JPH0417667A - セラミクス基板への薄膜形成方法 - Google Patents
セラミクス基板への薄膜形成方法Info
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- JPH0417667A JPH0417667A JP11881090A JP11881090A JPH0417667A JP H0417667 A JPH0417667 A JP H0417667A JP 11881090 A JP11881090 A JP 11881090A JP 11881090 A JP11881090 A JP 11881090A JP H0417667 A JPH0417667 A JP H0417667A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
上の
本発明は、セラミクス基板への薄膜形成方法に関するも
のである。
のである。
ｌ米ｎ１皿
従来、セラミクス部品への薄膜形成方法のうち電極を形
成するためには、導電性ペーストの焼き付けあるいは無
電解メツキ等が用いられてきた。
成するためには、導電性ペーストの焼き付けあるいは無
電解メツキ等が用いられてきた。
しかし、精密なパターンの電極を形成する場合にはフォ
トリソグラフィーによりフォトレジストで電極パターン
を作製し、スパッタリング、真空蒸着等の方法により電
極形成を行なう必要が生じてきた。
トリソグラフィーによりフォトレジストで電極パターン
を作製し、スパッタリング、真空蒸着等の方法により電
極形成を行なう必要が生じてきた。
また光学薄膜などの形成にもスパッタリング、真空蒸着
法が用いられている。
法が用いられている。
しかしながら、真空蒸着法で薄膜形成を行なった場合、
蒸着する材料の凝縮熱および凝固熱による基板への熱的
ダメージが発生し、基板材料が熱的な衝撃に弱い場合は
この熱的ダメージにより破壊することがある。
蒸着する材料の凝縮熱および凝固熱による基板への熱的
ダメージが発生し、基板材料が熱的な衝撃に弱い場合は
この熱的ダメージにより破壊することがある。
が しよ とする 点
真空蒸着法で薄膜形成を行なった場合、蒸着する材料の
凝縮熱と擬固熱による基板への熱的ダメージは避けられ
ない。基板材料が熱的な衝撃に弱い場合はこの熱的ダメ
ージにより破壊することがある。
凝縮熱と擬固熱による基板への熱的ダメージは避けられ
ない。基板材料が熱的な衝撃に弱い場合はこの熱的ダメ
ージにより破壊することがある。
本発明は、上記技術の問題点を解決するもので。
熱的な衝撃に弱いセラミクス基板へ真空蒸着法で薄膜を
形成する際に、基板の支持台として赤外線を吸収する材
質を用い、且つ蒸着速度を１５人／ ｓ ｅ ｃ以下と
し、熱的衝撃による破壊をさける方法を提供するために
なされたものである。
形成する際に、基板の支持台として赤外線を吸収する材
質を用い、且つ蒸着速度を１５人／ ｓ ｅ ｃ以下と
し、熱的衝撃による破壊をさける方法を提供するために
なされたものである。
るための
本発明の方法は、基板支持台の材質を選定することおよ
び蒸着速度を低く押さえることで、真空蒸着法で薄膜形
成を行なう場合に基板材料が破壊することを防止するこ
とからなっている。
び蒸着速度を低く押さえることで、真空蒸着法で薄膜形
成を行なう場合に基板材料が破壊することを防止するこ
とからなっている。
土工
本発明において対象となる材料は、熱的な衝撃に弱いセ
ラミクス材料である。例えばＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、Ｐ
ＺＴ、ＬｉＮｂ０．、ＭｇＯ等である。
ラミクス材料である。例えばＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、Ｐ
ＺＴ、ＬｉＮｂ０．、ＭｇＯ等である。
熱的な衝撃に弱いセラミクスとは、線膨張係数が大きく
且つ熱伝導度が低い材料をいう。その値は。
且つ熱伝導度が低い材料をいう。その値は。
線膨張係数＞５Ｘ１０−’／℃且つ熱伝導度く１０Ｗ／
ｍ −Ｋ程度である。熱的衝撃による破壊をさけるこ
とが出来易いためである。
ｍ −Ｋ程度である。熱的衝撃による破壊をさけるこ
とが出来易いためである。
セラミクス基板の形状は通常、直径＜ １００ ｍｍ’
。
。
厚さ（１ｍ ｍ程度である。
真空蒸着法により形成する薄膜材料としては、電極作製
の場合には通常、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮｉＣｒ、Ｎｉ、
Ｃｒ、Ｔｉ等を用いる。また光学的なコーティングの場
合には酸化物、フッ化物等の化合物を用いる。薄膜は１
層だけの場合と多層の場合がある。セラミクスに真空蒸
着法で金属の電極を形成する場合は、１層目に電極の密
着力を増すために酸化しやすい金属、２層目に電気伝導
度が高く腐食しにくい金属を通常用いる。例えばＰＬＺ
Ｔの場合はＮｉＣｒ＋Ａｕ電極を形成している。
の場合には通常、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮｉＣｒ、Ｎｉ、
Ｃｒ、Ｔｉ等を用いる。また光学的なコーティングの場
合には酸化物、フッ化物等の化合物を用いる。薄膜は１
層だけの場合と多層の場合がある。セラミクスに真空蒸
着法で金属の電極を形成する場合は、１層目に電極の密
着力を増すために酸化しやすい金属、２層目に電気伝導
度が高く腐食しにくい金属を通常用いる。例えばＰＬＺ
Ｔの場合はＮｉＣｒ＋Ａｕ電極を形成している。
蒸着を行なう際の速度としては１５人／ ｓ ｅ ｃ以
下が好ましく、最適は３〜１０人／ ｓ ｅ ｃである
。
下が好ましく、最適は３〜１０人／ ｓ ｅ ｃである
。
基板材料の破壊を防止できるからである。蒸着時の真空
度は１０−“ｔｏｒｒ以下が適当である。蒸着時の温度
は２５０℃以下が適当である。基板材料の破壊を未然に
防止できるからである。
度は１０−“ｔｏｒｒ以下が適当である。蒸着時の温度
は２５０℃以下が適当である。基板材料の破壊を未然に
防止できるからである。
基板支持台としては、セラミクス基板に蒸着された材料
の凝縮熱と凝固熱をすみやかに拡散させるために、赤外
線を吸収するものが好ましく有機物系のものが良い。具
体的にはテフロン、ポリプロピレン。
の凝縮熱と凝固熱をすみやかに拡散させるために、赤外
線を吸収するものが好ましく有機物系のものが良い。具
体的にはテフロン、ポリプロピレン。
ポリイミド等がある。
１蓋史上
第１図をもって本発明を説明する。
セラミクス基板２（５０ｍｍ〆＊０．３ｍｍ厚）として
フォトリソグラフィーによりフォトレジストめ電極パタ
ーンを形成したＰ Ｌ Ｚ、Ｔセラミクス、基板支持台
３としてポリプロピレン、蒸着金属１としてＮ ｉ −
Ｃｒを用いて電極形成を行なった。蒸着時の真空チャン
バー４内の真空度は１０−“Ｔｏｒｒ台。
フォトリソグラフィーによりフォトレジストめ電極パタ
ーンを形成したＰ Ｌ Ｚ、Ｔセラミクス、基板支持台
３としてポリプロピレン、蒸着金属１としてＮ ｉ −
Ｃｒを用いて電極形成を行なった。蒸着時の真空チャン
バー４内の真空度は１０−“Ｔｏｒｒ台。
蒸着速度は３〜５ Ａ／ ｓ ｅ ｃである。この条件
で電極形成を行なったところセラミクス基板にグラツク
発生等の破壊は生じなかった。
で電極形成を行なったところセラミクス基板にグラツク
発生等の破壊は生じなかった。
叉上璽又
実施例１と同様に第１図に基づき説明する。
セラミクス基板２（５０ｍｍグ＊０．３ｍｍ厚）として
フォトリソグラフィーによりフォトレジストの電極パタ
ーンを形成したＰＬＺＴセラミクス、基板支持台３とし
てテフロン、蒸着金属１としてＡｕを用いて電極形成を
行なった。蒸着時の真空チャンバー４内の真空度は１０
−“Ｔｏｒｒ台、蒸着速度は８〜１０Ａ／ｓｅｅである
。この条件で電極形成を行なったところセラミクス基板
にクツラック発生等の破壊は生じなかった。
フォトリソグラフィーによりフォトレジストの電極パタ
ーンを形成したＰＬＺＴセラミクス、基板支持台３とし
てテフロン、蒸着金属１としてＡｕを用いて電極形成を
行なった。蒸着時の真空チャンバー４内の真空度は１０
−“Ｔｏｒｒ台、蒸着速度は８〜１０Ａ／ｓｅｅである
。この条件で電極形成を行なったところセラミクス基板
にクツラック発生等の破壊は生じなかった。
且笠五工
第１図に基づき以下説明する。
セラミクス基板２（５０ｍｍ〆＊０．３ｍｍ厚）として
フォトリソグラフィーによりフォトレジストの電極パタ
ーンを形成したＰＬＺＴセラミクス、基板支持台３とし
てステンレス、蒸着金属１としてＡＵを用いて電極形成
を行なった。蒸着時の真空チャンバー内の真空度は１ｏ
−“台、蒸着速度は２５〜５０人／ ｓ ｅ ｃである
。この条件で電極形成を行なったところセラミクス基板
にクツラックが発生し破壊が生じた。
フォトリソグラフィーによりフォトレジストの電極パタ
ーンを形成したＰＬＺＴセラミクス、基板支持台３とし
てステンレス、蒸着金属１としてＡＵを用いて電極形成
を行なった。蒸着時の真空チャンバー内の真空度は１ｏ
−“台、蒸着速度は２５〜５０人／ ｓ ｅ ｃである
。この条件で電極形成を行なったところセラミクス基板
にクツラックが発生し破壊が生じた。
ユ較五旦
第１図に基づき以下説明する。
セラミクス基板２ （５０ｍｍ’ ＊０．３ｍｍ厚）と
してフォトリソグラフィーによりフォトレジストの電極
パターンを形成したＰＬＺＴセラミクス、基板支持台３
としてステンレス、蒸着金属ｌとしてＡＵを用いて電極
形成を行なった。蒸着時の真空チャンバー４内の真空度
は１０−゛台、蒸着速度は８〜ｌＯＡ／ＳｅＣである。
してフォトリソグラフィーによりフォトレジストの電極
パターンを形成したＰＬＺＴセラミクス、基板支持台３
としてステンレス、蒸着金属ｌとしてＡＵを用いて電極
形成を行なった。蒸着時の真空チャンバー４内の真空度
は１０−゛台、蒸着速度は８〜ｌＯＡ／ＳｅＣである。
この条件で電極形成を行なったところセラミクス基板に
クツラックが発生し破壊が生じた。
クツラックが発生し破壊が生じた。
′ 且里Ω羞米
以上のように、真空蒸着法で電極を形成する際に。
蒸着速度を低く押さえることおよび基板支持台の材質を
選定することを、熱的な衝撃に弱いセラミクス基板へ適
用すると、電接形成時にセラミクス基板に破壊が生ずる
ことなく、好ましい結果が得られる。
選定することを、熱的な衝撃に弱いセラミクス基板へ適
用すると、電接形成時にセラミクス基板に破壊が生ずる
ことなく、好ましい結果が得られる。
第１図は本発明の実施例における真空蒸着時の概略図。
ｌ−蒸着金属
２−セラミクス基板
３一基板支持台
４−真空チャンバ
図面の浄書
Claims (1)
- セラミクス基板へ真空蒸着法で薄膜を形成する際に、
基板の支持台として赤外線を吸収する材質を用い、且つ
蒸着速度を１５Å／ｓｅｃ以下とすることを特徴とする
薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11881090A JPH0417667A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | セラミクス基板への薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11881090A JPH0417667A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | セラミクス基板への薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417667A true JPH0417667A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14745694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11881090A Pending JPH0417667A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | セラミクス基板への薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0417667A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5446824A (en) * | 1991-10-11 | 1995-08-29 | Texas Instruments | Lamp-heated chuck for uniform wafer processing |
| JP2005256171A (ja) * | 2005-02-21 | 2005-09-22 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 金薄膜の製造方法とそれを用いた水晶振動子 |
| JP2005269628A (ja) * | 2005-02-21 | 2005-09-29 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 水晶振動子とその電極膜の製造方法 |
| CN112723910A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-04-30 | 山东欣远新材料科技有限公司 | 一种掺硼金刚石薄膜电极泡沫陶瓷基体及其制备方法 |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP11881090A patent/JPH0417667A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5446824A (en) * | 1991-10-11 | 1995-08-29 | Texas Instruments | Lamp-heated chuck for uniform wafer processing |
| JP2005256171A (ja) * | 2005-02-21 | 2005-09-22 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 金薄膜の製造方法とそれを用いた水晶振動子 |
| JP2005269628A (ja) * | 2005-02-21 | 2005-09-29 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 水晶振動子とその電極膜の製造方法 |
| CN112723910A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-04-30 | 山东欣远新材料科技有限公司 | 一种掺硼金刚石薄膜电极泡沫陶瓷基体及其制备方法 |
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