JPH04202555A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、難燃性および高温信頼性に優れ、メモリーの
ソフトエラー発生率が低い半導体封止用エポキシ樹脂組
成物に関するものである。

〈従来の技術〉 従来より、半導体なとの電子回路部品の封止は、経済性
、生産性、物性および信頼性のノ（ランスの点から、エ
ポキシ樹脂による樹脂封止力く中心になっている。

また、半導体などの電子部品はＵＬ規格により難燃性の
達成が義務づけられており、このため、封止用樹脂には
通常、臭素化合物およびアンチモン化合物などの難燃剤
が添加されている。

さらに、半導体のなかでも、特に発熱量の大きい半導体
や自動車のエンジンまわりで使用する半導体では、１５
０〜２００℃の高温環境下での半導体の機能を保証する
、高温信頼性が必要になる。

しかし、難燃剤として添加する臭素化合物が高温で分解
するため、高温信頼性が低下するという問題があった。

一方、半導体のなかでもメモリーは、集積度の向上によ
り封止樹脂中に含まれるＵ、Ｔｈなどの放射性元素から
放射されるα線によって、ソフトエラーが発生するとい
う問題があった。

これらの高温信頼性およびメモリーのソフトエラーの問
題を解決するため、ＵおよびＴｈ含有量の低い溶融シリ
カおよびアンチモン化合物を添加するとともに、ハイド
ロタルサイト系化合物を併用することが提案されている
（特開平１−２０６６５６号公報）。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかるに、ＵおよびＴｈ含有量の低い溶融シリカおよび
アンチモン化合物を添加するとともに、ハイドロタルサ
イト系化合物を併用する方法は、高温信頼性が改良され
るものの、ノ１イドロタルサイト系化合物かＵおよびＴ
ｈを高濃度に含有するため、メモリーのソフトエラー発
生率が高く、メモリーの封止用途には使用か制限されて
いた。

本発明の目的は、かかる難燃剤の添加による高温での信
頼性低下がなく、かつノ１イドロタルサイト系化合物の
添加によるメモリーのソフトエラーの発生しにくい、す
なわち難燃性および高温信頼性に優れ、メモリーのソフ
トエラー発生率が低い半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を提供することにある。

〈課題を解決するための手段〉 本発明者らは臭素化合物とともに、ＵおよびＴｈ含有量
が低い溶融シリカ、ハイドロタルサイト系化合物および
アンチモン化合物を添加することにより、上記の課題を
達成し、目的に合致した半導体封止用エポキシ樹脂組成
物か得られることを見出し、本発明に到達した。

すなわち本発明は、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）
、ＵおよびＴｈ含有量が各々１０ｐｐｂ以下の溶融シリ
カ（Ｃ）　、ＵおよびＴｈ含有量が各々４０　ｐｐｂ以
下のハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）、臭素化合物（
Ｅ）および、ＵおよびＴｈ含有量が各々１ｏｐｐｂ以下
のアンチモン化合物（Ｆ）からなる半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を提供するものである。

以下、本発明の構成を詳述する。

本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は、１分子中にエポ
キシ基を２個以上有するものであれば特に限定されず、
これらの具体例としては、たとえばクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、線状脂肪族型エポキシ樹脂、脂環式エポキ
シ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ
樹脂および臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。

本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は、下記式（ただし
、Ｒ１−Ｒ８は水素原子、０１〜Ｃ４の低級アルキル基
またはハロゲン原子を示す。）で表される骨格を有する
エポキシ樹脂（ａ）を含有することが、半田耐熱性の点
で好ましい。

さらに好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）中のエポキシ樹
脂（りの含有量は５０重量％以上、特に好ましくは一７
０重量％以上である。

ここで、半田耐熱性とは、ＳＯＪ、ＳＯＰおよびＴＳＯ
Ｐなどの表面実装型パッケージを実装する際、吸湿した
パッケージが２００〜２７０℃の高温に加熱されて生じ
るクラックと耐湿性の低下を防止することを意味する。

上記式（Ｉ＋において、Ｒ１−Ｒ８の好ましい具体例と
しては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、
ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基、ｔ
ｅｒｔ−ブチル基、塩素原子、臭素原子などが挙げられ
る。

本発明におけるエポキシ樹脂（ａ）の好ましい具体例と
しては、４，４′−ビス（２，３−エポキシプロポキシ
）ビフェニル、４．４−−ビス（２゜３−エポキシプロ
ポキシ）　−３，３＋、　　５．５−−テトラメチルビ
フェニル、４．４′−ビス（２，３−エポキシプロポキ
シ）−３，３＝、　５．５−−テトラメチル−２−クロ
ロビフェニル、４．４−−ビス（２，３−エポキシプロ
ポキシ）−３，３−。

５．５′−テトラメチル−２−ブロモビフェニル、４．
４−一ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３−
，５，５−−テトラエチルビフェニル、４゜４′−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３゜３−．５．！！
−テトラブチルビフェニルなどが挙げられる。

本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）の配合量は好まし
くは５〜２５重量％、特に好ましくは７〜１５重量％で
あり、５重量％未満では成形性や接着性が不十分になり
、２５重量％を越えると線膨張係数が大きくなり、低応
力化か困難になるため好ましくない。

本発明における硬化剤（Ｂ）は、エポキシ樹脂（Ａ）　
　と反応して硬化させるものであれば特に限定されず、
それらの具体例としては、たとえばフェノールノボラッ
ク樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ
やレゾルシンから合成される各種ノボラック樹脂、各種
多価フェノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル酸
、無水ピロメリット酸なとの酸無水物およびメタフェニ
レンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
フェニルスルホンなどの芳香族アミンなどが挙げられる
。半導体封止用としては、耐熱性、耐湿性および保′存
性の点から、フェノール系硬化剤が好ましく用いられ、
用途によっては二種以上の硬化剤を併用してもよい。

本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量は通常２〜１５
重量％、好ましくは３〜１０重量％である。さらには、
エポキシ樹脂（Ａ）　　と硬化剤（Ｂ）の配合比は、機
械的性質および耐湿性の点から（Ａ）に対する（Ｂ）の
化学当量比が０．７〜１．３、特に０．８〜１．２の範
囲にあることが好ましい。

また、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）　と硬化剤（
Ｂ）の硬化反応を促進するため硬化触媒を用いてもよい
。硬化触媒は硬化反応を促進するものならば特に限定さ
れず、たとえば２−メチルイミダゾール、２，４−ジメ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メ
チルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなど
のイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジルジ
メチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、２
−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２．４．６−
トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−
シアサビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などの３
級アミン化合物、ジルコニウムテトラメトキシド、ジル
コニウムテトラプロポキシド、テトラキス（アセチルア
セトナト）ジルコニウム、トリ（アセチルアセトナト）
アルミニウムなどの有機金属化合物およびトリフェニル
ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリ　（ｐ−メチルフェ
ニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン
などの有機ホスフィン化合物が挙げられる。なかでも耐
湿性の点から、有機ホスフィン化合物が好ましく、トリ
フェニルホスフィンが特に好ましく用いられる。これら
の硬化触媒は、用途によっては二種以上を併用してもよ
く、その添加量はエポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対
して０．５〜１０重量部の範囲が好ましい。

本発明において用いる溶融シリカ（Ｃ）　は、Ｕおよび
Ｔｈ含有量が各々１０ｐｐｂ以下であることか必要であ
る。好ましくは、溶融シリカＦＣ）のＵおよびＴｈの含
有量は、各々５　ｔｌｌｌｂ以下であり、ｏ、５ｐｐｂ
以下か特に好ましい。ＵおよびＴｈ含有量が各々１０ｐ
ｐｂを越えると、ソフトエラー発生率が高くなるため、
本発明の目的を達成し得ない。

