JPH0417386A - 基板のプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 セラミックプリント配線板の表面層導体パターンの形成
工程において残渣を除去するために行われるプラズマ処
理方法に関し、 残渣除去のためのプラズマ処理に際しての保護の容易化
を可能とすることを目的とし、一方の面に導体パターン
か形成済の基板の他方の面に導体パターンを形成する過
程において、上記他方の面の残渣を除去するためのプラ
ズマ処理方法において、上記一方の面に、プラズマ耐久
性を有し且つ接着力の低いフィルムを接着した状態で、
上記のプラズマ処理を行い、その後、上記フィルムを剥
離するよう構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明はセラミックプリント配線板の表面層導体パター
ンの形成工程において、残渣を除去するために行われる
プラズマ処理方法に関する。

一般に、セラミックプリント配線板１は、第３図に示す
ように、バイヤ２及び導体パターン３か形成されたグリ
ーンシート４を複数枚（第３図では４枚）積層してなる
積層体を焼成してなるセラミック積層基板５のＡ面６及
び８面７の夫々に表面層導体パターン８，９が形成され
た構成である。

表面層導体パターンについては、工程の便宜上、一般に
、片面毎別個に行われる。

例えば、第４図に示すように、工程ＩＯでセラミック積
層基板５を形成した後、工程１１で８面７に表面層導体
パターン９を形成し、パターン９の形成が終了した後に
、次の工程１２′でＡ面６にパターン８を形成する。

Ａ面６への表面層導体パターンの形成は、８面７に既に
形成されている表面層導体パターン９を確実に保護した
状態で行われる。

具体的には、第５図及び第６図に示すアディティブ法に
よる工程を経て行われる。

まず、第６図（Ａ）に示すように、Ａ面６に絶縁層３０
を形成する（第５図中工程２０）。

絶縁層３０は、ポリイミド塗布−プリベーク−露光−現
像−ポストベークを経て形成される。

次に、８面７の表面層導体パターン９を保護する（工程
２１）。

この後、セラミック積層基板８を、第７図に示すプラズ
マ処理装置３１内にセットし、プラズマ処理し、Ａ面６
のポリイミドの残渣を分解して除去する（工程２２）。

プラズマ処理装置３１は、ガス導入口３２とガス排気口
３３とを有する槽３４内に、電極３５３６か相対向して
配設され、これに高周波電源３７か接続された構成であ
る。

電極３５．３６に高周波電圧が加えられると放電プラズ
マが発生し、活性粒子３８か矢印３９て示すように上記
のセラミック積層基板５の表面を照射し、絶縁層３０の
残渣が分解されて除去される。

次に、Ａ面６にスパッタリングを行い（工程２３）、Ｃ
ｕ膜４０を第６図（Ｂ）で示すように形成する。

次に、Ａ面６にめっきレジスト膜４１を第６図（Ｃ）に
示すように形成する（工程２４）。

また、８面７に第６図（Ｄ）に示すようにレジスト膜４
３を形成し、表面層導体パターン９を保護する（工程２
５）。

この状態でＣｕの電解めっきを行い、Ａ面６のうち露出
しているスパッタＣｕ膜４０上に、Ｃｕを析出させ、第
６図（Ｅ）に示すように表面層導体パターン８となる部
分４３を形成する（工程２６）。

次に、第６図（Ｆ）に示すように、Ａ面６及び８面７の
レジスト膜４１．４２を剥離して除去する（工程２７）
。

この後、８面７のパターン９を保護する（工程２８）。

この状態で、前記と同様にプラズマ処理を行い、Ａ面６
のレジスト残渣を分解除去する（工程２９）。

これにより、Ａ面６上に、表面層導体パターン８が形成
される。

なお、表面層導体パターン８をエツチングを利用したサ
ブトラクティブ法により形成する場合にも上記と同様に
、８面７の表面層導体パターン９を保護した状態で行わ
れる。

上記のＡ面６に表面層導体パターン８を作業性良く形成
するために、Ａ面６のレジスト残渣を除去するプラズマ
処理を行うに際して行う８面７の表面層導体パターン９
を保護する工程（第５図工程２１及び２９）は、簡易な
ものであることが望ましい。

〔従来の技術〕

従来は第８図に示すようにレジスト膜４５を形成して、
８面７の表面層導体パターン９を保護していた。

即ち、第９図に示すように、レジストを塗布しく工程５
０）、次にプリベークしく工程５１）、全面を露光しく
工程５２）、現像（工程５３）を行って、レジスト膜４
５を形成して、上記パターン９を保護していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のように、８面７の既に出来上がっている表面層導
体パターン９をプラズマから保護するために、４つもの
工程を必要とし、しかも相当の設備か必要となる。

またプラズマ処理（工程５４）を行った後は、レジスト
膜４５を剥離する（工程５５）。

また、この保護レジスト膜の形成は、複数回行われるプ
ラズマ処理の都度必要となる（上記実施例では、第５図
中工程２１と２８）。

このため、セラミックプリント配線板の製造の作業性が
良くなかった。

また、レジスト膜４５は残渣が残らないように剥離する
必要があるけれども、これは困難であった。

本発明は、残渣除去のためのプラズマ処理に際しての保
護の容易化を可能とした基板のプラズマ処理方法を提供
することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、一方の面に導体パターンか形成済の基板の他
方の面に導体パターンを形成する過程において、 上記他方の面の残渣を除去するためのプラズマ処理方法
において、 上記一方の面に、プラズマ耐久性を有し且つ接着力の低
いフィルムを接着した状態で、上記のプラズマ処理を行
い、 その後、上記フィルムを剥離する構成である。

〔作用〕

プラズマ耐久性を有するフィルムは、基板の一方の面に
接着されて、当該一方の面に形成されている導体パター
ンをプラズマ処理時の活性粒子の照射より保護する。

上記の保護のためには、単にフィルムを接着するだけで
済み、特別の設備は不要となり、且つ、非常に簡単とな
る。

また、接着力か低いことは、プラズマ処理後のフィルム
の剥離を容易にし、且つ導体パターンを傷めない。

〔実施例〕

第１図は本発明の基板のプラズマ処理方法の一実施例を
示す。

６０はフィルム接着工程であり、第２図に示すように、
プラズマに対して耐久性を有するテフロン（商品名）型
フイルム本体７０の一面に、粘着性の低いシリコン系の
接着層７１を有するフィルム７２を、セラミック積層基
板５の８面７に接着する。

これにより、フィルム７２が、既に完成している表面層
導体パターン９に密着してこれを覆い保護する。

従って、８面７の表面層導体パターン９の保護は、特別
の設備を使うことなく、非常に簡単に完了する。

この状態でプラズマ処理工程６１を行い、Ａ面６のポリ
イミド残渣又はレジスト残渣を分解して除去する。

８面７の表面層導体パターン９は、上記フィルム７２に
より活性粒子の照射から保護される。

プラズマ処理後に、フィルム７２を剥離する（工程６２
）。

接着層７１は低粘着性であるため、フィルム７２の剥離
は容易であり、剥離のときに表面層導体パターン９が損
傷することも無く、また、接着剤が表面層導体パターン
９の表面に付着して残ることもない。

また、フィルム７２は、ポリイミド製でもよい。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、本発明によれば、基板の両面のうち
の他方の面にプラズマ処理を行うに際しての一方の面の
導体パターンの保護を、特別の設備を必要とせずに、且
つ簡単に行うことか出来、しかも保護の解除も導体パタ
ーンを傷める虞れなく簡単に行うことが出来、例えばセ
ラミックプリント配線板の製造の作業性の向上を図るこ
とが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基板のプラズマ処理方法の一実施例を
示す図、 第２図はフィルムの接着を説明する図、第３図はセラミ
ックプリントの配線板の一般的な構造を示す図、 第４図はセラミックプリントの配線板の表面層導体パタ
ーン形成の工程を示す図、 第５図はＡ面への表面層導体パターン形成工程を示す図
、 第６図は第５図の各工程時の状態を説明する図、第７図
はＡ面の残渣除去のためのプラズマ処理装置を概略的に
示す図、 第８図はプラズマ処理に際しての従来の保護状態を示す
図、 第９図は第８図の保護のためのレジスト膜を形成する工
程を示す図である。 ２はバイヤ、 ３は導体パターン、 ４はグリーンシート、 ５はセラミック積層基板、 ６はＡ面、 ７はＢ面、 ８．９は表面層導体パターン、 ｌＯはセラミック積層基板形成工程、 １１はＢ面への表面層導体パターン形成工程、１２はＡ
面への表面層導体パターン形成工程、２１．２８はＢ面
の表面層導体パターン保護、２２．２９はＡ面の残渣除
去のためのプラズマ処理、 ７０はテフロン製フィルム本体、 ７１は接着層、 ７２はフィルム を示す。 図において、 ｌはセラミックプリント配線板、 １七５−ミツ２グ１１３．）像」剛＼ 第１図 第３図 ７Ａルム０接１ＥかＨする図 第２図 ７２ｑｘ　ｒしＡ 第４図 Ａ値への表舶層導…（印−２形入引Ｓホ丁薗第５図 キ５図ｔｙ＞＆ｘ惺勤状態【ホす間 第 図（〒０２） ４１ン５７ぎしう文２）諌 ／ 簿５図の各−罹吟ぺに聾を示Ｔ図 第６ 図（その１） 第７図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　一方の面（７）に導体パターン（９）が形成済の基板
   の他方の面（６）に導体パターン（８）を形成する過程
   において、上記他方の面（６）の残渣を除去するための
   プラズマ処理方法において、上記一方の面（７）に、プ
   ラズマ耐久性を有し且つ接着力の低いフィルム（７２）
   を接着した状態で、上記のプラズマ処理（２２，２９）
   を行い、その後、上記フィルムを剥離することを特徴と
   する基板のプラズマ処理方法。