JPH04188734A - 半導体装置のバンプレベリング方法 - Google Patents
半導体装置のバンプレベリング方法Info
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- JPH04188734A JPH04188734A JP31906490A JP31906490A JPH04188734A JP H04188734 A JPH04188734 A JP H04188734A JP 31906490 A JP31906490 A JP 31906490A JP 31906490 A JP31906490 A JP 31906490A JP H04188734 A JPH04188734 A JP H04188734A
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- semiconductor
- stopper
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法、とくに電極部に形成し
たバンプ電極のレベリング方法に関する。
たバンプ電極のレベリング方法に関する。
従来の技術
以下、従来の半導体装置のバンプレベリング方法につい
て説明する。第５図（ａ）は従来の半導体装置のバンプ
レベリング方法の概略図で、１は半導体スライス、２は
バンプ電極、３は半導体スライスを載せる固定台、４は
ストッパー、５は加圧治具である。
て説明する。第５図（ａ）は従来の半導体装置のバンプ
レベリング方法の概略図で、１は半導体スライス、２は
バンプ電極、３は半導体スライスを載せる固定台、４は
ストッパー、５は加圧治具である。
従来は半導体スライス上のバンプ電極の高さを均一化す
るために、半導体スライスを載せる固定台の周囲に固定
台の高さよりも半導体スライスの厚みとバンプの設定高
さを加えた距離だけ高いストッパーを設置し、加工治具
で圧縮する際に加工治具がさらに半導体スライス上のバ
ンプを圧縮することを防ぐとともに半導体スライス上の
複数のバンプの高さを均一にしていた。
るために、半導体スライスを載せる固定台の周囲に固定
台の高さよりも半導体スライスの厚みとバンプの設定高
さを加えた距離だけ高いストッパーを設置し、加工治具
で圧縮する際に加工治具がさらに半導体スライス上のバ
ンプを圧縮することを防ぐとともに半導体スライス上の
複数のバンプの高さを均一にしていた。
発明が解決しようとする課題
上記の従来の方法においては、複数の半導体スライス上
のバンプ電極の高さの均一化を行なう際に各々の半導体
スライスの厚みがばらついているために、加圧治具でバ
ンプを加圧しても半導体スライスの表面上のバンプ電極
の高さが各々の半導体スライスによってばらついてしま
い、たとえば第５図（ｂ）のごとく、バンプを押さえ過
ぎたり、または第５図（Ｃ）のごと（電極の一部が接続
されないコンタクト不良が発生したりして、生産性１品
質上の問題を有していた。本発明は常に、均一にしベリ
ングしたバンプを得る方法を提供することを目的として
いる。
のバンプ電極の高さの均一化を行なう際に各々の半導体
スライスの厚みがばらついているために、加圧治具でバ
ンプを加圧しても半導体スライスの表面上のバンプ電極
の高さが各々の半導体スライスによってばらついてしま
い、たとえば第５図（ｂ）のごとく、バンプを押さえ過
ぎたり、または第５図（Ｃ）のごと（電極の一部が接続
されないコンタクト不良が発生したりして、生産性１品
質上の問題を有していた。本発明は常に、均一にしベリ
ングしたバンプを得る方法を提供することを目的として
いる。
課題を解決するための手段
本発明では半導体スライス上のバンプ高さを均一化する
ために、各々の半導体スライスの厚さに応じて、ストッ
パーまたは固定台の高さを調整し、ストッパーから半導
体スライス表面までの距離を一定にする。
ために、各々の半導体スライスの厚さに応じて、ストッ
パーまたは固定台の高さを調整し、ストッパーから半導
体スライス表面までの距離を一定にする。
作用
本発明によるレベリング方法によれば半導体スライスの
厚さに応じてストッパーまたは固定台の高さを調整し、
加圧治具の加圧面と半導体表面の間の距離を一定に保つ
ことができる。したがって、複数の半導体スライスにつ
いて、厚さが微妙に異なっていても、半導体スライスと
バンプ電極頭頂部との間の距離を均一にする。
厚さに応じてストッパーまたは固定台の高さを調整し、
加圧治具の加圧面と半導体表面の間の距離を一定に保つ
ことができる。したがって、複数の半導体スライスにつ
いて、厚さが微妙に異なっていても、半導体スライスと
バンプ電極頭頂部との間の距離を均一にする。
実施例
第１図は本発明の一実施例を示す概略図である。
図において、１は半導体スライス、２はバンプ電極、３
は半導体スライスを載せる固定台、４はストッパー、５
は加圧治具である。
は半導体スライスを載せる固定台、４はストッパー、５
は加圧治具である。
第２図は本発明の実施例の側面図である。図において、
１はストッパーの高さ、ｍは固定台の高さ、ｎは半導体
スライスの平均の厚さである。
１はストッパーの高さ、ｍは固定台の高さ、ｎは半導体
スライスの平均の厚さである。
さらに、本実施例におけるバンプレベリング方法では、
高さが２９．９８ｍ＋＋１１のストッパＡと高さが２９
．９９ｍのストッパーＢ１高さが３０．ＯＯｗのストッ
パーＣ１高さが３０．０１ｗｎのストッパーＤと高さが
２９．５５５ｎｍｌの固定台１、高さが２９．５５０−
の固定台２を用意している。
高さが２９．９８ｍ＋＋１１のストッパＡと高さが２９
．９９ｍのストッパーＢ１高さが３０．ＯＯｗのストッ
パーＣ１高さが３０．０１ｗｎのストッパーＤと高さが
２９．５５５ｎｍｌの固定台１、高さが２９．５５０−
の固定台２を用意している。
半導体スライスの厚さｎは標準で４００μｍであるが１
２０μｍの範囲でばらつきが生じていることがわかって
いる。そこで本実施例の目的はバンプ電極の高さを４０
．ｃｚｍから５ｏμｍの範囲にして均一にすることであ
る。
２０μｍの範囲でばらつきが生じていることがわかって
いる。そこで本実施例の目的はバンプ電極の高さを４０
．ｃｚｍから５ｏμｍの範囲にして均一にすることであ
る。
以下、本方法による実施例の動作を第３図、第４図を用
いて説明する。第３図は平均の厚さｎが４００μｍの標
準的な半導体スライス上のバンプ電極を本方法によって
レベリングしているところを示している。半導体スライ
ス上のバンプ電極をレベリングしてずへてのバンプの高
さを４０μｍから５０μｍの間のある値で均一にするた
めにはストッパーの高さ１と固定台の高さｍの差を４４
０μｍから４５０μｍの間に設定する必要がある。
いて説明する。第３図は平均の厚さｎが４００μｍの標
準的な半導体スライス上のバンプ電極を本方法によって
レベリングしているところを示している。半導体スライ
ス上のバンプ電極をレベリングしてずへてのバンプの高
さを４０μｍから５０μｍの間のある値で均一にするた
めにはストッパーの高さ１と固定台の高さｍの差を４４
０μｍから４５０μｍの間に設定する必要がある。
本実施例では、４つのストッパーのうち高さが３０、Ｏ
ＯｍのストッパーＢと高さが２９．５５５−の固定台Ａ
を選択することによって、ストッパーの高さ１と固定台
の高さｍの差を４４５μｍに設定している。この状態で
固定台の上に半導体スライスを載せて上方から加圧治具
によって加圧すれば、半導体スライス上の高さが異なる
全てのバンプ電極を高さ４５μｍで均一にすることがで
きる。
ＯｍのストッパーＢと高さが２９．５５５−の固定台Ａ
を選択することによって、ストッパーの高さ１と固定台
の高さｍの差を４４５μｍに設定している。この状態で
固定台の上に半導体スライスを載せて上方から加圧治具
によって加圧すれば、半導体スライス上の高さが異なる
全てのバンプ電極を高さ４５μｍで均一にすることがで
きる。
次に、第３図の実施例とは半導体スライスの平均厚さが
異なる場合の実施例を示す。
異なる場合の実施例を示す。
第４図は平均の厚さが３８５μｍの半導体スライス上の
バンプ電極を本方法によってレベリングしているところ
を示している。平均厚さｎが３８５μｍの半導体スライ
ス上のバンプ電極の高さを４０μｍから５０μｍの間の
値で均一にするために高さが２９．９８＋ａｍのストッ
パーＡと高さが２９．５５０■の固定台２を使用して、
ストッパーの高さ１と固定台の高さｍの差を４３０μｍ
に設定している。
バンプ電極を本方法によってレベリングしているところ
を示している。平均厚さｎが３８５μｍの半導体スライ
ス上のバンプ電極の高さを４０μｍから５０μｍの間の
値で均一にするために高さが２９．９８＋ａｍのストッ
パーＡと高さが２９．５５０■の固定台２を使用して、
ストッパーの高さ１と固定台の高さｍの差を４３０μｍ
に設定している。
この設定に固定台とストッパーを交換して第２図の例と
同様に加圧治具で加圧することでバンプ電極の高さを４
５μｍで均一にレベリングすることができる。
同様に加圧治具で加圧することでバンプ電極の高さを４
５μｍで均一にレベリングすることができる。
このようにして、この実施例で示した以外でも約３７５
μｍ〜４１５μｍの範囲で半導体スライスの平均の厚さ
が異なっていてもストッパーと固定台を複数用意するこ
とで、バンプ電極の高さを４０μｍから５０μｍの範囲
の値で均一にすることができる。なお半導体スライス上
のバンプ高さをある範囲の中の値に均一にする方法とし
ては本実施例の他に固定台またはストッパーだけを交換
してもよいし固定台、ストッパーを交換しないで油圧装
置等によって、固定台、ストッパーの高さを連続的に変
えてもよい。
μｍ〜４１５μｍの範囲で半導体スライスの平均の厚さ
が異なっていてもストッパーと固定台を複数用意するこ
とで、バンプ電極の高さを４０μｍから５０μｍの範囲
の値で均一にすることができる。なお半導体スライス上
のバンプ高さをある範囲の中の値に均一にする方法とし
ては本実施例の他に固定台またはストッパーだけを交換
してもよいし固定台、ストッパーを交換しないで油圧装
置等によって、固定台、ストッパーの高さを連続的に変
えてもよい。
発明の効果
本発明は半導体装置のバンプレベリング製造装置におい
てストッパー、固定台の高さを調整することによって、
半導体スライス上のバンプの高さを複数の半導体スライ
スにわたって均一にすることを可能にした。
てストッパー、固定台の高さを調整することによって、
半導体スライス上のバンプの高さを複数の半導体スライ
スにわたって均一にすることを可能にした。
第１図は本発明の一実施例で使用される装置の断面図、
第２図〜第４図は本実施例を説明するための工程断面図
、第５図（ａ）〜第５図（Ｃ）は従来方法を示す断面図
である。 １・・・・・・半導体スライス、２・・・・・・バンプ
電極、３・・・・・・固定台、４・・・・・・ストッパ
ー、５・・・・・・加圧治具。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名第１ 図１
−半導体スライス ４− 又トラパー２−づマンア電オ
＆５−−−力ロ圧泊具３−−−１ｉ１定台 第２図 第３図 第５図
第２図〜第４図は本実施例を説明するための工程断面図
、第５図（ａ）〜第５図（Ｃ）は従来方法を示す断面図
である。 １・・・・・・半導体スライス、２・・・・・・バンプ
電極、３・・・・・・固定台、４・・・・・・ストッパ
ー、５・・・・・・加圧治具。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名第１ 図１
−半導体スライス ４− 又トラパー２−づマンア電オ
＆５−−−力ロ圧泊具３−−−１ｉ１定台 第２図 第３図 第５図
Claims (1)
- ワイヤーボンダーを用いて半導体装置のバンプ電極を形
成した半導体スライス上の複数のバンプ電極の高さを個
々の半導体スライスの異なる厚さに応じて治具を交換す
ることにより寸法調整し均一の高さに成形することを特
徴とする半導体装置のバンプレベリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31906490A JPH04188734A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置のバンプレベリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31906490A JPH04188734A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置のバンプレベリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188734A true JPH04188734A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18106099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31906490A Pending JPH04188734A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置のバンプレベリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994003921A3 (en) * | 1992-07-30 | 1994-04-14 | Minnesota Mining & Mfg | Planarizing bumps for interconnecting matching arrays of electrodes |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31906490A patent/JPH04188734A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994003921A3 (en) * | 1992-07-30 | 1994-04-14 | Minnesota Mining & Mfg | Planarizing bumps for interconnecting matching arrays of electrodes |
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