JPH04180563A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH04180563A JPH04180563A JP30740490A JP30740490A JPH04180563A JP H04180563 A JPH04180563 A JP H04180563A JP 30740490 A JP30740490 A JP 30740490A JP 30740490 A JP30740490 A JP 30740490A JP H04180563 A JPH04180563 A JP H04180563A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、スパッタリングにより薄膜を形成する装置に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
従来、スパッタリングにより薄膜を形成する場合は、第
２図に示すような装置を用いていた。
２図に示すような装置を用いていた。
以下、図面を参照しながら、従来の方法について述べる
。第２図において、２４は、ターゲット２２をメタルボ
ンディングした電極２１と１Ｆｆｉ、２３を内蔵したチ
ャンバーである。羊ヤレ・・−２４は排気ポンプ２５に
より真空排気され、カス導入口２６からガスを導入する
。２７は、電極２１に電力を供給するための電源である
。２８は、シャッター、第３図において、２９はターゲ
ット２２の浸食部分である。
。第２図において、２４は、ターゲット２２をメタルボ
ンディングした電極２１と１Ｆｆｉ、２３を内蔵したチ
ャンバーである。羊ヤレ・・−２４は排気ポンプ２５に
より真空排気され、カス導入口２６からガスを導入する
。２７は、電極２１に電力を供給するための電源である
。２８は、シャッター、第３図において、２９はターゲ
ット２２の浸食部分である。
以下、動作を説明するうまず、排気ポンプ２５によりチ
ャンバー２４内を１Ｏ−６Ｔｑｒｒ台まで真空排気する
。次に、ガス導入口２６より、Ａ ｒ等の不活性ガスを
導入する。その後、コンダクタンスバルブ等により圧力
調整を行い、１０ Ｔｏｒｒ台を維持し、電源２７に
より、電極２１に電力を供給する。すると、チャンバー
２４内にプラズマが発生し、スパッタリングが始まる。
ャンバー２４内を１Ｏ−６Ｔｑｒｒ台まで真空排気する
。次に、ガス導入口２６より、Ａ ｒ等の不活性ガスを
導入する。その後、コンダクタンスバルブ等により圧力
調整を行い、１０ Ｔｏｒｒ台を維持し、電源２７に
より、電極２１に電力を供給する。すると、チャンバー
２４内にプラズマが発生し、スパッタリングが始まる。
さらに、シャッター２８を開にすることにより、基板２
３にスパッタリングされた粒子が堆積し薄膜となる。ス
パッタリングされた後、除々にターゲット２２は、第３
図のように、局部的な浸食部２９が発生する。この深さ
は、最終的にターゲット２２の厚みのほぼ９０Ｑ６程度
までになる。
３にスパッタリングされた粒子が堆積し薄膜となる。ス
パッタリングされた後、除々にターゲット２２は、第３
図のように、局部的な浸食部２９が発生する。この深さ
は、最終的にターゲット２２の厚みのほぼ９０Ｑ６程度
までになる。
発明が解決しようとする課題
上記構成において、ターゲットに大きな浸食邪が発生す
ることにより２つの問題が発生する。すなわち、第一に
、薄膜形成速度のドリフト、第二に膜厚分布の形状変化
である９これにより、膜厚精度の向上が難しくなる。
ることにより２つの問題が発生する。すなわち、第一に
、薄膜形成速度のドリフト、第二に膜厚分布の形状変化
である９これにより、膜厚精度の向上が難しくなる。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、本発明のフィルムターゲット
方式スパッタ装置は、電極をスパッタ磁石を内蔵したロ
ール状にし、その表面にフィルムターゲットを電極の回
転き同期させて走行させ、フィルムターゲット自体は、
送り出しロールから送り出し、巻き取りロールで巻き取
る。
方式スパッタ装置は、電極をスパッタ磁石を内蔵したロ
ール状にし、その表面にフィルムターゲットを電極の回
転き同期させて走行させ、フィルムターゲット自体は、
送り出しロールから送り出し、巻き取りロールで巻き取
る。
作 用
この技術手段による作用は、次のようになる。
