JPH04208846A - マイクロ化学センサの装着方法 - Google Patents
マイクロ化学センサの装着方法Info
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- JPH04208846A JPH04208846A JP40029590A JP40029590A JPH04208846A JP H04208846 A JPH04208846 A JP H04208846A JP 40029590 A JP40029590 A JP 40029590A JP 40029590 A JP40029590 A JP 40029590A JP H04208846 A JPH04208846 A JP H04208846A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[0001]
【産業上の利用分野】本発明は信頼性を向上したマイク
ロ化学センサの装着方法に関する。IC,LSIなどの
半導体集積回路は薄膜形成技術、写真蝕刻技術(フォト
リソグラフィ)9選択エツチング技術、不純物イオン注
入技術などを用いて形成されており、最小パターン幅と
してサブミクロン(Sub−micron)のものまで
実用化されているが、これらの微小化技術はマイクロマ
シン技術として他の素子形成分野にも応用されている。 [0002]例えば、酸素センサ、過酸化水素センサ。 イオン感応性電界効果トランジスタ(略称l5FET)
などの化学センサがこれに当たり、マイクロマシン技術
により小型化されマイクロ化学センサとして実用化され
ている。そして、それぞれ単独に或いは酵素、微生物、
抗体などと組合せてバイオセンサとして使用されている
。これらのセンサは食品分析、臨床分析、醗酵・醸造過
程のモニタ、化学プラントにおける計測、水質検査など
広い分野で使用されている。 [0003]
ロ化学センサの装着方法に関する。IC,LSIなどの
半導体集積回路は薄膜形成技術、写真蝕刻技術(フォト
リソグラフィ)9選択エツチング技術、不純物イオン注
入技術などを用いて形成されており、最小パターン幅と
してサブミクロン(Sub−micron)のものまで
実用化されているが、これらの微小化技術はマイクロマ
シン技術として他の素子形成分野にも応用されている。 [0002]例えば、酸素センサ、過酸化水素センサ。 イオン感応性電界効果トランジスタ(略称l5FET)
などの化学センサがこれに当たり、マイクロマシン技術
により小型化されマイクロ化学センサとして実用化され
ている。そして、それぞれ単独に或いは酵素、微生物、
抗体などと組合せてバイオセンサとして使用されている
。これらのセンサは食品分析、臨床分析、醗酵・醸造過
程のモニタ、化学プラントにおける計測、水質検査など
広い分野で使用されている。 [0003]
【従来の技術】マイクロ化学センサはシリコン(Si)
、ガラス、セラミックなどの基板を用いて形成されてい
るが、特にSi基板の異方性エツチング技術を用いて形
成されている場合が多い。すなわち、81基板に等方性
エツチング液を使用する場合は丸い六ができるが、異方
性エツチング液を使用する場合は、六の形状は基板表面
の結晶の方向、酸化膜よりなるマスクに開けた窓の方向
などに依存して変化する。すなわち、異方性エツチング
液は(110)面を最も速くエツチングし、(100)
面では遅く、また(111)面は殆どエツチングされな
い。そこで、(100)面を基板面とするSi基板に<
110 >に四辺を揃えた正方形では壁面に(111)
面が現れてピラミッド状の穴ができる。また、窓が大き
いと(111)面が交わる点が深くなるから、エツチン
グをその前の段階で停止すれば、底が平らな面ができる
。また、長方形の窓を開けた場合はV字形の溝を作るこ
とができる。 [0004]か\る選択エツチング技術を含むマイクロ
マシン技術の使用により一枚の基板上に微小なマイクロ
化学センサを一括して大量に作ることが可能になった。 また製造条件が一定なことから、センサの特性が均一と
なり、小型のために体内への埋め込みが可能で、また廉
価のために使い捨てができるようになった。 [0005]さて、マイクロ化学センサはチップ状のた
め、単独に使用する場合もあるが、多くの場合はプリン
ト配線基板、セラミック回路基板、リードフレームなど
の上に装着し、基板やリードフレームに設けられている
パッドとチップとをワイヤポンディングして使用されて
いるのが通常である。 [0006]
、ガラス、セラミックなどの基板を用いて形成されてい
るが、特にSi基板の異方性エツチング技術を用いて形
成されている場合が多い。すなわち、81基板に等方性
エツチング液を使用する場合は丸い六ができるが、異方
性エツチング液を使用する場合は、六の形状は基板表面
の結晶の方向、酸化膜よりなるマスクに開けた窓の方向
