JPH04181537A - 光学的情報再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ディスクなどの光学的あるいは光磁気の情報
記録媒体に情報を記録、再生する光学的情報記録再生装
置に関し、とくにその記録媒体に記録された情報を再生
する光学ヘッド部分を改善した光学的情報再生装置に関
するものである。

〔従来の技術〕

光学的情報記録再生装置で、記録媒体の大きさに対して
、データの記憶容量が大きいという点で、コンピュータ
の外部記憶手段として利用されている。なかでも、光磁
気情報記録装置は、データの書換えが可能なことで有用
である。このような記憶手段を用いて情報の記録、再生
を行なう方式にはマーク間記録方式およびマーク長記録
方式（エツジ記録方式）が知られている。後者は前者に
比べてデータ容量を上げ得る点で有利であるとされてい
るが、この方式によって記録された記録媒体から正確に
情報を再生するためには光学ヘッド部分で、情報ビット
のエツジ位置を正確に読み取る必要がある。

通常、光磁気記録媒体用の光学ヘッドにおいては、光源
としての半導体レーザからの光束を対物レンズにより微
小スポットに集光し、このスポット光を用いてマーク間
記録方式でデータの記録を行なっており、また、この微
小スポット光の情報ビットからの反射光量の変化を差動
検出して情報の再生を行なっている。

このような従来の差動検出方式においては、入射直線偏
光の偏光方向と４５度をなす偏光軸方向を有する偏光ビ
ームスプリッタ−を用いて、反射光を２つの信号光に分
解し、この両光束から２つの信号を検出し、これから差
動信号を作り出している。

〔発明が解決しようとしている課題〕

このマーク長記録方式において、従来から知られている
ガウス分布状の光量分布を有する単一微小スポット光を
用いると、情報ビットからの反射感光の光量変化を差動
検出する時、投光スポット光の光量分布が、成る広がり
を有するがウス分布であって、反射光束全体の光量変化
を検出する場合にエツジ検出能力が低いという問題があ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、マーク
長記録方式で記録する場合に、エツジ検出能力が高い小
型光学ヘッド部分を備えた光学的情報再生装置を提供し
ようとするものである。

このため本発明では、半導体レーザからの直線偏光光束
を対物レンズを介して、情報記録面上においてスポット
光となるように投光し、前記スポット光の反射光束を受
け、この受光光束内の一部の領域の光束に対してその直
線偏光の偏光方向を９０度回転させる偏光方向回転光学
素子を設け、さらに前記領域の光束の位相と前記領域外
の光束の位相との位相差を調節する位相差調整光学素子
を設け、前記偏光方向が回転させられた光束部分と、回
転させられていない光束部分とを干渉させ、この干渉し
た結果の光強度分布を空間的に分割された光電変換検出
器により検出し、前記充電変換検出器からの出力信号の
差分信号を用いて前記情報記録面に記録された情報磁区
のエツジを検８するようにしている。

〔実施例〕

以下図面に従い本発明の光学的情報再生装置を説明する
。

第１図は本発明の光学的情報再生装置に用いられる光磁
気記録再生用ヘッドの概略図である。同図において、１
は波長λ（λ＝８３０ｎｍ）の直線偏光（この電界ベク
トル方向をＥで示す）を発する半導体レーザ、２はこの
光束を平行光束に変換するコリメータレンズ、３はＥ方
向の偏光成分はほとんど透過し、これと直交する方向の
偏光成分を１００％反射する第１の偏光ビームスプリッ
タ−１４は対物レンズである。５は対物レンズにより結
像された投光スポット、６は光磁気記録媒体である光磁
気ディスクに設けられた１つの情報トラック、７は光ス
ポットのトラッキング用に設けられた案内溝である。８
はＳ偏光を１００％反射し、ｐ偏光の一部を反射する第
２の偏光ビームスプリッタ−１９は透過波面である。１
０は光束の位相差を調整する位相差調整光学素子、１１
は１／２波長板であり、１２はＳ偏光を１００％反射し
、ｐ偏光を１００％透過する第３の偏光ビームスプリッ
タ−であり、１３．１５は各々結像レンズ、１４．１６
は各々１４−１．１４−２゜１６−１．１６−２からな
る２分割光電変換素子である。

半導体レーザ１から発した光束は、直線偏光であり、そ
の電界ベクトルの方向は、図中Ｅで示される方向である
。このＥの方向をｐ偏光方向とし、これと直交する方向
をＳ偏光方向とする。この光束はコリメータレンズ２に
より平行光束に変換される。この光束は第１の偏光ビー
ムスプリッタ−３を透過し、対物レンズ４により不図示
の光磁気ディスクの透明基盤を透過し、ＴｂＦｅＣｏな
との光磁気記録膜を有する情報トラック６上に光スポッ
ト５として結像される。

この光磁気記録膜により、磁気カー効果を受けた反射光
束は、Ｅの方向と直交するＳ方向の偏光成分を有し、こ
の偏光成分は第１の偏光ビームスプリッタ−３により全
て反射され、一方元々のｐ方向の偏光成分はその一部が
反射され、第２の偏光ビームスプリッタ−８に入射する
。第２の偏光ビームスプリッタ−８は、Ｓ方向の偏光成
分を１００％反射し、ｐ方向の偏光成分はその一部を透
過するという特性を有する。従って、第２の偏光ビーム
スプリッタ−８を透過後の光束９は全てｐ偏光成分であ
り、不図示のオートフォーカス制御用フォーカス検出光
学系、オートトラッキング制御用トラッキング検出光学
系へと導かれる。これら各検出光学系は従来公知の各種
方式を用いる事がができる。

他方第２の偏光ビームスプリッタ−８により反射された
光束は位相差調整光学素子１０を透過する。この光学素
子は後はど述べる１／２波長板１１を通過した光束とこ
れを通過しない周辺領域部の光束との光路長差によって
発生する位相差を０、又はπに調整するものであり、こ
こではゼロとする。従って、１／２波長板の厚みをｄ１
常光線に対する屈折率をｎｏとし、この位相差調整光学
素子の屈折率をｎとすると、ｎｏｄ＝ｎＤとなるように
、光学的に等方な透明誘電体からなるこの位相差調整光
学素子の厚みＤを決めればよい。この光学素子通過後の
中央部の光束は１／２波長板１１を透過する。１／２波
長板１１はこれを透過するｐ偏光、Ｓ偏光がその電界ベ
クトルを９０度回転するように設定されている。つまり
、１／２波長板の光学軸とｐｌ又はＳ偏光の方向とは４
５°の角度をなしている。他方周辺領域部の光束はこの
１／２波長板１１を通らないので偏光方向は回転されな
い。１２はこの光束をｐ偏光、Ｓ偏光に分離するための
偏光ビームスプリッタ−であり、ｐ偏光成分から成る光
束は結像レンズ１３により結像され、結像面近傍に設け
られた２分割光電変換素子１４へ入射する。他方Ｓ偏光
成分光束は偏光ビームスプリッタ−１２により反射され
、結像レンズ１５により結像され、結像面近傍に設けら
れた２分割光電変換素子１６へ入射する。２分割光電変
換素子１４．１６は情報トラック方向に（Ｘ方向）に垂
直な方向（ｙ方向）に分割線を有している。

第２図は光磁気記録膜に記録された１つの情報磁区１７
（磁化の方向Ｍ）上に光スポット５が入射した場合を示
している。

この光スポットを形成する入射光束１８上での電界ベク
トルをＥｉとする。この方向は先の第１図の説明に述べ
たようにｐ方向であり、これを１９のように示す。この
入射光束が光スポット５として光磁気記録膜で反射され
ると、磁気カー効果を受け、情報磁区１７の磁化の方向
に応じ直線偏光の偏光方向がθだけ回転し、反射光束２
０上での電界ベクトルは２１で示されるようになる。

この図の場合において、光スポツト５内には清報磁区の
エツジが存在せず、従って反射光束はエツジの情報を持
たない。

この光束は対物レンズ４を透過後、第１の偏光ビームス
プリッタ−３、第２の偏光ビームスプリッタ−８により
反射され、位相差調整光学素子１０．１／２波長板１１
に向かう。この１／２波長板通過後の光束内での偏光成
分をみると、第３図に示すようになる。

第３図は、１／２波長板１１を通過後の光束を第３の偏
光ビームスプリッタ−１２の手前から見た図であり、１
／２波長板１１を通過した中央部の光束２２内での偏光
方向は２４で示され、１／２波長板１１を通過しない周
辺部光束２３の偏光方向２５と９０度異なっている。

従って、この光束が第３の偏光ビームスプリッタ−１２
を透過した後のｐ偏光成分を見ると、第４図に示すよう
になる。第４図において、透過光束の中心部２２、周辺
部２３の偏光方向は先の第３図の２４．２５のｐ偏光成
分となり、２６．２７となる。

同様にして、第３の偏光ビームスプリッタ−１２を反射
した後のＳ偏光成分を見ると、第５図に示すようになる
。第５図において、反射光束の中心部２２、周辺部２３
の偏光方向は先の第３図の２４．２５のＳ偏光成分とな
り、２８．２９に示す電界ベクトルとなる。

第６図は第３の偏光ビームスプリッタ−１２を透過した
後の第４図に示したようなｐ偏光成分光束が結像レンズ
１３により光電変換素子１４上に作るスポット光の振幅
分布を示すものである。周辺部２３からの光束により振
幅分布３１が形成される。他方中央部の光束２２により
振幅分布３１とはπの位相差がある振幅分布３０が形成
される。

これら２つの振幅分布は、光軸に関して点対称の分布で
あり、光電変換素子はこれら２つの振幅分布が干渉した
結果の強度分布を検知する。従って第１図の２分割光電
変換素子１４−１．１４−２上には等しい光量が入射し
、この２つの充電変換素子からの出力信号は等しくなり
、差信号はゼロとなる。

一方、第３の偏光ビームスプリッタ−１２を反射した後
の第５図に示すＳ偏光成分光束が結像レンズ１５により
光電変換素子１６上に作るスポット光の振幅分布につい
ても同様に、中心部２２からの光束による光スポツト振
幅分布と周辺部２３からの光束による光スポツト振幅分
布とが干渉した結果の強度分布が２分割光電変換素子１
６上に入射する。この場合、２つの振幅分布の位相差は
０であり、各々の振幅分布は光軸に関して点対称の分布
であり、２つの光電変換素子１６−１゜１６−２からの
出力信号は等しくなり、差信号はゼロとなる。

第７図は光磁気記録膜に記録された情報磁区のエツジ上
にスポット光５が入射した場合を示している。

入射光束１８上での電界ベクトルの方向は先の第２図の
場合と同じであり、１９で示される。スポット光５が入
射する情報磁区はエツジ３２を境に、３３．３４で示さ
れるように互いにその磁化の方向が異なっている。入射
スポット光５の波面の内、磁化３３の影響を受ける領域
を５−１、磁化３４の影響を受ける領域を５−２とする
。波面５−１の光は磁化３３による磁気カー効果を受け
、反射光束３５のこの領域に対応する部分の光束３５−
１は、先の第２図と同じ方向にカー回転を受け、その電
界ベクトルは３６で示される。

一方、波面５−２の光は磁化３４による磁気カー効果を
受け、反射光束３５のこの領域に対応する部分の光束３
５−２は、３５−１とは反対方向へ偏光面が回転し、３
７で示されるような電界ベクトルとなる。

この反射光束は対物レンズ４を透過後、第１の偏光ビー
ムスプリッタ−３、第２の偏光ビームスプリッタ−８に
より反射され、位相差調整光学素子１０，１／２波長板
１１に向かう。この１／２波長板通過後の光束内での偏
光成分をみると、第８図に示すようになる。

第８図は、第３図と同様な図であり、１／２波長板１１
を通過した中央上部の光束３９内での偏光方向は４３で
示され、１７２波長板１１を通過しない周辺上部光束３
８の偏光方向４２と９０度異なっている。同様に中央下
部の光束４０内での偏光方向は４４で示され、周辺下部
の光束４１内での偏光方向４５と９０度異なっている。

　　　゛従って、この光束が第３の偏光ビームスプリッ
タ−１２を透過した後のｐ偏光成分を見ると、第９図に
示すようになる。第９図において、透過光束の中心上部
３９、周辺上部３８の偏光方向は先の第８図の４３．４
２のｐ偏光成分となり、４７．４６となる。また同じく
透過光束の中心下部４０、周辺下部４１の偏光方向は第
８図の４４．４５のｐ偏光成分となり４８．４９となる
。

同様にして、第３の偏光ビームスプリッタ−１２を反射
した後のＳ偏光成分を見ると、第１Ｏ図に示すようにな
る。第１０図において、反射光束の中心上部３９、周辺
上部３８の偏光方向は先の第８図の４３．４２のＳ偏光
成分となり５１．５０に示すＳ偏光となる。また、同じ
く反射光束の中心部４０、周辺下部４１の偏光方向は第
８図の４４．４５のＳ偏光成分となり、５２．５３に示
すＳ偏光となる。

第１１図は第３の偏光ビームスプリッタ−１２を透過し
た後の第９図に示したようなｐ偏光成分光束が結像レン
ズ１３により光電変換素子上に作るスポット光の振幅分
布を示すものである。周辺部３８．４１からのｐ偏光光
束は第９図４６．４９に示されるように大きな振幅で、
かつ同位相であり、結像レンズ１３により振幅分布５４
（破線）が形成される。他方中央部の光束３９．４０か
らのｐ偏光光束は第９図４７．４８に示されるように小
さな振幅で、かつ光束波面上にπの位相とびがあり、こ
のため対物レンズ１３により結像されると振幅分布５４
とは異なり振幅分布５５（実線）で示されるような光軸
上でゼロとなり、この前後で正負に分かれる振幅分布を
有する。光電変換素子面上に第１図のように光軸上を原
点とするＸ、ｙ座標をとり、ｙ＝０でＸ軸にそった振幅
分布を第１２図に示す。光電変換素子は５４．５５の２
つの振幅分布が干渉した結果の強度分布を検知する。従
って第１図の２分割光電変換素子の１４〜１上には２つ
の振幅分布の干渉の結果少ない光量分布が生じ、他方１
４−２上にはこれより大きな光量分布が入射し、この２
つの光電変換素子からの出力信号は等しいものではなく
、差信号はマイナスとなる。

一方、第３の偏光ビームスプリッタ−１２を反射した後
の第１０図に示すＳ偏光光束が結像レンズ１５により光
電変換素子１６上に作るスポット光の振幅分布について
も同様に第１３図に示すように、光束中心部３９．４０
からの大きな振幅、かつ同位相の光束による光スポツト
振幅分布５６（破線）と周辺部３８．４１からの小さな
振幅、かつπの位相とびを有する光束による光スポツト
振幅分布５７とが干渉した結果の強度分布が２分割光電
変換素子１６上に入射する。第１２図と同様に各々の振
幅分布を第１４図に示す。この場合も、先の第１１図の
場合と似たような振幅分布の干渉となり、光量分布に差
が生じ、２つの光電変換素子１６−１．１６−２からの
出力信号は等しいものではなくなり、差信号はプラスと
なる。

第１５図は投光スポット５と情報トラックが相対的に移
動し、第７図に示された情報磁区エツジの次のエツジに
かかった状態を示す。入射光束１８上での電界ベクトル
は先の第７図と同じであり、１９で示される。スポット
光５は、エツジ５８を境に３４．５９で示されるように
その磁化の方向が異なっている。光スポット５の波面の
内、磁化３４の影響を受ける部分を５−３、磁化５９の
影響を受ける部分を５−４とする。第７図と同様に反射
波面は各々の磁化の影響を受け、６０−１．６０−２と
なる。この各々の部分波面内での電界ベクトルの方向は
、各々６１．６２となる。先の第７図とくらべると、反
射波面６０内での電界ベクトルの方向が逆になっている
ことがわかる。

従って、先の第８図と同じくｌ／２波長板通過後の波面
３８．３９．４０．４１上での電界ベクトルの方向を示
すと、第１６図に示されるように６３．６４．６５．６
６となる。先の第９図、第１０図と同じくｌ／２波長板
を透過後、さらに第３の偏光ビームスプリッタ−１２を
透過又は反射後の波面３８．３９．４０．４１上の電界
ベクトルのｐ、ｓ各偶光成分を示すと第１７図、第１８
図となる。いずれも大きな振幅成分の光束（例えば６７
．７０など）については、先の第９図、第１０図と同じ
であるが、エツジ情報を担っている小さな振幅成分光束
（例えば６８．６９など）が第９図、第１０図とその向
きが逆になっている。

従ってこれら小さな振幅成分により形成される光振幅分
布が第１２図、第１４図の対応する振幅分布と正負が逆
になる。この結果、２つの光電変換素子からの差信号は
先の第７図の場合と逆符合になる。

以上述べたように、この実施例においては、従来の光学
系にそれほど大きな変更を加える亭なく、２分割光電変
換素子の差分信号を用いれば、精度よくエツジを検出で
きる光磁気ディスク用の光ヘッドを実現することができ
る。

さらに、各２分割光電変換素子からの差信号同士からさ
らに差信号を作り、これを用いれば、エツジを境とする
磁化変化の向きを検出することができる。すなわち、２
分割光電変換素子１４−１．１４−２からの差信号を８
１、同じ（２分割光電変換素子１６−１．１６−２から
の差信号を８２とし、この信号同士の差５Ｌ−３２をエ
ツジ検出信号とすれば、第１９図に示すような信号が得
られ、エツジの変化の方向に対応したエツジ検出信号を
得ることができる。第１９図において７５−１．７５−
２．７５−３はそれぞれ１つの情報磁区を示す。この中
の矢印は磁化の方向を示している。

本実施例においては、エツジの有無を光磁気記録媒体か
らの反射直後の光束に含まれるＳ偏光成分光束上での位
相のとびがあるか否かによって検出している。この位相
とびは光磁気記録媒体に記録された情報磁区の境界エツ
ジにより発生するものであるから、光磁気記録媒体から
の反射直後のＳ偏光成分光束上に、光軸を含みトラック
方向に直交する直線をはさんで位相変化が分布している
。

従って、このＳ偏光成分光束上の位相とびを検出するた
めには、この光軸を含みトラック方向に直交する直線を
はさんで分布している光束の位相を互いに比較しなけれ
ばならない。このＳ偏光を９０度回転させるために用い
る１／２波長板は、この比較すべき光束を通過させれば
良く、必ずしも本実施例のように光軸を含み同心形状で
ある必要はなく、ファラデー・ローチーターのような偏
光回転素子でもよい。

第２０図はこの１／２波長板と位相差調整光学素子との
他の形状例を示す図であり、先の第８図における１／２
波長板１１と位相差調整光学素子１０とに置き換わるべ
きものである。同図において、７６は第２の偏光ビーム
スプリッタ−８からの反射光束であり、７７は１／２波
長板であり、７８は位相差調整光学素子であり、光束７
６を中心部で左右２分割するように配置されている。

従ってこれらの光学素子透過後の光束波面は７９．８０
．８１，８２の４つの領域光束に分割でき、各々が先の
第８図での３８．３９．４０．４１の光束に対応する。

従って、これら光束７９〜８２内での電界ベクトルも第
８図４２〜４５で示されるものと同じであり、この光束
を第３の偏光ビームスプリッタ−１２へ導けば、先の実
施例と同様の機能を果たす光ヘッドを構成する事ができ
る。

本実施例においては、光磁気記録媒体反射直後の反射光
束内のｐ偏光成分の光束を用いてバイアス光振幅を確保
し、このバイアス光振幅にエツジ情報を担っているＳ偏
光成分の光束を干渉させ、エツジ情報を検出している。

この検出の敏感度を上げるためには、干渉する２つの光
束の振幅がなるべく等しい事が望ましい。しかし、光磁
気記録媒体でのカー回転角θは約１度程度の小さな値で
あるため、ｐ偏光成分光の振幅に比較してＳ偏光成分光
の振幅は非常に小さい。従って各々の振幅を近づけるた
めに、光電変換検出器上での光量減少が許される範囲内
でｐ偏光成分光の振幅を吸収フィルターなどにより小さ
くする事がエツジ検出感度を向上させるためには望まし
い。

また本実施例においては、光磁気記録媒体からの反射光
束に含まれるｐ、ｓ直交する偏光光束同士を干渉させる
ために、瞳内の一部光束のＳ偏光成分を１７２波長板を
通過させる事により、その電界ベクトルを９０度回転さ
せ、偏光が回転させられていない瞳内の他領域ｐ偏光光
束と干渉可能とし、これら瞳内の異なる空間的位置を占
める光束を結像レンズにより結像させて干渉させている
。

従ってこの両光束により作られる結像スポットサイズも
、上記バイアス光振幅分に相当するｐ偏光による光スポ
ツトサイズがやや大きいか、またはほぼ等しいサイズで
ある事が望ましく、このために結像レンズの前に開口を
設け、各々の結像スポットサイズを制御する事が望まし
い。

第２１図はこのような対策を考慮した光学系の１例を示
すものであり、先の第８図の光学系部分と置き代わる光
学系である。８３は第２の偏光ヒームスプリッター８か
らの反射光束であり、８４は１／２波長板であり、８５
は８５−１．８５−２からなる位相差調整光学素子であ
る。８６は中央部に短形開口を有する遮光板である。こ
の開口サイズは入射光束８３の上部８３−１、下部８３
−２に内接する正方形が上下に連なったものである。

１／２波長板の上下方向の幅はこの開口の上下幅の１／
２であり、位相差調整光学素子８５−１の上下方向の幅
は開口の上下幅の１／４である。

従って１／２波長板、位相差調整光学素子を透過し、開
口透過後の光束は８７．８８．８９．９０の４光束領域
に分割される。これらの光束は各々第８図の３８．３９
．４０．４１の光束に対応するものであり、しかも各光
束サイズがほぼ等しいサイズの短形である。従って、こ
れら光束を第３の偏光ビームスプリッタ−１２に導き、
結像レンズ１３、または１５により結像させれば、各光
束により形成されるスポットサイズはほぼ等しいものと
なる。

また本発明において、位相差調整光学素子は先の第１図
の説明で述べたものに限られるものではなく、例えば先
の実施例における１／２波長板と同部材（同材質で同じ
厚みを有する）の光学軸方向をｐ偏光の方向と一致させ
たもの、つまり同じ１／２波長板の光学軸方向を変えた
部材でもよい。

この場合光の第２０図、２１図に見られるような２つの
光学部材の厚み差による段差がな（なり、この部分から
回折ノイズが発生しなくて好ましい。

本実施例においては、投光直線偏光（ｐ偏光）とカー効
果によって発生するこれに直交する偏光成分（Ｓ偏光）
とを干渉させているので、従来の差動検出系で使われて
いるように、偏光ビームスプリッタ−を４５度回転させ
て配置する必要もない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は光磁気記録膜によって生
じる磁気カー効果のＳ偏光成分を用いて、従来の光磁気
ヘッドの構造を複雑化することなく、高精度に情報磁区
エツジを検出できる光磁気ディスク用の光ヘッドを実現
するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光学的情報再生装置に用いられる光ヘ
ッドの概略図、第２図は記録媒体の情報磁区上に光スポ
ットが入射した場合を示す図、第３図、第８図および第
１６図は１／２波長板通過後の光束の様子を示す図、第
４図、第５図、第９図、第１Ｏ図、第１７図および第１
８図は偏光ビームスプリッタ−を通過した後の光束の偏
光成分を示す図、第６図、第１１図、第１２図、第１３
図および第１４図はスポット光の振幅分布を示す図、第
７図および第１５１１は記録媒体の情報磁区のエツジ上
にスポット光が入射した場合を示す図、第１９図は光電
変換素子からの検出信号の様子を示す図、第２０図は１
／２波長板と位相差調整光学素子を示す図、第２１図は
第８図と光学系と置き代わる光学系を示す図である。 ■・・・半導体レーザ ２・・・コリメータレンズ ３・・・第１の偏光ビームスプリッタ−４・・・対物レ
ンズ ５・・・投光スポット ６・・・情報トラック ７・・・案内溝 ８・・・第２の偏光ビームスプリッタ−９・・・透過波
面 １０・・・位相差調整光学素子 １１・・・１／２波長板 １２・・・第３の偏光ビームスプリッタ−１３，１５・
・・結像レンズ １４．１６・・・２分割光電変換素子 第　ｑ図 Ｐ 第１θぽ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体レーザからの光束を投光光学系により、対
   物レンズを介して微小スポット光として情報記録面上に
   設けられた情報トラックに導き、前記情報記録面からの
   反射光を、前記対物レンズを介して受光光学系により光
   検出器に導き、磁気光学効果を利用して前記情報記録面
   上に記録された情報の再生を行なう光学的情報再生装置
   において、前記受光光学系は、前記情報トラックからの
   反射光束内の一部の領域の光束の偏光方向を９０度回転
   させる偏光方向回転光学素子、および前記領域内の光束
   のこの領域外の光束に対する位相差をある値に調整可能
   な位相差調整光学素子とを有し、前記偏光方向を回転さ
   せられた光束と、回転させられていない光束を干渉させ
   、前記結像スポットを２分割光電変換光検出器に導き、
   前記２分割光電変換光検出器からの差信号を用いて前記
   情報トラック上に記録された情報磁区のエッジを検出す
   る事を特徴とする光学的情報再生装置。