JPH04204687A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH04204687A JPH04204687A JP33558090A JP33558090A JPH04204687A JP H04204687 A JPH04204687 A JP H04204687A JP 33558090 A JP33558090 A JP 33558090A JP 33558090 A JP33558090 A JP 33558090A JP H04204687 A JPH04204687 A JP H04204687A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【発明の目的】
（産業上の利用分野）
本発明は、液晶表示素子に係わり、特に単純マトリック
ス型またはアクティブマトリックス型の液晶表示素子に
関する。 （従来の技術） 近年、液晶表示素子は、軽量、低消費電力の利点を生か
して、テレビジョン、ワードプロセッサ、パーソナル・
コンビニー夕等のデイスプレィとして数多く市場に出回
るようになり、大画面化および表示の高品位化に対する
要求がより高まっている。 これらのデイスプレィには、表面にそれぞれ複数本の帯
状電極が形成された２枚の基板を、帯状電極が互いに直
交しかつ対向するように配置してなる単純マトリックス
型の液晶表示素子や、一方の基板上に、ＩＣのような能
動素子を備えた表示画素をマトリックス状に配置してな
るアクティブマトリックス型の液晶表示素子が用いられ
ている。 一般にこのような液晶表示素子の製造において、液晶分
子を配向する方法としては、基板上にポリイミド（ＰＩ
）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の配向膜を杉成
し、その表面を布等で一定方向にｗｌ擦するラビング法
が用いられている。 面全体で一定であることが不可欠である。 （発明が解決しようとするｒｌＡｌｆｉ）しかしながら
、こうして製造される従来の液晶表示素子においては、
ラビング時に発生する静電気の帯電により、配向膜の劣
化が生じる。また、特にアクティブマトリックス型液晶
表示素子では、静電気により能動素子の破壊や劣化が生
じるため、駆動不能画素が生じたりあるいは表示むらが
生じ、能動素子の持つ特性を充分に発揮することができ
ないという問題があった。 さらに、基板上に能動素子を持たない単純マトリックス
型の液晶表示素子においても、２枚の基板間に液晶組成
物を挟持させた後、取扱いの際に生した静電気により、
電極が帯電する。そして、二の帯電により液晶組成物に
直ａ電圧が印加される二とになるため、液晶組成物の劣
化を生じ表示品位が損なわれるという問題があった。 本発明はこれらの問題を解決するためになされたもので
、配向膜や能動素子、あるいは液晶組成物に破壊や劣化
が生じることがなく、表示むらがなく表示品位の高い液
晶表示素子を促供することを目的とする。 ［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の液晶表示素子は、対向面にそれぞれ！！極が形
成され互いに平行に配置された２枚の基板の間に、液晶
組成物を挟持してなる液晶表示素子において、前記基板
のうち少なくとも一方の基板の電極が、非表示領域部分
で、外部エネルギーにより電気抵抗値が変化する材料と
接触していることを特徴としている。 本発明において、外部エネルギーにより電気抵抗の値が
変化する材料としては、例えば照射される光の量が多く
なるほど、電気抵抗値が低くなる性質を何する光導電性
材＄４等がある。 そして、二のような光導電性材料としては、ポ’） （
Ｎ −ビニルカル／＜ ソー ル） （Ｐ Ｖ Ｋ
）と２，４゜７−ドリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）の
ｍＡ移移動鉢体以下、Ｐ Ｖ Ｋ ： Ｔ Ｎ Ｆ Ｗ
ｉ体と示す。）やアモルファスｓｉの先導電体等を使用
する二とができる。 （作用） 本発明の液晶表示素子においては、非表示領域部分で、
基板上の′電極が外部エネルギーにより電気抵抗値が変
化する材料と接触されているので、この材料の抵抗値が
低くなるような、外部エネルギーを加えたあるいは加え
ない状態で、ラビング処理あるいは製造後の取り扱いを
行うことにより、発生した静電気が前記低抵抗材料に流
れ、これと接触している電極相互には電気量の平衡が保
