JPH0419076A - ダイヤモンドラッピングテープ - Google Patents
ダイヤモンドラッピングテープInfo
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- JPH0419076A JPH0419076A JP12256390A JP12256390A JPH0419076A JP H0419076 A JPH0419076 A JP H0419076A JP 12256390 A JP12256390 A JP 12256390A JP 12256390 A JP12256390 A JP 12256390A JP H0419076 A JPH0419076 A JP H0419076A
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- TWDJIKFUVRYBJF-UHFFFAOYSA-N Cyanthoate Chemical compound CCOP(=O)(OCC)SCC(=O)NC(C)(C)C#N TWDJIKFUVRYBJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
一産業上の利用分野」
本発明は、新規なダイヤモンドラッピングテープに関す
るしのである。 ［従来の技術、１ 従来、ダイヤモンドラッピングテープとして、ベースフ
ィルムの表面に接着剤を介してダイヤモンド粒子を付着
させた構成のものが知られている。 また、ベースフィルムに電着を用いて金属層（例えばニ
ッケル層等）を形成し、該金属層の中にダイヤモンド粒
子を混入させた構成のものも知られている。 「発明が解決しようとする課題」 しかしながら、上記した従来のダイヤモンドラッピング
テープにあっては、以下の欠点があった。 ■ 接着剤を介し付着させたしのは、ベースフィルムに
対するダイヤモンド粒子の結合力か弱く耐久性か劣る。 ■ 接着剤等によって付着さ２−るダイヤモンド粒子は
、通常、高圧高温の特殊な条件下で作られるものであり
、第８図中Ａで示すｔｐ］＜表面の角部か丸みをわびや
古く、したかって研削性か悪い。 本発明は」二足事情に鑑みてなされｆこもので、耐久性
および研削性に優れるダイヤモンドラッピングテープを
提供することを目的とする。 １課題を解決するための手段２ 本発明では、６００°Ｃ以上の耐熱性および可撓性を有
するベースフィルムの表面に、気相合成法により析出さ
れたダイヤモンド粒子を備えてなることを特徴とする。 ７作用 気相合成法により析出されたダイヤモンド粒子は、ベー
スフィルムを構成する素材表面と強固に絡み付いた状態
で成長するため、並びに反応温度が６００〜１０００℃
と高（素材表面に炭素が拡散したりダイヤモンド粒子の
一部か素材に固溶する場合もあって、接触界面で炭化物
を形成するため、ベースフィルムに対し強い結合力をも
つ。 また、気相合成法によるダイヤモンド粒子は、成長過程
において、小さな核から序々に成長するものであり、先
端角部により多くダイヤモンドが析出し易いことから、
角部は鋭角的となる。したがって良好な研削性が得られ
る。 さらに、気相合成法によってダイヤモンド粒子を析出さ
せる場合には、条件設定が容易なことから、任意粒子径
のダイヤモンドが得られ、また、ベースフィルム上広範
囲に亙って同一条件を設定でき、粒子径および分布密度
が均一なダイヤモンド粒子をもつラッピングテープが得
易い。 例えば、Ｓｉ基板上にダイヤを合成した場合の面粗さは
Ｒａｇ、７ｍｍてこの基板で８１ウニ）Ｓ−を研削した
場合の面粗さはＲａ５０ｍｍ程度となる。 「実施例」 以下、本発明の一実施例を説明する。 本発明にかかるラッピングテープは、６００℃以上の耐
熱性および可撓性を有するベースフィルムの表面に、気
相合成法により析出されたダイヤモンド粒子を備えてな
る構成のものである。 ベースフィルムとしては、気相合成を行うときの温度に
耐え得る耐熱性、および取扱性を良好に行うための可撓
性、並びにある程度の強度を有する材料であることが条
件となる。 例えば、各種金属薄膜テープあるいはソート、炭素薄膜
素材、セラミックス、セラミックスファイバ等が該当す
る。また、ベースフィルムｌ厚さはごく薄く、ロール状
になり得る程度とするのが好ましい。ここで、金属薄膜
テープには、周期律表第ｒｖ、Ｖ、Ｖｌ族の金属（例え
ばタルタン）が望ましいが、モリブデン、タングステン
は、硬過ぎるため良好な可撓性が得られず使用には適さ
ない。 また、鉄、ニッケル、コバルトはカーボンを拡散する性
