JPH04211A - 半導体スイッチ - Google Patents
半導体スイッチInfo
- Publication number
- JPH04211A JPH04211A JP10093090A JP10093090A JPH04211A JP H04211 A JPH04211 A JP H04211A JP 10093090 A JP10093090 A JP 10093090A JP 10093090 A JP10093090 A JP 10093090A JP H04211 A JPH04211 A JP H04211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- shunt regulator
- voltage
- regulator element
- load
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
シャントレギュレータを制御素子として、トラ〔産業上
の利用分野〕 本発明はシャントレギュレータを制御素子として、トラ
ンジスタに電源の投入/切断を行わせることにより、過
電流等に対する保護回路を不要として、経済的で信顛性
を高めることが出来る半導体スイッチに関する。
の利用分野〕 本発明はシャントレギュレータを制御素子として、トラ
ンジスタに電源の投入/切断を行わせることにより、過
電流等に対する保護回路を不要として、経済的で信顛性
を高めることが出来る半導体スイッチに関する。
近年、携帯型情報処理装置の普及に伴い、ユーザが装置
の電源を投入したり、切断するために使用する電源スィ
ッチの外に、一定時間装置が使用されない状態を検出し
て電源を自動的に切断し、電池等の無駄な消耗を避ける
オートパワーオフ機能や、予め設定された時間に装置の
電源を自動的に投入するウェイクアップ機能等が組み込
まれるようになって来た。
の電源を投入したり、切断するために使用する電源スィ
ッチの外に、一定時間装置が使用されない状態を検出し
て電源を自動的に切断し、電池等の無駄な消耗を避ける
オートパワーオフ機能や、予め設定された時間に装置の
電源を自動的に投入するウェイクアップ機能等が組み込
まれるようになって来た。
このオートパワーオフ機能やウェイクアップ機能を実現
するためには、メカニカルなスイッチの外に、トランジ
スタ等をスイッチとして使用する電源の投入/切断機能
が必要である。
するためには、メカニカルなスイッチの外に、トランジ
スタ等をスイッチとして使用する電源の投入/切断機能
が必要である。
このようにトランジスタをスイッチとして使用する場合
、負荷側の障害による過電流等によって、トランジスタ
が破壊されることを防止する必要があるが、このためコ
ストが上昇したり、信顛性が低下しないことが望ましい
。
、負荷側の障害による過電流等によって、トランジスタ
が破壊されることを防止する必要があるが、このためコ
ストが上昇したり、信顛性が低下しないことが望ましい
。
第3図は従来技術の一例を説明する回路図である。
電池等の電源より端子Aを経てトランジスタlのエミッ
タと、抵抗R3,R4を経てトランジスタ2のコレクタ
に電圧が印加されているが、トランジスタ2はベースに
電圧が印加されていない場合は動作しない。
タと、抵抗R3,R4を経てトランジスタ2のコレクタ
に電圧が印加されているが、トランジスタ2はベースに
電圧が印加されていない場合は動作しない。
従って、抵抗R3,R,に電流が流れないため、抵抗R
3には電圧が発生せず、トランジスタ1はエミッタ、ベ
ース間に電圧が印加されないため動作せずオフのままで
ある。
3には電圧が発生せず、トランジスタ1はエミッタ、ベ
ース間に電圧が印加されないため動作せずオフのままで
ある。
このため、端子Bには電流が供給されす、抵抗R,,R
2に電流が流れないため、トランジスタ2はオフとなっ
たままである。
2に電流が流れないため、トランジスタ2はオフとなっ
たままである。
端子Cからトリガ信号として、トランジスタ2をオンと
する電圧が入り、トランジスタ2のベースに、このトリ
ガ信号が印加されると、トランジスタ2はオンとなって
コレクタ、エミッタ間が導通し、端子Aから抵抗R,,
R,を経てトランジスタ2に電流が流れる。
する電圧が入り、トランジスタ2のベースに、このトリ
ガ信号が印加されると、トランジスタ2はオンとなって
コレクタ、エミッタ間が導通し、端子Aから抵抗R,,
R,を経てトランジスタ2に電流が流れる。
従って、抵抗R3に電圧が発生して、この電圧がトラン
ジスタ1のエミッタ、ベース間に印加されるため、トラ
ンジスタ1はオンとなってエミッタ、コレクタ間が導通
し端子Bを経て、端子Bに接続された負荷に電流が供給
される。
ジスタ1のエミッタ、ベース間に印加されるため、トラ
ンジスタ1はオンとなってエミッタ、コレクタ間が導通
し端子Bを経て、端子Bに接続された負荷に電流が供給
される。
トランジスタ1がオンとなって、コレクタ側に発生する
電圧は、抵抗R+、Rzにより分割され、トランジスタ
2のベースに印加されるため、トランジスタ2はオンの
ままとなり、トランジスタlもオンの状態を維持する。
電圧は、抵抗R+、Rzにより分割され、トランジスタ
2のベースに印加されるため、トランジスタ2はオンの
ままとなり、トランジスタlもオンの状態を維持する。
上記の回路では、トランジスタ2がオンとなった後、端
子Bに接続される負荷の障害等により、負荷電流が増大
して、トランジスタlに流れる電流が増大しても、トラ
ンジスタlのコレクタ側の電圧が低下して、トランジス
タ2のベース電圧が低下し、トランジスタ2がオンの状
態を維持出来なくなるまで、トランジスタ1はオンの状
態を維持する。
子Bに接続される負荷の障害等により、負荷電流が増大
して、トランジスタlに流れる電流が増大しても、トラ
ンジスタlのコレクタ側の電圧が低下して、トランジス
タ2のベース電圧が低下し、トランジスタ2がオンの状
態を維持出来なくなるまで、トランジスタ1はオンの状
態を維持する。
このトランジスタ2がオフとなるためには、トランジス
タ2のベース電圧が殆ど零に近くなる必要があるため、
トランジスタlには過大な電流が流れ、トランジスタ1
が破壊されることとなる。
タ2のベース電圧が殆ど零に近くなる必要があるため、
トランジスタlには過大な電流が流れ、トランジスタ1
が破壊されることとなる。
従って、一般に例えば、トランジスタ1と端子Bの間に
負荷側の過電流を検出する回路を付加し、所定値以上の
電流が流れたら、トランジスタ1をオフとするような保
護回路を設けている。
負荷側の過電流を検出する回路を付加し、所定値以上の
電流が流れたら、トランジスタ1をオフとするような保
護回路を設けている。
従って、保護回路を設ける必要がら、コストが上昇し、
余分な保護回路が付加されることにより、信顧性も低下
するという問題がある。
余分な保護回路が付加されることにより、信顧性も低下
するという問題がある。
本発明はこのような問題点に鑑み、余分な保護回路を設
けることなく、過電流に対する保護を可能として、経済
的で信顛性の高い半導体スイッチを提供することを目的
としでいる。
けることなく、過電流に対する保護を可能として、経済
的で信顛性の高い半導体スイッチを提供することを目的
としでいる。
ソシて、この目的は、第1図に示されるように、制御電
圧が所定値以上の時、内部抵抗が低く、該制御電圧が該
所定値以下の時、内部抵抗が高いシャントレギュレータ
素子3と、該シャントレギュレータ素子3の内部抵抗が
低い時(電源を負荷に供給し、該シャントレギュレータ
素子3の内部抵抗が高い時、該負荷に供給する電源を切
断するトランジスタlとを備えた半導体スイッチにおい
て、該トランジスタ3の前記負荷側から該シャントレギ
ュレータ素子3に対する前記制御電圧を供給することに
より達成される。
圧が所定値以上の時、内部抵抗が低く、該制御電圧が該
所定値以下の時、内部抵抗が高いシャントレギュレータ
素子3と、該シャントレギュレータ素子3の内部抵抗が
低い時(電源を負荷に供給し、該シャントレギュレータ
素子3の内部抵抗が高い時、該負荷に供給する電源を切
断するトランジスタlとを備えた半導体スイッチにおい
て、該トランジスタ3の前記負荷側から該シャントレギ
ュレータ素子3に対する前記制御電圧を供給することに
より達成される。
上記の如く構成することにより、シャントレギュレータ
素子3は、トランジスタ1の負荷が障害等でトランジス
タ1に過電流が流れた時には、負荷側の電圧が低下する
ため、この電圧低下によって、シャントレギュレータ素
子3に供給される制御電圧が所定値より低下すると、内
部抵抗が高くなる。
素子3は、トランジスタ1の負荷が障害等でトランジス
タ1に過電流が流れた時には、負荷側の電圧が低下する
ため、この電圧低下によって、シャントレギュレータ素
子3に供給される制御電圧が所定値より低下すると、内
部抵抗が高くなる。
従って、トランジスタ1はオフとなるため、過電流によ
る破壊を防止することが可能となる。このため、余分な
保護回路は設ける必要が無く、コストの上昇と信顛性の
低下を防止することが出来る。
る破壊を防止することが可能となる。このため、余分な
保護回路は設ける必要が無く、コストの上昇と信顛性の
低下を防止することが出来る。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。
電池等の電源より端子Aを経てトランジスタlのエミッ
タと、抵抗Rs、Raを経てシャントレギュレータ素子
3のカソード(CATHODE)に電圧が印加されてい
るが、シャントレギュレータ素子3は制御端子(REF
)に所定値以上の制御電圧が印加されていない場合は内
部抵抗が高く、抵抗R3,R4には殆ど電流が流れない
。
タと、抵抗Rs、Raを経てシャントレギュレータ素子
3のカソード(CATHODE)に電圧が印加されてい
るが、シャントレギュレータ素子3は制御端子(REF
)に所定値以上の制御電圧が印加されていない場合は内
部抵抗が高く、抵抗R3,R4には殆ど電流が流れない
。
従って、抵抗R1に発生する電圧は小さく、トランジス
タ1はエミッタ、ベース間に供給される電圧が低いため
動作せずオフのままである。このため、端子Bには電源
からの電流が供給されず、抵抗Rr、Rzにも電流が流
れないため、シャントレギュレータ素子3は高い内部抵
抗を維持したままである。
タ1はエミッタ、ベース間に供給される電圧が低いため
動作せずオフのままである。このため、端子Bには電源
からの電流が供給されず、抵抗Rr、Rzにも電流が流
れないため、シャントレギュレータ素子3は高い内部抵
抗を維持したままである。
第2図はシャントレギュレータ素子の特性を説明する図
である。
である。
縦軸にシャントレギュレータ素子3に流れる電流iをと
り、横軸にシャントレギュレータ素子3の制御端子とア
ノード(ANODE)間の電圧Vをとると、電圧Vが所
定値V rafに達する迄は内部抵抗が高いため電流i
が殆ど流れず、電圧Vが所定値■1..をこえると内部
抵抗が低くなって電流iが流れるようになる。
り、横軸にシャントレギュレータ素子3の制御端子とア
ノード(ANODE)間の電圧Vをとると、電圧Vが所
定値V rafに達する迄は内部抵抗が高いため電流i
が殆ど流れず、電圧Vが所定値■1..をこえると内部
抵抗が低くなって電流iが流れるようになる。
ここで、端子Cからトリガ信号として、シャントレギュ
レータ素子3の制御端子に所定値V rllfを越える
制御電圧が入ると、シャントレギュレータ素子3の内部
抵抗が低くなり、カソードからアノードへ電流iが流れ
る。
レータ素子3の制御端子に所定値V rllfを越える
制御電圧が入ると、シャントレギュレータ素子3の内部
抵抗が低くなり、カソードからアノードへ電流iが流れ
る。
従って、端子Aから抵抗Rs、R4に電流iが流れるこ
とにより、抵抗R3にトランジスタ1をオンとするに十
分な電圧が発生して、この電圧がトランジスタエのエミ
ッタ、ベース間に印加されるため、トランジスタ1はオ
ンとなってエミッタ、コレクタ間が導通し端子Bを経て
、端子Bに接続された負荷に電流が供給される。
とにより、抵抗R3にトランジスタ1をオンとするに十
分な電圧が発生して、この電圧がトランジスタエのエミ
ッタ、ベース間に印加されるため、トランジスタ1はオ
ンとなってエミッタ、コレクタ間が導通し端子Bを経て
、端子Bに接続された負荷に電流が供給される。
トランジスタ1がオンとなって、コレクタ側に発生する
電圧は、抵抗Rr 、 Rzにより分割され、所定値V
□、を越える電圧がシャントレギュレータ素子3の制御
端子に印加されるため、シャントレギュレータ素子3は
内部抵抗を低くした状態を維持する。
電圧は、抵抗Rr 、 Rzにより分割され、所定値V
□、を越える電圧がシャントレギュレータ素子3の制御
端子に印加されるため、シャントレギュレータ素子3は
内部抵抗を低くした状態を維持する。
端子Bに接続される負荷の障害等により、負荷電流が増
大して、トランジスタlに流れる電流が増大し、トラン
ジスタlのコレクタ側の電圧が低下して、シャントレギ
ュレータ素子3の制御端子に供給される制御電圧が、第
2図に示すV raf以下となると、シャントレギュレ
ータ素子3は内部抵抗を高くするため、電流iが減少し
て抵抗Rs。
大して、トランジスタlに流れる電流が増大し、トラン
ジスタlのコレクタ側の電圧が低下して、シャントレギ
ュレータ素子3の制御端子に供給される制御電圧が、第
2図に示すV raf以下となると、シャントレギュレ
ータ素子3は内部抵抗を高くするため、電流iが減少し
て抵抗Rs。
R4に殆ど電流が流れなくなる。
従って、抵抗R8に発生する電圧が小さくなり、トラン
ジスタ1はエミッタ、ベース間に供給される電圧が低く
なってオフとなり、端子Bには電流が供給されな(なる
、従って、抵抗Rr、Rtに電流が流れないため、シャ
ントレギュレータ素子3は高い内部抵抗を維持したまま
となる。
ジスタ1はエミッタ、ベース間に供給される電圧が低く
なってオフとなり、端子Bには電流が供給されな(なる
、従って、抵抗Rr、Rtに電流が流れないため、シャ
ントレギュレータ素子3は高い内部抵抗を維持したまま
となる。
以上説明した如く、本発明はシャントレギュレータ素子
を、電源の投入/切断用のトランジスタの制御素子とし
て使用することにより、負荷の障害等による過電流の保
護回路を必要としないため、経済的で信顛性の高い半導
体スイッチを提供することが出来る。
を、電源の投入/切断用のトランジスタの制御素子とし
て使用することにより、負荷の障害等による過電流の保
護回路を必要としないため、経済的で信顛性の高い半導
体スイッチを提供することが出来る。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図はシャ
ントレギュレータ素子の特性を説明する図、 第3図は従来技術の一例を説明する回路図である。 図において、 1.2はトランジスタ、 3はシャントレギュレータ素子である。 /審\ rcf シイントレギ′ル−タ素子n特性8楡朗Iう口12
固
ントレギュレータ素子の特性を説明する図、 第3図は従来技術の一例を説明する回路図である。 図において、 1.2はトランジスタ、 3はシャントレギュレータ素子である。 /審\ rcf シイントレギ′ル−タ素子n特性8楡朗Iう口12
固
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 制御電圧が所定値以上の時、内部抵抗が低く、該制御電
圧が該所定値以下の時、内部抵抗が高いシャントレギュ
レータ素子(3)と、該シャントレギュレータ素子(3
)の内部抵抗が低い時、電源を負荷に供給し、該シャン
トレギュレータ素子(3)の内部抵抗が高い時、該負荷
に供給する電源を切断するトランジスタ(1)とを備え
た半導体スイッチにおいて、 該トランジスタ(1)の前記負荷側から該シャントレギ
ュレータ素子(3)に対する前記制御電圧を供給するこ
とを特徴とする半導体スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10093090A JPH04211A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10093090A JPH04211A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体スイッチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04211A true JPH04211A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14287071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10093090A Pending JPH04211A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体スイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04211A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100332799B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2002-04-18 | 구자홍 | 인버터의 과전류 보호회로 |
US6674637B2 (en) | 1996-10-24 | 2004-01-06 | Fujitsu Limited | Portable computer equipped with add-on battery |
-
1990
- 1990-04-17 JP JP10093090A patent/JPH04211A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6674637B2 (en) | 1996-10-24 | 2004-01-06 | Fujitsu Limited | Portable computer equipped with add-on battery |
KR100332799B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2002-04-18 | 구자홍 | 인버터의 과전류 보호회로 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001268784A (ja) | 電源の逆接続防止回路 | |
US6710698B1 (en) | Semiconductor fuse for electrical consumers | |
US4969062A (en) | Ground fault protection circuit | |
KR970068081A (ko) | 직류전원회로 | |
JPH04211A (ja) | 半導体スイッチ | |
JP3838708B2 (ja) | リチウムイオン電源装置 | |
JP2003308123A (ja) | 電源保護回路 | |
US4401894A (en) | Automatic uninterrupted D.C. power source switch | |
EP1450461A2 (en) | Power supply detection circuit | |
JP3679524B2 (ja) | トランジスタの過電流保護回路 | |
JP2815356B2 (ja) | 電源保護装置 | |
JP3003825B2 (ja) | サージ電圧保護回路 | |
JPH0724918Y2 (ja) | 電池用定電圧電源装置 | |
JPS589291Y2 (ja) | 電源装置の過電圧保護回路 | |
JPH042503Y2 (ja) | ||
JP2515950Y2 (ja) | バックアップ電源の電圧低下検出回路 | |
JP3613037B2 (ja) | Dc−dcコンバータ | |
JPH0746038Y2 (ja) | 保護装置 | |
JPH0546097Y2 (ja) | ||
JPH0628912Y2 (ja) | 過電圧保護回路 | |
JPH0157807B2 (ja) | ||
KR19990047839A (ko) | 축전지 전원 과방전 방지회로 | |
JPH06141477A (ja) | 電池式電源機構 | |
JP3938262B2 (ja) | 集積回路装置 | |
JPS599730A (ja) | 電源装置 |