たれる。そのため、静電気による４品組成物、配向膜、
能動素子等の劣化、破壊が生じない。 また、この液晶表示素子を、前：ｃ！材料の電気抵抗値
が高くなるような外部エネルギー条件で使用することに
より、基板上の電極は互いに絶縁される。そのため、電
極に駆動電圧を印加しても、他の電極へ電気量が移動す
ることがなく、良好な表示品位が得られる。 （実施例） 以下、本発明に係る液晶表示素子の実施例を図面に基づ
いて説明する。 実施例１ 第１図は、実施例１の液晶表示素子のＩ！略略凹面図あ
り、Ｍ’ｌ：ｌはこれを構成する基板の概略平面図であ
る。 図において符号１．２は、互いに対向配置された２枚の
透明ガラス瓦板を示し、これらのガラス基板１．２の対
向面には、それぞれ透明電極３．４が形成されている。 また、これらのガラス基板１．２の電極形成面の非表示
領域部分には、光導電性材料のような、外部エネルギー
により電気量 □抗値が変化する材料の層５．６が形成
されており、この層に透明電極３．４の端胚が接続され
ている。 さらに透明電極３．４の上には、ラビング配向処理が施
された配向膜７．８がそれぞれ形成されている、またさ
らに、二のような基板の間には、液晶組成物９が配向１
１７．８に接して挟持されている。なお、図中符号１０
は、間隙材を示し、符号１１は、基板を貼り合わせその
周囲を封止固定するための接着剤を示す。 このような構造の液晶表示素子を、次のような方法で製
造した。 すなわち、まず外形が２００ｓｓ Ｘ ２０５■■の透
明ガラス基板１．２の表面に、ＩＴＯ（インジウム−錫
酸化物）膜を形成し、これをエツチングして複数本の帯
状の透明電極３．４を形成した。次に、透明ガラス基板
１．２の非表示領域部分に、先導電性材料であるＰＶＫ
： ＴＮＦ錯体の層５．６を形成し、複数本の帯状透
明電極３．４の端部を、この層に接続し短絡させた。次
いで、帯状透明電極３．４上に、ポリイミド膜を形成し
た後ラビング処理を行い、配向膜７．８を形成した。そ
の後、一方の基板の配向膜７の表面に、間隙材１０とし
て粒径７μ−のプラスチブクビーズを均一に散布し、同
時に配向膜８の周辺に沿うで他方の基板の表面に、接着
剤１１として硬化性のエポキシ系接着剤を注入口を除い
て印刷塗布した。しかる後、配向膜７．８が対向しかつ
それぞれのラビング方向が２４０度を成すように、２枚
の基板を配置し、加熱して接着剤１１を硬化させること
により貼り合わせた。次いで、通常の方法で注入口から
、ＺＬｌ−２２９３に左回りのカイラル剤であるＳ−８
１１（共にＥ、メルク社製）を０．７ｖＬ％添加したも
のを、液晶組成物９として注入し、さらにこの注入口を
紫外線硬化性樹脂で封止して液晶表示素子を作製した。 なお、ＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体の形成後の製造工程にお
いて、ラビング処理等の静電気の発生しやすい工程や取
扱いは、ＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体の電気抵抗値が低くな
るような明るい環境下で行った。 こうして作製された液晶表示素子を、明るい環境下で駆
動回路と接続し、さらにＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体に光が
当たらないようにして点灯したところ、配向膜７．８お
よび液晶組成物９の劣化がない、均一で高品位の表示が
得られた。 実施例２ 実施Ｎ１において、ＩＴＯ膜のエツチングの際に、複数
本の帯状電極がその終端部で接続（連結）されているよ
うなパターンの′！４極を、各基板上に形成するととも
に、Ｐ Ｖ Ｋ ： Ｔ Ｎ Ｆ ｊｉ体を接ＩＩＩ剤
と混合して塗布形成した。そして、液晶組成物の注入お
よび封止後に、明るい環境下で、帯状′＠唖を終端部で
接続しているＩＴＯ膜の未エツチング部分を切り離して
、液晶表示素子を作製した。 二のようにして作製された液晶表示素子を、明るい環境
下で駆動回路と接続し、さらに接着剤封止部に光が当た
らないようにして点灯したところ、実施例１と同様に均
一で高品位の表示が博られた。 実施例３ 実ＩＭ例１において、一方の基板を、第３図に示すよう
に、ｖｉ数本の走ＩＦＭ電極１２と、この電極と、２端
子形の能動素子であるＭ Ｉ Ｍ （Ｍｅｔａｌ−Ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ−ＭｅＬａｌ ） 素子１３を介して接
続された画素電極１４とを存する能動素子基板１５に代
