JPH04170029A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
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- JPH04170029A JPH04170029A JP29752390A JP29752390A JPH04170029A JP H04170029 A JPH04170029 A JP H04170029A JP 29752390 A JP29752390 A JP 29752390A JP 29752390 A JP29752390 A JP 29752390A JP H04170029 A JPH04170029 A JP H04170029A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコンウェー八表面に生成されたシリコン酸
化膜を選択的にエツチングするエツチング装置に関する
。
化膜を選択的にエツチングするエツチング装置に関する
。
第３図は従来のエツチング装置の一例を示す模式断面図
である。従来のエツチング装置は、第３図に示すように
、半導体基板であるウェーハ１８が多数枚収納されるカ
セット１９と、浸す薬液が充される内槽１と、この内槽
１よリオーバーフローする薬液を溜める外槽２と、薬液
を循環させたり、フィルタ２０を介して内槽１に供給し
たりするポンプ２１と、供給される薬液を所定の温度に
する冷熱器（給液用）４と、循環する薬液を所定の温度
にする冷熱器５と、薬液の温度を検知する温度センサ２
２と、外槽２の薬液のレベルを検知するレベルセンサ１
３と、薬液の供給及び供給停止を任さどる給液弁８と、
薬液の循環を任さどる循環用弁９と、薬液のレベル及び
温度を検知して薬液の供給を制御するコントローラ２４
とを有ししている。
である。従来のエツチング装置は、第３図に示すように
、半導体基板であるウェーハ１８が多数枚収納されるカ
セット１９と、浸す薬液が充される内槽１と、この内槽
１よリオーバーフローする薬液を溜める外槽２と、薬液
を循環させたり、フィルタ２０を介して内槽１に供給し
たりするポンプ２１と、供給される薬液を所定の温度に
する冷熱器（給液用）４と、循環する薬液を所定の温度
にする冷熱器５と、薬液の温度を検知する温度センサ２
２と、外槽２の薬液のレベルを検知するレベルセンサ１
３と、薬液の供給及び供給停止を任さどる給液弁８と、
薬液の循環を任さどる循環用弁９と、薬液のレベル及び
温度を検知して薬液の供給を制御するコントローラ２４
とを有ししている。
次に、このエツチング装置の動作について説明する。
第３図において、薬液が内槽１及び外槽２で空の場合に
は、まず、冷熱器゛４で温度−御された薬液は給液用弁
８（循環用弁８は閉）を通過した後、ポンプ２１により
内槽１に給液される０次に、薬液は内槽１に満杯になる
迄給液された後、内槽１でオーバーフローし、外槽２を
経由し、冷熱器５に蓄液される。そして、薬液の供給は
、外槽２内に設置されたレベルセンサ１３で検知され、
設定された液面に達する迄行なわれる０次に、給液終了
後、循環用弁９が開き（給液用弁８は閉じ）、液の循環
（内槽１→外槽２→冷熱器５→ポンプ２１→内槽１）が
行なわれる。この薬液の循環が行なわれることにより液
温が２１±２°Ｃになる様冷熱器５で温度制御される。
は、まず、冷熱器゛４で温度−御された薬液は給液用弁
８（循環用弁８は閉）を通過した後、ポンプ２１により
内槽１に給液される０次に、薬液は内槽１に満杯になる
迄給液された後、内槽１でオーバーフローし、外槽２を
経由し、冷熱器５に蓄液される。そして、薬液の供給は
、外槽２内に設置されたレベルセンサ１３で検知され、
設定された液面に達する迄行なわれる０次に、給液終了
後、循環用弁９が開き（給液用弁８は閉じ）、液の循環
（内槽１→外槽２→冷熱器５→ポンプ２１→内槽１）が
行なわれる。この薬液の循環が行なわれることにより液
温が２１±２°Ｃになる様冷熱器５で温度制御される。
温度が安定後、非エツチング部をシリコン窒化膜又はレ
ジスト等でカバーしたウェーハ１８が、選択的にエツチ
ングされる０次に、薬液は内槽１、外槽２及び冷熱器５
内部を通過して廃液される０次に、新たに、これらを薬
液で充満させる。
ジスト等でカバーしたウェーハ１８が、選択的にエツチ
ングされる０次に、薬液は内槽１、外槽２及び冷熱器５
内部を通過して廃液される０次に、新たに、これらを薬
液で充満させる。
次に、エツチング終了後、ウェーハ１８はカセット１９
と共に持ち出される。このような動作が連続的に行われ
る。
と共に持ち出される。このような動作が連続的に行われ
る。
また、外槽２の液面が大幅に低下し、レベルセンサ３が
液面を設定値（内槽液面より５０〜１００ｍｍ下の外装
液面）に達したと判断したときに、薬液の供給が実施さ
れる。
液面を設定値（内槽液面より５０〜１００ｍｍ下の外装
液面）に達したと判断したときに、薬液の供給が実施さ
れる。
この従来のエツチング装置では、内槽１．外槽２、冷熱
器５内の薬液を完全に廃液した直後、新たな液で内槽１
．外槽２及び冷熱器５．内が充満された状態（液交換直
後）でウェーハを浸漬し、エツチングが開始される。従
って、内槽に浸漬するウェーハ及びカセットには、この
エツチング工程より前工程界面活性剤入りの処理槽等に
浸漬されたときに、水分等がウェーハ及びカセットに多
く付着しているため、内槽にはエツチングするウェーハ
、キャリアと共に多くの水分等が持ち込まれる。このこ
とは、薬液の希釈化が進むことになる。また、エツチン
グするウェーハ及びキャリアとは、エツチング終了後に
、薬液を外に持ち出すことになり、循環する薬液の総量
は減少していくことになる。すなわち、薬液は、ウェー
ハ処理枚数の増加とともに薬液の濃度状態が変化するた
め、シリコン酸゛化膜のエツチングレートは処理枚数の
増加とともに大きく低下し、選択的にエツチングされる
シリ九化膜の形状がばらつくという問題があった。
器５内の薬液を完全に廃液した直後、新たな液で内槽１
．外槽２及び冷熱器５．内が充満された状態（液交換直
後）でウェーハを浸漬し、エツチングが開始される。従
って、内槽に浸漬するウェーハ及びカセットには、この
エツチング工程より前工程界面活性剤入りの処理槽等に
浸漬されたときに、水分等がウェーハ及びカセットに多
く付着しているため、内槽にはエツチングするウェーハ
、キャリアと共に多くの水分等が持ち込まれる。このこ
とは、薬液の希釈化が進むことになる。また、エツチン
グするウェーハ及びキャリアとは、エツチング終了後に
、薬液を外に持ち出すことになり、循環する薬液の総量
は減少していくことになる。すなわち、薬液は、ウェー
ハ処理枚数の増加とともに薬液の濃度状態が変化するた
め、シリコン酸゛化膜のエツチングレートは処理枚数の
増加とともに大きく低下し、選択的にエツチングされる
シリ九化膜の形状がばらつくという問題があった。
本発明の目的は、かかる問題を解消するエツチング装置
を提供することである。
を提供することである。
１、本発明の第１のエッチグ装置は、薬液を充たすとと
もにウェーハを浸漬してエツチングする内槽と、この内
槽よリオーバーフローする前記薬液を溜める外槽と、前
記内槽に前記薬液の供給及び循環させるポンプとを有す
るエツチング装置において、前記外槽と連結する０字管
と、この０字管よリオーバーフローする前記薬液を溜め
る廃液槽と、この廃液標に取付けられる廃液弁と、前記
外槽よリオーバーフローする前記薬液を前記内槽に循環
させる第１のポンプと、新しい薬液を前記内槽に供給す
る第２のポンプを独立して備え、前記外槽よリオーバー
フローする前記薬液を廃棄することを特徴としている。
もにウェーハを浸漬してエツチングする内槽と、この内
槽よリオーバーフローする前記薬液を溜める外槽と、前
記内槽に前記薬液の供給及び循環させるポンプとを有す
るエツチング装置において、前記外槽と連結する０字管
と、この０字管よリオーバーフローする前記薬液を溜め
る廃液槽と、この廃液標に取付けられる廃液弁と、前記
外槽よリオーバーフローする前記薬液を前記内槽に循環
させる第１のポンプと、新しい薬液を前記内槽に供給す
る第２のポンプを独立して備え、前記外槽よリオーバー
フローする前記薬液を廃棄することを特徴としている。
２゜本発明の第２のエツチング装置は、前記第１のエツ
チング装置に前記ウェーへの処理回数をカウンタを備え
、このカウンタに設定された前記処理回数に達したとき
