JPH04186738A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04186738A JPH04186738A JP31400290A JP31400290A JPH04186738A JP H04186738 A JPH04186738 A JP H04186738A JP 31400290 A JP31400290 A JP 31400290A JP 31400290 A JP31400290 A JP 31400290A JP H04186738 A JPH04186738 A JP H04186738A
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- electron
- gaas
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Links
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係り、特にＨＥＭＴ （Ｈｉｇ
ｈＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ） に応用して好適な半導体装置に関するも
のである。
ｈＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ） に応用して好適な半導体装置に関するも
のである。
現在、衛星放送や光通信などに高周波数（１２ＧＨｚ程
度）、低ノイズ増幅器としてＨＥＭＴ（ｌ（ｉｇｈ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｎｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒＨ高移動度トランジスタ）が実用化されている。こ
れは、従来用いられていたＧａ’Ａｓ ＭＥＳＦＥＴ
（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ
Ｅｆｆｅｃｔ 丁ｒａｎｓｉｓｔｏｏｒ）の高性能化
素子として位置するものである。従来ＨＥＭＴがＭＥＳ
ＦＥＴに比べてノイズ特性がよいという理由は、単純に
相互コンダクタンスｇ１がＭＥＳＦＥＴに比べて大きく
できるからだと説明されてきた。
度）、低ノイズ増幅器としてＨＥＭＴ（ｌ（ｉｇｈ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｎｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒＨ高移動度トランジスタ）が実用化されている。こ
れは、従来用いられていたＧａ’Ａｓ ＭＥＳＦＥＴ
（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ
Ｅｆｆｅｃｔ 丁ｒａｎｓｉｓｔｏｏｒ）の高性能化
素子として位置するものである。従来ＨＥＭＴがＭＥＳ
ＦＥＴに比べてノイズ特性がよいという理由は、単純に
相互コンダクタンスｇ１がＭＥＳＦＥＴに比べて大きく
できるからだと説明されてきた。
相互コンダクタンスｇ、が大きくなる物理的理由は、移
動度がＨ，ＥＭＴでは大きく、シたがって電子ドリフト
速度のピーク速度ＶＦが大きいからであるといわれてい
る。
動度がＨ，ＥＭＴでは大きく、シたがって電子ドリフト
速度のピーク速度ＶＦが大きいからであるといわれてい
る。
しかしながら、ｇｍ＋ ソースゲート容量Ｃｚ ｓ、ソ
ースゲート抵抗Ｒｚなどのデバイスパラメータを全く同
一にしたＧａＡｓ ＭＥ Ｓ Ｆ Ｅ ＴとＧ ａ Ａ
ｓＨＥＭＴを作成した結果、ＨＥＭＴの方がノイズ特
性にすぐれていることを見出した。これは、ソースゲー
ト容量ＣｆＳのバイアス依存性がＨＥ Ｍ Ｔ’はＭＥ
ＳＦＥＴに比へて弱く （たとえば宇佐用。
ースゲート抵抗Ｒｚなどのデバイスパラメータを全く同
一にしたＧａＡｓ ＭＥ Ｓ Ｆ Ｅ ＴとＧ ａ Ａ
ｓＨＥＭＴを作成した結果、ＨＥＭＴの方がノイズ特
性にすぐれていることを見出した。これは、ソースゲー
ト容量ＣｆＳのバイアス依存性がＨＥ Ｍ Ｔ’はＭＥ
ＳＦＥＴに比へて弱く （たとえば宇佐用。
三島；二次元電子ガス（２ＤＥＧ）ＦＥＴのデバイス特
性解析電子情報通信学会論文誌Ｃｖｏｌ、Ｊ７０−ｃ
Ｎｏ、５ ｐｐ７１６−７２３１９８７年５月参照）、
そのため有効的にＣｇｓが小さく見える効果を取り入れ
てもなおＨＥＭＴのノイズ特性はＭＥＳＦＥＴに比べて
秀でており、説明がつかない問題があった。
性解析電子情報通信学会論文誌Ｃｖｏｌ、Ｊ７０−ｃ
Ｎｏ、５ ｐｐ７１６−７２３１９８７年５月参照）、
そのため有効的にＣｇｓが小さく見える効果を取り入れ
てもなおＨＥＭＴのノイズ特性はＭＥＳＦＥＴに比べて
秀でており、説明がつかない問題があった。
本発明の目的は、非一様的キャリア密度分布を実現する
ことにより、電子の散乱を低次元に抑え、ＨＥＭＴに比
べ更なる低ノイズ化された半導体素子を提供することに
ある。
ことにより、電子の散乱を低次元に抑え、ＨＥＭＴに比
べ更なる低ノイズ化された半導体素子を提供することに
ある。
上記目的は、半導体装置の中で単一の半導体層内に非一
様な密度分布を有する自由キャリアを設けることにより
達成される。
様な密度分布を有する自由キャリアを設けることにより
達成される。
この自由キャリアを半導体層内部に１対の電極により電
界を印加する等によって上記半導体層内部で移動させる
ことにより半導体装置の機能に応じて後述する効果が出
現する。この電極は上記半導体層内部に自由キャリアを
供給する機能を兼ねていてもよい。
界を印加する等によって上記半導体層内部で移動させる
ことにより半導体装置の機能に応じて後述する効果が出
現する。この電極は上記半導体層内部に自由キャリアを
供給する機能を兼ねていてもよい。
また、ＦＥＴ動作を実現するために上記自由キャリアの
移動を制御するための手段を自由キャリアが移動する経
路途中に設けるとよい。この制御するための手段の代表
的形態としては、上記自由キャリアが走行する上記半導
体層内部の経路上に電界を印加するための電極である。
移動を制御するための手段を自由キャリアが移動する経
路途中に設けるとよい。この制御するための手段の代表
的形態としては、上記自由キャリアが走行する上記半導
体層内部の経路上に電界を印加するための電極である。
上記半導体層に曲がった空間、例えば周期的な凹凸を設
けることにより、上記非一様分布を実現することができ
る。
けることにより、上記非一様分布を実現することができ
る。
・ 〔作用〕
発見者らは、ＨＥＭＴとＭＥＳＦＥＴのノイズ特性の違
いを分析解析した結果、従来の仮設とは異なる以下に説
明する一般理論を見出した。まず、電界効果トランジス
タにおいて生じる雑音は、電子がソースからドレインに
流れる古典的電子流線（単純な流体とみなしたときの電
子の流れを示す流線；流体力学のアナロジ−から容易に
定義できる。）からの熱運動によるゆらぎや乱れによる
ずれが物理的原因である。すなわち、これを真性ノイズ
と我々はよぼう。（結晶中の欠陥、ソース・ゲート間の
表面準位等に由来するＧ ａ Ａ ｓ材料固有の原因に
より電子の流れが乱されノイズが発生するのは、ＧａＡ
ｓ ＭＥＳＦＥＴ、ＧａＡｓＨＥＭＴに共通するノイ
ズの原因でありいわば寄生ノイズということができる。
いを分析解析した結果、従来の仮設とは異なる以下に説
明する一般理論を見出した。まず、電界効果トランジス
タにおいて生じる雑音は、電子がソースからドレインに
流れる古典的電子流線（単純な流体とみなしたときの電
子の流れを示す流線；流体力学のアナロジ−から容易に
定義できる。）からの熱運動によるゆらぎや乱れによる
ずれが物理的原因である。すなわち、これを真性ノイズ
と我々はよぼう。（結晶中の欠陥、ソース・ゲート間の
表面準位等に由来するＧ ａ Ａ ｓ材料固有の原因に
より電子の流れが乱されノイズが発生するのは、ＧａＡ
ｓ ＭＥＳＦＥＴ、ＧａＡｓＨＥＭＴに共通するノイ
ズの原因でありいわば寄生ノイズということができる。
）以下、この古典的電子流線からのはずれやゆらぎに着
目する。
目する。
ＨＥＭＴとＧ ａ Ａ ｓ Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔの
ノイズの差は、ＭＥＳＦＥＴの場合この古典的電子線か
ら三次元的にゆらぐのに対し、ＨＥＭＴの場合二次元的
にしかゆらぐことが出来ないことに本質的に依っている
。
ノイズの差は、ＭＥＳＦＥＴの場合この古典的電子線か
ら三次元的にゆらぐのに対し、ＨＥＭＴの場合二次元的
にしかゆらぐことが出来ないことに本質的に依っている
。
ＭＥＳＦＥＴは電子の能動層（チャンネル）が３次元的
（バルク的）であり、したがって電子は３次元方向運動
の方向があり、３次元的に（３方向）に散乱されてしま
う。これが古典的電子流線からのゆらぎを３次元的にす
る。一方ＨＥＭＴにおいてはＡ Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓ
／ Ｇ ａ Ａ ｓ界面に２次元的に電子が閉じ込めら
れているため、電子の運動方向も主として限定される。
（バルク的）であり、したがって電子は３次元方向運動
の方向があり、３次元的に（３方向）に散乱されてしま
う。これが古典的電子流線からのゆらぎを３次元的にす
る。一方ＨＥＭＴにおいてはＡ Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓ
／ Ｇ ａ Ａ ｓ界面に２次元的に電子が閉じ込めら
れているため、電子の運動方向も主として限定される。
このため、古典的電子流線自身も２次元的になり、上記
へテロ界面にたいして垂直方向のゆらぎが抑制され、古
典的電子流線からのゆらぎはへテロ界面の面内で２次元
（２方向）のみになってしまう。真性ノイズは揺らぎの
自由度に対する対数量で与えられるので３次元方向のノ
イズを１とすると２次元方向のノイズは２／３となる。
へテロ界面にたいして垂直方向のゆらぎが抑制され、古
典的電子流線からのゆらぎはへテロ界面の面内で２次元
（２方向）のみになってしまう。真性ノイズは揺らぎの
自由度に対する対数量で与えられるので３次元方向のノ
イズを１とすると２次元方向のノイズは２／３となる。
これは、３次元ゆらぎの自由度が１０３３に比例し、２
次元ゆらぎの自由度は、１０２１に比例することに帰因
する。
次元ゆらぎの自由度は、１０２１に比例することに帰因
する。
ところで、高周波数でのノイズは、電子が散乱され発熱
することにより発生する。
することにより発生する。
２次元チャンネルを能動層に用いることにより、電子散
乱の自由度を３次元から２次元に小さくしたＨＥＭＴに
おいては、この発熱が抑えられ、低ノイズ化が可能にな
ったのであった。
乱の自由度を３次元から２次元に小さくしたＨＥＭＴに
おいては、この発熱が抑えられ、低ノイズ化が可能にな
ったのであった。
本発明に係る半導体装置の機能を以下に説明する。
第１図（ｂ）に示すようにペテロ界面において二次元構
造であったキャリヤ蓄積層を、波形にしわよせ（Ｃ−２
ＤＥＧ；Ｃｏｒｒｕｇａｔｅｄ−２ＤＥＧ） Ｌ、三次
元的なキャリア蓄積層構造を持つＨＥＭＴを製作する。
造であったキャリヤ蓄積層を、波形にしわよせ（Ｃ−２
ＤＥＧ；Ｃｏｒｒｕｇａｔｅｄ−２ＤＥＧ） Ｌ、三次
元的なキャリア蓄積層構造を持つＨＥＭＴを製作する。
第１図（ａ）は凹凸の周期に対して垂直な方向に電流を
流した時の平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図で
ある。両図において、１１はソース。
流した時の平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図で
ある。両図において、１１はソース。
１２はドレイン電極、１３はゲート電極、１４はノンド
ープＧａＡｓ、１５は電子蓄積層、１９はノンドープＡ
Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓ、１７は半絶縁性ＧａＡｓ基板、
１６はｎ、ＡＱＧａＡｓ層である。
ープＧａＡｓ、１５は電子蓄積層、１９はノンドープＡ
Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓ、１７は半絶縁性ＧａＡｓ基板、
