JPH04174937A - 含浸型陰極の製造方法 - Google Patents
含浸型陰極の製造方法Info
- Publication number
- JPH04174937A JPH04174937A JP30321690A JP30321690A JPH04174937A JP H04174937 A JPH04174937 A JP H04174937A JP 30321690 A JP30321690 A JP 30321690A JP 30321690 A JP30321690 A JP 30321690A JP H04174937 A JPH04174937 A JP H04174937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molybdenum
- ruthenium
- thin plate
- impregnated
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 30
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 17
- OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N molybdenum ruthenium Chemical compound [Mo].[Ru] OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000941 radioactive substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 4
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 abstract description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 abstract description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
この発明は、含浸型陰極の製造方法に関する。
(従来の技術)
一般に、陰極線管等の電子管用陰極として、従来より多
孔質タングステン薄板の空孔部に電子放射性物質を含浸
させ、且つこの多孔質タングステン薄板の一方の面(背
面)にルテニウム・モリブデン溶融層を形成して、電子
放射性物質の蒸発を防ぐようにした含浸型陰極がある。
孔質タングステン薄板の空孔部に電子放射性物質を含浸
させ、且つこの多孔質タングステン薄板の一方の面(背
面)にルテニウム・モリブデン溶融層を形成して、電子
放射性物質の蒸発を防ぐようにした含浸型陰極がある。
この種の含浸型陰極の製造方法としては、既に各種の方
法が知られているが、その一方法として特開昭58−4
4643号公報には、次の方法が示されている。
法が知られているが、その一方法として特開昭58−4
4643号公報には、次の方法が示されている。
先ず、タングステン粉末を圧縮成形した後、還元性雰囲
気中で焼結して径大な多孔質タングステンロッドを形成
する。次に、この多孔質タングステンロッドの空孔部に
銅を含浸する。そして、この銅含浸多孔質タングステン
ロッドを、旋盤加工或いはワイヤ放電加工などにより、
厚さ0.5mm、直径30.mm程度の薄板にスライス
する。
気中で焼結して径大な多孔質タングステンロッドを形成
する。次に、この多孔質タングステンロッドの空孔部に
銅を含浸する。そして、この銅含浸多孔質タングステン
ロッドを、旋盤加工或いはワイヤ放電加工などにより、
厚さ0.5mm、直径30.mm程度の薄板にスライス
する。
次に、硝酸によりこの薄板中の銅を溶解、或いは還元性
雰囲気中で加熱処理して、薄板から銅を除去する。
雰囲気中で加熱処理して、薄板から銅を除去する。
その後、この多孔質タングステン薄板の一方の面にルテ
ニウムとモリブデンの混合粉末と有機バイダーからなる
懸濁液を滴下して乾燥し、更に還元性雰囲気中で約20
00℃に加熱して、多孔質タングステン薄板の一方の面
にルテニウムとモリブデンを溶融させて、電子放射性物
質の蒸発を防止するためのルテニウム・モリブデン混合
溶融層を形成する。その後、還。光性雰囲気中で、この
多孔質タングステン薄板の空孔部に、Bad。
ニウムとモリブデンの混合粉末と有機バイダーからなる
懸濁液を滴下して乾燥し、更に還元性雰囲気中で約20
00℃に加熱して、多孔質タングステン薄板の一方の面
にルテニウムとモリブデンを溶融させて、電子放射性物
質の蒸発を防止するためのルテニウム・モリブデン混合
溶融層を形成する。その後、還。光性雰囲気中で、この
多孔質タングステン薄板の空孔部に、Bad。
Ca OSA 1’ 20 iからなる電子放射性物質
を含浸させる。そして、この電子放射性物質が含浸され
た多孔質タングステン薄板を、放電加工或いはレーザ加
工などにより、所定形状に切り抜いて陰極とする。
を含浸させる。そして、この電子放射性物質が含浸され
た多孔質タングステン薄板を、放電加工或いはレーザ加
工などにより、所定形状に切り抜いて陰極とする。
(発明が解決しようとする課題)
ところか、上記のような従来の製造方法によると、多孔
質タングステン薄板の一方の面にルテニウム・モリブデ
ン混合溶融層を均一な厚さに形成することが難しい。そ
のため、その後の所定形状寸法に切り抜かれた陰極を支
持体に接合する時、ルテニウム・モリブデン混合溶融層
全面か支持体の接合面に密着せず、又、剥離することか
ある。
質タングステン薄板の一方の面にルテニウム・モリブデ
ン混合溶融層を均一な厚さに形成することが難しい。そ
のため、その後の所定形状寸法に切り抜かれた陰極を支
持体に接合する時、ルテニウム・モリブデン混合溶融層
全面か支持体の接合面に密着せず、又、剥離することか
ある。
その結果、支持体から陰極への熱伝導が不安定となり、
安定した電子放射か得られないという問題かある。
安定した電子放射か得られないという問題かある。
この発明は、以上のような問題点を解決して、大量生産
において安定した品質の含浸型陰極が得られる含浸型陰
極の製造方法を提供することを目的とする。
において安定した品質の含浸型陰極が得られる含浸型陰
極の製造方法を提供することを目的とする。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
この発明は、多孔質タングステン薄板の一方の面にルテ
ニウムとモリブデンを主成分とする印刷用ペーストをス
クリーン印刷にて塗布した後、乾燥して上記多孔質タン
グステン薄板の一方の面にルテニウム・モリブデン塗布
層を形成する工程と、この工程の次に、上記ルテニウム
・モリブデン塗布層を溶融してルテニウム・モリブデン
溶融層を形成する工程と、この工程の次に、上記ルテニ
ウム・モリブデン溶融層が形成された多孔質タングステ
ン薄板の空孔部に電子放射性物質を含浸する工程と、こ
の工程の次に、上記電子放射性物質が含浸された多孔質
タングステン薄板を切り抜いて所定形状の陰極を形成す
る工程と、を具備する含浸型陰極の製造方法である。
ニウムとモリブデンを主成分とする印刷用ペーストをス
クリーン印刷にて塗布した後、乾燥して上記多孔質タン
グステン薄板の一方の面にルテニウム・モリブデン塗布
層を形成する工程と、この工程の次に、上記ルテニウム
・モリブデン塗布層を溶融してルテニウム・モリブデン
溶融層を形成する工程と、この工程の次に、上記ルテニ
ウム・モリブデン溶融層が形成された多孔質タングステ
ン薄板の空孔部に電子放射性物質を含浸する工程と、こ
の工程の次に、上記電子放射性物質が含浸された多孔質
タングステン薄板を切り抜いて所定形状の陰極を形成す
る工程と、を具備する含浸型陰極の製造方法である。
(作用)
この発明によれば、多孔質タングステン薄板の一方の面
にルテニウムとモリブデンを主成分とする印刷用ペース
トをスクリーン印刷にて塗布することにより、ルテニウ
ム・モリブデンが均一に混在している層を形成させるこ
とが出来る。
にルテニウムとモリブデンを主成分とする印刷用ペース
トをスクリーン印刷にて塗布することにより、ルテニウ
ム・モリブデンが均一に混在している層を形成させるこ
とが出来る。
この結果、安定した品質の含浸型陰極を容易に製造する
ことが出来る。
ことが出来る。
(実施例)
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
この発明による含浸型陰極の製造方法は第1図(a)〜
(f)に示すように構成され、先ず同図(a)に示すよ
うに、平均粒径4〜5μmのルテニウム(Ru)粉末と
平均粒径3〜5μmのモリブデン(M o )粉末とを
、重量比で2:3になるように混合する。
(f)に示すように構成され、先ず同図(a)に示すよ
うに、平均粒径4〜5μmのルテニウム(Ru)粉末と
平均粒径3〜5μmのモリブデン(M o )粉末とを
、重量比で2:3になるように混合する。
次に、この混合粉末に有機バイダーとしてエチルセルロ
ース、溶剤としてα−テルピネオール、補助剤としてビ
ヒクルを添加し、3本ロールミルを用いて十分に溶練し
て、粘度が約400kcpの印刷用ペースト1を作成す
る。
ース、溶剤としてα−テルピネオール、補助剤としてビ
ヒクルを添加し、3本ロールミルを用いて十分に溶練し
て、粘度が約400kcpの印刷用ペースト1を作成す
る。
次に、同図(b)に示すように、多孔質タングステン薄
板3の一方の面にペースト1をスクリーン印刷により均
一に塗布した後、乾燥して約40μmの均一な塗布層2
aを形成する。
板3の一方の面にペースト1をスクリーン印刷により均
一に塗布した後、乾燥して約40μmの均一な塗布層2
aを形成する。
この時のスクリーン印刷条件は、スクリーンギャップ1
.0mm、スキージHs硬度60°1角度45°、印刷
速度40 m m / s 、印圧3Kg/cm2であ
る。そして、スクリーンはステンレスの100メツシユ
、エマルジョン厚さは20μmを使用した。
.0mm、スキージHs硬度60°1角度45°、印刷
速度40 m m / s 、印圧3Kg/cm2であ
る。そして、スクリーンはステンレスの100メツシユ
、エマルジョン厚さは20μmを使用した。
次に、これを還元性雰囲気中で約2000℃で5秒間加
熱することにより、同図(’ c )に示すように、多
孔質タングステン薄板3の一方の面に、厚さ約20μm
の均一なルテニウム・モリブデン溶融層2を形成する。
熱することにより、同図(’ c )に示すように、多
孔質タングステン薄板3の一方の面に、厚さ約20μm
の均一なルテニウム・モリブデン溶融層2を形成する。
次に、同図(d)に示すように、均一なルテニウム・モ
リブデン溶融層2が形成された多孔質タングステン薄板
3の他方の面に、B a O1Ca O5Aρ203か
らなる電子放射性物質4を積載して、これを還元性雰囲
気中で多孔質タングステン薄板3の空孔部に含浸させ、
その後、アルコール洗浄などにより、残存する余剰の電
子放射性物質4を除去する。
リブデン溶融層2が形成された多孔質タングステン薄板
3の他方の面に、B a O1Ca O5Aρ203か
らなる電子放射性物質4を積載して、これを還元性雰囲
気中で多孔質タングステン薄板3の空孔部に含浸させ、
その後、アルコール洗浄などにより、残存する余剰の電
子放射性物質4を除去する。
次に、同図(e)に示すように、放電加工或いはレーザ
加工などにより、電子放射性物質4が含浸された多孔質
タングステン薄板3から、例えば直径1.45mmの円
板を切り抜くと、同図(f)に示すように、多孔質タン
グステン薄板3の空孔部に電子放射性物質4か含浸され
、その表面を電子放射面とし、その反対側の面即ち背面
に厚さ約20μmの均一なルテニウム・モリブデン溶融
層2が形成された含浸型陰極5か得られる。
加工などにより、電子放射性物質4が含浸された多孔質
タングステン薄板3から、例えば直径1.45mmの円
板を切り抜くと、同図(f)に示すように、多孔質タン
グステン薄板3の空孔部に電子放射性物質4か含浸され
、その表面を電子放射面とし、その反対側の面即ち背面
に厚さ約20μmの均一なルテニウム・モリブデン溶融
層2が形成された含浸型陰極5か得られる。
ところで、この発明の製造方法により含浸型陰極5を製
造すると、均一なルテニウム・モリブデン溶融層2を形
成することか出来るので、含浸型陰極の支持体(後述)
への接合性が良好となる。
造すると、均一なルテニウム・モリブデン溶融層2を形
成することか出来るので、含浸型陰極の支持体(後述)
への接合性が良好となる。
又、そのために支持体からの陰極への熱伝導か安定にな
り、安定した電子放射か得られる。
り、安定した電子放射か得られる。
以上述べたように、この発明の製造方法では、量産性に
優れ安定した品質の含浸型陰極か得られる。
優れ安定した品質の含浸型陰極か得られる。
さて次に、この発明の含浸型陰極を使用した陰極構体の
組み立て法について、説明する。
組み立て法について、説明する。
即ち、第2図に示すように、上記方法により製造された
含浸型陰極5の均一なルテニウム・モリブデン溶融層2
が内側になるように、タンタルからなるカップ状支持体
6の内側に挿入し、抵抗溶接又はレーサ溶接により、そ
の含浸型陰極5を支持体6の底部に接合する。
含浸型陰極5の均一なルテニウム・モリブデン溶融層2
が内側になるように、タンタルからなるカップ状支持体
6の内側に挿入し、抵抗溶接又はレーサ溶接により、そ
の含浸型陰極5を支持体6の底部に接合する。
次に、この含浸型陰極5が接合されたカップ状支持体6
をタンタルからなる陰極スリーブ7の一端頂部に嵌め合
わせ、その側面を溶接により接合する。
をタンタルからなる陰極スリーブ7の一端頂部に嵌め合
わせ、その側面を溶接により接合する。
更に、この陰極スリーブ7の他端部側面に3個のタンタ
ルからなるリボン8の一端を溶接により接合し、これら
リボン8の他端をFe−Ni−Co合金からなる陰極支
持筒9の一端部内側に張り出した張り出し部10に溶接
接合することにより、所要の含浸型陰極が完成する。
ルからなるリボン8の一端を溶接により接合し、これら
リボン8の他端をFe−Ni−Co合金からなる陰極支
持筒9の一端部内側に張り出した張り出し部10に溶接
接合することにより、所要の含浸型陰極が完成する。
[発明の効果]
この発明によれば、多孔質タングステン薄板の一方の面
に、ルテニウム粉末とモリブデン粉末とをエチルセルロ
ース等の有機バイダーとα−テルピネオール等の溶剤と
界面活性剤等の補助剤からなる印刷用ペーストを、スク
リーン印刷により均一に塗布した後、溶融しているので
、均一なルテニウム・モリブデン溶融層を形成すること
か出来る。
に、ルテニウム粉末とモリブデン粉末とをエチルセルロ
ース等の有機バイダーとα−テルピネオール等の溶剤と
界面活性剤等の補助剤からなる印刷用ペーストを、スク
リーン印刷により均一に塗布した後、溶融しているので
、均一なルテニウム・モリブデン溶融層を形成すること
か出来る。
この結果、含浸型陰極の支持体への接合性か良好となり
、支持体からの剥離は生しなくなる。
、支持体からの剥離は生しなくなる。
又、支持体からの陰極への熱伝導か安定になり、安定し
た電子放射か得られる。
た電子放射か得られる。
第1図(a)〜(f)はこの発明の一実施例に係る含浸
型陰極の製造方法を示す工程説明図、第2図はこの発明
の含浸型陰極を使用した陰極構体を一部切り欠いて示す
斜視図である。 2・・・ルテニウム・モリブデン溶融層、3・・多孔質
タングステン薄板、4・・・電子放射性物質、5・・・
含浸型陰極、6・・・支持体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ペーストl
型陰極の製造方法を示す工程説明図、第2図はこの発明
の含浸型陰極を使用した陰極構体を一部切り欠いて示す
斜視図である。 2・・・ルテニウム・モリブデン溶融層、3・・多孔質
タングステン薄板、4・・・電子放射性物質、5・・・
含浸型陰極、6・・・支持体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ペーストl
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 多孔質タングステン薄板の一方の面にルテニウムとモリ
ブデンを主成分とする印刷用ペーストをスクリーン印刷
にて塗布した後、乾燥して上記多孔質タングステン薄板
の一方の面にルテニウム・モリブデン塗布層を形成する
工程と、 この工程の次に、上記ルテニウム・モリブデン塗布層を
溶融してルテニウム・モリブデン溶融層を形成する工程
と、 この工程の次に、上記ルテニウム・モリブデン溶融層が
形成された多孔質タングステン薄板の空孔部に電子放射
性物質を含浸する工程と、 この工程の次に、上記電子放射性物質が含浸された多孔
質タングステン薄板を切り抜いて所定形状の陰極を形成
する工程と、 を具備することを特徴とする含浸型陰極の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2303216A JP2736164B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 含浸型陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2303216A JP2736164B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 含浸型陰極の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04174937A true JPH04174937A (ja) | 1992-06-23 |
JP2736164B2 JP2736164B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17918280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2303216A Expired - Fee Related JP2736164B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 含浸型陰極の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2736164B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999059178A1 (fr) * | 1998-05-14 | 1999-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tube cathodique ayant une cathode a couches d'oxyde et procede de fabrication dudit tube |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6047314A (ja) * | 1981-04-02 | 1985-03-14 | 北野 辰次 | 密閉スイツチ遠隔装置 |
JPS6055942A (ja) * | 1983-09-03 | 1985-04-01 | 有限会社斉藤歯研工業所 | 歯科作業模型製作器 |
JPS6334830A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Toshiba Corp | 含浸型陰極の製造方法 |
JPS6446976A (en) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit device |
JPH01187801A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Nissan Fuero Denshi:Kk | オーミック性電極 |
JPH02100233A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Toshiba Corp | 含浸型陰極の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP2303216A patent/JP2736164B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6047314A (ja) * | 1981-04-02 | 1985-03-14 | 北野 辰次 | 密閉スイツチ遠隔装置 |
JPS6055942A (ja) * | 1983-09-03 | 1985-04-01 | 有限会社斉藤歯研工業所 | 歯科作業模型製作器 |
JPS6334830A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Toshiba Corp | 含浸型陰極の製造方法 |
JPS6446976A (en) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit device |
JPH01187801A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Nissan Fuero Denshi:Kk | オーミック性電極 |
JPH02100233A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Toshiba Corp | 含浸型陰極の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999059178A1 (fr) * | 1998-05-14 | 1999-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tube cathodique ayant une cathode a couches d'oxyde et procede de fabrication dudit tube |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2736164B2 (ja) | 1998-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2461878A (en) | Metallizing composition | |
JP3718321B2 (ja) | マグネトロン用エンドハット部品およびその製造方法 | |
JPH04174937A (ja) | 含浸型陰極の製造方法 | |
KR900008195B1 (ko) | 함침형 음극구체(含浸形陰極構體) | |
US3510280A (en) | Diffusion bond for refractory metals | |
US3431615A (en) | Refractory metal diffusion bonding | |
WO2007000142A1 (de) | Lötzusatzwerkstoff | |
JPH09283019A (ja) | 含浸型陰極の製造方法およびロー材 | |
JP2685835B2 (ja) | 含浸型陰極の製造方法 | |
JP2957004B2 (ja) | 焼結型陰極の製造方法 | |
KR980011615A (ko) | 마그네트론용 엔드 햇 부품 및 그 제조방법 | |
JP3137406B2 (ja) | 陰極構体の製造方法 | |
JPS607341B2 (ja) | カラー受像管 | |
JPH0619942B2 (ja) | 含浸型陰極の製造方法 | |
US3214821A (en) | Manufacture of electron discharge devices having cathodes | |
JPS612226A (ja) | 含浸形陰極 | |
JPH0945214A (ja) | 陰極基体およびそれを用いた含浸型陰極構体 | |
JP3015457B2 (ja) | マグネトロン用陰極構体 | |
JPS6364236A (ja) | 含浸形陰極の製造方法 | |
JPH05198258A (ja) | 酸化物陰極用金属基体の製造方法 | |
JPH0460292B2 (ja) | ||
JPS6336606Y2 (ja) | ||
US1610560A (en) | Vacuum-tube-filament construction and method of manufacturing same | |
JPH05114352A (ja) | 含浸型陰極構体及びその製造方法 | |
JPS6262015B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080109 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |