JPH04212488A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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- JPH04212488A JPH04212488A JP481091A JP481091A JPH04212488A JP H04212488 A JPH04212488 A JP H04212488A JP 481091 A JP481091 A JP 481091A JP 481091 A JP481091 A JP 481091A JP H04212488 A JPH04212488 A JP H04212488A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000002901 organomagnesium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 58
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 22
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 16
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、活性層をはさんでｎ型
クラッド層とｐ型クラッド層が積層され、各層がそれぞ
れＡｌＧａＩｎＰ 系半導体よりなる半導体レーザ装置
およびその製造方法に関する。
クラッド層とｐ型クラッド層が積層され、各層がそれぞ
れＡｌＧａＩｎＰ 系半導体よりなる半導体レーザ装置
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ｐｎ接合におけるキャリアの注入を利用
した半導体レーザ装置は種々開発されている。単一横モ
ードで発振するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザ装置と
しては、図１に示す構造のものが知られている。すなわ
ち、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にｎ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．
５Ｐ 第一クラッド層２とｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐ
第二クラッド層４にはさまれたノンドープのＧａ０．
５Ｉｎ０．５Ｐ よりなる活性層３を有し、第二クラッ
ド層４の上には電流狭窄層８にはさまれたｐ型Ａｌ０．
５Ｉｎ０．５Ｐ 第三クラッド層６がエッチングストッ
プ層５を介して積層されている。さらに、第三クラッド
層６にはコンタクト層７が接触している。このような積
層構造は、図２（ａ）〜（ｄ）に示す工程で製造される
。まず減圧有機金属気相成長法（減圧ＭＯＣＶＤ法）を
用いてＳｉドープ，キャリア濃度２×１０１８／ｃｍ３
のｎ型ＧａＡｓ基板１の上にキャリア濃度５×１０１
７／ｃｍ３ で厚み１．０μｍのｎ型Ａｌ０．５Ｉｎ０
．５Ｐ 第一クラッド層２，厚み０．１μｍのノンドー
プＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ 活性層３、キャリア濃度１
×１０１７／ｃｍ３ のｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐ第
二クラッド層４、厚み４０Åでキャリア濃度１×１０１
８／ｃｍ３ のｐ型（Ａｌ０．１ Ｇａ０．９）０．５
Ｉｎ０．５Ｐ エッチングストップ層５、厚み０．８μ
ｍでキャリア濃度１×１０１７／ｃｍ３ のｐ型Ａｌ０
．５Ｉｎ０．５Ｐ 第三クラッド層６および厚み０．５
μｍでキャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３ のｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層７１を順次成長させる（図（ａ））。 次にＳｉＯ２膜９をウエハ全面に付着させた後、通常用
いられているフォトリソグラフィにより複数の幅５μｍ
のＳｉＯ２ストライプを形成する。そしてそのＳｉＯ２
ストライプをマスクとしてりん酸系エッチング液により
コンタクト層７１をメサ状にエッチングし、つづいて塩
酸系エッチング液により第三クラッド層６をエッチング
ストップ層５までメサ状にエッチングする（図（ｂ））
。次いでＳｉＯ２膜９を付着させたまま減圧ＭＯＣＶＤ
法を用いて厚み１．３μｍでキャリア濃度１×１０１９
／ｃｍ３ ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８を選択成長させる
（図（ｃ））。 そしてＳｉＯ２膜９を除去した後に再度ＭＯＣＶＤ法を
用いて厚み３μｍでキャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３
のｐ型ＧａＡｓコンタクト層７２を成長させる（図（
ｄ））。その後は、ｐ，ｎ両電極を形成したのち、へき
開チップ化を行うことにより半導体レーザ装置が完成す
る。
した半導体レーザ装置は種々開発されている。単一横モ
ードで発振するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザ装置と
しては、図１に示す構造のものが知られている。すなわ
ち、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にｎ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．
５Ｐ 第一クラッド層２とｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐ
第二クラッド層４にはさまれたノンドープのＧａ０．
５Ｉｎ０．５Ｐ よりなる活性層３を有し、第二クラッ
ド層４の上には電流狭窄層８にはさまれたｐ型Ａｌ０．
５Ｉｎ０．５Ｐ 第三クラッド層６がエッチングストッ
プ層５を介して積層されている。さらに、第三クラッド
層６にはコンタクト層７が接触している。このような積
層構造は、図２（ａ）〜（ｄ）に示す工程で製造される
。まず減圧有機金属気相成長法（減圧ＭＯＣＶＤ法）を
用いてＳｉドープ，キャリア濃度２×１０１８／ｃｍ３
のｎ型ＧａＡｓ基板１の上にキャリア濃度５×１０１
７／ｃｍ３ で厚み１．０μｍのｎ型Ａｌ０．５Ｉｎ０
．５Ｐ 第一クラッド層２，厚み０．１μｍのノンドー
プＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ 活性層３、キャリア濃度１
×１０１７／ｃｍ３ のｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐ第
二クラッド層４、厚み４０Åでキャリア濃度１×１０１
８／ｃｍ３ のｐ型（Ａｌ０．１ Ｇａ０．９）０．５
Ｉｎ０．５Ｐ エッチングストップ層５、厚み０．８μ
ｍでキャリア濃度１×１０１７／ｃｍ３ のｐ型Ａｌ０
．５Ｉｎ０．５Ｐ 第三クラッド層６および厚み０．５
μｍでキャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３ のｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層７１を順次成長させる（図（ａ））。 次にＳｉＯ２膜９をウエハ全面に付着させた後、通常用
いられているフォトリソグラフィにより複数の幅５μｍ
のＳｉＯ２ストライプを形成する。そしてそのＳｉＯ２
ストライプをマスクとしてりん酸系エッチング液により
コンタクト層７１をメサ状にエッチングし、つづいて塩
酸系エッチング液により第三クラッド層６をエッチング
ストップ層５までメサ状にエッチングする（図（ｂ））
。次いでＳｉＯ２膜９を付着させたまま減圧ＭＯＣＶＤ
法を用いて厚み１．３μｍでキャリア濃度１×１０１９
／ｃｍ３ ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８を選択成長させる
（図（ｃ））。 そしてＳｉＯ２膜９を除去した後に再度ＭＯＣＶＤ法を
用いて厚み３μｍでキャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３
のｐ型ＧａＡｓコンタクト層７２を成長させる（図（
ｄ））。その後は、ｐ，ｎ両電極を形成したのち、へき
開チップ化を行うことにより半導体レーザ装置が完成す
る。
【０００３】活性層，クラッド層の材料としては（Ａｌ
ｘ Ｇａ１−ｘ） ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐ，ただし０≦ｘ
≦１，０．４５≦ｙ≦０．５５であらわされる半導体を
用いることができる。例えば各クラッド層にｎ型あるい
はｐ型の（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ
も用いられる。また、活性層にはＡｌ／Ｇａ組成比がク
ラッド層より小さいＡｌＧａＩｎＰ 系半導体が用いら
れる。
ｘ Ｇａ１−ｘ） ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐ，ただし０≦ｘ
≦１，０．４５≦ｙ≦０．５５であらわされる半導体を
用いることができる。例えば各クラッド層にｎ型あるい
はｐ型の（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ
も用いられる。また、活性層にはＡｌ／Ｇａ組成比がク
ラッド層より小さいＡｌＧａＩｎＰ 系半導体が用いら
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上のような
方法でＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置を製造する場
合、次のような問題がある。それは、ｐ型Ａｌ０．５Ｉ
ｎ０．５Ｐ，ｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ
０．５Ｐ からなる第二クラッド層４および第三クラッ
ド層６をＭＯＣＶＤ法を用いて製造する場合、ジエチル
亜鉛あるいはジメチル亜鉛によって一般にｐ型に対する
ドーパントとして用いられているＺｎのドーピングを行
うと、ＺｎがＡｌＩｎＰ 結晶内で活性化せずに上記の
ようにキャリア濃度で１×１０１７／ｃｍ３ 程度しか
得られないことである。この程度のキャリア濃度ではｐ
型のクラッド層の抵抗は１Ω・ｃｍ程度と高く、レーザ
を発振させるために電流を流すと第二クラッド層４およ
び第三クラッド層６の領域で発熱し、望まれるレーザ特
性が得られなかった。
方法でＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置を製造する場
合、次のような問題がある。それは、ｐ型Ａｌ０．５Ｉ
ｎ０．５Ｐ，ｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ
０．５Ｐ からなる第二クラッド層４および第三クラッ
ド層６をＭＯＣＶＤ法を用いて製造する場合、ジエチル
亜鉛あるいはジメチル亜鉛によって一般にｐ型に対する
ドーパントとして用いられているＺｎのドーピングを行
うと、ＺｎがＡｌＩｎＰ 結晶内で活性化せずに上記の
ようにキャリア濃度で１×１０１７／ｃｍ３ 程度しか
得られないことである。この程度のキャリア濃度ではｐ
型のクラッド層の抵抗は１Ω・ｃｍ程度と高く、レーザ
を発振させるために電流を流すと第二クラッド層４およ
び第三クラッド層６の領域で発熱し、望まれるレーザ特
性が得られなかった。
【０００５】また別のｐ型に対するドーパントとしては
Ｍｇが知られているが、このドーパントをＭＯＣＶＤ法
に用いる場合、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム
（Ｍｇ（Ｃ５Ｈ５）２） を使用する。Ｍｇをドーパン
トとして用いるとキャリア濃度は１×１０１８／ｃｍ３
程度のものがえられ、第二，第三クラッド層の抵抗率
も０．１Ω・ｃｍ以下になって、レーザを発振させた場
合に問題となる発熱もＺｎを用いた時よりも小さくなり
、レーザ特性に影響を与えない。しかし、ビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウムは配管等に吸着しやすく、ド
ーパントＭｇの分布をＳＩＭＳで分析すると予定してい
た分布と異なり、Ｍｇの分布は成長開始後しばらくして
から気相成長膜に取り込まれていることがわかった。こ
れは、ビスシクロペンタジエルマグネシウムが配管等に
吸着し、吸着が飽和してから気相成長膜に取り込まれる
ためと考えられる。このようにＭｇをドーパントとして
用いた場合、Ｍｇの制御が難しくｐ型クラッド層の再現
性も低かった。
Ｍｇが知られているが、このドーパントをＭＯＣＶＤ法
に用いる場合、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム
（Ｍｇ（Ｃ５Ｈ５）２） を使用する。Ｍｇをドーパン
トとして用いるとキャリア濃度は１×１０１８／ｃｍ３
程度のものがえられ、第二，第三クラッド層の抵抗率
も０．１Ω・ｃｍ以下になって、レーザを発振させた場
合に問題となる発熱もＺｎを用いた時よりも小さくなり
、レーザ特性に影響を与えない。しかし、ビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウムは配管等に吸着しやすく、ド
ーパントＭｇの分布をＳＩＭＳで分析すると予定してい
た分布と異なり、Ｍｇの分布は成長開始後しばらくして
から気相成長膜に取り込まれていることがわかった。こ
れは、ビスシクロペンタジエルマグネシウムが配管等に
吸着し、吸着が飽和してから気相成長膜に取り込まれる
ためと考えられる。このようにＭｇをドーパントとして
用いた場合、Ｍｇの制御が難しくｐ型クラッド層の再現
性も低かった。
【０００６】本発明の目的は、上述の問題を解決し、下
層との界面から直ちにドープされ、かつ低抵抗になるの
に十分なキャリア濃度にされたｐ型クラッド層を有する
半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することに
ある。
層との界面から直ちにドープされ、かつ低抵抗になるの
に十分なキャリア濃度にされたｐ型クラッド層を有する
半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、活性層をはさんでｎ型クラッド層およ
びｐ型クラッド層が積層され、各層がそれぞれ（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ ） ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐ であらわされ
０≦ｘ≦１，０．４５≦ｙ≦０．５５であるＡｌＧａＩ
ｎＰ 系半導体よりなる半導体レーザ装置において、ｐ
型クラッド層のドーパントがＺｎおよびＭｇであるもの
とする。また本発明は、基体上にそれぞれ（Ａｌｘ Ｇ
ａ１−ｘ ） ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐ であらわされ０≦
ｘ≦１，０．４５≦ｙ≦０．５５であるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体よりなるｎ型クラッド層，活性層およびｐ型
クラッド層を有機金属気相成長法により順次積層する工
程を含む半導体レーザ装置の製造方法において、ｐ型ク
ラッド層成長時の反応ガスに有機亜鉛化合物および有機
マグネシウム化合物を同時に混入するものとする。そし
て有機亜鉛化合物としてはジエチル亜鉛あるいはジメチ
ル亜鉛を用いることが有効であり、有機マグネシウム化
合物としてはビスシクロペンタジエニルマグネシウムを
用いることが有効である。
めに、本発明は、活性層をはさんでｎ型クラッド層およ
びｐ型クラッド層が積層され、各層がそれぞれ（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ ） ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐ であらわされ
０≦ｘ≦１，０．４５≦ｙ≦０．５５であるＡｌＧａＩ
ｎＰ 系半導体よりなる半導体レーザ装置において、ｐ
型クラッド層のドーパントがＺｎおよびＭｇであるもの
とする。また本発明は、基体上にそれぞれ（Ａｌｘ Ｇ
ａ１−ｘ ） ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐ であらわされ０≦
ｘ≦１，０．４５≦ｙ≦０．５５であるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体よりなるｎ型クラッド層，活性層およびｐ型
クラッド層を有機金属気相成長法により順次積層する工
程を含む半導体レーザ装置の製造方法において、ｐ型ク
ラッド層成長時の反応ガスに有機亜鉛化合物および有機
マグネシウム化合物を同時に混入するものとする。そし
て有機亜鉛化合物としてはジエチル亜鉛あるいはジメチ
ル亜鉛を用いることが有効であり、有機マグネシウム化
合物としてはビスシクロペンタジエニルマグネシウムを
用いることが有効である。
【０００８】
【作用】ｐ型クラッド層のドーパントにＺｎおよびＭｇ
を用いることにより、ｐ型クラッド層の大部分はＭｇが
ドーパントとして働くため低抵抗となり、Ｍｇがドープ
されない成長初期の層部分にはＺｎがドーパントとして
働くため、安定した界面の制御ができる。
を用いることにより、ｐ型クラッド層の大部分はＭｇが
ドーパントとして働くため低抵抗となり、Ｍｇがドープ
されない成長初期の層部分にはＺｎがドーパントとして
働くため、安定した界面の制御ができる。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例の半導体レーザ装置は図１
と同じ断面構造をもち、図２（ａ）〜（ｄ）に示した工
程で製造できる。ただし、図２（ｂ）に示した工程にお
いて減圧ＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．５
Ｐ 第二クラッド層４あるいは第三クラッド層６を成長
させる場合、トリメチルアルミニウム，トリメチルイン
ジウム，フォスフィンにジエチル亜鉛あるいはジメチル
亜鉛およびビスシクロペンタジエニルマグネシウムを混
合した反応ガスを、ｎ型第一クラッド層２，活性層３な
どを積層した基板１を収容した反応管に減圧で流し、７
００℃に加熱する。これによりＺｎおよびＭｇをドーパ
ントとした第二クラッド層４あるいは第三クラッド層６
ができる。
と同じ断面構造をもち、図２（ａ）〜（ｄ）に示した工
程で製造できる。ただし、図２（ｂ）に示した工程にお
いて減圧ＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．５
Ｐ 第二クラッド層４あるいは第三クラッド層６を成長
させる場合、トリメチルアルミニウム，トリメチルイン
ジウム，フォスフィンにジエチル亜鉛あるいはジメチル
亜鉛およびビスシクロペンタジエニルマグネシウムを混
合した反応ガスを、ｎ型第一クラッド層２，活性層３な
どを積層した基板１を収容した反応管に減圧で流し、７
００℃に加熱する。これによりＺｎおよびＭｇをドーパ
ントとした第二クラッド層４あるいは第三クラッド層６
ができる。
【００１０】このような半導体レーザ装置と従来のｐク
ラッド層のドーパントがＺｎのみのものおよびＭｇのみ
のものとを製造して特性の比較を行った。まず、第二，
第三クラッド層の抵抗率を測定すると、Ｚｎをドーパン
トとして用いたものは１Ω・ｃｍ程度なのに対して、Ｚ
ｎ，Ｍｇをドーパントとして用いたものは０．１Ω・ｃ
ｍ以下と、Ｍｇをドーパントとして用いたものと同等の
抵抗率を示すことが判明した。また、実際の電流−電圧
特性は、図３に示すように、Ｚｎのみをドーパントとし
て用いたものと比べると、第二，第三クラッド層の抵抗
率が減少した結果傾きが大きくなり、Ｍｇのみをドーパ
ントとしたものと同等の電流−電圧特性を示しており、
本発明の効果が確認できた。また、同一仕様でドーパン
トをＭｇとＺｎとしたｐ型クラッド層の気相成長を１０
回行い、再現性を確かめたところ、でき上がった半導体
レーザ装置が１０回とも良好なレーザ発振を示し、Ｍｇ
だけをドーパントとして用いたものは良好なレーザ発振
を示すのが１０回中３回であったのと比べ、歩留まりが
３倍強よくなっていることが確認できた。この原因を調
べるために、二次イオン質量分析機で半導体レーザ装置
用エピタキシァル膜中のＺｎ，Ｍｇの分布の様子を調べ
ると、Ｍｇだけのものは、第二，第三クラッド層へのＭ
ｇの取り込まれ量が不安定であることがわかった。そし
て、良好なレーザ発振を行うエピタキシァル膜は、Ｍｇ
が第二クラッド層内に均一に取り込まれた時のみである
ことがわかった。本発明の方法を用いたエピタキシァル
膜を同様に調べてみると、Ｍｇの分布は、従来の方法と
同様不安定であるが、Ｚｎは第二，第三クラッド層内に
均一に取り込まれており、このＺｎが取り込まれること
によって全てのレーザが良好なレーザ特性を得られたと
考えられる。
ラッド層のドーパントがＺｎのみのものおよびＭｇのみ
のものとを製造して特性の比較を行った。まず、第二，
第三クラッド層の抵抗率を測定すると、Ｚｎをドーパン
トとして用いたものは１Ω・ｃｍ程度なのに対して、Ｚ
ｎ，Ｍｇをドーパントとして用いたものは０．１Ω・ｃ
ｍ以下と、Ｍｇをドーパントとして用いたものと同等の
抵抗率を示すことが判明した。また、実際の電流−電圧
特性は、図３に示すように、Ｚｎのみをドーパントとし
て用いたものと比べると、第二，第三クラッド層の抵抗
率が減少した結果傾きが大きくなり、Ｍｇのみをドーパ
ントとしたものと同等の電流−電圧特性を示しており、
本発明の効果が確認できた。また、同一仕様でドーパン
トをＭｇとＺｎとしたｐ型クラッド層の気相成長を１０
回行い、再現性を確かめたところ、でき上がった半導体
レーザ装置が１０回とも良好なレーザ発振を示し、Ｍｇ
だけをドーパントとして用いたものは良好なレーザ発振
を示すのが１０回中３回であったのと比べ、歩留まりが
３倍強よくなっていることが確認できた。この原因を調
べるために、二次イオン質量分析機で半導体レーザ装置
用エピタキシァル膜中のＺｎ，Ｍｇの分布の様子を調べ
ると、Ｍｇだけのものは、第二，第三クラッド層へのＭ
ｇの取り込まれ量が不安定であることがわかった。そし
て、良好なレーザ発振を行うエピタキシァル膜は、Ｍｇ
が第二クラッド層内に均一に取り込まれた時のみである
ことがわかった。本発明の方法を用いたエピタキシァル
膜を同様に調べてみると、Ｍｇの分布は、従来の方法と
同様不安定であるが、Ｚｎは第二，第三クラッド層内に
均一に取り込まれており、このＺｎが取り込まれること
によって全てのレーザが良好なレーザ特性を得られたと
考えられる。
【００１１】第二，第三クラッド層にｐ型（Ａｌ０．７
Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を用いる場合も同様
に良好な結果を得た。この場合は、減圧ＭＯＣＶＤ法の
反応ガスにトリメチルガリウムを混合した。
Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を用いる場合も同様
に良好な結果を得た。この場合は、減圧ＭＯＣＶＤ法の
反応ガスにトリメチルガリウムを混合した。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ 系クラ
ッド層のドーパントにＺｎとＭｇの双方を用いることに
より低抵抗で再現性のよいクラッド層が形成でき、良好
な素子特性を有する半導体レーザ装置を歩留まりよく製
造することが可能となった。そして、そのようなクラッ
ド層は、ジエチル亜鉛あるいはジメチル亜鉛およびビス
シクロペンタジエニルマグネシウムを添加した反応ガス
を用いるＭＯＣＶＤ法により容易に形成できる。
ッド層のドーパントにＺｎとＭｇの双方を用いることに
より低抵抗で再現性のよいクラッド層が形成でき、良好
な素子特性を有する半導体レーザ装置を歩留まりよく製
造することが可能となった。そして、そのようなクラッ
ド層は、ジエチル亜鉛あるいはジメチル亜鉛およびビス
シクロペンタジエニルマグネシウムを添加した反応ガス
を用いるＭＯＣＶＤ法により容易に形成できる。
【図１】本発明の一実施例および従来例の半導体レーザ
装置の断面図
装置の断面図
【図２】図１の装置の製造工程を（ａ）〜（ｄ）の順に
示す断面図
示す断面図
【図３】基板，ｎ型第一クラッド層，活性層上に順次積
層されるｐ型第二クラッド層，ｐ型第三クラッド層の順
電流−順電圧特性がドーパントの種類により変わる様子
を示す線図
層されるｐ型第二クラッド層，ｐ型第三クラッド層の順
電流−順電圧特性がドーパントの種類により変わる様子
を示す線図
１ 基板
２ ｎ型第一クラッド層
３ 活性層
４ ｐ型第二クラッド層
５ エッチングストップ層
６ ｐ型第三クラッド層
７ コンタクト層
Claims (5)
- 【請求項１】活性層をはさんでｎ型クラッド層およびｐ
型クラッド層が積層され、各層がそれぞれ（Ａｌｘ Ｇ
ａ１−ｘ ） ｙ Ｉｎ１−ｙＰ であらわされ０≦ｘ
≦１，０．４５≦ｙ≦０．５５であるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体よりなる半導体レーザ装置において、ｐ型クラ
ッド層のドーパントが亜鉛およびマグネシウムであるこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】基体上にそれぞれ（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ
） ｙ Ｉｎ１−ｙ Ｐ であらわされ０≦ｘ≦１，０
．４５≦ｙ≦０．５５であるＡｌＧａＩｎＰ 系半導体
よりなるｎ型クラッド層，活性層およびｐ型クラッド層
を有機金属気相成長法により順次積層する工程を含む半
導体レーザ装置の製造方法において、ｐ型クラッド層成
長時の反応ガスに有機亜鉛化合物および有機マグネシウ
ム化合物を同時に混入することを特徴とする半導体レー
ザ装置の製造方法。 - 【請求項３】請求項２記載の方法において、有機亜鉛化
合物がジエチル亜鉛である半導体レーザ装置の製造方法
。 - 【請求項４】請求項２記載の方法において、有機亜鉛化
合物がジメチル亜鉛である半導体レーザ装置の製造方法
。 - 【請求項５】請求項２，３あるいは４記載の方法におい
て、有機マグネシウム化合物がビスシクロペンタジエニ
ルマグネシウムである半導体レーザ装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25447390 | 1990-09-25 | ||
| JP2-254473 | 1990-09-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212488A true JPH04212488A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=17265533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP481091A Pending JPH04212488A (ja) | 1990-09-25 | 1991-01-21 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04212488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7495262B2 (en) | 2002-06-13 | 2009-02-24 | Panasonic Corporation | Compound semiconductor, method for producing the same, semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP481091A patent/JPH04212488A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7495262B2 (en) | 2002-06-13 | 2009-02-24 | Panasonic Corporation | Compound semiconductor, method for producing the same, semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
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