１６はｎ、ＡＱＧａＡｓ層である。
第２図（ａ）は、第１図（ａ）においてＢで囲まれた部
分の拡大図である。矢印は、散乱による電子の運動方向
の変化を模式的に示したものであり、第２図（ｂ）にお
ける矢印は、従来のＨＥＭＴの場合の電子の運動方向を
示している。同図（ａ）（ｂ）二つの図の物理的相違を
以下に述べる。
分の拡大図である。矢印は、散乱による電子の運動方向
の変化を模式的に示したものであり、第２図（ｂ）にお
ける矢印は、従来のＨＥＭＴの場合の電子の運動方向を
示している。同図（ａ）（ｂ）二つの図の物理的相違を
以下に述べる。
ＧａＡｓ波形の山の部分には、それ以外の領域に比べて
多くの電子が蓄積するためキャリア密度分布に濃淡が生
ずる。ゲート電圧を負に印加して電子濃度を下げていく
と、電子濃度の薄いところからピンチオフが生じ、電子
濃度の高いところ（波形の山の部分）は実効的に一次元
ガスとみなすことができる。その様子を表したのが第２
図（、）である。矢印は電流の向きであり、電子がフォ
ノン散乱等によってパスを乱されている様子を模式的に
示している。同図（ｂ）は二次元電子ガスを能動層に持
つ従来型ＨＥＭＴの場合の電流の流れる様子を同様に示
したものである。二つの図を見ると明らかなように、（
ａ）における電子の運動方向は（ｂ）におけるそれと比
べて、電子の古典的電子流線自身が１次元的になるため
に同様に１次元に抑えられてしまう。したがって、１次
元ゆらぎの自由度が１０１３程度になることから真性ノ
イズはおよそ１／３になる。こうして、キャリア蓄積層
の構造を１次元細線を並列に並べたような状況が実現で
き、従来のＨＥＭＴに比べて低ノイズのトランジスタが
可能となり、発明の課題を解決できる。
多くの電子が蓄積するためキャリア密度分布に濃淡が生
ずる。ゲート電圧を負に印加して電子濃度を下げていく
と、電子濃度の薄いところからピンチオフが生じ、電子
濃度の高いところ（波形の山の部分）は実効的に一次元
ガスとみなすことができる。その様子を表したのが第２
図（、）である。矢印は電流の向きであり、電子がフォ
ノン散乱等によってパスを乱されている様子を模式的に
示している。同図（ｂ）は二次元電子ガスを能動層に持
つ従来型ＨＥＭＴの場合の電流の流れる様子を同様に示
したものである。二つの図を見ると明らかなように、（
ａ）における電子の運動方向は（ｂ）におけるそれと比
べて、電子の古典的電子流線自身が１次元的になるため
に同様に１次元に抑えられてしまう。したがって、１次
元ゆらぎの自由度が１０１３程度になることから真性ノ
イズはおよそ１／３になる。こうして、キャリア蓄積層
の構造を１次元細線を並列に並べたような状況が実現で
き、従来のＨＥＭＴに比べて低ノイズのトランジスタが
可能となり、発明の課題を解決できる。
実施例１
本発明をＨＥＭＴに適用した場合の平面図と断面図を第
１図（ａ）（ｂ）に示す。
１図（ａ）（ｂ）に示す。
半絶縁性ＧａＡｓ基板１７を、Ｈｅ −Ｃｄレーザーの
回折格子像により凹凸をつけ波形を作成した。この時、
波の周期λは０．２４μｍ、波の振幅は０．０５μｍで
あった。次に基板を洗浄後、ＭＯＣＶＤ （有機金属熱
分解）法によりアンドープのＧａＡｓ層１９を１０００
人、アンドープのＡ ＱｘＧ ａｌ−ｘＡ ｓ層（ｘ＝
０．３〜０．４５） ２０を５００人、アンドープのＧ
ａＡｓ層１４を３００人、アンドープのＡ ｎ ＸＧ
ａ 、−ｘＡ ｓ層（ｘ＝０．３）２１を２０人、Ｓｉ
を２Ｘ１０”ｃｍ−３含有するｎ型Ａ Ｑ ｘＧ ａ
、−ｘＡ ｓ層（Ｘ＝０．３）１６を４００人、Ｓｉを
２Ｘ１０”ｃｍ−’含むｎ”ＧａＡｓ層１８を１６００
人結晶成長した。この時Ａ Ｑ ｘＧ ａ １−ｘＡ
ｓ層２１とＧａＡｓ層１４とのへテロ界面に電子蓄積層
１５が形成される。トランジスタ輻Ｗ＝２５０μｍ、ゲ
ート長Ｌｇ＝０．２μｍとした。本発明のＨＥＭＴの特
性を評価し。
回折格子像により凹凸をつけ波形を作成した。この時、
波の周期λは０．２４μｍ、波の振幅は０．０５μｍで
あった。次に基板を洗浄後、ＭＯＣＶＤ （有機金属熱
分解）法によりアンドープのＧａＡｓ層１９を１０００
人、アンドープのＡ ＱｘＧ ａｌ−ｘＡ ｓ層（ｘ＝
０．３〜０．４５） ２０を５００人、アンドープのＧ
ａＡｓ層１４を３００人、アンドープのＡ ｎ ＸＧ
ａ 、−ｘＡ ｓ層（ｘ＝０．３）２１を２０人、Ｓｉ
を２Ｘ１０”ｃｍ−３含有するｎ型Ａ Ｑ ｘＧ ａ
、−ｘＡ ｓ層（Ｘ＝０．３）１６を４００人、Ｓｉを
２Ｘ１０”ｃｍ−’含むｎ”ＧａＡｓ層１８を１６００
人結晶成長した。この時Ａ Ｑ ｘＧ ａ １−ｘＡ
ｓ層２１とＧａＡｓ層１４とのへテロ界面に電子蓄積層
１５が形成される。トランジスタ輻Ｗ＝２５０μｍ、ゲ
ート長Ｌｇ＝０．２μｍとした。本発明のＨＥＭＴの特
性を評価し。
１２ＧＨ２でのノイズ指数は０．３ ｄ Ｂと従来のＦ
ＥＴのノイズ指数０゜６ｄＢを大幅に改善できた本実施
例では、ｎ型Ａ ＱｘＧ ａ、−ｘＡ ｓ層１６とアン
ドープのＧａＡｓ層１４とのへテロ接合界面に形成され
る電子蓄積層１５を能動層に用いた。
ＥＴのノイズ指数０゜６ｄＢを大幅に改善できた本実施
例では、ｎ型Ａ ＱｘＧ ａ、−ｘＡ ｓ層１６とアン
ドープのＧａＡｓ層１４とのへテロ接合界面に形成され
る電子蓄積層１５を能動層に用いた。
しかしながら、高性能化するという点では、ＧａＡｓ層
１４（ａＱＱ人）の代わりに、ノンドープＧａＡｓ（１
５０人）、その上にＩｎｘＧａ、ｘＡｓ層（ｘ＝０．１
５）を１５０人はさみ、移動度をあげてさらに低ノイズ
のトランジスタを作成しても良い。また、Ｈｅ−Ｃｄレ
ーザによって凹凸構造を作製したがルーリングエンジン
或いはＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ；電子線描画
）によって該周期構造を作製しても良いし、場合によっ
ては周期構造自体を変調させても良い。さらに、Ａ Ｑ
ｘＧａ□−ｘＡｓＡｓ層上１上の結晶成長によってで
きる層はＬ Ｐ Ｅ （Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅ
ｐｉｔａｘｙ；液相成長法）等を用いて平坦化した構造
であっても良い。
１４（ａＱＱ人）の代わりに、ノンドープＧａＡｓ（１
５０人）、その上にＩｎｘＧａ、ｘＡｓ層（ｘ＝０．１
５）を１５０人はさみ、移動度をあげてさらに低ノイズ
のトランジスタを作成しても良い。また、Ｈｅ−Ｃｄレ
ーザによって凹凸構造を作製したがルーリングエンジン
或いはＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ；電子線描画
）によって該周期構造を作製しても良いし、場合によっ
ては周期構造自体を変調させても良い。さらに、Ａ Ｑ
ｘＧａ□−ｘＡｓＡｓ層上１上の結晶成長によってで
きる層はＬ Ｐ Ｅ （Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅ
ｐｉｔａｘｙ；液相成長法）等を用いて平坦化した構造
であっても良い。
係る周期的凹凸に特徴的性質である非一様的に分布する
キャリアを外部電極で制御することにょリ、１次元能動
層を作製し低ノイズに従って高周波数領域を扱うことが
できるトランジスタを実現することができる。
キャリアを外部電極で制御することにょリ、１次元能動
層を作製し低ノイズに従って高周波数領域を扱うことが
できるトランジスタを実現することができる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は１本発明の１実施例に係る半
導体装置を説明するための図であり、グレーティングラ
インに対してソース、トレイン電極を平行に装着した場
合のそれぞれ平面図及び断面図、第２図（ａ）はその時
の電流の流れる様子を説明するための模式図、第２図（
ｂ）は、従来のＨＥＭＴの場合を模式的に表した図であ
る。 １１・・・ソース電極、１２・・・ドレイン電極、１３
・・・ゲート電極、１４・・・アンドープＧａＡｓ、１
５・・・電子蓄積層、１６− ｎ −Ａ Ｑ Ｇ ａ
Ａ ｓ、ｌ ７ ・・・ＧａＡｓ基板、１８− ｎ、”
Ａ Ｑ ｙＧ ａ １−ｙＡ ｓ層、￥Ｊ １ Ｂ （ａ）