えて、液晶表示素子を作製した。 二のようにして作製された液晶表示素子を、明るい環境
下で駆動回路と接続し、さらにＰＶＫ ：ＴＮＦ錯体に
光が当たらないようにして点灯したところ、静電気によ
るＭＩＭ！子の破壊や劣化が生じず、また実施例１と同
様に均一で高品位の表示が得られた。 実施例４ 第４図および第５図に示すように、透明ガラス基板１６
上に、画素電極１７、アモルファスｓｌを用いた薄膜ト
ランジスタ（ＴＰＴ）１８、信号線電極１９および走査
線１１［２０を、通常の工程により形成し、Ｍ横各１０
０ ｍｌ素合計１００００画素を育する能動素子基板２
１を作製した。次に、二の基板の非表示領域部分に、光
導電性材料であるｐｖＫ：ＴＮＦ錯体の層２２を形成し
、全ての信号線ｉ極１９および走査線電極２０を、この
ＰＶＫ：ＴＮＦ錯体層２２に接続し短絡させた。次に、
この能動素子基板２１の表面にポリイミド薄膜を形成し
た後、ラビング処理を行い配向Ｈ２３を形成した。一方
、別の透明ガラス基板２４の全面に、ＩＴＯ膜を形成し
て共通電極２５とし、さらにその表面にポリイミド薄膜
を形成した後、ラビング処理を行い配向膜２６を形成し
た。次いで、これら２枚の基板を、それぞれの配向膜２
３．２６のラビング方向が９０度を成すように、実施例
１と同様にして貼り合わせた。しかる後、液晶組成物２
７として、ＺＬＩ−１５８５（Ｅ、メルク社製） ｊ、
：５−ｆｉｌｌを０．１ｖＬ％添加したものを注入し、
さらに注入口を封止して液晶表示素子を作製した なお、ＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体の形成後の製造工程にお
いて、ラビング処理等の静電気の発生しやすい工程や取
扱いは、明るい環境下で行った。このようにして作製さ
れた液晶表示素子を、明るい環境下で駆動回路と接続し
、さらにＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体に光が当たらないよう
にして点灯したところ、静電気によるＴＰＴ素子の破壊
、劣化がなく、均一で高品位の表示が得られた。 実施例５ 実施例４において、光導電性材料であるＰＶＫ：Ｔ Ｎ
Ｆ Ｐｕ体の代わりに、アモルファスＳ１の光導電体
を使用し、これをＴＰＴＩ子の形成と同時に形成した。 そして、こうして得られた能動素子基板を用いて、実施
例４と同様にして液晶表示素子を作製した。二のように
して作製された液晶表示素子を、明るい環境下で駆動回
路と接続し、さらにアモルファスｓｉの光導電体に光が
当たらないようにして点灯したところ、静電気によるＴ
ＰＴ素子の破壊、劣化がなく、均一で高品位の表示が得
られた。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、製造あるいは取扱
いの際に静電気が発生した場合でも、配向膜や能動素子
、あるいは液晶組成物に破壊や劣化が生じることがない
。したがって、表示むらがなく均一で品位の高い表示が
得られる。
ス型またはアクティブマトリックス型の液晶表示素子に
関する。 （従来の技術） 近年、液晶表示素子は、軽量、低消費電力の利点を生か
して、テレビジョン、ワードプロセッサ、パーソナル・
コンビニー夕等のデイスプレィとして数多く市場に出回
るようになり、大画面化および表示の高品位化に対する
要求がより高まっている。 これらのデイスプレィには、表面にそれぞれ複数本の帯
状電極が形成された２枚の基板を、帯状電極が互いに直
交しかつ対向するように配置してなる単純マトリックス
型の液晶表示素子や、一方の基板上に、ＩＣのような能
動素子を備えた表示画素をマトリックス状に配置してな
るアクティブマトリックス型の液晶表示素子が用いられ
ている。 一般にこのような液晶表示素子の製造において、液晶分
子を配向する方法としては、基板上にポリイミド（ＰＩ
）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の配向膜を杉成
し、その表面を布等で一定方向にｗｌ擦するラビング法
が用いられている。 面全体で一定であることが不可欠である。 （発明が解決しようとするｒｌＡｌｆｉ）しかしながら
、こうして製造される従来の液晶表示素子においては、
ラビング時に発生する静電気の帯電により、配向膜の劣
化が生じる。また、特にアクティブマトリックス型液晶
表示素子では、静電気により能動素子の破壊や劣化が生
じるため、駆動不能画素が生じたりあるいは表示むらが
生じ、能動素子の持つ特性を充分に発揮することができ