質があり、ダイヤモンドの成長が妨げられることが懸念
されるため使用には適さない。 また、セラミックスとしては、炭化ケイ素、窒化ケイ素
、炭化はう素、チタンカーバイド等があり、セラミック
スファイバとしてはガラス繊維等がある。 また、繊維品については単一素材にこだわらす縦糸１ｔ
と横糸ｂｔを異種材料で構成しく第２図参照）、縦糸ま
たは横糸のいずれかに優先的にダイヤを合成させ、チッ
プポケットの設置、ダイヤ密度コントロール、基材の柔
軟性向上を図るよう企図することもてきる。 気相合成法としては、後述するようなプラズマを利用し
たもの、熱電子を利用したもの、燃焼炎を利用したしの
等がある 上記構成のラッピングテープを第１図に示す。 図中１はベースフィルム、２はベースフィルム１上に析
出されたダイヤモンド粒子である。 気相合成法により析出されたダイヤモンド粒子２は、ベ
ースフィルム１を構成する素材表面と強固に絡み付いた
状態で成長するため、並びに反応温度が６００〜１００
０℃と高く素材表面に炭素か拡散したりダイヤモンド粒
子２の一部か素材に固溶する場合もあって、接触界面で
炭化物を形成するため、ベースフィルムｌに対し強い結
合力ヲモつ。 また、気相合成法によるダイヤモンド粒子２は、成長過
程において、小さな核から序々に成長するものであり、
先端角部により多く析出し易いことかろ、鋭角的な角部
をもつ（第８図に示す従来のダイヤモンド粒子Ａとの対
比から明らかとなる）。 し１こかって良好な研削性が得られる。 さらに、気相合成法によってダイヤモンド粒子２を析出
させる場合には、条件設定が容易であるから、任意粒子
径のダイヤモンドか得られ、また、ベースフィルムｌ上
広範囲に亙って同一条件を設定でき、粒子径および分布
密度が均一なダイヤモンド粒子２をもつラッピングテー
プか得られる。 第３図は上記構成のラッピングテープＴの使用例を示す
ものである。 ここでは、スローアウェイチップ５の角部５ａの面取り
作業にラッピングテープＴを利用した例を示す。 次に、上記したダイヤモンドラッピングテープの３つの
製造方法について説明する。
るしのである。 ［従来の技術、１ 従来、ダイヤモンドラッピングテープとして、ベースフ
ィルムの表面に接着剤を介してダイヤモンド粒子を付着
させた構成のものが知られている。 また、ベースフィルムに電着を用いて金属層（例えばニ
ッケル層等）を形成し、該金属層の中にダイヤモンド粒
子を混入させた構成のものも知られている。 「発明が解決しようとする課題」 しかしながら、上記した従来のダイヤモンドラッピング
テープにあっては、以下の欠点があった。 ■ 接着剤を介し付着させたしのは、ベースフィルムに
対するダイヤモンド粒子の結合力か弱く耐久性か劣る。 ■ 接着剤等によって付着さ２−るダイヤモンド粒子は
、通常、高圧高温の特殊な条件下で作られるものであり
、第８図中Ａで示すｔｐ］＜表面の角部か丸みをわびや
古く、したかって研削性か悪い。 本発明は」二足事情に鑑みてなされｆこもので、耐久性
および研削性に優れるダイヤモンドラッピングテープを
提供することを目的とする。 １課題を解決するための手段２ 本発明では、６００°Ｃ以上の耐熱性および可撓性を有
するベースフィルムの表面に、気相合成法により析出さ
れたダイヤモンド粒子を備えてなることを特徴とする。 ７作用 気相合成法により析出されたダイヤモンド粒子は、ベー
スフィルムを構成する素材表面と強固に絡み付いた状態
で成長するため、並びに反応温度が６００〜１０００℃
と高（素材表面に炭素が拡散したりダイヤモンド粒子の
一部か素材に固溶する場合もあって、接触界面で炭化物
を形成するため、ベースフィルムに対し強い結合力をも
つ。 また、気相合成法によるダイヤモンド粒子は、成長過程
において、小さな核から序々に成長するものであり、先
端角部により多くダイヤモンドが析出し易いことから、
角部は鋭角的となる。したがって良好な研削性が得られ
る。 さらに、気相合成法によってダイヤモンド粒子を析出さ
せる場合には、条件設定が容易なことから、任意粒子径
のダイヤモンドが得られ、また、ベースフィルム上広範
囲に亙って同一条件を設定でき、粒子径および分布密度
が均一なダイヤモンド粒子をもつラッピングテープが得
易い。 例えば、Ｓｉ基板上にダイヤを合成した場合の面粗さは
Ｒａｇ、７ｍｍてこの基板で８１ウニ）Ｓ−を研削した
場合の面粗さはＲａ５０ｍｍ程度となる。 「実施例」 以下、本発明の一実施例を説明する。 本発明にかかるラッピングテープは、６００℃以上の耐
熱性および可撓性を有するベースフィルムの表面に、気
相合成法により析出されたダイヤモンド粒子を備えてな
る構成のものである。 ベースフィルムとしては、気相合成を行うときの温度に
耐え得る耐熱性、および取扱性を良好に行うための可撓
性、並びにある程度の強度を有する材料であることが条
件となる。 例えば、各種金属薄膜テープあるいはソート、炭素薄膜
素材、セラミックス、セラミックスファイバ等が該当す
る。また、ベースフィルムｌ厚さはごく薄く、ロール状
になり得る程度とするのが好ましい。ここで、金属薄膜
テープには、周期律表第ｒｖ、Ｖ、Ｖｌ族の金属（例え
ばタルタン）が望ましいが、モリブデン、タングステン
は、硬過ぎるため良好な可撓性が得られず使用には適さ
ない。 また、鉄、ニッケル、コバルトはカーボンを拡散する性
質があり、ダイヤモンドの成長が妨げられることが懸念
されるため使用には適さない。 また、セラミックスとしては、炭化ケイ素、窒化ケイ素
、炭化はう素、チタンカーバイド等があり、セラミック
スファイバとしてはガラス繊維等がある。 また、繊維品については単一素材にこだわらす縦糸１ｔ
と横糸ｂｔを異種材料で構成しく第２図参照）、縦糸ま
たは横糸のいずれかに優先的にダイヤを合成させ、チッ
プポケットの設置、ダイヤ密度コントロール、基材の柔
軟性向上を図るよう企図することもてきる。 気相合成法としては、後述するようなプラズマを利用し
たもの、熱電子を利用したもの、燃焼炎を利用したしの
等がある 上記構成のラッピングテープを第１図に示す。 図中１はベースフィルム、２はベースフィルム１上に析
出されたダイヤモンド粒子である。 気相合成法により析出されたダイヤモンド粒子２は、ベ
ースフィルム１を構成する素材表面と強固に絡み付いた
状態で成長するため、並びに反応温度が６００〜１００
０℃と高く素材表面に炭素か拡散したりダイヤモンド粒
子２の一部か素材に固溶する場合もあって、接触界面で
炭化物を形成するため、ベースフィルムｌに対し強い結
合力ヲモつ。 また、気相合成法によるダイヤモンド粒子２は、成長過
程において、小さな核から序々に成長するものであり、
先端角部により多く析出し易いことかろ、鋭角的な角部
をもつ（第８図に示す従来のダイヤモンド粒子Ａとの対
比から明らかとなる）。 し１こかって良好な研削性が得られる。 さらに、気相合成法によってダイヤモンド粒子２を析出
させる場合には、条件設定が容易であるから、任意粒子
径のダイヤモンドか得られ、また、ベースフィルムｌ上
広範囲に亙って同一条件を設定でき、粒子径および分布
密度が均一なダイヤモンド粒子２をもつラッピングテー
プか得られる。 第３図は上記構成のラッピングテープＴの使用例を示す
ものである。 ここでは、スローアウェイチップ５の角部５ａの面取り
作業にラッピングテープＴを利用した例を示す。 次に、上記したダイヤモンドラッピングテープの３つの
製造方法について説明する。
第４図はプラズマを利用した製造方法の−っであるマイ
クロ波プラズマ法の概略構成を示すものである。 １１で示す石英製の反応管の内部にベースフィルム１を
配置し、反応管１１内をプランジャ１２によって真空に
保つ。そして、反応管１１内に反応ガスを供給し、マグ
ネトロン１３て発生したマイクロ波を導波管１４を介し
て反応管１１内に導く。ベースフィルム１は、第４図に
示すように反応管１１を挟むようその両側に配置したボ
ヒン１５ １５に巻回されており、ダイヤモンド粒子の
析出状況に応じて連続的に反応管ｌｌ内に供給されるよ
うになっている。 反応条件 使用するマイクロ波・・ ２．４５ＧＨｚマイクロ波の
入力 ・−３００〜５００１゜反応ガス ・
Ｈ２＋ ＣＨ４（Ｃｉ（４の濃度は０５〜１％） 全ガス量 ・・ １１００５ＣＣＣ反応管の直
径か４０〜５０ｍｍの場合） 真空度 ３０〜４０Ｔｏｒｒこの条件下
てベースフィルムの温度か８００−１０００℃となり、
ダイヤモンド粒子２か析出される。 なお、プラズマを利用した他の製造方法としてよ、高周
波プラズマ法、アークプラズマ法等がある。
クロ波プラズマ法の概略構成を示すものである。 １１で示す石英製の反応管の内部にベースフィルム１を
配置し、反応管１１内をプランジャ１２によって真空に
保つ。そして、反応管１１内に反応ガスを供給し、マグ
ネトロン１３て発生したマイクロ波を導波管１４を介し
て反応管１１内に導く。ベースフィルム１は、第４図に
示すように反応管１１を挟むようその両側に配置したボ
ヒン１５ １５に巻回されており、ダイヤモンド粒子の
析出状況に応じて連続的に反応管ｌｌ内に供給されるよ
うになっている。 反応条件 使用するマイクロ波・・ ２．４５ＧＨｚマイクロ波の
入力 ・−３００〜５００１゜反応ガス ・
Ｈ２＋ ＣＨ４（Ｃｉ（４の濃度は０５〜１％） 全ガス量 ・・ １１００５ＣＣＣ反応管の直
径か４０〜５０ｍｍの場合） 真空度 ３０〜４０Ｔｏｒｒこの条件下
てベースフィルムの温度か８００−１０００℃となり、
ダイヤモンド粒子２か析出される。 なお、プラズマを利用した他の製造方法としてよ、高周
波プラズマ法、アークプラズマ法等がある。
第６図は熱電子を利用した製造方法の一つの概略構成を
示すものである。 この製造方法では、電気炉２０内に反応管２１を設け、
該反応管２１の中にタングステン線をコイル状に巻いて
フィラメント２２として設置し、ベースフィルム１をそ
の下方例えば数〜数十ミリメートル離れた位置に、支持
台２３により支持させて配置する。また、反応管２１内
を真空に保ち、反応ガスを供給する。そして、フィラメ
ント２２１４電流を流してベースフィルムｌを加熱する
。 反応条件 フィラメントの温度・・・ ２０００°Ｃ反応ガス
・ Ｈ７二ＣＨ。 （ＣＨ，の濃度は０．５〜２％） 真空度 −５−３０Ｔｏｒｒこの条件下でベ
ースフィルム１の温度か７００〜１０００°Ｃとなり、
ダイヤモンド粒子２が析出される。 なお、２４は熱電対である。
示すものである。 この製造方法では、電気炉２０内に反応管２１を設け、
該反応管２１の中にタングステン線をコイル状に巻いて
フィラメント２２として設置し、ベースフィルム１をそ
の下方例えば数〜数十ミリメートル離れた位置に、支持
台２３により支持させて配置する。また、反応管２１内
を真空に保ち、反応ガスを供給する。そして、フィラメ
ント２２１４電流を流してベースフィルムｌを加熱する
。 反応条件 フィラメントの温度・・・ ２０００°Ｃ反応ガス
・ Ｈ７二ＣＨ。 （ＣＨ，の濃度は０．５〜２％） 真空度 −５−３０Ｔｏｒｒこの条件下でベ
ースフィルム１の温度か７００〜１０００°Ｃとなり、
ダイヤモンド粒子２が析出される。 なお、２４は熱電対である。
第７図は燃焼炎を利用した製造方法の一つの概略構成を
示すしのである。 この製造方法では、水パイプ３０の下面にベースフィル
ム１を固定し、水パイプ３０内に冷却水を流しながら、
バーナー３１から生ずる燃焼炎３２の内炎３２ａをベー
スフィルムｌの表面に当てる。 反応条件は・・Ｃ２Ｈ２十０２ （濃度は１：１）の燃
焼ガスとする。この条件下でベースフィルムｌの温度が
６００〜１１００℃となり、ダイヤモンド粒子か析出さ
れた。 なお、本発明の実施に用いるヘースーフイルム１ま幅の
広い布状のものに限られることなく、幅の狭い紐状のも
のにも適用可能である。幅の狭い紐状のものの場合穴の
内面加工にし利用できる。 １発明の詳細 な説明したように本発明によれば、ダイヤモノト粒子：
Ｊヘースフイルノーに対し強い結合力を右。 つから耐久性に優れる。よに、気相合成法によるダイヤ
センｌ−粒子は、鋭角的な角部をもつため研削性に優れ
る等の優れた効果を奏する。
示すしのである。 この製造方法では、水パイプ３０の下面にベースフィル
ム１を固定し、水パイプ３０内に冷却水を流しながら、
バーナー３１から生ずる燃焼炎３２の内炎３２ａをベー
スフィルムｌの表面に当てる。 反応条件は・・Ｃ２Ｈ２十０２ （濃度は１：１）の燃
焼ガスとする。この条件下でベースフィルムｌの温度が
６００〜１１００℃となり、ダイヤモンド粒子か析出さ
れた。 なお、本発明の実施に用いるヘースーフイルム１ま幅の
広い布状のものに限られることなく、幅の狭い紐状のも
のにも適用可能である。幅の狭い紐状のものの場合穴の
内面加工にし利用できる。 １発明の詳細 な説明したように本発明によれば、ダイヤモノト粒子：
Ｊヘースフイルノーに対し強い結合力を右。 つから耐久性に優れる。よに、気相合成法によるダイヤ
センｌ−粒子は、鋭角的な角部をもつため研削性に優れ
る等の優れた効果を奏する。
第１図は発明にかかるダイヤモンドラッピングテープの
要部拡大平面図、第２図はベースフィルムの一例を示す
拡大図、第３図はダイヤモンドラッピングテープの使用
例を示す側断面図、第４図はダイヤモンドラッピングテ
ープの製造方法の−・例を示す側面図、第５図：」第４
図の＼／−Ｖ線にｌａう断面図、第６図はダイヤモンド
ラッピングテープの製造方法の他の例を示す側面図、第
７図はダイヤモンドラッピングテープの製造方法のさら
に他の例を示す側面図である。 第８図は従来のダイヤモンドラッピングテープを製造す
