JPH0418766A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH0418766A JPH0418766A JP2121135A JP12113590A JPH0418766A JP H0418766 A JPH0418766 A JP H0418766A JP 2121135 A JP2121135 A JP 2121135A JP 12113590 A JP12113590 A JP 12113590A JP H0418766 A JPH0418766 A JP H0418766A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分！！ＩＦ］
本発明は半導体受光素子に関し、詳しくは超格子構造を
利用し、一定の波長域に対応し得る半導体受光素子に関
する。
利用し、一定の波長域に対応し得る半導体受光素子に関
する。
［従来の技術］
最近の光情報処理に必要な光検出デバイスには光波長領
域の広がりとともに高感度化、高速応答性や２次元処理
、信頼性、簡便化の要求を満たす必要性が高くなってい
る。これらの要求に応えるために、かっての光電池、光
電子倍増管等から半導体受光素子等が盛んに用いられる
ようになってきている。
域の広がりとともに高感度化、高速応答性や２次元処理
、信頼性、簡便化の要求を満たす必要性が高くなってい
る。これらの要求に応えるために、かっての光電池、光
電子倍増管等から半導体受光素子等が盛んに用いられる
ようになってきている。
このような半導体受光素子として、Ｇａ ＡｓやＩｎＧ
ａＡｓ等の半導体が提案されている。
ａＡｓ等の半導体が提案されている。
しかしながら、これらの半導体受光素子は第１図の半導
体エネルギーバンド図に示されるように、半導体基材の
有するエネルギーギャップＥｇｌ−Ｅｃ −Ｅｖ （
Ｅｃ ：伝導帯エネルギー Ｅｖ：価電子帯エネルギー
）よりも大きなエネルギー（ｈν＞Ｅｇｌ ・・・
■）、つまり■式で決まる波長よりも短い波長の光につ
いてのみ感度を有する。
体エネルギーバンド図に示されるように、半導体基材の
有するエネルギーギャップＥｇｌ−Ｅｃ −Ｅｖ （
Ｅｃ ：伝導帯エネルギー Ｅｖ：価電子帯エネルギー
）よりも大きなエネルギー（ｈν＞Ｅｇｌ ・・・
■）、つまり■式で決まる波長よりも短い波長の光につ
いてのみ感度を有する。
従って、■式で決まる波長よりも長い波長の光に感度を
有する受光素子を作製するには、より小さなエネルギー
ギャップ（Ｅｇ ２ ＜Ｅｇ １ ）の半導体基材を用
意する必要があり、そのために新に原料、装置、作製条
件や方法を求めなければならない。
有する受光素子を作製するには、より小さなエネルギー
ギャップ（Ｅｇ ２ ＜Ｅｇ １ ）の半導体基材を用
意する必要があり、そのために新に原料、装置、作製条
件や方法を求めなければならない。
また受光素子の最適または最大感度およびその半値全幅
は半導体基材そのものでほぼ決定され設計の自由度が少
ない。
は半導体基材そのものでほぼ決定され設計の自由度が少
ない。
一方、甲導体として多重量子井戸型超格子構造を有する
ものが提案されている。ここでいう多重量−ｒ井戸型超
格子構造とは、異なる ２種類以上の半導体薄膜を同一
周期で繰り返し積み重ねて得られ、第２図に示されるよ
うな量子（ポテンシャル）月戸層（１３）と障壁層（Ａ
）を有する量子井戸構造を持−つものである。同図にお
いＣ，，，Ｌ２は量子井戸層の巾、Ｌ８は障壁層の厚み
を示し、またΔＥｃ、ΔＥνは伝導帯、価電子帯の障壁
の高さ（エネルギーバンドの不連続の大きさ）をそれぞ
れ示す。このような多重量子井戸型超格子構造を有する
゛１′導体の一例としてＧａ ＡｓとＡノｘＧａ１−Ｘ
ＡＳとのへテロ接合からなるものがある。
ものが提案されている。ここでいう多重量−ｒ井戸型超
格子構造とは、異なる ２種類以上の半導体薄膜を同一
周期で繰り返し積み重ねて得られ、第２図に示されるよ
うな量子（ポテンシャル）月戸層（１３）と障壁層（Ａ
）を有する量子井戸構造を持−つものである。同図にお
いＣ，，，Ｌ２は量子井戸層の巾、Ｌ８は障壁層の厚み
を示し、またΔＥｃ、ΔＥνは伝導帯、価電子帯の障壁
の高さ（エネルギーバンドの不連続の大きさ）をそれぞ
れ示す。このような多重量子井戸型超格子構造を有する
゛１′導体の一例としてＧａ ＡｓとＡノｘＧａ１−Ｘ
ＡＳとのへテロ接合からなるものがある。
この多重量子井戸型超格子構造を有する半導体は、次の
ようにして得られるものである。なお、この゛ｔ’導体
において、ＡＪ’ １−ｘ Ｇａ ｘ ＡｓのＸを０．
３とし、たちのである。
ようにして得られるものである。なお、この゛ｔ’導体
において、ＡＪ’ １−ｘ Ｇａ ｘ ＡｓのＸを０．
３とし、たちのである。
すなイっち、上述した第２図において、半導体基材Ａ
（Ａ Ｊ ｏ、 Ｇａ ｏ、 Ａｓ ）と半導体基
材Ｂ（Ｇａ Ａｓ ）とを各々厚みＬＢ（３０ｎｒｒｌ
以−］二）Ｌ ｚ （１０ｎ＋＋＋以下）にとり交互に
積層すると、Ｂ部に形成される量子井戸層内に、Ｂ （
Ｇａ Ａｓ ）部の伝導帯底より、 ΔＥ、（ｈ２／ ２ｍ″）（πｎ／Ｌｚ ） ２ （ｒ
］＝ １．、 ２． ３．・・・） なるエネルギー位置にザブバンドが形成される。
（Ａ Ｊ ｏ、 Ｇａ ｏ、 Ａｓ ）と半導体基
材Ｂ（Ｇａ Ａｓ ）とを各々厚みＬＢ（３０ｎｒｒｌ
以−］二）Ｌ ｚ （１０ｎ＋＋＋以下）にとり交互に
積層すると、Ｂ部に形成される量子井戸層内に、Ｂ （
Ｇａ Ａｓ ）部の伝導帯底より、 ΔＥ、（ｈ２／ ２ｍ″）（πｎ／Ｌｚ ） ２ （ｒ
］＝ １．、 ２． ３．・・・） なるエネルギー位置にザブバンドが形成される。
ここでΔＥはエネルギー固有値、ｍｌは電子の有効質量
、ｈはブランク定数である。また、量子井戸層の価電子
帯側にも同様のサブハンドが形成される。
、ｈはブランク定数である。また、量子井戸層の価電子
帯側にも同様のサブハンドが形成される。
ｎ−１なるレベルΔＥ１に電ｒが充満した状態、例えば
Ｇａ Ａｓの量子井戸層にｎ型の不純物５ｔＳｎ、Ｓｃ
等を１０”ｃｍ−３以上の密度でドーピングし、熱エネ
ルギーによりΔＥルベルに多数の電子が存在する状態に
おいて、ΔＥｃ（０，３ｅＶ）よりエネルギーの大きい
光（波長く ４μｍ）を照射するとΔＥルベルの電子は
Ａの量子障壁層を超えて励起され自由電子となり、外部
電界を印加することにより電流信号とＩ−でとり出せる
。
Ｇａ Ａｓの量子井戸層にｎ型の不純物５ｔＳｎ、Ｓｃ
等を１０”ｃｍ−３以上の密度でドーピングし、熱エネ
ルギーによりΔＥルベルに多数の電子が存在する状態に
おいて、ΔＥｃ（０，３ｅＶ）よりエネルギーの大きい
光（波長く ４μｍ）を照射するとΔＥルベルの電子は
Ａの量子障壁層を超えて励起され自由電子となり、外部
電界を印加することにより電流信号とＩ−でとり出せる
。
この場合の光吸収係数の光波長スペクトラムが第３図に
示されるピークである。同図に示されるｊこうに、 ］
、０７１ｍ未満のＧａ Ａｓの光吸収に加えて、４．０
１ｚｍ近傍に光吸収のピークが見られる。
示されるピークである。同図に示されるｊこうに、 ］
、０７１ｍ未満のＧａ Ａｓの光吸収に加えて、４．０
１ｚｍ近傍に光吸収のピークが見られる。
このピーク半値全幅はＧａ ＡＳ ｆＡ量子井戸層１〜
２個の場合であり、多数の同−量子井戸層を形成するこ
とにより、ピーク半値全幅は狭められる。
２個の場合であり、多数の同−量子井戸層を形成するこ
とにより、ピーク半値全幅は狭められる。
本発明の目的は、半導体基材（Ｇａ Ａｓ ）のエネル
ギーギャップに相当する光波長（光吸収端）よりも長い
所定の波長域（λ≧０．９μｌ１１）に対応することが
でき得る半導体受光素子を提供することにある。
ギーギャップに相当する光波長（光吸収端）よりも長い
所定の波長域（λ≧０．９μｌ１１）に対応することが
でき得る半導体受光素子を提供することにある。
［課題を解決するだめの手段］
本発明の上記］」的は２種類以上の半導体基材薄膜を交
互に積層して作成される超格子構造を形成する半導体薄
膜の組成割合を特定することによって達成される。
互に積層して作成される超格子構造を形成する半導体薄
膜の組成割合を特定することによって達成される。
すなわち本発明の半導体受光素子は、超格子構造を形成
する半導体薄膜の組成割合を特定することにより、障壁
層の高さを調整し、伝導帯障壁層の高さに相当するエネ
ルギーギャップを光吸収領域として使用したことを特徴
とする。
する半導体薄膜の組成割合を特定することにより、障壁
層の高さを調整し、伝導帯障壁層の高さに相当するエネ
ルギーギャップを光吸収領域として使用したことを特徴
とする。
本発明に用いられる超格子構造とは、上述のように異な
る ２種類以上の半導体薄膜を積み重ねて得られ、第２
図に示されるような量子井戸層と障壁層を有する多重量
子井戸型構造を持つものである。
る ２種類以上の半導体薄膜を積み重ねて得られ、第２
図に示されるような量子井戸層と障壁層を有する多重量
子井戸型構造を持つものである。
この多重量子井戸型超格子構造を構成する半導体基材は
２種以上の半導体によるヘテロ接合である。また、ここ
で用いられる半導体としてはＧａＡｓ 、Ａ、ｆＡｓ
、、ＡＪｘ Ｇａ ＋−ｘ Ａｓ ％ Ｉｎ ｘＧ
ａ ＋−ｘ Ａ Ｓ等の周期律表第■族と第Ｖ族の組合
せ、Ｚｎ Ｓｅ 、Ｚｎ Ｔｅ等の周期律表第■族と第
Ｖ族の組合せ、Ｇｅ Ｓｅ 、Ｐ１〕Ｔｅ等の周期律表
第■族と第Ｖ族の組合せ、もしくはＧ ｅ ％ Ｓ ＋
といった単一元素半導体が挙げられる。また、これら
の半導体は、ドナーやアクセプターといった不純物をド
ーピングしたｎ型またはｐ型、もしくはアンドープのｉ
型が適宜選択される。
２種以上の半導体によるヘテロ接合である。また、ここ
で用いられる半導体としてはＧａＡｓ 、Ａ、ｆＡｓ
、、ＡＪｘ Ｇａ ＋−ｘ Ａｓ ％ Ｉｎ ｘＧ
ａ ＋−ｘ Ａ Ｓ等の周期律表第■族と第Ｖ族の組合
せ、Ｚｎ Ｓｅ 、Ｚｎ Ｔｅ等の周期律表第■族と第
Ｖ族の組合せ、Ｇｅ Ｓｅ 、Ｐ１〕Ｔｅ等の周期律表
第■族と第Ｖ族の組合せ、もしくはＧ ｅ ％ Ｓ ＋
といった単一元素半導体が挙げられる。また、これら
の半導体は、ドナーやアクセプターといった不純物をド
ーピングしたｎ型またはｐ型、もしくはアンドープのｉ
型が適宜選択される。
この多重量子井戸型超格子構造は、分子線エビタキシー
（ＭＢＥ）や有機金属気相たい積（ＭＯＣＶＤ）法によ
ってｊＬＩられるか、特にガスセルを用いるガスソース
Ｍ Ｂ Ｅによって得られたものが皮ＩＩ々の安定性、
均−性等から好ましく採用される。
（ＭＢＥ）や有機金属気相たい積（ＭＯＣＶＤ）法によ
ってｊＬＩられるか、特にガスセルを用いるガスソース
Ｍ Ｂ Ｅによって得られたものが皮ＩＩ々の安定性、
均−性等から好ましく採用される。
本定明では、これらの半導体薄膜の組成割合を特定する
。この組成割合を特定するには、上記したＭＢＥ法等に
よる半導体薄膜の成長時に、各半導体薄膜原料の供給量
を制御することによりなされる。
。この組成割合を特定するには、上記したＭＢＥ法等に
よる半導体薄膜の成長時に、各半導体薄膜原料の供給量
を制御することによりなされる。
以下、本発明の内容をさらに詳細に示す。
先ず、半導体基材Ａ （ＡＪ＋−Ｇａ 、Ａｓ ）と゛
↑′導体基＋４８（ＧａＡｓ）を用い、多重量子井戸型
超格子構造を製造する際に、半導体基材ＡにおけるＡ、
ｆ＋Ｇａに対するＧａの組成割合（ｘ）を０８とすると
第４図に示されるようなエネルギー帯図となり、伝導帯
障壁層の高さに相当するエネルギーギャップ（ΔＥｃ）
が０゜Ｇ ｃＶとなり、定波長の入射光によって伝動帯
井戸層のサブレベルに位置する電子は伝導帯障壁層を超
えて自由電子に遷移する。すなイつち、ΔＥｃが０．８
ｅＶのときには光吸収係数の光波長スペクトラムは第
５図に示されるように、波長２．０μｍ近傍で鋭角的な
ピークが得られる。
↑′導体基＋４８（ＧａＡｓ）を用い、多重量子井戸型
超格子構造を製造する際に、半導体基材ＡにおけるＡ、
ｆ＋Ｇａに対するＧａの組成割合（ｘ）を０８とすると
第４図に示されるようなエネルギー帯図となり、伝導帯
障壁層の高さに相当するエネルギーギャップ（ΔＥｃ）
が０゜Ｇ ｃＶとなり、定波長の入射光によって伝動帯
井戸層のサブレベルに位置する電子は伝導帯障壁層を超
えて自由電子に遷移する。すなイつち、ΔＥｃが０．８
ｅＶのときには光吸収係数の光波長スペクトラムは第
５図に示されるように、波長２．０μｍ近傍で鋭角的な
ピークが得られる。
また、ｘ−０，２と変えることによって、第６図に示さ
れるようなエネルギー帯図となり、伝導帯障壁層の高さ
に相当するエネルギーギャップ（ΔＥｃ）か０．２ ｅ
Ｖとなり、一定波長の入射光によって伝動帯井戸層のザ
ブレベルに位置する電子は伝導帯障壁層を超えて自由電
子に遷移する。すなわち、八Ｅｃが０．２ ｅＶのとき
には光吸収係数の光波長スペクトラムは第７図に示され
るように、波長６層０μｍ近傍で鋭角的なピークが得ら
れる。
れるようなエネルギー帯図となり、伝導帯障壁層の高さ
に相当するエネルギーギャップ（ΔＥｃ）か０．２ ｅ
Ｖとなり、一定波長の入射光によって伝動帯井戸層のザ
ブレベルに位置する電子は伝導帯障壁層を超えて自由電
子に遷移する。すなわち、八Ｅｃが０．２ ｅＶのとき
には光吸収係数の光波長スペクトラムは第７図に示され
るように、波長６層０μｍ近傍で鋭角的なピークが得ら
れる。
従って、Ａ Ｊ、 ｘ Ｇａ Ｉ−ＸにおけるＸを０＜
ｘ＜１の範囲で変えることによって、半導体基材ＧａＡ
ｓのエネルギーギャップに相当する光波長（光吸収端）
よりも長い波長において、最大感度を有する半導体受光
素子が任意に得られる。なお、この説明はＡ Ｊ ｘ
Ｇａ ｌ−Ｘ ＡｓとＧａ Ａｓの組み合イっせで説明
したが他の半導体薄層を組合せた超格子構造でも同様で
ある。
ｘ＜１の範囲で変えることによって、半導体基材ＧａＡ
ｓのエネルギーギャップに相当する光波長（光吸収端）
よりも長い波長において、最大感度を有する半導体受光
素子が任意に得られる。なお、この説明はＡ Ｊ ｘ
Ｇａ ｌ−Ｘ ＡｓとＧａ Ａｓの組み合イっせで説明
したが他の半導体薄層を組合せた超格子構造でも同様で
ある。
［実施例］
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明する。
実施例１
ｎ−ＧａＡｓ基板（キャリア密度ｎ −２Ｘ １０１８
ｃｍ−３）上に、ｎ−ＧａＡｓエピタキシャル層（キャ
リア密度ｎ ＝ ＬＸ １．０１８ｃｍ−３、厚み０．
２μｍ ）、多重量子井戸型超格子構造（Ａ層はＡ」。
ｃｍ−３）上に、ｎ−ＧａＡｓエピタキシャル層（キャ
リア密度ｎ ＝ ＬＸ １．０１８ｃｍ−３、厚み０．
２μｍ ）、多重量子井戸型超格子構造（Ａ層はＡ」。
Ｇａ。２ＡＳでアンド−ピング型、厚み３００人：８
層はｎ−ＧａＡｓで、キャリア濃度的５Ｘ １．０１６
ｃｍ−’のＳｊをドーピング、厚み８０人；井戸数的５
０）、ｒ〕−Ｇ＋ｉＡｓオーミック層（キャリア濃度ｎ
＝ ＩＸ １０１１０ｌ８’、厚み０．２μｍ）を順
次積層した。ｎＧａ Ａｓ基板側にはＡｕ Ｇｅ ／Ｎ
ｉ金属を蒸着し、ｎ−ＧａＡｓオーミック層側にはＡｕ
Ｇｅ ／Ｎｉのリング状電極を形成し、第８図に示さ
れるような光検出デバイスを得た。
層はｎ−ＧａＡｓで、キャリア濃度的５Ｘ １．０１６
ｃｍ−’のＳｊをドーピング、厚み８０人；井戸数的５
０）、ｒ〕−Ｇ＋ｉＡｓオーミック層（キャリア濃度ｎ
＝ ＩＸ １０１１０ｌ８’、厚み０．２μｍ）を順
次積層した。ｎＧａ Ａｓ基板側にはＡｕ Ｇｅ ／Ｎ
ｉ金属を蒸着し、ｎ−ＧａＡｓオーミック層側にはＡｕ
Ｇｅ ／Ｎｉのリング状電極を形成し、第８図に示さ
れるような光検出デバイスを得た。
ウェハ両面の電極間に直流バイアスを加えると、第５図
に相当する波長で光電流が流れた。
に相当する波長で光電流が流れた。
実施例２
半絶縁性Ｇａ Ａｓ基板上に、アンド−ピング型Ｇａ
ＡＳ層（厚み０．３μｌ１１）、多重量子井戸型超格子
層（Ａ層はＡＪ Ｏ，２Ｇａ ｏ、ｓ Ａｓでアンドピ
ング型、厚み３００人；８層はｎ−ＧａＡｓで、キャリ
ア濃度３ＸＬＯ”ｃｍ−３のＳｉをドーピング、厚み８
０人；井戸数的５０） 、ｎ−Ｇａ Ａｓオッミック層
（キャリア濃度ｎ ＝ ｌｘ １０１８ｃｍ−３）を
順次積層した。ｎ−ＧａＡｓオーミック層面にＡｕ Ｇ
ｅ／ Ｎ ｉ金属による対向電極を形成し、第９図に示
されるような光検出デバイスを得た。
ＡＳ層（厚み０．３μｌ１１）、多重量子井戸型超格子
層（Ａ層はＡＪ Ｏ，２Ｇａ ｏ、ｓ Ａｓでアンドピ
ング型、厚み３００人；８層はｎ−ＧａＡｓで、キャリ
ア濃度３ＸＬＯ”ｃｍ−３のＳｉをドーピング、厚み８
０人；井戸数的５０） 、ｎ−Ｇａ Ａｓオッミック層
（キャリア濃度ｎ ＝ ｌｘ １０１８ｃｍ−３）を
順次積層した。ｎ−ＧａＡｓオーミック層面にＡｕ Ｇ
ｅ／ Ｎ ｉ金属による対向電極を形成し、第９図に示
されるような光検出デバイスを得た。
直流バイアスを印加すると、第７図に対応する波長で光
電流が得られた。
電流が得られた。
［発明の効果］
従来の受光素子が受光波長ごとに異なる半導体基材を使
用せざるを得なかったのに対し、本発明によると、次の
ような効果を奏する。
用せざるを得なかったのに対し、本発明によると、次の
ような効果を奏する。
（１）同一材料を使用し、超格子構造を形成する半導体
薄膜の組成割合を変化させるのみで、受光波長に最適感
度を有する受光素子を設計できる。
薄膜の組成割合を変化させるのみで、受光波長に最適感
度を有する受光素子を設計できる。
（２）最適受光感度を資する波長を連続的に変化させた
受光素子を設計できる。
受光素子を設計できる。
（３）吸収波長域上、従来使用できなかった半導体基材
か使用できるようになった。
か使用できるようになった。
第１図は、弔−半導体のエネルギーバンド図、第２図は
、多重量子井戸型超格子構造のエネルギー帯図、 第３図は、Ｇａ Ａｓの吸収係数および多重量子井戸型
超格子構造の光吸収係数の光波長スペクトラム、 第４図は、本発明に係る多重量井戸型超格子構造のエネ
ルギー帯図の一例、 第５図は、本発明に係る多重量子井戸型超格子構造の光
吸収係数の光波長スペクトラムの一例、第６図は、本発
明に係る多重量井戸型超格子構造のエネルギー帯図の他
の例、 第７図は、本発明に係る多重量子井戸型超格子構造の光
吸収係数の光波長スペクトラムの他の例、そして、 第８〜９図は、実施例１〜２によりそれぞれ得られた光
検出デバイス。 特許出願人 三井金属鉱業株式会社 代 理 人 弁理士 伊 東 辰 雄状
理 人 弁理士 伊 東 哲 也］ ポ腎暮甲盆せ
、多重量子井戸型超格子構造のエネルギー帯図、 第３図は、Ｇａ Ａｓの吸収係数および多重量子井戸型
超格子構造の光吸収係数の光波長スペクトラム、 第４図は、本発明に係る多重量井戸型超格子構造のエネ
ルギー帯図の一例、 第５図は、本発明に係る多重量子井戸型超格子構造の光
吸収係数の光波長スペクトラムの一例、第６図は、本発
明に係る多重量井戸型超格子構造のエネルギー帯図の他
の例、 第７図は、本発明に係る多重量子井戸型超格子構造の光
吸収係数の光波長スペクトラムの他の例、そして、 第８〜９図は、実施例１〜２によりそれぞれ得られた光
検出デバイス。 特許出願人 三井金属鉱業株式会社 代 理 人 弁理士 伊 東 辰 雄状
理 人 弁理士 伊 東 哲 也］ ポ腎暮甲盆せ
Claims (1)
- １、超格子構造を形成する半導体薄膜の組成割合を特定
することによって、量子障壁層の高さを調整し、伝導帯
障壁層の高さに相当するエネルギーギャップを光吸収領
域として使用したことを特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121135A JP2825930B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121135A JP2825930B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体受光素子 |
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| JPH0418766A true JPH0418766A (ja) | 1992-01-22 |
| JP2825930B2 JP2825930B2 (ja) | 1998-11-18 |
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| JPS63241554A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-06 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS63241556A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-06 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS63246626A (ja) * | 1987-01-15 | 1988-10-13 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 赤外線検出器デバイスおよび赤外線を検出するための方法 |
| JPS6459978A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Fujitsu Ltd | Method of controlling forbidden band width of semiconductor superlattice |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP2121135A patent/JP2825930B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63246626A (ja) * | 1987-01-15 | 1988-10-13 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 赤外線検出器デバイスおよび赤外線を検出するための方法 |
| JPS63241554A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-06 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS63241556A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-06 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS6459978A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Fujitsu Ltd | Method of controlling forbidden band width of semiconductor superlattice |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2825930B2 (ja) | 1998-11-18 |
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