すなわち、電極をスパッタ磁石を内蔵したロール状にし
、同期回転させることにより、電極とフィルムターゲッ
トとの接触状態が良くなり、フィルムターゲットへのダ
メージが低減され、ターゲットか次々に供給されるこ上
により、ターゲ・リド浸食部分の深さが微々たるものに
なるため、薄膜形成速度・−厚分布の変動が、はとんど
なくなる。
、同期回転させることにより、電極とフィルムターゲッ
トとの接触状態が良くなり、フィルムターゲットへのダ
メージが低減され、ターゲットか次々に供給されるこ上
により、ターゲ・リド浸食部分の深さが微々たるものに
なるため、薄膜形成速度・−厚分布の変動が、はとんど
なくなる。
実施例
以下、本発明の実施例について、図面を参照しなから、
説明するっ第１図は本発明のフィルムターゲット方式ス
パッタ装置を示す。第１図において、８はスパッタ磁石
１及び水冷ジャケット部１２を内蔵したロール状メイン
電極２、フィルムターゲット３を走行させるための送り
出しロール４、巻き取りロール５と基板６及びシャッタ
ー７を内蔵したチャンバーである。９は、チャンバー８
にガスを導入するガス導入口、真空排気を行う排気ポン
プ１１及びロール状メイン電極２へ電力を供給する電源
１０により構成されている。
説明するっ第１図は本発明のフィルムターゲット方式ス
パッタ装置を示す。第１図において、８はスパッタ磁石
１及び水冷ジャケット部１２を内蔵したロール状メイン
電極２、フィルムターゲット３を走行させるための送り
出しロール４、巻き取りロール５と基板６及びシャッタ
ー７を内蔵したチャンバーである。９は、チャンバー８
にガスを導入するガス導入口、真空排気を行う排気ポン
プ１１及びロール状メイン電極２へ電力を供給する電源
１０により構成されている。
次に、動作について説明する。従来のスパッタと同様に
、高真空排気、カス導入を行った後、巻き取りロール５
及びロール状メイン電極２をモーター等の駆動系で回転
させる。ロール状メイン電極２及び巻き取りロール５を
回転されることにより、フィルムターゲット３が走行を
開始し、ロール状メイン電極２と同期定常走行になった
後、ロール状メイン電極２へ電極１０により、電力を供
給し放電を発生させる。フィルムターゲット３はスパッ
タされ、シャッタ７を開にすることにより、基板６へ薄
膜が形成される。また、フィルムターゲット３の厚みは
供給パワーと寿命との関係で６０〜１５０μｍとなって
いる。そのため、巨視的には浸食部分は形成されていな
い。ここで、巻き取りロール５の周速度はロール状メイ
ン電極２よりも若干速いスピードに設定され、送りだし
ロール４側には、ブレーキが装着されている。そのため
、フィルムターゲット３とロール状メイン電極２との接
触状態は良い。フィルムターゲット３の走行スピードは
０．５〜１０ｍ／ｍｉｎである。フィルムターゲット３
は動作時、停止時共にフィルムが伸びない程度の強いテ
ンシミンをかけている。フィルムターゲット３０ロール
状メイン電極２への抱き角は、６０°〜２７０°である
。
、高真空排気、カス導入を行った後、巻き取りロール５
及びロール状メイン電極２をモーター等の駆動系で回転
させる。ロール状メイン電極２及び巻き取りロール５を
回転されることにより、フィルムターゲット３が走行を
開始し、ロール状メイン電極２と同期定常走行になった
後、ロール状メイン電極２へ電極１０により、電力を供
給し放電を発生させる。フィルムターゲット３はスパッ
タされ、シャッタ７を開にすることにより、基板６へ薄
膜が形成される。また、フィルムターゲット３の厚みは
供給パワーと寿命との関係で６０〜１５０μｍとなって
いる。そのため、巨視的には浸食部分は形成されていな
い。ここで、巻き取りロール５の周速度はロール状メイ
ン電極２よりも若干速いスピードに設定され、送りだし
ロール４側には、ブレーキが装着されている。そのため
、フィルムターゲット３とロール状メイン電極２との接
触状態は良い。フィルムターゲット３の走行スピードは
０．５〜１０ｍ／ｍｉｎである。フィルムターゲット３
は動作時、停止時共にフィルムが伸びない程度の強いテ
ンシミンをかけている。フィルムターゲット３０ロール
状メイン電極２への抱き角は、６０°〜２７０°である
。
ロール状メイン電極２の冷却温度は、真空シール機構、
フィルムターゲット寿命、冷却機器の能力の関係で、０
〜−２０℃である。ロール状メイン電極２の材質は、ス
テンレスの表面研磨、または、鋼上にハートクロムメツ
キ後研磨でもよい。
フィルムターゲット寿命、冷却機器の能力の関係で、０
〜−２０℃である。ロール状メイン電極２の材質は、ス
テンレスの表面研磨、または、鋼上にハートクロムメツ
キ後研磨でもよい。
ロール状メイン電極２の外径は、製作上・ユニット価格
の点から５０〜５００ｍｍである。
の点から５０〜５００ｍｍである。
発明の効果
以上のように、本発明のフィルムターゲット方式スパッ
タ装置は、巨視的な浸食部分が無いため、薄膜形成速度
及び膜厚分布のドリフトがほとんど無（なり、インライ
ンタイプ・ロードロック式の機構を持つ装置において、
高精度の膜厚制御が可能になり歩留まりの向上に、延い
ては生産性向上にも寄与できる。
タ装置は、巨視的な浸食部分が無いため、薄膜形成速度
及び膜厚分布のドリフトがほとんど無（なり、インライ
ンタイプ・ロードロック式の機構を持つ装置において、
高精度の膜厚制御が可能になり歩留まりの向上に、延い
ては生産性向上にも寄与できる。
第１図は、本発明の一実施例におけるフィルムト・・・
・・スパッタ磁石、２・・・ロール状メイン電極、３・
・・・・・フィルムターゲット、４・・・・・・送り出
しロール、５・・・・・・昔き取りロール、６・・・・
・・基板、７．・・・・・シャ、ツタ−１８・・・・・
・チャンノ（−１９・・・・・・カス導入口、１０・・
・・・・電源、１１・・・・・・排気ポンプ。 代理人の氏名 弁理士小鍜治 明ほか２名１ −スハ’
ｑ ｑ石ｉ戸Ｏ ？−［］ノＬｎＪｉノを条！１【
・・スパッタ磁石、２・・・ロール状メイン電極、３・
・・・・・フィルムターゲット、４・・・・・・送り出
しロール、５・・・・・・昔き取りロール、６・・・・
・・基板、７．・・・・・シャ、ツタ−１８・・・・・
・チャンノ（−１９・・・・・・カス導入口、１０・・
・・・・電源、１１・・・・・・排気ポンプ。 代理人の氏名 弁理士小鍜治 明ほか２名１ −スハ’
ｑ ｑ石ｉ戸Ｏ ？−［］ノＬｎＪｉノを条！１【
Claims (1)
- フィルムターゲットを用いたスパッタリング装置にお
いて、真空排気ポンプ及びガス導入口を備えたチャンバ
ー内に、少なくとも１つのスパッタ磁石と冷却機能を備
えた、少なくとも１つのロール状メイン電極、フィルム
ターゲットを送り出す送り出しロール、フィルムを巻き
取る巻き取りロールを備えたスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30740490A JPH04180563A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30740490A JPH04180563A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04180563A true JPH04180563A (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=17968646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30740490A Pending JPH04180563A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04180563A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2460456A (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-02 | Mantis Deposition Ltd | Sputtering apparatus |
-
1990
- 1990-11-13 JP JP30740490A patent/JPH04180563A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2460456A (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-02 | Mantis Deposition Ltd | Sputtering apparatus |
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