などに依存して変化する。すなわち、異方性エツチング
液は(110)面を最も速くエツチングし、(100)
面では遅く、また(111)面は殆どエツチングされな
い。そこで、(100)面を基板面とするSi基板に<
110 >に四辺を揃えた正方形では壁面に(111)
面が現れてピラミッド状の穴ができる。また、窓が大き
いと(111)面が交わる点が深くなるから、エツチン
グをその前の段階で停止すれば、底が平らな面ができる
。また、長方形の窓を開けた場合はV字形の溝を作るこ
とができる。 [0004]か\る選択エツチング技術を含むマイクロ
マシン技術の使用により一枚の基板上に微小なマイクロ
化学センサを一括して大量に作ることが可能になった。 また製造条件が一定なことから、センサの特性が均一と
なり、小型のために体内への埋め込みが可能で、また廉
価のために使い捨てができるようになった。 [0005]さて、マイクロ化学センサはチップ状のた
め、単独に使用する場合もあるが、多くの場合はプリン
ト配線基板、セラミック回路基板、リードフレームなど
の上に装着し、基板やリードフレームに設けられている
パッドとチップとをワイヤポンディングして使用されて
いるのが通常である。 [0006]
【発明が解決しようとする課題】マイクロ化学センサに
設けられているポンディングパッドと配線基板の導体線
路に設けられているポンディングパッドとを回路接続す
るワイヤとしてはアルミニウム(AI)、銅(Cu)、
金(Au)などからなり径10〜50μmのものが使用
されているが、径が小さいために電気抵抗が少なくなく
、また微小な電圧や電流を計測する化学センサにおいて
はワイヤによる抵抗の影響を無視できない場合がある。 [0007]また、マイクロ化学センサは種々の環境、
例えば水中、酸性やアルカリ性の雰囲気、腐食性のガス
雰囲気、高温・高湿の雰囲気で使われる場合がある。更
に、醗酵工業、醸造工業、医療などの分野で使用する場
合には滅菌のため121℃、2.2気圧の高温高圧の蒸
気中に曝す必要がある。そして、このような過酷な条件
で使用すると細いポンディングワイヤは腐食による切断
が生じ易かった。また、熱による膨張・収縮、荒い取扱
いにより生ずる歪み、振動などによりポンディング部分
が剥離すると云う問題がありマイクロ化学センサの信頼
性を低下させていた。そこで、この信頼性を向上するこ
とが課題である。 [0008]
設けられているポンディングパッドと配線基板の導体線
路に設けられているポンディングパッドとを回路接続す
るワイヤとしてはアルミニウム(AI)、銅(Cu)、
金(Au)などからなり径10〜50μmのものが使用
されているが、径が小さいために電気抵抗が少なくなく
、また微小な電圧や電流を計測する化学センサにおいて
はワイヤによる抵抗の影響を無視できない場合がある。 [0007]また、マイクロ化学センサは種々の環境、
例えば水中、酸性やアルカリ性の雰囲気、腐食性のガス
雰囲気、高温・高湿の雰囲気で使われる場合がある。更
に、醗酵工業、醸造工業、医療などの分野で使用する場
合には滅菌のため121℃、2.2気圧の高温高圧の蒸
気中に曝す必要がある。そして、このような過酷な条件
で使用すると細いポンディングワイヤは腐食による切断
が生じ易かった。また、熱による膨張・収縮、荒い取扱
いにより生ずる歪み、振動などによりポンディング部分
が剥離すると云う問題がありマイクロ化学センサの信頼
性を低下させていた。そこで、この信頼性を向上するこ
とが課題である。 [0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題はSi半導体
基板上にマイクロマシン技術を用いて複数個のマイクロ
化学センサをマトリックス状に形成し、ダイシングして
チップ状に切り出した後、チップを予め配線パターンが
形成されている回路基板上に装着し、チップに設けられ
ているパッドと回路基板の配線とを回路接続する方法と
して、チップのパッド形成位置を予めエツチングして貫
通孔を設け、この貫通孔を配線パターン上に位置決めし
て接着した後、この導通孔に導電性ペーストを供給して
回路接続するか、或いはチップのパッド形成位置に傾斜
を設け、この傾斜面を配線パターン上に位置決めして接
着した後、傾斜面に導電性ペーストを塗布して回路接続
することを特徴としてマイクロ化学センサの装着方法を
構成することにより解決することができる。 [0009]
基板上にマイクロマシン技術を用いて複数個のマイクロ
化学センサをマトリックス状に形成し、ダイシングして
チップ状に切り出した後、チップを予め配線パターンが
形成されている回路基板上に装着し、チップに設けられ
ているパッドと回路基板の配線とを回路接続する方法と
して、チップのパッド形成位置を予めエツチングして貫
通孔を設け、この貫通孔を配線パターン上に位置決めし
て接着した後、この導通孔に導電性ペーストを供給して
回路接続するか、或いはチップのパッド形成位置に傾斜
を設け、この傾斜面を配線パターン上に位置決めして接
着した後、傾斜面に導電性ペーストを塗布して回路接続
することを特徴としてマイクロ化学センサの装着方法を
構成することにより解決することができる。 [0009]
【作用】図1と図2は本発明の原理図である。本発明は
マイクロ化学センサの基板への装着を信頼性よく行うも
のである。図1はマイクロ化学センサチップ(以下略し
てチップ)1のパッド部分に異方性エツチングを行って
貫通孔2を開け、このマイクロ化学センサ1をプリント
配線基板やセラミック回路基板などの基板3に設けられ
ている配線パターン4と貫通孔2を位置合わせして接着
固定した後、導電性ペースト5を貫通孔2に塗布するこ
とにより回路接続を行うものである。 [00101また、図2はパッド部分に孔開けする代わ
りにチップ1のパッド6を傾斜面7をもつ端部に形成し
、この部分に導電性ペースト5を塗布することにより回
路接続を行うものである。このように従来の細いワイヤ
に代わって幅の広い導電性ペースト5により回路接続を
行うため、電気抵抗を減少することができ、また腐食や
断線など従来の問題点を解消することができるため信頼
性を向上することができる。 [0011]
マイクロ化学センサの基板への装着を信頼性よく行うも
のである。図1はマイクロ化学センサチップ(以下略し
てチップ)1のパッド部分に異方性エツチングを行って
貫通孔2を開け、このマイクロ化学センサ1をプリント
配線基板やセラミック回路基板などの基板3に設けられ
ている配線パターン4と貫通孔2を位置合わせして接着
固定した後、導電性ペースト5を貫通孔2に塗布するこ
とにより回路接続を行うものである。 [00101また、図2はパッド部分に孔開けする代わ
りにチップ1のパッド6を傾斜面7をもつ端部に形成し
、この部分に導電性ペースト5を塗布することにより回
路接続を行うものである。このように従来の細いワイヤ
に代わって幅の広い導電性ペースト5により回路接続を
行うため、電気抵抗を減少することができ、また腐食や
断線など従来の問題点を解消することができるため信頼
性を向上することができる。 [0011]
【実施例】実施例1: (マイクロ酸素センサの製造例
。 請求項1対応)(100)面を基板面とする厚さが35
0μmのSiウェハ(以下略して基板)3を過酸化水素
(H2O2)とアンモニア水(NH40H)の混合溶液
と硝酸(HNO3)を用いてよく洗浄した後に、105
0℃の温度でウェット酸化し、基板3の全面に二酸化硅
素(SI02)膜を形成した。 (以上第3図A)なお
、センサの製造はウェハ単位で行われるが、図面は一個
のチップについて示している。 (00121次に、基板3の上にネガ型のレジスト(O
MR−83,東京応化)をスピンコードし、写真蝕刻技
術によりエツチング用パターン10を窓開けした。(以
上同図B)次に、弗酸(HF)と弗化アンモニウム(N
H4F)の混合液に浸漬して窓開けしたエツチング用パ
ターンのSiO2膜を除去した。次に、硫酸(H2SO
4)とH2O2の混合液に浸漬してレジストを剥離した
後、80℃に保った35%苛性カリ(KOH)水溶液に
浸漬してエツチング用パターン10の異方性エツチング
を行い、酸素感応部の溝11と貫通孔2を形成した。
(以上同図C)次に、HFとNH4Fの混合液に浸漬し
て基板3の上のS iO2膜を除去した後、改めて10
50℃の温度でウェット酸化し、基板上に0.8μmの
厚さのSiO2膜を形成した。そして、この上に真空蒸
着法によりクローム(Cr)膜を400Aと金(Au)
膜12を4000 Aの厚さに形成した。(以上同図D
)次に、ポジ型レジスト(OFPR−800゜東京応化
)をスピンコードした後、選択露光と現像を行ってアノ
ード13とカソード14となる部分を除いてレジストを
除去した。(以上同図E)次に、露出しているAu膜1
2とCr膜とをエツチングにより溶解除去した後、アセ
トンを用いてアノード13とカソード14となる部分の
レジストを剥離した。(以上同図F)次に、酸素感応部
の溝11と貫通孔2以外のところをネガ型レジスト(O
MR−83,東京応化)で被覆し、酸素感応部を確定す
るレジストパターン15を形成した。(以上同図G)次
に、基板3の裏面に疎水性絶縁膜(BSlooL、信越
化学)を−様に塗布し、硬化した後に基板をダイシング
し、マイクロ酸素センサをチップ状に切り出した。次に
、チップの先端部を苛性ソーダ水溶液中に短時間浸漬し
酸素感応部の溝11を親水性にした後、電解質含有体1
6の溶液を滴下して乾燥させた。(以上同図H)次に、
この電解質含有体16のある溝を覆うようにしてガス透
過膜(OMR−83とKE347T、信越化学)17を
被覆してマイクロ酸素センサ18が完成した。(以上同
図I)次に、このマイクロ酸素センサ18を配線パター
ン4が形成されている配線基板(プリント配線基板)3
の上に接着剤を用いて接着固定した。 (以上同図J)
次に、スクリーン印刷法により貫通孔2の部分に導電性
ペースト(FA−705A、藤倉化成)19を塗布して
硬化させた。(以上同図K)次に、コンタクト部分にエ
ポキシ樹脂(ポンドクイック5.コニシ)20を被覆し
て保護した。(以上同図L)実施例2: (マイクロ酸
素センサの製造例、請求項2対応)この実施例の実施例
1と異なるところはチップと基板の配線パターンとの接
続を貫通孔ではなくチップの傾斜面を用いて行う点だけ
である。そして、この傾斜面の作り方は実施例1の貫通
孔と同じ幅でチップと同じ長さの細長い窓開は部を作り
、異方性エツチングを行うことにより傾斜面を形成する
ことができる。図5および図6はこの方法による製造プ
ロセスを示すもので図3と図4に対応している。 [0013]
。 請求項1対応)(100)面を基板面とする厚さが35
0μmのSiウェハ(以下略して基板)3を過酸化水素
(H2O2)とアンモニア水(NH40H)の混合溶液
と硝酸(HNO3)を用いてよく洗浄した後に、105
0℃の温度でウェット酸化し、基板3の全面に二酸化硅
素(SI02)膜を形成した。 (以上第3図A)なお
、センサの製造はウェハ単位で行われるが、図面は一個
のチップについて示している。 (00121次に、基板3の上にネガ型のレジスト(O
MR−83,東京応化)をスピンコードし、写真蝕刻技
術によりエツチング用パターン10を窓開けした。(以
上同図B)次に、弗酸(HF)と弗化アンモニウム(N
H4F)の混合液に浸漬して窓開けしたエツチング用パ
ターンのSiO2膜を除去した。次に、硫酸(H2SO
4)とH2O2の混合液に浸漬してレジストを剥離した
後、80℃に保った35%苛性カリ(KOH)水溶液に
浸漬してエツチング用パターン10の異方性エツチング
を行い、酸素感応部の溝11と貫通孔2を形成した。
(以上同図C)次に、HFとNH4Fの混合液に浸漬し
て基板3の上のS iO2膜を除去した後、改めて10
50℃の温度でウェット酸化し、基板上に0.8μmの
厚さのSiO2膜を形成した。そして、この上に真空蒸
着法によりクローム(Cr)膜を400Aと金(Au)
膜12を4000 Aの厚さに形成した。(以上同図D
)次に、ポジ型レジスト(OFPR−800゜東京応化
)をスピンコードした後、選択露光と現像を行ってアノ
ード13とカソード14となる部分を除いてレジストを
除去した。(以上同図E)次に、露出しているAu膜1
2とCr膜とをエツチングにより溶解除去した後、アセ
トンを用いてアノード13とカソード14となる部分の
レジストを剥離した。(以上同図F)次に、酸素感応部
の溝11と貫通孔2以外のところをネガ型レジスト(O
MR−83,東京応化)で被覆し、酸素感応部を確定す
るレジストパターン15を形成した。(以上同図G)次
に、基板3の裏面に疎水性絶縁膜(BSlooL、信越
化学)を−様に塗布し、硬化した後に基板をダイシング
し、マイクロ酸素センサをチップ状に切り出した。次に
、チップの先端部を苛性ソーダ水溶液中に短時間浸漬し
酸素感応部の溝11を親水性にした後、電解質含有体1
6の溶液を滴下して乾燥させた。(以上同図H)次に、
この電解質含有体16のある溝を覆うようにしてガス透
過膜(OMR−83とKE347T、信越化学)17を
被覆してマイクロ酸素センサ18が完成した。(以上同
図I)次に、このマイクロ酸素センサ18を配線パター
ン4が形成されている配線基板(プリント配線基板)3
の上に接着剤を用いて接着固定した。 (以上同図J)
次に、スクリーン印刷法により貫通孔2の部分に導電性
ペースト(FA−705A、藤倉化成)19を塗布して
硬化させた。(以上同図K)次に、コンタクト部分にエ
ポキシ樹脂(ポンドクイック5.コニシ)20を被覆し
て保護した。(以上同図L)実施例2: (マイクロ酸
素センサの製造例、請求項2対応)この実施例の実施例
1と異なるところはチップと基板の配線パターンとの接
続を貫通孔ではなくチップの傾斜面を用いて行う点だけ
である。そして、この傾斜面の作り方は実施例1の貫通
孔と同じ幅でチップと同じ長さの細長い窓開は部を作り
、異方性エツチングを行うことにより傾斜面を形成する
ことができる。図5および図6はこの方法による製造プ
ロセスを示すもので図3と図4に対応している。 [0013]
【発明の効果】本発明はチップに設けた貫通孔か傾斜面
を利用し、導電性ペーストにより配線基板の配線パター
ンと回路接続を行うもので、接続部の電気抵抗を軽減で
きることは勿論、腐食や振動などについても余裕をもっ
て対応できるので、過酷な条件のもとでも高い信頼性を
維持することができる。
を利用し、導電性ペーストにより配線基板の配線パター
ンと回路接続を行うもので、接続部の電気抵抗を軽減で
きることは勿論、腐食や振動などについても余裕をもっ
て対応できるので、過酷な条件のもとでも高い信頼性を
維持することができる。
【図1】本発明の原理図(その1)である。
【図2】本発明の原理図(その2)である。
【図3】請求項1の方法によるマイクロ酸素センサの製
造例である。
造例である。
【図4】請求項1の方法によるマイクロ酸素センサの製
造例(図4のつゾ゛き)である。
造例(図4のつゾ゛き)である。
【図5】請求項2の方法によるマイクロ酸素センサの製
造例である。
造例である。
【図6】請求項2の方法によるマイクロ酸素センサの製
造例(図5のつ≦゛き)である。
造例(図5のつ≦゛き)である。
1はチップ
2は貫通孔
3は基板
4は配線パターン
5は導電性ペースト
6まパッド
7ま傾斜面
10よエツチング用パターン
11ま酸素感応部の溝
12よAu膜
13はアノード
14はカソード
15はレジストパターン
16は電解質含有体
19は導電性ペースト
【図3】
【図5】
Claims (2)
- 【請求項1】シリコン半導体基板上にマイクロマシン技
術を用いて複数個のマイクロ化学センサをマトリックス
状に形成し、ダイシングしてチップ状に切り出した後、
該チップを予め配線パターンが形成されている回路基板
上に装着し、該チップに設けられているパッドと回路基
板の配線とを回路接続する手段として、前記チップ(1
)のパッド形成位置を予めエッチングして貫通孔(2)
を設け、該貫通孔(2)を配線パターン(4)の上に位
置決めして接着した後、該貫通孔(2)に導電性ペース
ト(5)を供給して回路接続することを特徴とするマイ
クロ化学センサの装着方法。 - 【請求項2】前項記載のチップを回路基板の配線とを回
路接続する手段として、チップ(1)のパッド形成位置
に傾斜面(7)を設け、該傾斜面(7)を配線パターン
(4)の上に位置決めして接着した後、該傾斜面(7)
に導電性ペースト(5)を塗布して回路接続することを
特徴とするマイクロ化学センサの装着方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40029590A JPH04208846A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | マイクロ化学センサの装着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40029590A JPH04208846A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | マイクロ化学センサの装着方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04208846A true JPH04208846A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18510207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP40029590A Withdrawn JPH04208846A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | マイクロ化学センサの装着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04208846A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995023964A1 (en) * | 1994-03-03 | 1995-09-08 | Neotronics Limited | Gas sensor assembly and method of fabrication thereof |
JP2015021961A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 現代自動車株式会社 | 粒子状物質センサユニット |
-
1990
- 1990-12-04 JP JP40029590A patent/JPH04208846A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995023964A1 (en) * | 1994-03-03 | 1995-09-08 | Neotronics Limited | Gas sensor assembly and method of fabrication thereof |
JP2015021961A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 現代自動車株式会社 | 粒子状物質センサユニット |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |