JPH04195351A - メモリシステム - Google Patents

メモリシステム

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Publication number
JPH04195351A
JPH04195351A JP2327743A JP32774390A JPH04195351A JP H04195351 A JPH04195351 A JP H04195351A JP 2327743 A JP2327743 A JP 2327743A JP 32774390 A JP32774390 A JP 32774390A JP H04195351 A JPH04195351 A JP H04195351A
Authority
JP
Japan
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data
memory
error
garbled
parity
Prior art date
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Pending
Application number
JP2327743A
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English (en)
Inventor
Toshiaki Uotani
魚谷 俊昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niigata Fuji Xerox Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Niigata Fuji Xerox Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Niigata Fuji Xerox Manufacturing Co Ltd filed Critical Niigata Fuji Xerox Manufacturing Co Ltd
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、パーソナルコンピュータなどの主記憶部のメ
モリに関し、特にそのメモリと、メモリデータバスをモ
ニタし、パリティ制御を行うメモリシステムに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のパリティ制御を行うメモリシステムは、
第4図に示すように、パリティ制御部1によって生成さ
れたパリティビットをパリティ用メモリ2に書き込んで
おき、読み出し時はパリティ用メモリ2のデータをパリ
ティ制御部1でチェックし、パリティエラー信号をエラ
ー検出部3で生成するようなシステムになっていた。ま
た、それに使用されるメモリは、第5図のように、メモ
リセル部6にライトデータを保存し、リードデータを出
力するだけであった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のメモリシステムは、パリティ制御を行う
ために、パリティ用メモリ2tパリテイ制御部1.エラ
ー検出部3.リード/ライト制御部5などの回路を構成
するために、多くの電子部品が必要であるという欠点が
ある。また、データ化けなどのパリティエラーになる要
因がメモリ部4内で発生しても、データ化けの発生した
アドレスをリードしないかぎり、システム利用者はパリ
ティエラーが発生したことが分からない。つまり、パリ
ティエラーが発生でいても、いつ発生したのが利用者は
全く分からないという欠点がある。また、1アドレスで
2ピッI−データ化けが起きると、パリティエラーとし
て検出できないという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のメモリシステムは、電圧レベル変化によるパル
ティチェック機能を有し、メモリセル部のデータを正常
なリード/ライトがデータ化けかを判断し、データ化け
であればアクティブになるデータ化けチェック部と、デ
ータ化けが発生したら、データ出力バッファからの出力
データの電圧レベルを調整するレベル調整部を具備する
。また、前記メモリのシステムとしては、出力されたデ
ータの電圧レベルをモニタし、正常かどうかをチェック
し、エラーであればパリティエラー信号を出力するデー
タレベルチェック部を本発明のメモリシステムは有して
いる。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
・ 第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
データ化けチェック部12はリード/ライト制御部8か
らのメモリリード中、またはライト中かの情報と、メモ
リセル部6からのデータの変化情報をもとに、データ化
けが発生したかをレベル調整部13に伝える。レベル調
整部13はデータ出力バッファ10からの出力データを
正常時はそのまま出力し、エラー発生時は、エラー時の
電圧レベルに変化させて出力する。
第2図は本発明の一実施例のシステムブロック図である
。データレベルチェック部14はメモリ部4からの出力
データを監視し、データにエラー情報があれば、つまり
、電圧レベルがエラー発生のレベルであればパリティエ
ラー信号を出力する。
第3図は本発明の一実施例のタイミングチャートである
。この図は、正常なリードサイクルとデータ化けとエラ
ー発生のリードサイクルをあられしている。リードサイ
クルを表す信号16はアクティブ・ロウとし、メモリ部
4はリードデータである信号17を出力する。メモリ部
4の出力電圧はハイのときはVOHM 、ロウのときは
VOLM である。VOHM  はバッファ15の入力
ハイ電圧VIHMより大であり、VOLM はバッファ
15の入力ロウ電圧より小であるので、システムバス2
0に信号18のように出力する。データレベルチェック
部14の入力ハイ電圧■  、入力ロウ電圧VILPH
P はそれぞれVIHP >VOHM  −VILP <V
OLM テあり、パリティエラー信号19はアクティブ
にならず、ロウのままである。
サイクルa後1図中C点にて、メモリ部4にデータ化け
が発生したとし、その後のサイクルbは次のようになる
。メモリ部4の出力データがハイの時はVOEM の電
圧レベルを出力し、ロウの時はVOEL の電圧レベル
を出力する。
VI)IB <VOEM  = VILB >VOEL
であるから、バッファ15はサイクルaと同様にシステ
ムバス20に出力する。つまり、バッファ15はサイク
ルaとbのデータの区別はつかない。
また、 V IHP <VOEM 、 V ILP >VOEL
であるから、データレベルチェック部14はメモリ部4
でエラーが発生したことが分かり、パリティエラー信号
19をアクティブにする。以上の処理フローを表したの
が第6図である。
〔発明の効果〕
以上説明ルたように本発明は、専用のメモリと回路でパ
リティピットを作ることによって、メモリ内部のデータ
化けなどを検出する従来のメモリシステムと違い、出力
データを電圧レベルの変化でデータ化けなどを知らせる
ことにより、システム全体へは何ら影響を与えずに、デ
ータ化けが発生した直後に利用者はエラーであることが
分かり、2ビツト化けが起きても、エラーを検出できる
という効果を奏する。また、パリティ用メモリ、および
その周辺回路が必要でなくなるので、部品点
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の一実施例のブロック図、第3
図、第6図は同実施例のタイミングチャート、第4図、
第5図は従来例のブロック図である。 6・・・メモリセル部、8・・・リード/ライト制御部
、9・・・データ入力バッファ、10・・・データ出力
バッファ、11・・・工/○スイッチ、12・・・デー
タ化けチェック部、13・・・レベル調整部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. データ化けなどをチェックするデータ化けチェック部と
    出力データの電圧レベルを調整するレベル調整部を含む
    メモリ、およびそのメモリを使用した際の、エラー検出
    方法を含むシステムであり、電圧レベル変化によるパル
    ティチェック機能を有することを特徴とするメモリシス
    テム。
JP2327743A 1990-11-27 1990-11-27 メモリシステム Pending JPH04195351A (ja)

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JP2327743A JPH04195351A (ja) 1990-11-27 1990-11-27 メモリシステム

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JPH04195351A true JPH04195351A (ja) 1992-07-15

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