JPH04195351A - メモリシステム - Google Patents
メモリシステムInfo
- Publication number
- JPH04195351A JPH04195351A JP2327743A JP32774390A JPH04195351A JP H04195351 A JPH04195351 A JP H04195351A JP 2327743 A JP2327743 A JP 2327743A JP 32774390 A JP32774390 A JP 32774390A JP H04195351 A JPH04195351 A JP H04195351A
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- JP
- Japan
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- data
- memory
- error
- garbled
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- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Detection And Correction Of Errors (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パーソナルコンピュータなどの主記憶部のメ
モリに関し、特にそのメモリと、メモリデータバスをモ
ニタし、パリティ制御を行うメモリシステムに関する。
モリに関し、特にそのメモリと、メモリデータバスをモ
ニタし、パリティ制御を行うメモリシステムに関する。
従来、この種のパリティ制御を行うメモリシステムは、
第4図に示すように、パリティ制御部1によって生成さ
れたパリティビットをパリティ用メモリ2に書き込んで
おき、読み出し時はパリティ用メモリ2のデータをパリ
ティ制御部1でチェックし、パリティエラー信号をエラ
ー検出部3で生成するようなシステムになっていた。ま
た、それに使用されるメモリは、第5図のように、メモ
リセル部6にライトデータを保存し、リードデータを出
力するだけであった。
第4図に示すように、パリティ制御部1によって生成さ
れたパリティビットをパリティ用メモリ2に書き込んで
おき、読み出し時はパリティ用メモリ2のデータをパリ
ティ制御部1でチェックし、パリティエラー信号をエラ
ー検出部3で生成するようなシステムになっていた。ま
た、それに使用されるメモリは、第5図のように、メモ
リセル部6にライトデータを保存し、リードデータを出
力するだけであった。
上述した従来のメモリシステムは、パリティ制御を行う
ために、パリティ用メモリ2tパリテイ制御部1.エラ
ー検出部3.リード/ライト制御部5などの回路を構成
するために、多くの電子部品が必要であるという欠点が
ある。また、データ化けなどのパリティエラーになる要
因がメモリ部4内で発生しても、データ化けの発生した
アドレスをリードしないかぎり、システム利用者はパリ
ティエラーが発生したことが分からない。つまり、パリ
ティエラーが発生でいても、いつ発生したのが利用者は
全く分からないという欠点がある。また、1アドレスで
2ピッI−データ化けが起きると、パリティエラーとし
て検出できないという欠点がある。
ために、パリティ用メモリ2tパリテイ制御部1.エラ
ー検出部3.リード/ライト制御部5などの回路を構成
するために、多くの電子部品が必要であるという欠点が
ある。また、データ化けなどのパリティエラーになる要
因がメモリ部4内で発生しても、データ化けの発生した
アドレスをリードしないかぎり、システム利用者はパリ
ティエラーが発生したことが分からない。つまり、パリ
ティエラーが発生でいても、いつ発生したのが利用者は
全く分からないという欠点がある。また、1アドレスで
2ピッI−データ化けが起きると、パリティエラーとし
て検出できないという欠点がある。
本発明のメモリシステムは、電圧レベル変化によるパル
ティチェック機能を有し、メモリセル部のデータを正常
なリード/ライトがデータ化けかを判断し、データ化け
であればアクティブになるデータ化けチェック部と、デ
ータ化けが発生したら、データ出力バッファからの出力
データの電圧レベルを調整するレベル調整部を具備する
。また、前記メモリのシステムとしては、出力されたデ
ータの電圧レベルをモニタし、正常かどうかをチェック
し、エラーであればパリティエラー信号を出力するデー
タレベルチェック部を本発明のメモリシステムは有して
いる。
ティチェック機能を有し、メモリセル部のデータを正常
なリード/ライトがデータ化けかを判断し、データ化け
であればアクティブになるデータ化けチェック部と、デ
ータ化けが発生したら、データ出力バッファからの出力
データの電圧レベルを調整するレベル調整部を具備する
。また、前記メモリのシステムとしては、出力されたデ
ータの電圧レベルをモニタし、正常かどうかをチェック
し、エラーであればパリティエラー信号を出力するデー
タレベルチェック部を本発明のメモリシステムは有して
いる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
・ 第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
データ化けチェック部12はリード/ライト制御部8か
らのメモリリード中、またはライト中かの情報と、メモ
リセル部6からのデータの変化情報をもとに、データ化
けが発生したかをレベル調整部13に伝える。レベル調
整部13はデータ出力バッファ10からの出力データを
正常時はそのまま出力し、エラー発生時は、エラー時の
電圧レベルに変化させて出力する。
らのメモリリード中、またはライト中かの情報と、メモ
リセル部6からのデータの変化情報をもとに、データ化
けが発生したかをレベル調整部13に伝える。レベル調
整部13はデータ出力バッファ10からの出力データを
正常時はそのまま出力し、エラー発生時は、エラー時の
電圧レベルに変化させて出力する。
第2図は本発明の一実施例のシステムブロック図である
。データレベルチェック部14はメモリ部4からの出力
データを監視し、データにエラー情報があれば、つまり
、電圧レベルがエラー発生のレベルであればパリティエ
ラー信号を出力する。
。データレベルチェック部14はメモリ部4からの出力
データを監視し、データにエラー情報があれば、つまり
、電圧レベルがエラー発生のレベルであればパリティエ
ラー信号を出力する。
第3図は本発明の一実施例のタイミングチャートである
。この図は、正常なリードサイクルとデータ化けとエラ
ー発生のリードサイクルをあられしている。リードサイ
クルを表す信号16はアクティブ・ロウとし、メモリ部
4はリードデータである信号17を出力する。メモリ部
4の出力電圧はハイのときはVOHM 、ロウのときは
VOLM である。VOHM はバッファ15の入力
ハイ電圧VIHMより大であり、VOLM はバッファ
15の入力ロウ電圧より小であるので、システムバス2
0に信号18のように出力する。データレベルチェック
部14の入力ハイ電圧■ 、入力ロウ電圧VILPH
P はそれぞれVIHP >VOHM −VILP <V
OLM テあり、パリティエラー信号19はアクティブ
にならず、ロウのままである。
。この図は、正常なリードサイクルとデータ化けとエラ
ー発生のリードサイクルをあられしている。リードサイ
クルを表す信号16はアクティブ・ロウとし、メモリ部
4はリードデータである信号17を出力する。メモリ部
4の出力電圧はハイのときはVOHM 、ロウのときは
VOLM である。VOHM はバッファ15の入力
ハイ電圧VIHMより大であり、VOLM はバッファ
15の入力ロウ電圧より小であるので、システムバス2
0に信号18のように出力する。データレベルチェック
部14の入力ハイ電圧■ 、入力ロウ電圧VILPH
P はそれぞれVIHP >VOHM −VILP <V
OLM テあり、パリティエラー信号19はアクティブ
にならず、ロウのままである。
サイクルa後1図中C点にて、メモリ部4にデータ化け
が発生したとし、その後のサイクルbは次のようになる
。メモリ部4の出力データがハイの時はVOEM の電
圧レベルを出力し、ロウの時はVOEL の電圧レベル
を出力する。
が発生したとし、その後のサイクルbは次のようになる
。メモリ部4の出力データがハイの時はVOEM の電
圧レベルを出力し、ロウの時はVOEL の電圧レベル
を出力する。
VI)IB <VOEM = VILB >VOEL
であるから、バッファ15はサイクルaと同様にシステ
ムバス20に出力する。つまり、バッファ15はサイク
ルaとbのデータの区別はつかない。
であるから、バッファ15はサイクルaと同様にシステ
ムバス20に出力する。つまり、バッファ15はサイク
ルaとbのデータの区別はつかない。
また、
V IHP <VOEM 、 V ILP >VOEL
であるから、データレベルチェック部14はメモリ部4
でエラーが発生したことが分かり、パリティエラー信号
19をアクティブにする。以上の処理フローを表したの
が第6図である。
であるから、データレベルチェック部14はメモリ部4
でエラーが発生したことが分かり、パリティエラー信号
19をアクティブにする。以上の処理フローを表したの
が第6図である。
以上説明ルたように本発明は、専用のメモリと回路でパ
リティピットを作ることによって、メモリ内部のデータ
化けなどを検出する従来のメモリシステムと違い、出力
データを電圧レベルの変化でデータ化けなどを知らせる
ことにより、システム全体へは何ら影響を与えずに、デ
ータ化けが発生した直後に利用者はエラーであることが
分かり、2ビツト化けが起きても、エラーを検出できる
という効果を奏する。また、パリティ用メモリ、および
その周辺回路が必要でなくなるので、部品点
リティピットを作ることによって、メモリ内部のデータ
化けなどを検出する従来のメモリシステムと違い、出力
データを電圧レベルの変化でデータ化けなどを知らせる
ことにより、システム全体へは何ら影響を与えずに、デ
ータ化けが発生した直後に利用者はエラーであることが
分かり、2ビツト化けが起きても、エラーを検出できる
という効果を奏する。また、パリティ用メモリ、および
その周辺回路が必要でなくなるので、部品点
第1図、第2図は本発明の一実施例のブロック図、第3
図、第6図は同実施例のタイミングチャート、第4図、
第5図は従来例のブロック図である。 6・・・メモリセル部、8・・・リード/ライト制御部
、9・・・データ入力バッファ、10・・・データ出力
バッファ、11・・・工/○スイッチ、12・・・デー
タ化けチェック部、13・・・レベル調整部。
図、第6図は同実施例のタイミングチャート、第4図、
第5図は従来例のブロック図である。 6・・・メモリセル部、8・・・リード/ライト制御部
、9・・・データ入力バッファ、10・・・データ出力
バッファ、11・・・工/○スイッチ、12・・・デー
タ化けチェック部、13・・・レベル調整部。
Claims (1)
- データ化けなどをチェックするデータ化けチェック部と
出力データの電圧レベルを調整するレベル調整部を含む
メモリ、およびそのメモリを使用した際の、エラー検出
方法を含むシステムであり、電圧レベル変化によるパル
ティチェック機能を有することを特徴とするメモリシス
テム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2327743A JPH04195351A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | メモリシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2327743A JPH04195351A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | メモリシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04195351A true JPH04195351A (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=18202485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2327743A Pending JPH04195351A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | メモリシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04195351A (ja) |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2327743A patent/JPH04195351A/ja active Pending
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