JPH04180620A - 半導体熱処理装置 - Google Patents
半導体熱処理装置Info
- Publication number
- JPH04180620A JPH04180620A JP30973990A JP30973990A JPH04180620A JP H04180620 A JPH04180620 A JP H04180620A JP 30973990 A JP30973990 A JP 30973990A JP 30973990 A JP30973990 A JP 30973990A JP H04180620 A JPH04180620 A JP H04180620A
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- Japan
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- jig
- furnace
- core tube
- throat
- furnace core
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造における炉芯管を地面に垂直
に設置する熱処理装置（以下、縦型拡散炉と称する）に
関し、特にウェーハに不純物を拡散するために用いた反
応気体及び反応気体の化学反応によって生じた生成物を
炉芯管外に排出する機構を備えた半導体熱処理装置に関
する。
に設置する熱処理装置（以下、縦型拡散炉と称する）に
関し、特にウェーハに不純物を拡散するために用いた反
応気体及び反応気体の化学反応によって生じた生成物を
炉芯管外に排出する機構を備えた半導体熱処理装置に関
する。
従来、この種の縦型拡散炉は、第２図の縦断面図に示す
様に、炉芯管ｌ内の熱によって、ウェーハ装填治具移動
装置１４及び炉芯管支持治具１１が異常に加熱されない
様に、炉芯管固定治具１１内に冷却水配管１０により冷
却水を流し炉口部分を冷却（室温〜１５０℃程度）して
いたため、反応気体及び反応気体の化学反応によって生
じた生成物は、炉口部の温度により一部は気体として排
気用配管７を通して排出され、残りは液体として液体排
出用配管１５を通して炉芯管外に排出する構造になって
いた。また、ウェーハ２を装填したウェーハ装填治具１
３はウェーハ装填治具支持具４上に置かれ、ウェーハ装
填治具移動装置１４により炉芯管１に出し入れされる。
様に、炉芯管ｌ内の熱によって、ウェーハ装填治具移動
装置１４及び炉芯管支持治具１１が異常に加熱されない
様に、炉芯管固定治具１１内に冷却水配管１０により冷
却水を流し炉口部分を冷却（室温〜１５０℃程度）して
いたため、反応気体及び反応気体の化学反応によって生
じた生成物は、炉口部の温度により一部は気体として排
気用配管７を通して排出され、残りは液体として液体排
出用配管１５を通して炉芯管外に排出する構造になって
いた。また、ウェーハ２を装填したウェーハ装填治具１
３はウェーハ装填治具支持具４上に置かれ、ウェーハ装
填治具移動装置１４により炉芯管１に出し入れされる。
なお３はヒーター、５は断熱材、６は遮蔽治具である。
上述した従来の縦型拡散炉では、炉口部が冷却される構
造になっているので、反応気体及び反応気体の化学反応
によって生じた生成物が一部液化し、そのため、■炉芯
管１の入口部分、炉芯管固定治具１１及びウェーハ装填
治具移動装置１４に液化した物質が付着し、十分に排出
されない、■加熱されたウェーハ装填治具１３を炉芯管
１より取り出すときに、ウェーハ装填治具１３の熱によ
って■で各部に付着した液体が蒸発し、ウェーハ２に再
付着することにより特性異常が発生し、歩留りが低下す
る、という欠点がある。
造になっているので、反応気体及び反応気体の化学反応
によって生じた生成物が一部液化し、そのため、■炉芯
管１の入口部分、炉芯管固定治具１１及びウェーハ装填
治具移動装置１４に液化した物質が付着し、十分に排出
されない、■加熱されたウェーハ装填治具１３を炉芯管
１より取り出すときに、ウェーハ装填治具１３の熱によ
って■で各部に付着した液体が蒸発し、ウェーハ２に再
付着することにより特性異常が発生し、歩留りが低下す
る、という欠点がある。
上述した従来の縦型拡散炉に対し、本発明は反応気体及
び反応気体の化学反応によって生じた物質を液化させな
いようにし、気体状態で排出するための加熱部分を有す
るという相違点がある。
び反応気体の化学反応によって生じた物質を液化させな
いようにし、気体状態で排出するための加熱部分を有す
るという相違点がある。
本発明の半導体熱処理装置は、反応気体と反応気体の化
学反応によって生じた生成物を気体状態で排出するため
、炉口部分を加熱（１００〜３００℃程度）する機構を
有している。
学反応によって生じた生成物を気体状態で排出するため
、炉口部分を加熱（１００〜３００℃程度）する機構を
有している。
すなわち本発明は、冷却構造を有する炉芯管支持治具上
に炉口部を下にして炉芯管を設置する縦型の半導体熱処
理装置において、前Ｊ己炉芯管支持治具と炉芯管との間
に炉口部分を加熱するための加熱治具を設けた構造を有
している。
に炉口部を下にして炉芯管を設置する縦型の半導体熱処
理装置において、前Ｊ己炉芯管支持治具と炉芯管との間
に炉口部分を加熱するための加熱治具を設けた構造を有
している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。ウェーハ
２に不純物を拡散するための反応気体及び反応気体の化
学反応によって生じた生成物は、ヒーター３によって加
熱された炉芯管１内を気体として通り、炉口部分に到達
する７ ウェーハ装填治具移動装置１４及び炉芯管支持治具１１
の冷却部分と炉芯管１との間に炉口部加熱用ヒーター９
を有する炉口部加熱治具８を設け、この加熱治具８は断
熱治具１２を介して炉芯管支持治具１１に固定されてい
る。炉口部分に到達した反応気体及び生成物は一定温度
（１００〜３００℃程度）に保たれ、液化することなく
気体状態で排気用配管７を通して縦型拡散炉外に排気さ
れる構造になっている、したがって、前述Ｌ７な従来技
術の問題点の炉口部分の治具の汚れ及びそれによるウェ
ーハへの悪影響を防止できる６〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、縦型の半導体熱処理装置
の炉口部分に不純物拡散に使用した反応気体及び反応気
体の化学反応によって生じた生成物を加熱するための機
構を有することにより、気体状態で生成物を縦型拡散炉
外に排気することが出来る。それにより、■炉芯管１の
炉口部分、炉芯管固定治具１１及びウェーハ装填治具移
動装置１４における反応気体及び生成物による汚れを防
止できる、■炉口部の汚れがウェーハ２へ再付着するこ
とによる特性異常及び歩留り低下を防止できる、という
効果がある。
２に不純物を拡散するための反応気体及び反応気体の化
学反応によって生じた生成物は、ヒーター３によって加
熱された炉芯管１内を気体として通り、炉口部分に到達
する７ ウェーハ装填治具移動装置１４及び炉芯管支持治具１１
の冷却部分と炉芯管１との間に炉口部加熱用ヒーター９
を有する炉口部加熱治具８を設け、この加熱治具８は断
熱治具１２を介して炉芯管支持治具１１に固定されてい
る。炉口部分に到達した反応気体及び生成物は一定温度
（１００〜３００℃程度）に保たれ、液化することなく
気体状態で排気用配管７を通して縦型拡散炉外に排気さ
れる構造になっている、したがって、前述Ｌ７な従来技
術の問題点の炉口部分の治具の汚れ及びそれによるウェ
ーハへの悪影響を防止できる６〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、縦型の半導体熱処理装置
の炉口部分に不純物拡散に使用した反応気体及び反応気
体の化学反応によって生じた生成物を加熱するための機
構を有することにより、気体状態で生成物を縦型拡散炉
外に排気することが出来る。それにより、■炉芯管１の
炉口部分、炉芯管固定治具１１及びウェーハ装填治具移
動装置１４における反応気体及び生成物による汚れを防
止できる、■炉口部の汚れがウェーハ２へ再付着するこ
とによる特性異常及び歩留り低下を防止できる、という
効果がある。
第１区は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は従来の
縦型拡散炉の縦断面図である。 １・・・炉芯管、２・・・ウェーハ、３・・・ヒーター
、４・・・ウェーハ装填治具支持具、５・・・断熱材、
６・・・遮蔽治具、７・・・排気用配管、８・・・炉口
部加熱治具、９・・・炉口部加熱用ヒーター、１０・・
・冷却水配管、１１・・・炉芯管支持治具、１２・・・
断熱治具、１３・・・ウェーハ装填治具、１４・・・ウ
ェーハ装填治具移動装置、１５・・・液体排出用配管。
縦型拡散炉の縦断面図である。 １・・・炉芯管、２・・・ウェーハ、３・・・ヒーター
、４・・・ウェーハ装填治具支持具、５・・・断熱材、
６・・・遮蔽治具、７・・・排気用配管、８・・・炉口
部加熱治具、９・・・炉口部加熱用ヒーター、１０・・
・冷却水配管、１１・・・炉芯管支持治具、１２・・・
断熱治具、１３・・・ウェーハ装填治具、１４・・・ウ
ェーハ装填治具移動装置、１５・・・液体排出用配管。
Claims (1)
- 冷却構造を有する炉芯管支持治具上に炉口部を下にし
て炉芯管を設置する縦型の半導体熱処理装置において、
前記炉芯管支持治具と炉芯管との間に炉口部分を加熱す
るための加熱治具を有することを特徴とする半導体熱処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30973990A JPH04180620A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30973990A JPH04180620A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04180620A true JPH04180620A (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=17996720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30973990A Pending JPH04180620A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04180620A (ja) |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP30973990A patent/JPH04180620A/ja active Pending
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