る際に用いられるダイヤモンド粒子の拡大図である。 ｌ・・・・・ベースフィルム ２・・・・ダイヤモンド粒子 ・・・ダイヤモンドラッピングテープ
要部拡大平面図、第２図はベースフィルムの一例を示す
拡大図、第３図はダイヤモンドラッピングテープの使用
例を示す側断面図、第４図はダイヤモンドラッピングテ
ープの製造方法の−・例を示す側面図、第５図：」第４
図の＼／−Ｖ線にｌａう断面図、第６図はダイヤモンド
ラッピングテープの製造方法の他の例を示す側面図、第
７図はダイヤモンドラッピングテープの製造方法のさら
に他の例を示す側面図である。 第８図は従来のダイヤモンドラッピングテープを製造す
る際に用いられるダイヤモンド粒子の拡大図である。 ｌ・・・・・ベースフィルム ２・・・・ダイヤモンド粒子 ・・・ダイヤモンドラッピングテープ
Claims (1)
- ６００℃以上の耐熱性および可撓性を有するベースフィ
ルムの表面に、気相合成法により析出されたダイヤモン
ド粒子を備えてなるダイヤモンドラッピングテープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12256390A JPH0419076A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | ダイヤモンドラッピングテープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12256390A JPH0419076A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | ダイヤモンドラッピングテープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0419076A true JPH0419076A (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14838989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12256390A Pending JPH0419076A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | ダイヤモンドラッピングテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0419076A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996005942A1 (en) * | 1994-08-24 | 1996-02-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article having a diamond-like coating layer and method |
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1990
- 1990-05-11 JP JP12256390A patent/JPH0419076A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996005942A1 (en) * | 1994-08-24 | 1996-02-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article having a diamond-like coating layer and method |
| US5551959A (en) * | 1994-08-24 | 1996-09-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article having a diamond-like coating layer and method for making same |
| US5707409A (en) * | 1994-08-24 | 1998-01-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article having a diamond-like coating layer and method for making same |
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