本発明で用いる溶融シリカ（Ｃ）は、真比重２゜３以下
の非晶性シリカである。その製造は必ずしも溶融状態を
経る必要はなく、任意の製造法を用いることができる。

たとえば、ＵおよびＴｈ含有量が各々１０ｐｐｂ以下の
天然シリカを溶融する方法、各種原料から合成する方法
などが挙げられる。

本発明で使用する溶融シリカ（Ｃ）の形状および粒径は
特に限定されないが、平均粒径１ｏμｍ以下の破砕溶融
シリカ９９〜５０重量％と平均粒径４０μｍ以下の球状
溶融シリカ１〜５０重量％からなる溶融シリカ（Ｃ）が
半田耐熱性の向上効果が大きく、流動性が良好なため好
ましく用いられる。なかでも、平均粒径１０１ｉ！［１
以下、特に３μｍ以上１０ｕｎ＋以下の破砕溶融シリカ
９９〜５０重量％、特に９９〜７０重量％と平均粒径４
Ｉ１ｍ以下、特に０．１μｍ以上４μｍ以下の球状溶融
シリカ１〜５０重量％、特に１〜３０重量％からなり、
球状溶融シリカの平均粒径が破砕溶融シリカの平均粒径
より小さく、特に１／′２以下の溶融シリカ（Ｃ）が最
も好ましく用いられる。

ここで、平均粒径は、累積重量５０％になる粒径（メジ
アン径）を意味し、平均粒径か異なる２種類以上の破砕
または球状溶融シリカを併用した場合は、その混合物の
破砕または球状溶融シリカの平均粒径を意味する。

本発明において、溶融シリカ（Ｃ）の割合は、半田耐熱
性と流動性の点から、全体の７５〜９０重量％が好まし
く、特に好ましくは７５〜８８重量％である。

本発明におけるハイドロタルサイト系化合物（ＤＪは、
ＵおよびＴｈ含有量が各々４０ｐｐｂ以下であることが
必要である。ＵおよびＴｈ含有量が各々４０ｐｐｂを越
えると、ソフトエラー発生率か高くなるため好ましくな
い。

本発明で使用するハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）は
、下記式（ＩＩ）または側で示される複合金属化合物で
ある。

Ｍｇ、ＡＩ、　（ＯＨ）　２．−３．−、−＾、　・ｍ
Ｈ２Ｏ−＝　・（ＩＩ）Ｍｇ、＾’ＹＯ（２ｘ。３ア、
７□　　　　　　　　・・・・・・圃（ただし、Ａはｎ
価の陰イオンＡ″−を生成しうる官能基、ｎは１〜３の
整数、ｘ、ｙおよびＺは０　＜　ｙ　／　ｘ≦１．０≦
ｚ　／　ｙ　＜　１．５の関係にあるＯまたは正の数、
ｍは０または正の数を示す。） 上記式（ｎ）において、官能基Ａから生成しうるｎ価の
陰イオンＡ′−の好ましい具体例としては、Ｆ’−、Ｃ
Ｉ−、Ｂｔ−、ｌ−、ＯＨ−、ＨＣＯ３−、ＣＨ３ＣＯ
Ｏ−、ＨＣＯＯ−。

ＣＯ３２，ＳＯ４２−、（Ｃｏｏ−）　２．酒石酸イオ
ン［ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯ−］　２．　　クエン酸イオン
［Ｃ（ＯＨ）　ＣＯＯ−］　（ＣＩＩ２ＣＯＬ）　２．
　　サリチル酸イオンＣ６Ｈ４（０）１）　ＣＯＯ−な
どが挙げられる。なかでも、ＣＯ３２−が特に好ましい
。

上記式−で表されるハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）
は、たとえば、上記式（ＩＩ）で表されるハイドロタル
サイト系化合物（Ｄ）を４００〜９００℃で焼成処理す
ることにより製造される。

本発明で使用するハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）　
の好ましい具体例として、Ｍｇ４．５＾ｌ２（ＯＨ）１
３ｃ０３・３．５１（２０ＸＭｇｔ、Ａｌ□（ＯＨ）＋
３ＣＯ３、Ｍｇ５Ａｌｌ、５　（ＯＨ）＋３ＣＪ・３．
５Ｈ２０、Ｍｇ、八１１．５（Ｏ旧１３ｃ（ｈ、Ｍｇ６
Ａｌ□（ＯＨ）＋６Ｃ（ｈ・４Ｈ２０、Ｍｇｏ６．Ａｌ
ｏ３．Ｏｔ、＋７．　、Ｍ　ｇ　０．７　Ａ　Ｉ　０．
３　ＯＬ、　ｌ　６、Ｍｇｏ７．Ａｌｏ２．Ｏ＋、＋□
１、Ｍｇｏ、５Ａｌｏ２０．１などが挙げられる。

本発明で使用するハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）は
、ＵおよびＴｈ含有量を各々４０　ｐｐｂ以下にするた
め、製造法を工夫する必要がある。

たとえば、原料を精製または選択する方法、洗浄により
ＵＳＴｈを除去する方法が挙げられる。

本発明においてハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）の添
加量は全体の０．０１〜１０重量％、好ましくは０．０
２〜５重量％、特に好ましくは０゜０５〜２重量％であ
る。添加量が０．０１重量％未満では高温信頼性の向上
効果か不十分てあり、１０重量％を越えると半田耐熱性
か低下する。

本発明における臭素化合物（Ｅ）は通常、半導体封止用
エポキシ樹脂組成物に難燃剤として添加されるもので、
特に限定されず、公知のものが使用できる。

臭素化合物（Ｅ）の好ましい具体例としては、臭素化ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂などの臭素化エポキシ樹脂、臭素
化ポリカーボネート樹脂、臭素化ポリスチレン樹脂、臭
素化ボ１ノフエニレンオキサイド樹脂、テトラブロモビ
スフェノールＡ１デカブロモジフエニルエーテルなどが
挙げられ、なかでも、臭素化ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂な
どの臭素化エポキシ樹脂が特に好ましく用いられる。

臭素化合物（Ｅ）の添加量は、臭素原子に換算して全体
の０．１〜５重量％が難燃性および高温信頼性の点て好
ましい。特に好ましくは、０．２〜２重量％である。

また、本発明で使用するアンチモン化合物（Ｆ）は、Ｕ
およびＴｈ含有量が各々１０ｐｐｂ以下、好ましくは１
　ｐｐｂ以下であることか必要である。

ＵおよびＴｈ含有量が各々１０ｐｐｂを越えると、ソフ
トエラー発生率が高くなるため好ましくない。アンチモ
ン化合物（Ｆ）の好ましい具体例としては、三酸化アン
チモンか挙げられる。製造法としては、各種原料から合
成する方法、精製によりＵ、Ｔｈを除去する方法が挙げ
られる。

アンチモン化合物（Ｆ）の添加量は、全体の０゜１〜１
０重量％が難燃性および高温信頼性の点で好ましい。特
に好ましくは、０．２〜４重量％である。

本発明において、スチレン系ブロック共重合体（Ｃ）を
添加することが、半田耐熱性の点て好ましい。スチレン
系ブロック共重合体（Ｃ）は、ガラス転移温度が通常２
５℃以上、好ましくは５０℃以上の芳香族ビニル炭化水
素重合体ブロックとガラス転移温度が０℃以下、好まし
くは一２５℃以下の共役ジエン重合体プロ・ソクカ）ら
なる線状、放射状、分岐状のプロ・ツク共重合体が含ま
れる。前記の芳香族ビニル炭化水素としては、スチレン
、α−メチルスチレン、Ｏ−メチルスチレン、ｐ−メチ
ルスチレン、１．３−ジメチルスチレン、ビニルナフタ
レンなどがあり、なかでもスチレンが好ましく使用でき
る。

