成した後、該ガラス体の外側にジャケット部を設けてプ
    リフォームを形成し、該プリフォームを線引きして光フ
    ァイバを製造する光ファイバの製造方法であって、 前記ガラスロッドの断面積S1と前記出発パイプの断面
    積S2の比S1/S2を、0.03〜0.30に設定す
    ることを特徴とする光ファイバの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記ジャケット部の軟化点温度が、純シ
    リカの軟化点温度よりも低いことを特徴とする請求項1
    または2に記載の光ファイバの製造方法。
  4. 【請求項4】 前記ジャケット部が、0.1mol%〜
    1.0mol%の濃度の塩素を添加したシリカガラスであ
    ることを特徴とする請求項3に記載の光ファイバの製造
    方法。
  5. 【請求項5】 前記ジャケット部が、0.1mol%〜
    1.0mol%の濃度のフッ素を添加したシリカガラスで
    あることを特徴とする請求項3に記載の光ファイバの製
    造方法。
  6. 【請求項6】 前記線引き時の線引き張力が、60g〜
    350gであることを特徴とする請求項1または2に記
    載の光ファイバの製造方法。
  7. 【請求項7】 前記線引き時のプリフォームの被加熱部
    分の温度が、1600℃〜2200℃であることを特徴
    とする請求項1または2に記載の光ファイバの製造方
    法。
  8. 【請求項8】 請求項1〜7のいずれか1項に記載の光
    ファイバの製造方法により製造されたことを特徴とする
    光ファイバ。
  9. 【請求項9】 波長1.55μmにおける分散値が(−
    200)ps/km/nm〜(+4)ps/km/nmであることを
    特徴とする請求項8に記載の光ファイバ。
  10. 【請求項10】 波長1.55μmにおける分散スロー
    プが(−2)ps/km/nm2〜(+0.02)ps/km/nm2
    であることを特徴とする請求項8に記載の光ファイバ。
  11. 【請求項11】 波長1.55μmにおける伝送損失
    が、0.2dB/km〜0.5dB/kmであることを特徴と
    する請求項8に記載の光ファイバ。
  12. 【請求項12】 波長1.38μmにおけるOH基による
    伝送損失の増加量が、0.4dB/km以下であることを
    特徴とする請求項8に記載の光ファイバ。
  13. 【請求項13】 前記ガラスロッドからなる断面積S3
    と前記出発パイプからなる断面積S4の比S3/S4
    が、0.03〜0.30であることを特徴とする請求項
    8に記載の光ファイバ。
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