ないという問題があった。 さらに、基板上に能動素子を持たない単純マトリックス
型の液晶表示素子においても、２枚の基板間に液晶組成
物を挟持させた後、取扱いの際に生した静電気により、
電極が帯電する。そして、二の帯電により液晶組成物に
直ａ電圧が印加される二とになるため、液晶組成物の劣
化を生じ表示品位が損なわれるという問題があった。 本発明はこれらの問題を解決するためになされたもので
、配向膜や能動素子、あるいは液晶組成物に破壊や劣化
が生じることがなく、表示むらがなく表示品位の高い液
晶表示素子を促供することを目的とする。 ［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の液晶表示素子は、対向面にそれぞれ！！極が形
成され互いに平行に配置された２枚の基板の間に、液晶
組成物を挟持してなる液晶表示素子において、前記基板
のうち少なくとも一方の基板の電極が、非表示領域部分
で、外部エネルギーにより電気抵抗値が変化する材料と
接触していることを特徴としている。 本発明において、外部エネルギーにより電気抵抗の値が
変化する材料としては、例えば照射される光の量が多く
なるほど、電気抵抗値が低くなる性質を何する光導電性
材＄４等がある。 そして、二のような光導電性材料としては、ポ’） （
Ｎ −ビニルカル／＜ ソー ル） （Ｐ Ｖ Ｋ
）と２，４゜７−ドリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）の
ｍＡ移移動鉢体以下、Ｐ Ｖ Ｋ ： Ｔ Ｎ Ｆ Ｗ
ｉ体と示す。）やアモルファスｓｉの先導電体等を使用
する二とができる。 （作用） 本発明の液晶表示素子においては、非表示領域部分で、
基板上の′電極が外部エネルギーにより電気抵抗値が変
化する材料と接触されているので、この材料の抵抗値が
低くなるような、外部エネルギーを加えたあるいは加え
ない状態で、ラビング処理あるいは製造後の取り扱いを
行うことにより、発生した静電気が前記低抵抗材料に流
れ、これと接触している電極相互には電気量の平衡が保
たれる。そのため、静電気による４品組成物、配向膜、
能動素子等の劣化、破壊が生じない。 また、この液晶表示素子を、前：ｃ！材料の電気抵抗値
が高くなるような外部エネルギー条件で使用することに
より、基板上の電極は互いに絶縁される。そのため、電
極に駆動電圧を印加しても、他の電極へ電気量が移動す
ることがなく、良好な表示品位が得られる。 （実施例） 以下、本発明に係る液晶表示素子の実施例を図面に基づ
いて説明する。 実施例１ 第１図は、実施例１の液晶表示素子のＩ！略略凹面図あ
り、Ｍ’ｌ：ｌはこれを構成する基板の概略平面図であ
る。 図において符号１．２は、互いに対向配置された２枚の
透明ガラス瓦板を示し、これらのガラス基板１．２の対
向面には、それぞれ透明電極３．４が形成されている。 また、これらのガラス基板１．２の電極形成面の非表示
領域部分には、光導電性材料のような、外部エネルギー
により電気量 □抗値が変化する材料の層５．６が形成
されており、この層に透明電極３．４の端胚が接続され
ている。 さらに透明電極３．４の上には、ラビング配向処理が施
された配向膜７．８がそれぞれ形成されている、またさ
らに、二のような基板の間には、液晶組成物９が配向１
１７．８に接して挟持されている。なお、図中符号１０
は、間隙材を示し、符号１１は、基板を貼り合わせその
周囲を封止固定するための接着剤を示す。 このような構造の液晶表示素子を、次のような方法で製
造した。 すなわち、まず外形が２００ｓｓ Ｘ ２０５■■の透
明ガラス基板１．２の表面に、ＩＴＯ（インジウム−錫
酸化物）膜を形成し、これをエツチングして複数本の帯
状の透明電極３．４を形成した。次に、透明ガラス基板
１．２の非表示領域部分に、先導電性材料であるＰＶＫ
： ＴＮＦ錯体の層５．６を形成し、複数本の帯状透
明電極３．４の端部を、この層に接続し短絡させた。次
いで、帯状透明電極３．４上に、ポリイミド膜を形成し
た後ラビング処理を行い、配向膜７．８を形成した。そ
の後、一方の基板の配向膜７の表面に、間隙材１０とし
て粒径７μ−のプラスチブクビーズを均一に散布し、同
時に配向膜８の周辺に沿うで他方の基板の表面に、接着
剤１１として硬化性のエポキシ系接着剤を注入口を除い
て印刷塗布した。しかる後、配向膜７．８が対向しかつ
それぞれのラビング方向が２４０度を成すように、２枚
の基板を配置し、加熱して接着剤１１を硬化させること
により貼り合わせた。次いで、通常の方法で注入口から
、ＺＬｌ−２２９３に左回りのカイラル剤であるＳ−８
１１（共にＥ、メルク社製）を０．７ｖＬ％添加したも
のを、液晶組成物９として注入し、さらにこの注入口を
紫外線硬化性樹脂で封止して液晶表示素子を作製した。 なお、ＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体の形成後の製造工程にお
いて、ラビング処理等の静電気の発生しやすい工程や取
扱いは、ＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体の電気抵抗値が低くな
るような明るい環境下で行った。 こうして作製された液晶表示素子を、明るい環境下で駆
動回路と接続し、さらにＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体に光が
当たらないようにして点灯したところ、配向膜７．８お
よび液晶組成物９の劣化がない、均一で高品位の表示が
得られた。 実施例２ 実施Ｎ１において、ＩＴＯ膜のエツチングの際に、複数
本の帯状電極がその終端部で接続（連結）されているよ
うなパターンの′！４極を、各基板上に形成するととも
に、Ｐ Ｖ Ｋ ： Ｔ Ｎ Ｆ ｊｉ体を接ＩＩＩ剤
と混合して塗布形成した。そして、液晶組成物の注入お
よび封止後に、明るい環境下で、帯状′＠唖を終端部で
接続しているＩＴＯ膜の未エツチング部分を切り離して
、液晶表示素子を作製した。 二のようにして作製された液晶表示素子を、明るい環境
下で駆動回路と接続し、さらに接着剤封止部に光が当た
らないようにして点灯したところ、実施例１と同様に均
一で高品位の表示が博られた。 実施例３ 実ＩＭ例１において、一方の基板を、第３図に示すよう
に、ｖｉ数本の走ＩＦＭ電極１２と、この電極と、２端
子形の能動素子であるＭ Ｉ Ｍ （Ｍｅｔａｌ−Ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ−ＭｅＬａｌ ） 素子１３を介して接
続された画素電極１４とを存する能動素子基板１５に代
えて、液晶表示素子を作製した。 二のようにして作製された液晶表示素子を、明るい環境
下で駆動回路と接続し、さらにＰＶＫ ：ＴＮＦ錯体に
光が当たらないようにして点灯したところ、静電気によ
るＭＩＭ！子の破壊や劣化が生じず、また実施例１と同
様に均一で高品位の表示が得られた。 実施例４ 第４図および第５図に示すように、透明ガラス基板１６
上に、画素電極１７、アモルファスｓｌを用いた薄膜ト
ランジスタ（ＴＰＴ）１８、信号線電極１９および走査
線１１［２０を、通常の工程により形成し、Ｍ横各１０
０ ｍｌ素合計１００００画素を育する能動素子基板２
１を作製した。次に、二の基板の非表示領域部分に、光
導電性材料であるｐｖＫ：ＴＮＦ錯体の層２２を形成し
、全ての信号線ｉ極１９および走査線電極２０を、この
ＰＶＫ：ＴＮＦ錯体層２２に接続し短絡させた。次に、
この能動素子基板２１の表面にポリイミド薄膜を形成し
た後、ラビング処理を行い配向Ｈ２３を形成した。一方
、別の透明ガラス基板２４の全面に、ＩＴＯ膜を形成し
て共通電極２５とし、さらにその表面にポリイミド薄膜
を形成した後、ラビング処理を行い配向膜２６を形成し
た。次いで、これら２枚の基板を、それぞれの配向膜２
３．２６のラビング方向が９０度を成すように、実施例
１と同様にして貼り合わせた。しかる後、液晶組成物２
７として、ＺＬＩ−１５８５（Ｅ、メルク社製） ｊ、
：５−ｆｉｌｌを０．１ｖＬ％添加したものを注入し、
さらに注入口を封止して液晶表示素子を作製した なお、ＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体の形成後の製造工程にお
いて、ラビング処理等の静電気の発生しやすい工程や取
扱いは、明るい環境下で行った。このようにして作製さ
れた液晶表示素子を、明るい環境下で駆動回路と接続し
、さらにＰＶＫ ： ＴＮＦ錯体に光が当たらないよう
にして点灯したところ、静電気によるＴＰＴ素子の破壊
、劣化がなく、均一で高品位の表示が得られた。 実施例５ 実施例４において、光導電性材料であるＰＶＫ：Ｔ Ｎ
Ｆ Ｐｕ体の代わりに、アモルファスＳ１の光導電体
を使用し、これをＴＰＴＩ子の形成と同時に形成した。 そして、こうして得られた能動素子基板を用いて、実施
例４と同様にして液晶表示素子を作製した。二のように
して作製された液晶表示素子を、明るい環境下で駆動回
路と接続し、さらにアモルファスｓｉの光導電体に光が
当たらないようにして点灯したところ、静電気によるＴ
ＰＴ素子の破壊、劣化がなく、均一で高品位の表示が得
られた。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、製造あるいは取扱
いの際に静電気が発生した場合でも、配向膜や能動素子
、あるいは液晶組成物に破壊や劣化が生じることがない
。したがって、表示むらがなく均一で品位の高い表示が
得られる。
第１図は本発明の実施例１で作製された液晶表示素子の
概略断面図、第２図は実施例１で使用する基板を示す概
略平面図、第３図は本発明の実施例３で使用する能動素
子基板を示す概略平面図、第４図は本発明の実施例４て
作製された液晶表示素子の概略断面図、第５図は実施例
４で使用する能動素子基板を示す概略平面図である。 １．２．１６．２４・・・透明ガラス基板３．４・・・
透明電極 ５．６．２２・・・光導電性材料層 ７．８．２３．２６・・・配向膜 ９．２７・・・液晶組成物 １０・・・・・・・・・間隙材 １１・・・・・・・・・接着剤 １２．２０・・・走査線電極 １３・・・・・・・・・Ｍ Ｉ Ｍ素子１４．１７・・
・画ｔＡ電極 １５．２１・・・能動素子基板 １８・・・・・・・・・ＴＦＴ素子 １９・・・・・・・・・信号線電極 ２５・・・・・・・・・共通電極
概略断面図、第２図は実施例１で使用する基板を示す概
略平面図、第３図は本発明の実施例３で使用する能動素
子基板を示す概略平面図、第４図は本発明の実施例４て
作製された液晶表示素子の概略断面図、第５図は実施例
４で使用する能動素子基板を示す概略平面図である。 １．２．１６．２４・・・透明ガラス基板３．４・・・
透明電極 ５．６．２２・・・光導電性材料層 ７．８．２３．２６・・・配向膜 ９．２７・・・液晶組成物 １０・・・・・・・・・間隙材 １１・・・・・・・・・接着剤 １２．２０・・・走査線電極 １３・・・・・・・・・Ｍ Ｉ Ｍ素子１４．１７・・
・画ｔＡ電極 １５．２１・・・能動素子基板 １８・・・・・・・・・ＴＦＴ素子 １９・・・・・・・・・信号線電極 ２５・・・・・・・・・共通電極
Claims (3)
- （１）対向面にそれぞれ電極が形成され互いに平行に配
置された２枚の基板の間に、液晶組成物を挟持してなる
液晶表示素子において、前記基板のうち少なくとも一方
の基板の電極が、非表示領域部分で、外部エネルギーに
より電気抵抗値が変化する材料と接触していることを特
徴とする液晶表示素子。 - （２）対向面にそれぞれ電極が形成され互いに平行に配
置された２枚の基板の間に、液晶組成物を挟持し、かつ
その周囲を接着剤により封止してなる液晶表示素子にお
いて、前記接着剤が、外部エネルギーにより電気抵抗値
が変化する材料を含むことを特徴とする液晶表示素子。 - （３）外部エネルギーにより電気抵抗値が変化する材料
が、光導電性材料である請求項１または２記載の液晶表
示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33558090A JPH04204687A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33558090A JPH04204687A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204687A true JPH04204687A (ja) | 1992-07-27 |
Family
ID=18290173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33558090A Pending JPH04204687A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021082214A1 (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其制造方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33558090A patent/JPH04204687A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021082214A1 (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其制造方法 |
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