JPH04182386A - エピタキシャル成長基板サセプタ - Google Patents
エピタキシャル成長基板サセプタInfo
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- JPH04182386A JPH04182386A JP31195190A JP31195190A JPH04182386A JP H04182386 A JPH04182386 A JP H04182386A JP 31195190 A JP31195190 A JP 31195190A JP 31195190 A JP31195190 A JP 31195190A JP H04182386 A JPH04182386 A JP H04182386A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上にヘテロエピタキシャル成長を行う際
に基板を保持するエピタキシャル成長基板サセプタに関
する。
に基板を保持するエピタキシャル成長基板サセプタに関
する。
近年、大面積基板の製造が困難である材料をその材料と
は異なった材質の基板上にヘテロエピタキシャル成長さ
せた基板が製作されている。このような例として、Ｓｉ
基板」−にＧａＡｓをエピタキシャル成長させてなる基
板がある。ＧａＡｓ等の化合物半導体は、Ｓｉでは実現
できないような種々の特徴を備えており、光または高速
電子デバイスに対する需要は大きい。ところが、Ｓｉ基
板に対してＧａＡｓ基板は、完全結晶の作製が困難であ
る、機械的強度が小さくてもろい、大面積化が困難であ
る等の難点を有している。従って、Ｓｉ基板上にＧａＡ
Ｓ層を形成した基板を作製できれば、ＧａＡｓ及びＳｉ
が有する夫々の長所を何れも生かしたデバイスを実現す
ることができる。このような状況にあって、Ｓｉ基板上
にＧａＡｓをヘテロエピタキシャル成長させる技術につ
いて、様々な研究がなされている。
は異なった材質の基板上にヘテロエピタキシャル成長さ
せた基板が製作されている。このような例として、Ｓｉ
基板」−にＧａＡｓをエピタキシャル成長させてなる基
板がある。ＧａＡｓ等の化合物半導体は、Ｓｉでは実現
できないような種々の特徴を備えており、光または高速
電子デバイスに対する需要は大きい。ところが、Ｓｉ基
板に対してＧａＡｓ基板は、完全結晶の作製が困難であ
る、機械的強度が小さくてもろい、大面積化が困難であ
る等の難点を有している。従って、Ｓｉ基板上にＧａＡ
Ｓ層を形成した基板を作製できれば、ＧａＡｓ及びＳｉ
が有する夫々の長所を何れも生かしたデバイスを実現す
ることができる。このような状況にあって、Ｓｉ基板上
にＧａＡｓをヘテロエピタキシャル成長させる技術につ
いて、様々な研究がなされている。
ところが、ＳｉとＧａＡｓとではその格子定数が約４％
程度（室温でのＳｉの格子定数： ５．４３０９人、室
温でのＧａＡｓの格子定数： ５．６５３３人）異なる
ので、ＧａＡｓ基板の作製時と同様の成長条件にてＳｉ
基板上に単結晶のＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させ
ることはできず、両者の格子不整合を緩和してＳｉ基板
上に単結晶のＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させるた
めには何らかの工夫が必要である。
程度（室温でのＳｉの格子定数： ５．４３０９人、室
温でのＧａＡｓの格子定数： ５．６５３３人）異なる
ので、ＧａＡｓ基板の作製時と同様の成長条件にてＳｉ
基板上に単結晶のＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させ
ることはできず、両者の格子不整合を緩和してＳｉ基板
上に単結晶のＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させるた
めには何らかの工夫が必要である。
このような工夫の１つとして、低温状態と高温状態との
２段階に分けてＱａＡｓをエピタキシャル成長させる方
法が公知である（日経マイクロデバイス１９８６年１月
号ｐ、１１３〜ｐ、１２７）。この方法は、低温状態で
非晶質またはある程度結晶化したＱａＡｓをエピタキシ
ャル成長させた後、高温状態にてＧａＡｓを更にエピタ
キシャル成長させる２段階の成長により単結晶のＧａＡ
ｓ層をＳｉ基基土上形成する方法である。以下、この方
法について説明する。
２段階に分けてＱａＡｓをエピタキシャル成長させる方
法が公知である（日経マイクロデバイス１９８６年１月
号ｐ、１１３〜ｐ、１２７）。この方法は、低温状態で
非晶質またはある程度結晶化したＱａＡｓをエピタキシ
ャル成長させた後、高温状態にてＧａＡｓを更にエピタ
キシャル成長させる２段階の成長により単結晶のＧａＡ
ｓ層をＳｉ基基土上形成する方法である。以下、この方
法について説明する。
第２図はこの方法の工程を示す模式的断面図、第３図は
この方法におけるエピタキシャル成長のシーケンス図で
ある。まず、Ｓｉ基板１を１０００°Ｃ程度で熱処理し
て表面を清浄した後、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ−ｏｒｇ
ａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ ＋有機金属の熱分解による気相成長）法
またはＭＢＢ（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍ Ｂｐｉｔ
ａＸｙ：分子線エピタキシャル成長）法を用いて、ＭＯ
ＣＶＤ法ならば４５０℃程度、 ＭＢＢ法ならば４００
℃程度の低温にてＱａＡｓをエピタキシャル成長させて
、膜厚２００人程度の非晶質のＧａＡｓ層２を形成する
（第２図（ａ））。次に、成長を一旦中断した後、基板
温度を６００〜７５０°Ｃ程度まで上昇させて再びＧａ
Ａｓをエピタキシャル成長させ、膜厚数μｍ程度の単結
晶のＱａ、Ａｓ層３を形成する（第２図Ｑ）））。
この方法におけるエピタキシャル成長のシーケンス図で
ある。まず、Ｓｉ基板１を１０００°Ｃ程度で熱処理し
て表面を清浄した後、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ−ｏｒｇ
ａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ ＋有機金属の熱分解による気相成長）法
またはＭＢＢ（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍ Ｂｐｉｔ
ａＸｙ：分子線エピタキシャル成長）法を用いて、ＭＯ
ＣＶＤ法ならば４５０℃程度、 ＭＢＢ法ならば４００
℃程度の低温にてＱａＡｓをエピタキシャル成長させて
、膜厚２００人程度の非晶質のＧａＡｓ層２を形成する
（第２図（ａ））。次に、成長を一旦中断した後、基板
温度を６００〜７５０°Ｃ程度まで上昇させて再びＧａ
Ａｓをエピタキシャル成長させ、膜厚数μｍ程度の単結
晶のＱａ、Ａｓ層３を形成する（第２図Ｑ）））。
このような２段階成長法により、格子定数の差による格
子不整合を緩和してＳｉ基板」−に単結晶のＧａＡｓ層
を形成することができる。
子不整合を緩和してＳｉ基板」−に単結晶のＧａＡｓ層
を形成することができる。
ところで、上述した工程において、エピタキシャル成長
を行う際に、反応炉（図示せず）内に設けられた第４図
に示すようなサセプタ１４にてＳｉ基板１は保持されて
いる。サセプタ１４は、石英、カーボン、金属等の材料
からなり、載置する８１基板１と同形の凹部１４ａがそ
の上面に形成され、この凹部１４ａにＳｉ基板１を配置
するようになっている。
を行う際に、反応炉（図示せず）内に設けられた第４図
に示すようなサセプタ１４にてＳｉ基板１は保持されて
いる。サセプタ１４は、石英、カーボン、金属等の材料
からなり、載置する８１基板１と同形の凹部１４ａがそ
の上面に形成され、この凹部１４ａにＳｉ基板１を配置
するようになっている。
そして、このサセプタ１４は、ＧａＡｓのエピタキシャ
ル成長時に加熱されて、Ｓｉ基板１を設定温度に保って
いる。
ル成長時に加熱されて、Ｓｉ基板１を設定温度に保って
いる。
前述したような工程により、Ｓｉ基板」−にＧａＡｓを
エピタキシャル成長させた場合、Ｓｉの熱膨張係数Ｃ８
＋ （＝ ２．６Ｘ１０−’／’Ｃ）とＧａＡｓの熱膨
張係数（Ｉ ｏ ａ Ａ ｈ（＝ ６．５Ｘ１０−’／
℃）とが異なるので、Ｓｉ基板に比べて非常に薄いＧａ
Ａｓ層には、成長温度Ｔ、（＝７００°Ｃ）から室温Ｔ
、（＝２５℃）に冷却する時の温度差ΔＴ （＝Ｔ、−
Ｔ、 ）による熱応力Ｓが発生する。このときの熱応力
Ｓは、ＧａＡｓのヤング率をＥ （＝８．５５ｘｌＯ”
ｄｙｎ／ｃＩＩｌ） 、 ＳｉとＱａＡｓとの熱膨張係
数の差をΔσとして、下記（１）式にて求められる。
エピタキシャル成長させた場合、Ｓｉの熱膨張係数Ｃ８
＋ （＝ ２．６Ｘ１０−’／’Ｃ）とＧａＡｓの熱膨
張係数（Ｉ ｏ ａ Ａ ｈ（＝ ６．５Ｘ１０−’／
℃）とが異なるので、Ｓｉ基板に比べて非常に薄いＧａ
Ａｓ層には、成長温度Ｔ、（＝７００°Ｃ）から室温Ｔ
、（＝２５℃）に冷却する時の温度差ΔＴ （＝Ｔ、−
Ｔ、 ）による熱応力Ｓが発生する。このときの熱応力
Ｓは、ＧａＡｓのヤング率をＥ （＝８．５５ｘｌＯ”
ｄｙｎ／ｃＩＩｌ） 、 ＳｉとＱａＡｓとの熱膨張係
数の差をΔσとして、下記（１）式にて求められる。
Ｓ＝Δσ・ΔＴ−Ｅ
−（σＧａＡ１−σｓ、） ・（’ｒ、 −’ｒ、
） ・Ｅ＝（６，５Ｘ１０−６−２．６Ｘ１０−’）
Ｘ（７００−２５） Ｘ８．５５Ｘ１０”＝ ２．３
ｘｌＯ９［ｄｙｎ／ａｎ？］ −（１）そして、
ＱａＡＳ層はＳｉ基板に比べて縮む割合が大きいので、
作製された基板はＧａＡｓ層側に反る。ＧａＡｓ層上に
素子を形成する場合には、少なくとも４μｍ程度の膜厚
を必要とする。ところが、ＧａＡＳ層の膜厚が４μｍを
越えると、ＧａＡｓにクラック（ひび割れ）が発生し、
半導体基板としては使用できない。
） ・Ｅ＝（６，５Ｘ１０−６−２．６Ｘ１０−’）
Ｘ（７００−２５） Ｘ８．５５Ｘ１０”＝ ２．３
ｘｌＯ９［ｄｙｎ／ａｎ？］ −（１）そして、
ＱａＡＳ層はＳｉ基板に比べて縮む割合が大きいので、
作製された基板はＧａＡｓ層側に反る。ＧａＡｓ層上に
素子を形成する場合には、少なくとも４μｍ程度の膜厚
を必要とする。ところが、ＧａＡＳ層の膜厚が４μｍを
越えると、ＧａＡｓにクラック（ひび割れ）が発生し、
半導体基板としては使用できない。
このようなりラックは、特に成長基板の周縁部から発生
しやすく、このクラックの発生が基板製作の歩留りを低
下させていた。
しやすく、このクラックの発生が基板製作の歩留りを低
下させていた。
成長基板の周縁部から発生するクラックを低減する方法
について検討した結果、エピタキシャル層の周縁部が中
心部に比べて、膜厚が薄い場合、及び結晶性が悪い場合
に、クラックの発生が少ないことを知見した。そして、
成長基板の周縁部の温度を中心部に比べて低くするかま
たは不安定にすれば、膜厚が薄（て結晶性が悪いＧａＡ
ｓ層を周縁部に形成することが可能である。周縁部の温
度をこのようにするためには、加熱されたサセプタに成
長基板の周縁部が接触しないようにすれば良いことが考
えられる。
について検討した結果、エピタキシャル層の周縁部が中
心部に比べて、膜厚が薄い場合、及び結晶性が悪い場合
に、クラックの発生が少ないことを知見した。そして、
成長基板の周縁部の温度を中心部に比べて低くするかま
たは不安定にすれば、膜厚が薄（て結晶性が悪いＧａＡ
ｓ層を周縁部に形成することが可能である。周縁部の温
度をこのようにするためには、加熱されたサセプタに成
長基板の周縁部が接触しないようにすれば良いことが考
えられる。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、エピ
タキシャル成長基板の周縁部からのクラックの発生を低
減でき、基板製作の歩留りを向上できるエピタキシャル
成長基板サセプタを提供することを目的とする。
タキシャル成長基板の周縁部からのクラックの発生を低
減でき、基板製作の歩留りを向上できるエピタキシャル
成長基板サセプタを提供することを目的とする。
本発明に係るエピタキシャル成長基板サセプタは、基板
のイ＝＝Ｉ料と異なる材料を前記基板上にヘテロエピタ
キシャル成長させる装置内に設けられ、前記基板を保持
する基板サセプタにおいて、前記基板の周縁部に対応す
る位置に溝が形成されており、前記基板に周縁部が接触
しないような構造としたことを特徴とする。
のイ＝＝Ｉ料と異なる材料を前記基板上にヘテロエピタ
キシャル成長させる装置内に設けられ、前記基板を保持
する基板サセプタにおいて、前記基板の周縁部に対応す
る位置に溝が形成されており、前記基板に周縁部が接触
しないような構造としたことを特徴とする。
本発明のエピタキシャル成長基板サセプタを用いてヘテ
ロエピタキシャル成長を行うと、サセプタに接触する基
板の中央部では温度が高温で均一となり、サセプタに接
触しない基板の周縁部では中心部に比べて温度は低（不
安定となる。この結果、中央部では良好なエピタキシャ
ル層が成長し、周縁部では中央部に比べて膜厚が薄くて
結晶性が劣るエピタキシャル層が成長する。そして、周
縁部に発生するクラックは減少し、歩留りは向上する。
ロエピタキシャル成長を行うと、サセプタに接触する基
板の中央部では温度が高温で均一となり、サセプタに接
触しない基板の周縁部では中心部に比べて温度は低（不
安定となる。この結果、中央部では良好なエピタキシャ
ル層が成長し、周縁部では中央部に比べて膜厚が薄くて
結晶性が劣るエピタキシャル層が成長する。そして、周
縁部に発生するクラックは減少し、歩留りは向上する。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明に係るエピタキシャル成長基板サセプタ
４の模式的断面図である。サセプタ４の上面には、４イ
ンチのＳｉ基板１を収納できるように深さ１〜３ｍｍの
凹部４ａが形成されている。凹部４ａの周縁には、幅７
ｍｍ程度、深さ５＋ｎ＋ｎ以上の溝４ｂが形成されてい
る。この溝４ｂはＳｉ基板１の周縁部の下方に位置し、
Ｓｉ基板１をサセプタ４にて保持した際に、Ｓｉ基板１
の周縁部がサセプタ４に接触しないようになっている。
４の模式的断面図である。サセプタ４の上面には、４イ
ンチのＳｉ基板１を収納できるように深さ１〜３ｍｍの
凹部４ａが形成されている。凹部４ａの周縁には、幅７
ｍｍ程度、深さ５＋ｎ＋ｎ以上の溝４ｂが形成されてい
る。この溝４ｂはＳｉ基板１の周縁部の下方に位置し、
Ｓｉ基板１をサセプタ４にて保持した際に、Ｓｉ基板１
の周縁部がサセプタ４に接触しないようになっている。
このようなサセプタ４にてＳｉ基板１を保持し、８１基
板１上にＧａＡｓをエピタキシャル成長させる。
板１上にＧａＡｓをエピタキシャル成長させる。
なお、この際のエピタキシャル成長方法は、従来の技術
にて説明した２段階の成長法を用いる。つまり、低温状
態で非晶質またはある程度結晶化したＧａＡｓをエピタ
キシャル成長させた後、高温状態にてＧａＡＳを更にエ
ピタキシャル成長させる２段階の成長により単結晶のＧ
ａＡｓ層をＳｉ基板上に形成する方法を用いる。なお、
この成長方法の具体的工程は既に説明しているのでここ
ではその説明を省略する。
にて説明した２段階の成長法を用いる。つまり、低温状
態で非晶質またはある程度結晶化したＧａＡｓをエピタ
キシャル成長させた後、高温状態にてＧａＡＳを更にエ
ピタキシャル成長させる２段階の成長により単結晶のＧ
ａＡｓ層をＳｉ基板上に形成する方法を用いる。なお、
この成長方法の具体的工程は既に説明しているのでここ
ではその説明を省略する。
ＭＯＣＶＤ法、 ＭＢＥ法では、高周波加熱または抵抗
線加熱等によりサセプタを加熱し、その上に保持された
Ｓｉ基板の温度を調節する。従来のサセプタ１４（第４
図参照）では、Ｓｉ基板１の底面全域がサセプタ１４に
接触しているので、Ｓｉ基板１の温度は均一である。従
って、成長基板に生じる熱応力によるクラックの発生を
Ｓｉ基板１の周縁部において避けることはできない。一
方、本発明のサセプタ４（第１図参照）では、Ｓｉ基板
１の周縁部に対応する位置に溝４ｂが設けられており、
Ｓｉ基板１の周縁部はサセプタ４に接触しない。従って
、Ｓｉ基板１の周縁部は中心部に比べて温度が低（なる
かまたは不安定となる。この結果、中央部では良好なエ
ピタキシャル層が形成され、周縁部では中央部に比べて
薄（結晶性が劣るエピタキシャル層が形成されてクラッ
クは発生しない。
線加熱等によりサセプタを加熱し、その上に保持された
Ｓｉ基板の温度を調節する。従来のサセプタ１４（第４
図参照）では、Ｓｉ基板１の底面全域がサセプタ１４に
接触しているので、Ｓｉ基板１の温度は均一である。従
って、成長基板に生じる熱応力によるクラックの発生を
Ｓｉ基板１の周縁部において避けることはできない。一
方、本発明のサセプタ４（第１図参照）では、Ｓｉ基板
１の周縁部に対応する位置に溝４ｂが設けられており、
Ｓｉ基板１の周縁部はサセプタ４に接触しない。従って
、Ｓｉ基板１の周縁部は中心部に比べて温度が低（なる
かまたは不安定となる。この結果、中央部では良好なエ
ピタキシャル層が形成され、周縁部では中央部に比べて
薄（結晶性が劣るエピタキシャル層が形成されてクラッ
クは発生しない。
以上のように、本発明のサセプタを用いてエピタキシャ
ル成長を行う場合には、周縁部を利用できないので従来
の成長基板に比べて利用できる面積は僅かに減少するが
、クラックの発生を防止して、基板製作の歩留りを向上
することができる。
ル成長を行う場合には、周縁部を利用できないので従来
の成長基板に比べて利用できる面積は僅かに減少するが
、クラックの発生を防止して、基板製作の歩留りを向上
することができる。
サセプタ４に形成する溝４ｂの幅は大きい程、クラック
防止の効果は大きいが、良品部分の面積か減少する欠点
もあるので、これらの点を考慮して溝４ｂの幅を設定す
る。
防止の効果は大きいが、良品部分の面積か減少する欠点
もあるので、これらの点を考慮して溝４ｂの幅を設定す
る。
次に、本発明のサセプタと従来のサセプタとを用いて、
Ｓｉ基板」−にＧａＡｓをエピタキシャル成長させてＱ
ａＡｓ成長基板を作製した場合の良品割合の比較につい
て説明する。エピタキシャル成長の条件は同一とし、具
体的には次の通りである。Ｓｉ基板（４インチ）を１０
００℃のＨ２雰囲気にて熱処理し、ＭＯＣＶＤ法を用い
て４５０°Ｃで厚さ２００人の低温成長ＧａＡｓ層をエ
ピタキシャル成長させた後、７００°Ｃで厚さ４μｍの
高温成長ＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させた。本発
明のサセプタ、従来のサセプタを夫々用いて、 １００
枚ずつのＳｉ基板上にＧａＡｓをエピタキシャル成長さ
せてＧａＡｓ成長基板を作製した。
Ｓｉ基板」−にＧａＡｓをエピタキシャル成長させてＱ
ａＡｓ成長基板を作製した場合の良品割合の比較につい
て説明する。エピタキシャル成長の条件は同一とし、具
体的には次の通りである。Ｓｉ基板（４インチ）を１０
００℃のＨ２雰囲気にて熱処理し、ＭＯＣＶＤ法を用い
て４５０°Ｃで厚さ２００人の低温成長ＧａＡｓ層をエ
ピタキシャル成長させた後、７００°Ｃで厚さ４μｍの
高温成長ＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させた。本発
明のサセプタ、従来のサセプタを夫々用いて、 １００
枚ずつのＳｉ基板上にＧａＡｓをエピタキシャル成長さ
せてＧａＡｓ成長基板を作製した。
そして作製したＧａＡｓ成長基板に対して、クラックの
発生を調査し、クラックがあるものは不良品として、良
品の割合を求めた。従来のサセプタを用いた場合の良品
の割合は６５％であったのに比べて、本発明のサセプタ
を用いた場合の良品の割合は８８％であり、歩留りの向
上が確認された。
発生を調査し、クラックがあるものは不良品として、良
品の割合を求めた。従来のサセプタを用いた場合の良品
の割合は６５％であったのに比べて、本発明のサセプタ
を用いた場合の良品の割合は８８％であり、歩留りの向
上が確認された。
以上詳述したように、本発明のエピタキシャル成長基板
サセプタは基板の周縁部に対応する位置に溝が設けられ
ていて、基板の周縁部がサセプタに接触しないようにな
っているので、例えばＳｉ基板」−へのＱａＡｓエピタ
キシャル成長の際にＧａＡｓ成長基板に生じる熱応力に
伴ったＧａＡｓ層のクラックの発生を大幅に低減するこ
とができ、基板製作の歩留りの向上を図れる等、本発明
は優れた効果を奏する。
サセプタは基板の周縁部に対応する位置に溝が設けられ
ていて、基板の周縁部がサセプタに接触しないようにな
っているので、例えばＳｉ基板」−へのＱａＡｓエピタ
キシャル成長の際にＧａＡｓ成長基板に生じる熱応力に
伴ったＧａＡｓ層のクラックの発生を大幅に低減するこ
とができ、基板製作の歩留りの向上を図れる等、本発明
は優れた効果を奏する。
第１図は本発明のエピタキシャル成長基板サセプタの模
式的断面図、第２図はＳｉ基板にＧａＡｓをエピタキシ
ャル成長させる工程を示す模式的断面図、第３図はこの
工程におけるエピタキシャル成長のシーケンス図、第４
図は従来のエピタキシャル成長基板サセプタの模式的断
面図である。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・低温エピタキシャル成長の
ＧａＡｓ層 ３・・・高温エピタキシャル成長のＧａＡ
ｓ層４・・・サセプタ ４ａ・・・凹部 ４ｂ・・・溝
特 許 出願人 住友金属工業株式会社代理人 弁
理士 河 野 登 夫Ｃ） Ｃ）
ＬＣ”）Ｏ〉寸 Ｉ旨醇資 ？−、Ｏ ｉササ Ｆ日 ε ば） ＯＪ −（Ｙ） ｃ’ｕ −ハハ
式的断面図、第２図はＳｉ基板にＧａＡｓをエピタキシ
ャル成長させる工程を示す模式的断面図、第３図はこの
工程におけるエピタキシャル成長のシーケンス図、第４
図は従来のエピタキシャル成長基板サセプタの模式的断
面図である。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・低温エピタキシャル成長の
ＧａＡｓ層 ３・・・高温エピタキシャル成長のＧａＡ
ｓ層４・・・サセプタ ４ａ・・・凹部 ４ｂ・・・溝
特 許 出願人 住友金属工業株式会社代理人 弁
理士 河 野 登 夫Ｃ） Ｃ）
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Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板の材料と異なる材料を前記基板上にヘテロエピ
タキシャル成長させる装置内に設けられ、前記基板を保
持する基板サセプタにおいて、 前記基板の周縁部に対応する位置に溝が形成されており
、前記基板に周縁部が接触しないような構造としたこと
特徴とするエピタキシャル成長基板サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31195190A JPH04182386A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | エピタキシャル成長基板サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31195190A JPH04182386A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | エピタキシャル成長基板サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182386A true JPH04182386A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=18023400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31195190A Pending JPH04182386A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | エピタキシャル成長基板サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04182386A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0829560A2 (en) * | 1996-09-10 | 1998-03-18 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A susceptor for a gas phase growth apparatus |
| JP2002343727A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2009111296A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sumco Corp | エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US10508363B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-12-17 | Nuflare Technology, Inc. | Vapor phase growth apparatus having substrate holder with ring-shaped protrusion |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31195190A patent/JPH04182386A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0829560A2 (en) * | 1996-09-10 | 1998-03-18 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A susceptor for a gas phase growth apparatus |
| EP0829560A3 (en) * | 1996-09-10 | 2000-03-22 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A susceptor for a gas phase growth apparatus |
| JP2002343727A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2009111296A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sumco Corp | エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US10508363B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-12-17 | Nuflare Technology, Inc. | Vapor phase growth apparatus having substrate holder with ring-shaped protrusion |
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