前記の共役ジエンとしては、ブタジェン（１゜３−ブタ
ジェン）、イソプレン（２−メチル−１，３−ブタジェ
ン）、メチルイソプレン（２，３−ジメチル−１，３−
ブタジェン）、１．３−ペンタジェンなどがありなかで
もブタジェン、イソプレンが好ましく使用できる。スチ
レン系ブロック共重合体（Ｃ）中に占めるガラス相プロ
・νりである芳香族ビニル炭化水素重合体プロ・ツクの
割合は１０〜５０重量％、ゴム相ブロックである共役ジ
エン重合体ブロックの割合は９０〜５０重量％が好まし
い。ガラス相ブロックとゴム相ブロックとの組合せは多
数ありそのいずれでも良いが、中間のゴム相ブロックの
両端にガラス相ブロックが結合したトリブロック共重合
体が好ましい。この場合のガラス相ブロックの数平均分
子量は好ましくは５．０００〜１５０，０００、特に好
ましくは７，０００〜６０，０００である。また、ゴム
相ブロックの数平均分子量は好ましくはｉ　ｏ、　ｏ　
ｏ　ｏ〜３００，０００、特に好ましくは３０．０００
〜１５０．０００である。

スチレン系ブロック共重合体（Ｃ）は公知のりピングア
ニオン重合法を用いて製造できるが、特にこれに限定さ
れることな（、カチオン重合法、ラジカル重合法によっ
ても製造することができる。スチレン系ブロック共重合
体には、上記説明したブロック共重合体の不飽和結合の
一部が水素添加により還元された、水添ブロック共重合
体も含まれる。ここで、芳香族ビニル炭化水素重合体ブ
ロックの芳香族二重結合の２５％以下および共役ジエン
重合体ブロックの脂肪族二重結合の８０％以上が水添さ
れていることが好ましい。スチレン系ブロック共重合体
（Ｃ）の好ましい具体例としては、ポリスチレン／ボリ
プタジエン／ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＢ
Ｓ）、ポリスチレン／ポリイソプレン／ポリスチレント
リブロック共重合体（ＳＩＳ）、ＳＢＳの水添共重合体
（Ｓ　Ｅ　Ｂ　Ｓ）およびＳＩＳの水添共重合体が挙げ
られる。なかでも耐熱性の点からＳＢＳの水添共重合体
（ＳＥＢＳ）およびＳＩＳの水添共重合体が特に好まし
く用いられる。

本発明において、スチレン系ブロック共重合体（Ｃ）の
添加量は、半田耐熱性および流動性の点から、全体の０
．１〜１０重量％が好ましく、１〜６重量％が特に好ま
しい。

本発明において、溶融シリカ（Ｃ）、ハイドロタルサイ
ト系化合物（Ｄ）および、アンチモン化合物（Ｆ）をシ
ランカップリング剤、チタネートカップリング剤などの
カップリング剤であらかじめ表面処理することが、信頼
性の点で好ましい。カップリング剤としてエポキシシラ
ン、アミノシラン、メルカプトシランなどのシランカッ
プリング剤が好ましく用いられる。

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物にはカーボン
ブラックなどの着色剤、シリコーンゴム、変性ニトリル
ゴム、変性ポリブタジェンゴムなどのエラストマー、ポ
リエチレンなどの熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪
酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミ
ド、パラフィンワックスなどの離型剤および有機過酸化
物などの架橋剤を任意に添加することができる。

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は溶融混練す
ることが好ましく、たとえばバンバリーミキサ−、ニー
ダ−、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニー
ターなどの公知の混練方法を用いて溶融混練することに
より、製造される。

〈実施例〉 以下、実施例により本発明を具体的に説明する。

実施例１〜４、比較例 表１に示した溶融シリカ（Ｃ）を使用し、表２に示した
組成比で原料をミキサーによりトライブレンドした。

これを、バレル設定温度９０℃の二軸の押出機を用いて
溶融混練後、冷却・粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を製造した。

この組成物を用い、低圧トランスファー成形法により１
７５℃×２分の条件て成形し、１７５℃×８時間の条件
でポストキュアして次の物性測定法により各組成物の物
性を測定した。結果を表３に示す。

難　燃　性：５’　Ｘｉ／２’　Ｘｉ／１６’の燃焼試
験片を成形、ポストキュアし、 ｔＪＬ９４規格に従い難燃性を評価し た。

高温信頼性二表面にＡｌ蒸着した模擬素子を搭載した１
６ｐｉｎＤＩＰを成形、ポス トキュアし、２１０℃で高温信頼性 を評価し、累積故障率５０％になる 時間を求めた。

半田耐熱性：表面にＡｌ蒸着した模擬素子を搭載した２
８ｐｉｎ　５ＯＰ２０個を成形、ポストキュアし、８５
℃／８５％ＲＨ で２４時間加湿後、２６０℃に加熱 した半田浴に１０秒間浸漬した後、 １２１℃、２ａｔｍでＰ　ＣＴ　１ｍかけて累積不良率
５０％になる時間を求め た。

α　　　線；住友化学製低レベルα線測定装置ＬＡＣＳ
−４０００Ｍを用い、α線 量を測定した。

表　　　３ 表３にみられるように、本発明の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物（実施例１〜４）は難燃性、高温信頼性に優
れるとともに、α線量が少なく、メモリーのソフトエラ
ー発生率が低くなる。

また、エポキシ樹脂（Ａ）として特定構造のエポキシ樹
脂（ａ）を使用し、ＵおよびＴｈ含有量が各々１０ｐｐ
ｂ以下の溶融シリカ（Ｃ）の添加量を７５〜９０重量％
にしたもの（実施例２）、ＵおよびＴｈ含有量が各々１
０ｐｐｂ以下の溶融シリカ（Ｃ）の形状と粒径をコント
ロールしたもの（実施例３）、およびスチレン系ブロッ
ク共重合体（Ｃ）を添加したもの（実施例４）は半田耐
熱性にも優れている。

これに対して、ハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）のＵ
およびＴｈ含有量が４０　Ｈｂを越える比較例では、α
線量か多く、メモリーのソフトエラー発生率が高（なる
。

〈発明の効果〉 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂、硬化剤、高純度の溶融シリカ、高純度のハイドロ
タルサイト系化合物、臭素化合物および高純度のアンチ
モン化合物を配合したために、難燃性および高温信頼性
に優れ、メモリーのソフトエラー発生率が低い。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、ＵおよびＴ
   ｈ含有量が各々１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ（Ｃ）、Ｕ
   およびＴｈ含有量が各々４０ｐｐｂ以下のハイドロタル
   サイト系化合物（Ｄ）、臭素化合物（Ｅ）および、Ｕお
   よびＴｈ含有量が各々１０ｐｐｂ以下のアンチモン化合
   物（Ｆ）からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
2. （２）エポキシ樹脂（Ａ）が下記式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（ I
   ） （ただし、Ｒ＾１〜Ｒ＾８は水素原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿４
   の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） で表される骨格を有するエポキシ樹脂（ａ）を含有する
   請求項（１）記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
3. （３）溶融シリカ（Ｃ）の割合が全体の７５〜９０重量
   ％であり、ハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）の割合が
   全体の０．０１〜１０重量％である請求項（１）記載の
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
4. （４）溶融シリカ（Ｃ）が平均粒径１０μｍ以下の破砕
   溶融シリカ９９〜５０重量％と平均粒径４０μｍ以下の
   球状溶融シリカ１〜５０重量％からなる請求項（１）記
   載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
5. （５）さらにスチレン系ブロック共重合体（Ｃ）を全体
   の０．１〜１０重量％含有する請求項（１）記載の半導
   体封止用エポキシ樹脂組成物。