JP2526883B2 - 薄膜状窒化チタン系物質 - Google Patents
薄膜状窒化チタン系物質Info
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- JP2526883B2 JP2526883B2 JP62023000A JP2300087A JP2526883B2 JP 2526883 B2 JP2526883 B2 JP 2526883B2 JP 62023000 A JP62023000 A JP 62023000A JP 2300087 A JP2300087 A JP 2300087A JP 2526883 B2 JP2526883 B2 JP 2526883B2
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- titanium nitride
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、新規な薄膜状窒化チタン系物質に関する。
（従来の技術） これまで窒化チタン系物質としては、窒素原子１個に
チタン原子１個が結合したTiNが知られている。
チタン原子１個が結合したTiNが知られている。
（発明の概要） 本発明者らは、特に膜薄製作技術の１種であるイオン
プレーティングによる薄膜状窒化チタン系物質によって
研究の結果、従来報告されていない新規な薄膜状物質を
製造した。
プレーティングによる薄膜状窒化チタン系物質によって
研究の結果、従来報告されていない新規な薄膜状物質を
製造した。
この新規物質は薄膜状であるが故に正確な化学組成、
分子構造、結晶構造等の分析が現状では不可能である。
ただ、窒化チタン系物質であることは分析の結果間違い
なし。しかるに何が新規物質であるか、その根拠を述べ
ると、この新規物質は赤外線領域特に波長λ＝800〜900
nmに於ける絶対反射率R800-900が90％以上と高い点が、
従来の薄膜状窒化チタン系物質とは明確に異なるのであ
る。従来のそれはせいぜいR800-900＝65％どまりであっ
た。
分子構造、結晶構造等の分析が現状では不可能である。
ただ、窒化チタン系物質であることは分析の結果間違い
なし。しかるに何が新規物質であるか、その根拠を述べ
ると、この新規物質は赤外線領域特に波長λ＝800〜900
nmに於ける絶対反射率R800-900が90％以上と高い点が、
従来の薄膜状窒化チタン系物質とは明確に異なるのであ
る。従来のそれはせいぜいR800-900＝65％どまりであっ
た。
従って、本発明では、この新規物質を止むを得ずR
800-900＝90％以上の薄膜状窒化チタン系物質と定義す
る。
800-900＝90％以上の薄膜状窒化チタン系物質と定義す
る。
よって、本発明は、波長λ＝800〜900nmに於ける絶対
反射率R800-900が90％以上を有し、炭化チタンを含まな
い薄膜状窒化チタン系物質を提供するものである。
反射率R800-900が90％以上を有し、炭化チタンを含まな
い薄膜状窒化チタン系物質を提供するものである。
（作用） 本発明の新規物質は、例えばアーク放電型イオンプレ
ーティング装置を用い、チャンバー内を一旦１×10-5To
rr.以下に排気した後、アルゴンガスと窒素ガスを流し
ながら、チャンバー内の真空度を１×10-3Torr.以下と
し、一方蒸発源として金属チタン塊を用い、基板温度を
300℃以下に保持して、プラズマ中で反応蒸着を行うこ
とにより基板上に生成させることができる。
ーティング装置を用い、チャンバー内を一旦１×10-5To
rr.以下に排気した後、アルゴンガスと窒素ガスを流し
ながら、チャンバー内の真空度を１×10-3Torr.以下と
し、一方蒸発源として金属チタン塊を用い、基板温度を
300℃以下に保持して、プラズマ中で反応蒸着を行うこ
とにより基板上に生成させることができる。
この新規物質の膜厚は、用途によって異なるので一概
に言えないが、一般には0.1〜10μｍ位であろう。
に言えないが、一般には0.1〜10μｍ位であろう。
こうして製造される本発明の新規物質は、基板との
密着性が良好で、化学的に安定で耐食性があり、高
温耐湿性、かつ耐摩耗性があり、それでいて赤外域
での反射率が高いので、赤外線反射膜として有用であ
る。
密着性が良好で、化学的に安定で耐食性があり、高
温耐湿性、かつ耐摩耗性があり、それでいて赤外域
での反射率が高いので、赤外線反射膜として有用であ
る。
ちなみに従来の代表的な赤外線反射膜であるAl膜は、
次のような問題点（１）〜（３）がある。
次のような問題点（１）〜（３）がある。
（１）腐食しやすい金属反射膜のAlを保護するため２層
以上にする必要があり製造過程が複雑となっていた。
以上にする必要があり製造過程が複雑となっていた。
（２）温度60℃、湿度90％RH以上の環境下で長期間使用
すると保護膜に微細なクラックを生じ、そのため金属反
射膜のAlが腐食して反射率が低下してしまう。
すると保護膜に微細なクラックを生じ、そのため金属反
射膜のAlが腐食して反射率が低下してしまう。
（３）耐摩耗性を調査するために落砂試験を実施する
と、保護膜が剥離し、そのため金属反射膜のAlも剥離し
て反射率が著しく低下してしまう。
と、保護膜が剥離し、そのため金属反射膜のAlも剥離し
て反射率が著しく低下してしまう。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（実施例） 上記のアーク放電型イオンプレーティング装置を用い
て、真空度６×10-4Torr.基板温度280℃で、鏡面研磨し
たステンレス（SUS304）基板上に窒化チタン系物質を１
μｍ成膜した。
て、真空度６×10-4Torr.基板温度280℃で、鏡面研磨し
たステンレス（SUS304）基板上に窒化チタン系物質を１
μｍ成膜した。
（比較例） 鏡面研磨したステンレンス（SUS304）基板上にAlを0.
5μｍ蒸着した後、SiOを0.5μｍ蒸着積層した。
5μｍ蒸着した後、SiOを0.5μｍ蒸着積層した。
（試験例１） 実施例と比較例で成膜した赤外線反射膜について、波
長λ＝840nmの測定光を用いて反射率（％）を測定した
後、ヒートサイクル試験（温度：−40〜150℃、温度:20
〜95％RH）を30サイクル行ない、その後再び反射率
（％）を同様に測定した。この結果を第１表に示す。
長λ＝840nmの測定光を用いて反射率（％）を測定した
後、ヒートサイクル試験（温度：−40〜150℃、温度:20
〜95％RH）を30サイクル行ない、その後再び反射率
（％）を同様に測定した。この結果を第１表に示す。
（試験例２） 試験例１と同様に反射率（％）を測定した後、耐湿性
を調べるため、耐湿試験（温度:60℃、湿度:90％RH）を
150時間行ない、その後再び反射率（％）を同様に測定
した。この結果を第１表に示す。
を調べるため、耐湿試験（温度:60℃、湿度:90％RH）を
150時間行ない、その後再び反射率（％）を同様に測定
した。この結果を第１表に示す。
（試験例３） 試験例１に同様に反射率（％）を測定した後、耐摩耗
性を調べるため、落砂試験（鉄粉:700g）を行ない、そ
の後再び反射率（％）を同様に測定した。この結果を第
１表に示す。
性を調べるため、落砂試験（鉄粉:700g）を行ない、そ
の後再び反射率（％）を同様に測定した。この結果を第
１表に示す。
（発明の効果） 以上のとおり、本発明によれば、赤外域λ＝800〜900
nmに於いて反射率が90％以上の薄膜状窒化チタン系の新
規物質が提供される。
nmに於いて反射率が90％以上の薄膜状窒化チタン系の新
規物質が提供される。
この物質は、基板との密着性が良好で、化学的に安定
でヒートサイクル試験（温度：−40〜150℃、湿度:20〜
95％RH）、耐湿試験（温度60℃、湿度90％RH）落砂試験
後も反射率が全く又はほとんど低下しない。
でヒートサイクル試験（温度：−40〜150℃、湿度:20〜
95％RH）、耐湿試験（温度60℃、湿度90％RH）落砂試験
後も反射率が全く又はほとんど低下しない。
第１図は、分光絶対反射率特性を表わすグラフであり、
曲線１は実施例のそれであり、曲線２は比較例のそれで
ある。
曲線１は実施例のそれであり、曲線２は比較例のそれで
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】波長λ＝800〜900nmに於ける絶対反射率が
90％以上有した炭化チタン物質を含まない薄膜状窒化チ
タン系物質。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023000A JP2526883B2 (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 薄膜状窒化チタン系物質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023000A JP2526883B2 (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 薄膜状窒化チタン系物質 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190703A JPS63190703A (ja) | 1988-08-08 |
| JP2526883B2 true JP2526883B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=12098240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62023000A Expired - Fee Related JP2526883B2 (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 薄膜状窒化チタン系物質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526883B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150184290A1 (en) * | 2013-12-30 | 2015-07-02 | Gtat Corporation | Radiation shielding for a cvd reactor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107215851A (zh) * | 2016-03-22 | 2017-09-29 | 纳琳威纳米科技（上海）有限公司 | 一种高隔热纳米陶瓷粉体及其制备方法和用途 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144379A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Minolta Camera Co Ltd | 定着装置 |
-
1987
- 1987-02-03 JP JP62023000A patent/JP2526883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150184290A1 (en) * | 2013-12-30 | 2015-07-02 | Gtat Corporation | Radiation shielding for a cvd reactor |
| US11015244B2 (en) * | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63190703A (ja) | 1988-08-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |