JPH04165704A - 半導体集積装置 - Google Patents
半導体集積装置Info
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- JPH04165704A JPH04165704A JP2291257A JP29125790A JPH04165704A JP H04165704 A JPH04165704 A JP H04165704A JP 2291257 A JP2291257 A JP 2291257A JP 29125790 A JP29125790 A JP 29125790A JP H04165704 A JPH04165704 A JP H04165704A
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- JP
- Japan
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- oscillation
- gain
- circuit
- crystal
- oscillation circuit
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- Pending
Links
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 33
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0082—Lowering the supply voltage and saving power
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0094—Measures to ensure starting of oscillations
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は発振周波数により利得制御される水晶発振回路
に関する。
に関する。
[従来の技術]
従来の水晶発振回路の利得は一定であった。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら発振開始時間を短くするため水晶発振回路
の利得を高くした場合、電源投入時など電源にノイズが
加わった場合に高調波発振など設定された周波数より高
い周波数で発振する事があり、この様な異常発振による
発振信号が周辺回路に入力された場合、周辺回路が誤動
作するという課題を有する。
の利得を高くした場合、電源投入時など電源にノイズが
加わった場合に高調波発振など設定された周波数より高
い周波数で発振する事があり、この様な異常発振による
発振信号が周辺回路に入力された場合、周辺回路が誤動
作するという課題を有する。
また異常発振を防止するために水晶発振回路の利得を低
く設定した場合、発振開始時間が長くなり、また電源電
圧が低下した場合発振が停止しやすくなり動作電圧範囲
が狭くなるという課題も有する。
く設定した場合、発振開始時間が長くなり、また電源電
圧が低下した場合発振が停止しやすくなり動作電圧範囲
が狭くなるという課題も有する。
そこで本発明はこの様な課題を解決するもので、その目
的は発振開始時間を短くし、低電圧まで安定した発振を
させ動作電圧範囲を広くすると言う相反する項目を両立
させた水晶発振回路を提供することである。
的は発振開始時間を短くし、低電圧まで安定した発振を
させ動作電圧範囲を広くすると言う相反する項目を両立
させた水晶発振回路を提供することである。
[課題を解決するための手段]
本発明の半導体集積装置は、かかる課題を解決するため
に a)水晶振動子を外付けする水晶発振回路とb)前記水
晶発振回路の出力信号を分周とする分周回路と C)前記水晶発振回路または前記分周回路の少なくとも
一方の出力信号を入力信号とする高域通過フィルタと d)前記高域通過フィルタの出力信号の有無を検出する
検出回路を少なくとも具備し e)前記水晶発振回路の利得が前記検出回路の出力信号
で制御されることを特徴とする。
に a)水晶振動子を外付けする水晶発振回路とb)前記水
晶発振回路の出力信号を分周とする分周回路と C)前記水晶発振回路または前記分周回路の少なくとも
一方の出力信号を入力信号とする高域通過フィルタと d)前記高域通過フィルタの出力信号の有無を検出する
検出回路を少なくとも具備し e)前記水晶発振回路の利得が前記検出回路の出力信号
で制御されることを特徴とする。
[実施例]
第1図に本発明の一実施例を示す。
水晶発振回路1が発振を開始すると発振信号2が分周回
路3および高域通過フィルタ4に入力される。
路3および高域通過フィルタ4に入力される。
高域通過フィルタ4の出力は検出回路5に入力され利得
切り換え信号6が水晶発振回路1に出力される。
切り換え信号6が水晶発振回路1に出力される。
水晶発振回路1は発振インバータ7、発振インバータ7
と並列に接続された利得切り換え用インバータ8、発振
インバータ7の出力に接続されるドレイン抵抗9、発振
インバータ7とドレイン抵抗9を介して並列に接続され
る帰還抵抗10より構成され水晶振動子11をゲート端
子12とドレイン端子13との間に接続することで発振
を開始する。
と並列に接続された利得切り換え用インバータ8、発振
インバータ7の出力に接続されるドレイン抵抗9、発振
インバータ7とドレイン抵抗9を介して並列に接続され
る帰還抵抗10より構成され水晶振動子11をゲート端
子12とドレイン端子13との間に接続することで発振
を開始する。
高域通過フィルタ4は容量(C) ・抵抗(R)による
1次のバイパスフィルタで構成し、検出回路5は高域通
過フィルタ4の出力を平滑化することで利得切り換え信
号6を出力する。
1次のバイパスフィルタで構成し、検出回路5は高域通
過フィルタ4の出力を平滑化することで利得切り換え信
号6を出力する。
電源投入時、利得切り換え信号6はハイレベルとなり利
得切り換え用インバータ8がオンし水晶発振回路1の利
得は高くなり発振開始時間が短縮される。
得切り換え用インバータ8がオンし水晶発振回路1の利
得は高くなり発振開始時間が短縮される。
発振の開始後電源ノイズが加わるなどして水晶発振回路
1が高調波発振など設定された周波数より高い周波数で
発振をした場合、高域通過フィルタ4より検出回路5に
信号が入力され利得切り換え信号6がローレベルとなる
。
1が高調波発振など設定された周波数より高い周波数で
発振をした場合、高域通過フィルタ4より検出回路5に
信号が入力され利得切り換え信号6がローレベルとなる
。
すると利得切り換えインバータ8がオフし、水晶発振回
路1の利得は低下し異常発振を正常発振に導く。
路1の利得は低下し異常発振を正常発振に導く。
発振が正常に戻れば利得切り換え信号6はハイレベルと
なり利得切り換え用インバータ8が再度オンし水晶発振
回路1の利得は高くなる。
なり利得切り換え用インバータ8が再度オンし水晶発振
回路1の利得は高くなる。
これらの動作により水晶発振回路1の利得が高い状態に
保たれ低電圧での発振が可能になる。
保たれ低電圧での発振が可能になる。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、発振状態により水晶
発振回路の利得を切り換えることで、発振開始時間を短
くし、低電圧まで安定した発振をさせ動作電圧範凹を広
くすると言う相反する項目を両立させた水晶発振回路を
提供するという効果を有する。
発振回路の利得を切り換えることで、発振開始時間を短
くし、低電圧まで安定した発振をさせ動作電圧範凹を広
くすると言う相反する項目を両立させた水晶発振回路を
提供するという効果を有する。
また本実施例では高域通過フィルターにC−Hによる1
次のバイパスフィルタを用いたが、CIR,Lの組合せ
やスイッチト・キャパシター技術などによる各種フィル
タ構成としてもよい。
次のバイパスフィルタを用いたが、CIR,Lの組合せ
やスイッチト・キャパシター技術などによる各種フィル
タ構成としてもよい。
また本実施例では発振インバータにより利得を切り換え
たが帰還抵抗の抵抗値により利得を切り換えても同様の
効果が得られる。
たが帰還抵抗の抵抗値により利得を切り換えても同様の
効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例を示す図である。
1 ・・・・ 水晶発振回路
2 ・・・・ 発振信号
3 ・・・・ 分周回路
4 ・・・・ 高域過通フィルタ
5 ・・・・ 検出回路
6 ・・・・ 利得切り換え信号
7 ・・・・ 発振インバータ
8 ・・・・ 利得切り換え用インバータ9 ・・・・
ドレイン抵抗 10 ・・・・ 帰還抵抗 11 ・・・・ 水晶振動子 12 ・・・・ ゲート端子 13 ・・・・ ドレイン端子 以上
ドレイン抵抗 10 ・・・・ 帰還抵抗 11 ・・・・ 水晶振動子 12 ・・・・ ゲート端子 13 ・・・・ ドレイン端子 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 a)水晶振動子を外付けする水晶発振回路とb)前記水
晶発振回路の出力信号を分周する分周回路と c)前記水晶発振回路または前記分周回路の少なくとも
一方の出力信号を入力信号とする高域通過フィルタと d)前記高域通過フィルタの出力信号の有無を検出する
検出回路を少なくとも具備し e)前記水晶発振回路の利得が前記検出回路の出力信号
で制御されることを特徴とする半導体集積装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2291257A JPH04165704A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2291257A JPH04165704A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体集積装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04165704A true JPH04165704A (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=17766525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2291257A Pending JPH04165704A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体集積装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04165704A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6133801A (en) * | 1996-04-23 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Crystal oscillation circuit |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2291257A patent/JPH04165704A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6133801A (en) * | 1996-04-23 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Crystal oscillation circuit |
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