導体装置を説明するための図であり、グレーティングラ
インに対してソース、トレイン電極を平行に装着した場
合のそれぞれ平面図及び断面図、第２図（ａ）はその時
の電流の流れる様子を説明するための模式図、第２図（
ｂ）は、従来のＨＥＭＴの場合を模式的に表した図であ
る。 １１・・・ソース電極、１２・・・ドレイン電極、１３
・・・ゲート電極、１４・・・アンドープＧａＡｓ、１
５・・・電子蓄積層、１６− ｎ −Ａ Ｑ Ｇ ａ
Ａ ｓ、ｌ ７ ・・・ＧａＡｓ基板、１８− ｎ、”
Ａ Ｑ ｙＧ ａ １−ｙＡ ｓ層、￥Ｊ １ Ｂ （ａ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体層内において自由キャリアが供給される第１
の層が３次元構造をしており、上記自由キャリアを供給
する第２の層と上記第１の層の界面エネルギーが異なる
ことからエネルギーダイアグラムが界面の位置によって
異なり、このために上記第１の層における上記自由キャ
リアの分布が自発的に非一様性を有し、 上記自由キャリアの移動を制御するための手段によって
上記自由キャリアの分布を擬一次元的分布にすることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31400290A JPH04186738A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31400290A JPH04186738A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186738A true JPH04186738A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18048034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31400290A Pending JPH04186738A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04186738A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2711842A1 (fr) * | 1993-10-29 | 1995-05-05 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif semiconducteur composé à hétérojonction, notamment un transistor à effet de champ, et son procédé de production. |
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1990
- 1990-11-21 JP JP31400290A patent/JPH04186738A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2711842A1 (fr) * | 1993-10-29 | 1995-05-05 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif semiconducteur composé à hétérojonction, notamment un transistor à effet de champ, et son procédé de production. |
| US5530272A (en) * | 1993-10-29 | 1996-06-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High electron mobility transistor including periodic heterojunction interface |
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