JPH04195122A - アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH04195122A JPH04195122A JP2331339A JP33133990A JPH04195122A JP H04195122 A JPH04195122 A JP H04195122A JP 2331339 A JP2331339 A JP 2331339A JP 33133990 A JP33133990 A JP 33133990A JP H04195122 A JPH04195122 A JP H04195122A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はアクティブマトリクス液晶表示装置の 。
製造に係わり、特に金属配線形成以後に絵素電極を透明
導電膜で形成する工程において、金属配線の保護及び冗
長配線化により断線を防止する構造に関する。
導電膜で形成する工程において、金属配線の保護及び冗
長配線化により断線を防止する構造に関する。
［従来の技術］
アクティブマトリクス液晶表示装置の製造において、信
号線を含む配線をＡ１などの金属で形成した後、ＩＴＯ
などの透明導電膜を用いて絵素電極を形成する際、例え
ばＩＴＯのエツチング液で金属が腐食されないように、
従来は単にプラズマＣＶＤによりＳｉＮ膜やＳｉＯ膜な
どの絶縁膜を金属配線と透明導電膜の間に堆積し、金属
配線にエツチング液が触れることを防いでいた。
号線を含む配線をＡ１などの金属で形成した後、ＩＴＯ
などの透明導電膜を用いて絵素電極を形成する際、例え
ばＩＴＯのエツチング液で金属が腐食されないように、
従来は単にプラズマＣＶＤによりＳｉＮ膜やＳｉＯ膜な
どの絶縁膜を金属配線と透明導電膜の間に堆積し、金属
配線にエツチング液が触れることを防いでいた。
［発明が解決しようとする課題］
上記の方法でアクティブマトリクス液晶表示装置を製造
する際、単に層間絶縁膜で金属配線を覆っても次のよう
な問題点がある。金属配線の段差部での透明導電膜のエ
ツチング液の浸食および層間絶縁膜に存在するピンホー
ルからの浸食による金属配線の腐食である。これらの腐
食により金属配線が断線し歩留まりが低下する。
する際、単に層間絶縁膜で金属配線を覆っても次のよう
な問題点がある。金属配線の段差部での透明導電膜のエ
ツチング液の浸食および層間絶縁膜に存在するピンホー
ルからの浸食による金属配線の腐食である。これらの腐
食により金属配線が断線し歩留まりが低下する。
本発明は、金属配線の段差部における眉間絶縁膜の被覆
性を向上し、さらにピンホールからのエツチング液の浸
食も防ぐ構造及び製造方法を提供することにある。更に
また、ダスト等により生じた金属配線の断線を救済しよ
うとするものである。
性を向上し、さらにピンホールからのエツチング液の浸
食も防ぐ構造及び製造方法を提供することにある。更に
また、ダスト等により生じた金属配線の断線を救済しよ
うとするものである。
［問題を解決するための手段〕
上記目的を達成する手段としては４、金属配線にサイド
ウオール構造を設けて層間絶縁膜を堆積し、金属配線の
段差部の被覆性を向上させ、段差部からの透明導電膜の
エツチング液の浸食を防ぐ。
ウオール構造を設けて層間絶縁膜を堆積し、金属配線の
段差部の被覆性を向上させ、段差部からの透明導電膜の
エツチング液の浸食を防ぐ。
さらに、その層間絶縁膜上に透明導電膜で絵素電極を形
成すると同時に金属配線部分の上にも透明導電膜を残す
ようなパターンとする。こうすることにより、透明導電
膜のエツチング工程では、金属配線上には絶縁膜を介し
て透明導電膜とレジストがあるために、その部分の層間
絶縁膜は透明導電膜のエツチング液に触れることがない
ので、ピンホールからのエツチング液の浸食による金属
配線の断線が防止できる。また、金属配線上の眉間絶縁
膜の一部にコンタクトホールを形成しておく事により、
金属配線にダスト等により生じる欠陥が存在しても自動
的に救済され、欠陥に対する歩留りを大幅に向上するこ
とができる。
成すると同時に金属配線部分の上にも透明導電膜を残す
ようなパターンとする。こうすることにより、透明導電
膜のエツチング工程では、金属配線上には絶縁膜を介し
て透明導電膜とレジストがあるために、その部分の層間
絶縁膜は透明導電膜のエツチング液に触れることがない
ので、ピンホールからのエツチング液の浸食による金属
配線の断線が防止できる。また、金属配線上の眉間絶縁
膜の一部にコンタクトホールを形成しておく事により、
金属配線にダスト等により生じる欠陥が存在しても自動
的に救済され、欠陥に対する歩留りを大幅に向上するこ
とができる。
［作用］
上記した手段によれば、透明導電膜のエツチング時に金
属配線の断線を防げるのみならず、透明導電膜のエツチ
ング以前に何らかの原因で生じた断線による欠陥も自動
的に救済される。
属配線の断線を防げるのみならず、透明導電膜のエツチ
ング以前に何らかの原因で生じた断線による欠陥も自動
的に救済される。
［実施例］
以下、本発明の実施例について説明する。第１図は、Ｔ
ＦＴアクティブマトリクス基板の一つの絵素部分であり
、Ａ１など金属で形成されたデータ信号線１とｎ＋ポリ
シリコンで形成された走査信号線２の交差部にポリシリ
コンＴＦＴ３がある。
ＦＴアクティブマトリクス基板の一つの絵素部分であり
、Ａ１など金属で形成されたデータ信号線１とｎ＋ポリ
シリコンで形成された走査信号線２の交差部にポリシリ
コンＴＦＴ３がある。
ＴＦＴ３のドレインは絵素電極４のＩＴＯとコンタクト
がとられている。第２図は、第１図のＡ−Ａ゛での断面
図を示しており、金属配線の両側にサイドウオール６が
形成されている。サイドウオールの形成は以下のように
行った。金属配線パターン形成後、プラズマＣＶＤによ
り５ｉＯ３ｌを９０００人堆積し、異方性エツチングに
より７０００人エッチバックしてさらにプラズマＣＶＤ
によりＳｉＯ膜を４０００人堆積して、最終的にサイド
ウオール構造を有した金属配線上に６０００人の第２層
間絶縁膜７を形成した。第３図は、アクティブマトリク
ス基板上の金属配線パターンの一部を示し、ＩＴＯをエ
ツチングする前の状態であり、金属配線３１．３２及び
ＩＴＯのレジストパターン３３．３４が示されている。
がとられている。第２図は、第１図のＡ−Ａ゛での断面
図を示しており、金属配線の両側にサイドウオール６が
形成されている。サイドウオールの形成は以下のように
行った。金属配線パターン形成後、プラズマＣＶＤによ
り５ｉＯ３ｌを９０００人堆積し、異方性エツチングに
より７０００人エッチバックしてさらにプラズマＣＶＤ
によりＳｉＯ膜を４０００人堆積して、最終的にサイド
ウオール構造を有した金属配線上に６０００人の第２層
間絶縁膜７を形成した。第３図は、アクティブマトリク
ス基板上の金属配線パターンの一部を示し、ＩＴＯをエ
ツチングする前の状態であり、金属配線３１．３２及び
ＩＴＯのレジストパターン３３．３４が示されている。
第４図は、第３図のＢ−Ｂ’ での断面であり、金属配
線３１．３２の上にはサイドウオールを形成した第２層
間絶縁膜７、■ＴＯ膜３５及びレジストパターン３３．
３４が示されている。この状態でＨＢｒ等のエツチング
液でＩＴＯをエツチングした時、金属配線パターン上は
レジストで覆われているので、エツチング液のピンホー
ルからの浸食を避けることが出来る。このＩＴＯの金属
配線上のパターンは、配線間のリークの問題を避けるた
め第３図のようにそれぞれ配線間にはつながらないよう
にしておく。また、第１図、第２図に示されているよう
に信号線上にもＩＴＯパターン５を絵素電極４と電気的
に独立している限り配置できる。第５図はＩＴＯ工程の
前に金属配線５１に何らかの原因で断線５３が発生して
も、第２層間絶縁膜にコンタクトホール５４を形成して
お（と、ＩＴＯパタ−ン５２を形成した際に自動的に断
線が救済される実施例を示している。
線３１．３２の上にはサイドウオールを形成した第２層
間絶縁膜７、■ＴＯ膜３５及びレジストパターン３３．
３４が示されている。この状態でＨＢｒ等のエツチング
液でＩＴＯをエツチングした時、金属配線パターン上は
レジストで覆われているので、エツチング液のピンホー
ルからの浸食を避けることが出来る。このＩＴＯの金属
配線上のパターンは、配線間のリークの問題を避けるた
め第３図のようにそれぞれ配線間にはつながらないよう
にしておく。また、第１図、第２図に示されているよう
に信号線上にもＩＴＯパターン５を絵素電極４と電気的
に独立している限り配置できる。第５図はＩＴＯ工程の
前に金属配線５１に何らかの原因で断線５３が発生して
も、第２層間絶縁膜にコンタクトホール５４を形成して
お（と、ＩＴＯパタ−ン５２を形成した際に自動的に断
線が救済される実施例を示している。
［発明の効果コ
本発明によれば、金属配線形成後の絵素電極形成工程で
行われる透明導電膜のエツチングによる金属配線の断線
を大幅に削減することができ、また絵素電極形成前に発
生した金属配線の断線を救済することができるため、ア
クティブマトリクス液晶表示装置の歩留まりを向上する
ことができる。
行われる透明導電膜のエツチングによる金属配線の断線
を大幅に削減することができ、また絵素電極形成前に発
生した金属配線の断線を救済することができるため、ア
クティブマトリクス液晶表示装置の歩留まりを向上する
ことができる。
第１図、第３図は本発明の実施例であり、それぞれＴＦ
Ｔアクティブマトリクス基板の一絵素部及び金属配線部
である。第２図は第１図のＡ−Ａｏでの断面図であり、
第４図は第３図のＢ−Ｂ’での断面図である。第５図は
、金属配線の断線がＩＴＯにより救済される実施例であ
る。 １・・・データ信号線、２・・・走査信号線、３・・・
ＴＦＴ、 ４・・・絵素電極、５．３５．５２・・・
ＩＴＯパターン、６・・・サイドウオール、７・・・第
２層間絶縁膜、８・・・第１層間絶縁膜、９・・・ゲー
ト絶縁膜、１０・・・透明絶縁性基板、３１，３２．５
１・・・金属配線、３３．３４・・・ＩＴＯレジストパ
ターン、５４・・・コンタクトホール 代理人 弁理士 梅田勝（他２名） 第１図 第２図 第３図 第４図 ■５図
Ｔアクティブマトリクス基板の一絵素部及び金属配線部
である。第２図は第１図のＡ−Ａｏでの断面図であり、
第４図は第３図のＢ−Ｂ’での断面図である。第５図は
、金属配線の断線がＩＴＯにより救済される実施例であ
る。 １・・・データ信号線、２・・・走査信号線、３・・・
ＴＦＴ、 ４・・・絵素電極、５．３５．５２・・・
ＩＴＯパターン、６・・・サイドウオール、７・・・第
２層間絶縁膜、８・・・第１層間絶縁膜、９・・・ゲー
ト絶縁膜、１０・・・透明絶縁性基板、３１，３２．５
１・・・金属配線、３３．３４・・・ＩＴＯレジストパ
ターン、５４・・・コンタクトホール 代理人 弁理士 梅田勝（他２名） 第１図 第２図 第３図 第４図 ■５図
Claims (4)
- （１）透明絶縁性基板上で薄膜トランジスタ（以後、Ｔ
ＦＴと称する）の活性層をポリシリコン、走査電極をｎ
＾＋ポリシリコンで形成後、第１層間絶縁膜を堆積し、
第１のコンタクトホールを形成後、データ信号線を含む
配線を金属で形成した後、第２層間絶縁膜を堆積して反
応性イオンエッチング法でエッチバックを行った後、第
２層間絶縁膜を再堆積し被覆性を向上後、第２のコンタ
クトホールを形成して、透明導電膜をその上に形成する
ことを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。 - （２）前記透明導電膜を金属配線上に第２層間絶縁膜を
介して堆積し、パターニングすることを特徴とする特許
請求項（１）記載のアクティブマトリクス液晶表示装置
。 - （３）前記透明導電膜パターンの内、電気的に独立した
パターンの少なくとも一部が、第２層間絶縁膜に形成し
た第２のコンタクトホールを介して金属配線と電気的に
接続されている事を特徴とする特許請求項（２）記載の
アクティブマトリクス液晶表示装置。 - （４）前記金属配線がＡｌ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔｉ−
Ｗ合金、Ｍｏ、Ｗ、ＷＳｉ＿２、ＭｏＳｉ＿２、ＴｉＳ
ｉ＿２、ＰｔＳｉ又はＰｄ＿２Ｓｉで形成されることを
特徴とする特許請求項（３）記載のアクティブマトリク
ス液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33133990A JP2643022B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33133990A JP2643022B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04195122A true JPH04195122A (ja) | 1992-07-15 |
| JP2643022B2 JP2643022B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=18242579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33133990A Expired - Lifetime JP2643022B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643022B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121783A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Canon Inc | 光検出装置およびその製造方法 |
| JP2010087527A (ja) * | 1998-12-31 | 2010-04-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| JP2015055814A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、及び電子機器 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP33133990A patent/JP2643022B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121783A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Canon Inc | 光検出装置およびその製造方法 |
| JP2010087527A (ja) * | 1998-12-31 | 2010-04-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| JP2015055814A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2643022B2 (ja) | 1997-08-20 |
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