、前記内容の前記薬液を更新することを特徴としている
。
チング装置に前記ウェーへの処理回数をカウンタを備え
、このカウンタに設定された前記処理回数に達したとき
、前記内容の前記薬液を更新することを特徴としている
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すエツチング装置の模式
断面図である。このエツチング装置は、同図に示すよう
に、内槽１に薬液を供給するポンプ６と外槽２より循環
される薬液を内槽１に供給するポンプ７とを別々に設け
、外槽２の外槽にＵ字管１２を取付け、このＵ字管１２
よリオーバーフローする薬液を溜める廃液層３と、この
廃液層３に溜める薬液を排出する廃液弁１０と、廃液槽
３の薬液レベルを検知するレベルセンサ１４とを備えた
ことである。それ以外は従来例と同じである。
断面図である。このエツチング装置は、同図に示すよう
に、内槽１に薬液を供給するポンプ６と外槽２より循環
される薬液を内槽１に供給するポンプ７とを別々に設け
、外槽２の外槽にＵ字管１２を取付け、このＵ字管１２
よリオーバーフローする薬液を溜める廃液層３と、この
廃液層３に溜める薬液を排出する廃液弁１０と、廃液槽
３の薬液レベルを検知するレベルセンサ１４とを備えた
ことである。それ以外は従来例と同じである。
次に、このエツチング装置の動作について説明する。ま
ず、内槽１．外槽２．廃液槽３及び冷熱器５に薬液が無
い状態から始める。最初に、冷熱器４で所定の温度にさ
れた薬液が、給液用弁８を開くことにより、フィルタ１
６を介して内槽１に供給される０次に、内槽１をオーバ
ーフローした薬液は、内槽１→外槽１→循環用冷熱器５
を通り、外槽２の液面が規定された高さになるまで行わ
れる。次に、液面が所定レベルに達すると、給液用弁８
が閉じる。ここで外槽２の液面はＵ字管１２の開口面よ
り、例えば、５〜１０””下の規定レベルになるように
、レベルセンサ１３を設定しておく０次に、外槽２の液
面が規定レベルに達すると、循環用弁９が開き薬液は循
環弁９を通り、ポンプ７により、内槽１から外槽１に、
外槽１から循環用の冷熱器にポンプ７送られ、薬液の液
温等の均一化が計られる０次に、液温か規定の２１±２
℃に制御された後に、カセット１８に収納されたウェー
ト１７を内槽１に浸漬する。このことによりシリコン酸
化膜のエツチングが行なわれる。この内槽１にウェーハ
等が堆積されると、内槽１の薬液は堆積したウェーハ等
の容積分だけ多くなので、その分は外槽２に流出される
。ここで外槽２の設定された液面レベルは、Ｕ字管１２
の開口面より下に５〜１０′″−であるため、内槽１よ
り流入する薬液で充たされた外槽２の薬液はオーバーフ
ローし、廃液槽３に流入する０次に、発液槽３の液面ば
ウェーハ処理枚数の増加に伴い上昇し、レベルセンサー
１４で規定された高さ以上になると、廃液弁１０が開き
、廃液が行なわれる。
ず、内槽１．外槽２．廃液槽３及び冷熱器５に薬液が無
い状態から始める。最初に、冷熱器４で所定の温度にさ
れた薬液が、給液用弁８を開くことにより、フィルタ１
６を介して内槽１に供給される０次に、内槽１をオーバ
ーフローした薬液は、内槽１→外槽１→循環用冷熱器５
を通り、外槽２の液面が規定された高さになるまで行わ
れる。次に、液面が所定レベルに達すると、給液用弁８
が閉じる。ここで外槽２の液面はＵ字管１２の開口面よ
り、例えば、５〜１０””下の規定レベルになるように
、レベルセンサ１３を設定しておく０次に、外槽２の液
面が規定レベルに達すると、循環用弁９が開き薬液は循
環弁９を通り、ポンプ７により、内槽１から外槽１に、
外槽１から循環用の冷熱器にポンプ７送られ、薬液の液
温等の均一化が計られる０次に、液温か規定の２１±２
℃に制御された後に、カセット１８に収納されたウェー
ト１７を内槽１に浸漬する。このことによりシリコン酸
化膜のエツチングが行なわれる。この内槽１にウェーハ
等が堆積されると、内槽１の薬液は堆積したウェーハ等
の容積分だけ多くなので、その分は外槽２に流出される
。ここで外槽２の設定された液面レベルは、Ｕ字管１２
の開口面より下に５〜１０′″−であるため、内槽１よ
り流入する薬液で充たされた外槽２の薬液はオーバーフ
ローし、廃液槽３に流入する０次に、発液槽３の液面ば
ウェーハ処理枚数の増加に伴い上昇し、レベルセンサー
１４で規定された高さ以上になると、廃液弁１０が開き
、廃液が行なわれる。
このように、薬液より比重の比較的に軽い水分等を液面
上に漂わし、内槽及び外槽に混入する水分等をオーバー
フローさせ、廃棄することによって、槽内の薬液を更新
することにより、薬液の温度及び効力を失うことなくエ
ツチング処理出来る。
上に漂わし、内槽及び外槽に混入する水分等をオーバー
フローさせ、廃棄することによって、槽内の薬液を更新
することにより、薬液の温度及び効力を失うことなくエ
ツチング処理出来る。
第２図は他の実施例を示すエツチング装置の模式断面図
である。このエツチング装置は、同図に示すように、前
述の実施例のエツチング装置に加えて、内槽１内に液面
検出用のレベルセンサ１５と、内槽に連結する廃液弁１
１と、エツチング処理回数をカウントするカウンタ２３
とを設けたことである。
である。このエツチング装置は、同図に示すように、前
述の実施例のエツチング装置に加えて、内槽１内に液面
検出用のレベルセンサ１５と、内槽に連結する廃液弁１
１と、エツチング処理回数をカウントするカウンタ２３
とを設けたことである。
次に、このエツチング装置の動作を説明する。
このエツチング装置は、エツチングする薬液の効力が何
回の処理回数まで、効力が維持出来るか、あらかじめ実
験してその回数を求める。そして、この設定回数をカウ
ンタ２３に設定しておき、コントローラ２４で処理毎に
信号をカウンタ２３に送る。そして、カウンタ２３が設
定回数に達したら、まず、給液ポンプ６の停止、給液用
弁８を閉じ、給液を停止する９次にウェーハ１８及びカ
セット１９が、内槽１から取り出された後、内槽１の廃
液弁１１が開き、廃液が行なわれる。そして、この廃液
は、内槽液のレベルセンサ１５で設定された液面に低下
す−るまで行なわれる０次に、内槽１の液面が設定され
た液面レベルに達した後、カウンタは原点に復帰し、給
液用弁８が開き、給液のポンプ６の運転が再開して給液
が行なわれる。給液は、外装の液面レベルが設定された
値になる迄行なわれ、その後ウェーハを浸漬し、エツチ
ングが再開される。この実施例の場合は、前述の実施例
に比べ、より水分の混入率が低いので、より薬液の濃度
を一定に保つことが出来る利点がある。
回の処理回数まで、効力が維持出来るか、あらかじめ実
験してその回数を求める。そして、この設定回数をカウ
ンタ２３に設定しておき、コントローラ２４で処理毎に
信号をカウンタ２３に送る。そして、カウンタ２３が設
定回数に達したら、まず、給液ポンプ６の停止、給液用
弁８を閉じ、給液を停止する９次にウェーハ１８及びカ
セット１９が、内槽１から取り出された後、内槽１の廃
液弁１１が開き、廃液が行なわれる。そして、この廃液
は、内槽液のレベルセンサ１５で設定された液面に低下
す−るまで行なわれる０次に、内槽１の液面が設定され
た液面レベルに達した後、カウンタは原点に復帰し、給
液用弁８が開き、給液のポンプ６の運転が再開して給液
が行なわれる。給液は、外装の液面レベルが設定された
値になる迄行なわれ、その後ウェーハを浸漬し、エツチ
ングが再開される。この実施例の場合は、前述の実施例
に比べ、より水分の混入率が低いので、より薬液の濃度
を一定に保つことが出来る利点がある。
〔発明の効果〕。
以上説明したように本発明は、使用済みをエツチング液
の循環ポンプと新しいエツチング液を供給する給液ポン
プの２台を独立して設け、処理用の薬液が充たされる内
槽と使用ずみの薬液を溜める外槽と、外槽と接続される
冷熱器（循環用）及びこれらを接続する配管部品等を薬
液の総量を一定に制御し、さらに、薬液の処理回数をカ
ウントするカウンタを設け、水分が混入する薬液を自動
的に廃棄することによって、常に、薬液を更新し、薬液
の効力を失うことがないので、エツチングレートをより
一定に保ち、ばらつきのない選択的エツチング出来るエ
ツチング装置が得られるという効果がある。
の循環ポンプと新しいエツチング液を供給する給液ポン
プの２台を独立して設け、処理用の薬液が充たされる内
槽と使用ずみの薬液を溜める外槽と、外槽と接続される
冷熱器（循環用）及びこれらを接続する配管部品等を薬
液の総量を一定に制御し、さらに、薬液の処理回数をカ
ウントするカウンタを設け、水分が混入する薬液を自動
的に廃棄することによって、常に、薬液を更新し、薬液
の効力を失うことがないので、エツチングレートをより
一定に保ち、ばらつきのない選択的エツチング出来るエ
ツチング装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すエツチング装置の模式
断面図、第２゛図は本発明の他の実施例を示すエツチン
グ装置の模式断面図、第３図は従来の一例の示すエツチ
ング装置の模式断面図である。 １・・・内槽、２・・・外槽、３・・・廃液槽、４・・
・冷熱器、５・・・冷熱器、６，７．２１・・・ポンプ
、８・・・給液用弁、９・・・循環用弁、１０．１１・
・・廃液弁、１２・・・０字管、１３．１４．１５・・
・レベルセンサ、１６，１７．２０・・・フィルタ、１
８・・・ウェーハ、１９・・・カセット、２２・・・温
度センサ、２３・・・カウンタ、２４・・・コントロー
ラ。
断面図、第２゛図は本発明の他の実施例を示すエツチン
グ装置の模式断面図、第３図は従来の一例の示すエツチ
ング装置の模式断面図である。 １・・・内槽、２・・・外槽、３・・・廃液槽、４・・
・冷熱器、５・・・冷熱器、６，７．２１・・・ポンプ
、８・・・給液用弁、９・・・循環用弁、１０．１１・
・・廃液弁、１２・・・０字管、１３．１４．１５・・
・レベルセンサ、１６，１７．２０・・・フィルタ、１
８・・・ウェーハ、１９・・・カセット、２２・・・温
度センサ、２３・・・カウンタ、２４・・・コントロー
ラ。
Claims (2)
- １．薬液を充たすとともにウェーハを浸漬してエッチン
グする内槽と、この内槽よリオーバーフローする前記薬
液を溜める外槽と、前記内槽に前記薬液の供給及び循環
させるポンプとを有するエッチング装置において、前記
外槽と連結するＵ字管と、このＵ字管よリオーバーフロ
ーする前記薬液を溜める廃液槽と、この廃液標に取付け
られる廃液弁と、前記外槽よリオーバーフローする前記
薬液を前記内槽に循環させる第１のポンプと、新しい薬
液を前記内槽に供給する第２のポンプを独立して備え、
前記外槽よリオーバーフローする前記薬液を廃棄するこ
とを特徴とするエッチング装置。 - ２．前記ウェーハの処理回数をカウンタを備え、このカ
ウンタに設定された前記処理回数に達したとき、前記内
容の前記薬液を更新することを特徴とする請求項１記載
のエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29752390A JPH04170029A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29752390A JPH04170029A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170029A true JPH04170029A (ja) | 1992-06-17 |
Family
ID=17847629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29752390A Pending JPH04170029A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04170029A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005272940A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Daishinku Corp | エッチング処理槽及び、エッチング処理槽を備えたエッチング処理装置 |
| WO2024004725A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29752390A patent/JPH04170029A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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