JPH04165070A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPH04165070A JPH04165070A JP28939990A JP28939990A JPH04165070A JP H04165070 A JPH04165070 A JP H04165070A JP 28939990 A JP28939990 A JP 28939990A JP 28939990 A JP28939990 A JP 28939990A JP H04165070 A JPH04165070 A JP H04165070A
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- JP
- Japan
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- laser beam
- cylinder
- substrate
- film forming
- Prior art date
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- Granted
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザビームやイオンビームを用いた成膜装置
に関する。
に関する。
レーザビームやイオンビームなどをターゲ・ソトに照射
してスパッタ粒子を生成させ、これを基板上に堆積して
成膜する装置が知られている。そして、筒状の被加工物
の内面への成膜技術としては、例えば特開昭61−17
0567号が知られている。この従来装置では、筒状の
被加工物の内部にターゲットが配設され、このターゲッ
トに筒の軸方向からイオンビームが照射される。このと
き、筒状の被加工物を軸方向に移動可能で、かつこの軸
を中心に回転可能であるようにする。これにより、筒の
内面に均一かつ広面積の膜を形成することかできる。
してスパッタ粒子を生成させ、これを基板上に堆積して
成膜する装置が知られている。そして、筒状の被加工物
の内面への成膜技術としては、例えば特開昭61−17
0567号が知られている。この従来装置では、筒状の
被加工物の内部にターゲットが配設され、このターゲッ
トに筒の軸方向からイオンビームが照射される。このと
き、筒状の被加工物を軸方向に移動可能で、かつこの軸
を中心に回転可能であるようにする。これにより、筒の
内面に均一かつ広面積の膜を形成することかできる。
しかし、上記の従来装置においては、タープ・ソトの寿
命か著しく短くなる欠点があった。すなわち、ビームは
ターゲットの回転中心にのみ照射されるので、この部分
でターゲツト材が速く消費される。
命か著しく短くなる欠点があった。すなわち、ビームは
ターゲットの回転中心にのみ照射されるので、この部分
でターゲツト材が速く消費される。
特に、レーザビームを用いるようにしたときには、寿命
の低下は更に著しいと考えられる。すなわち、ターゲッ
トに照射されるレーザ光は、高い光子エネルギーを持っ
た例えばエキシマレーザ光とする必要かあるが、かかる
レーザ光は放出エネルギー密度か本来的に小さい。そこ
で、エネルギー密度を高めるために、ターゲットに照射
されるレーザ光のビーム径を小さく絞ることとなる。す
ると、レーザビームはターゲットの回転中心の極く狭い
領域にのみ照射されるので、この部分てターゲット材料
か速く消失し、結果としてタープ、。
の低下は更に著しいと考えられる。すなわち、ターゲッ
トに照射されるレーザ光は、高い光子エネルギーを持っ
た例えばエキシマレーザ光とする必要かあるが、かかる
レーザ光は放出エネルギー密度か本来的に小さい。そこ
で、エネルギー密度を高めるために、ターゲットに照射
されるレーザ光のビーム径を小さく絞ることとなる。す
ると、レーザビームはターゲットの回転中心の極く狭い
領域にのみ照射されるので、この部分てターゲット材料
か速く消失し、結果としてタープ、。
ト自体の寿命か短くなってしまう。
そこで、本発明は、ターゲットの寿命を長くすることか
可能な成膜装置を提供することを目的とする。
可能な成膜装置を提供することを目的とする。
本開明は、レーザ光またはイオンのビームをターゲット
に照射してスパッタ粒子を放出させ、基板ホルダに保持
された基板の被加工面にスパッタ粒子を堆積させて成膜
する成膜装置において、基板は被加工面か所定の円筒の
内面となるように基板ホルダに保持され、ターゲットは
所定の円筒の内側に配設されて当該所定の円筒の中心軸
と平行な回転軸を中心に回転させられ、ビームはターゲ
ットの回転軸に平行であって所定距離偏位した軸に沿っ
てターゲットに入射されることを特徴とする。
に照射してスパッタ粒子を放出させ、基板ホルダに保持
された基板の被加工面にスパッタ粒子を堆積させて成膜
する成膜装置において、基板は被加工面か所定の円筒の
内面となるように基板ホルダに保持され、ターゲットは
所定の円筒の内側に配設されて当該所定の円筒の中心軸
と平行な回転軸を中心に回転させられ、ビームはターゲ
ットの回転軸に平行であって所定距離偏位した軸に沿っ
てターゲットに入射されることを特徴とする。
また、タープと基板ホルダは、ビームの軸方向に相対移
動されるようにしてもよい。
動されるようにしてもよい。
本発明によれば、ターゲットはビームの光軸と異なる軸
を中心に回転されるので、ビームがターゲットの一点の
みを照射することはなくなる。
を中心に回転されるので、ビームがターゲットの一点の
みを照射することはなくなる。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は第1実施例に係る成膜装置の要部を、一部所面
にて示した側面図である。図示の通り、円筒状の基板ホ
ルダ1の内部には、中心から僅かに偏位した位置に円板
状のターゲット2が配設され、このターゲット2は基板
ホルダ1の軸方向に延びる回転軸3の先端に固設されて
いる。回転軸3の他端は回転機構4に連結され、回転機
構4は水平移動機構5に固定されている。また、図示は
してないが、基板ホルダ1の内面11には、成膜するた
めの基板が取り付けられている。
にて示した側面図である。図示の通り、円筒状の基板ホ
ルダ1の内部には、中心から僅かに偏位した位置に円板
状のターゲット2が配設され、このターゲット2は基板
ホルダ1の軸方向に延びる回転軸3の先端に固設されて
いる。回転軸3の他端は回転機構4に連結され、回転機
構4は水平移動機構5に固定されている。また、図示は
してないが、基板ホルダ1の内面11には、成膜するた
めの基板が取り付けられている。
図示の成膜装置において、基板ホルダ1の左側開口の中
心位置から、その軸に沿ってレーザビームLBを入射す
ると、レーザビームLBはターゲット2に斜め方向から
照射されてスパッタ粒子が放出される。このとき、回転
機構4によって回転軸3を介してターゲット2を回転さ
せ、かつ水平移動機構5によって矢印A方向にスライド
させると、ドツトで示す領域Bにおいて均一な分布の膜
が形成される。この実施例では、ターゲット2は点状丁
はなく、リング状に消費されるので、レーザビームLB
のビーム径を小さく絞っても、十分に寿命を長くてきる
。ここで、レーザビームLBとしては、エキシマレーザ
装置からのレーザ光や、YAGレーザ装置からのレーザ
光の高調波などを用い得る。
心位置から、その軸に沿ってレーザビームLBを入射す
ると、レーザビームLBはターゲット2に斜め方向から
照射されてスパッタ粒子が放出される。このとき、回転
機構4によって回転軸3を介してターゲット2を回転さ
せ、かつ水平移動機構5によって矢印A方向にスライド
させると、ドツトで示す領域Bにおいて均一な分布の膜
が形成される。この実施例では、ターゲット2は点状丁
はなく、リング状に消費されるので、レーザビームLB
のビーム径を小さく絞っても、十分に寿命を長くてきる
。ここで、レーザビームLBとしては、エキシマレーザ
装置からのレーザ光や、YAGレーザ装置からのレーザ
光の高調波などを用い得る。
第2図は第°2実施例を示している。これが第1実施例
と異なる点は、ターゲット2が平板状ではなく、円錐形
状のブロックとなっていることである。この場合にも、
ターゲット2はリング状に消費されるので、寿命が大幅
に向上する。また、本実施例においては、均一な膜を形
成できる領域Bが、レーザビームLBの光軸を法線とす
る平面内に現れることになる。
と異なる点は、ターゲット2が平板状ではなく、円錐形
状のブロックとなっていることである。この場合にも、
ターゲット2はリング状に消費されるので、寿命が大幅
に向上する。また、本実施例においては、均一な膜を形
成できる領域Bが、レーザビームLBの光軸を法線とす
る平面内に現れることになる。
第3図は第3実施例を示している。これが第1実施例と
異なる点は、レーザビームLBはターゲット2の回転周
波数と異なる周波数で、スキャンさせていることである
。このようにすると、夕一ゲット2はリング状(線状)
ではなく、円形の面状に消費されるので、寿命は更に向
上する。また、均一に膜形成される領域Bは、さらに大
面積となる。
異なる点は、レーザビームLBはターゲット2の回転周
波数と異なる周波数で、スキャンさせていることである
。このようにすると、夕一ゲット2はリング状(線状)
ではなく、円形の面状に消費されるので、寿命は更に向
上する。また、均一に膜形成される領域Bは、さらに大
面積となる。
第4図は第4実施例を示している。これが第3実施例と
異なる点は、レーザビームLBをスキャンさせる代りに
、ターゲット2を2軸で回転させていることである。す
なわち、回転機構4を回転軸6によって水平移動機構5
に取り付ける。ここで、水平移動機構5には別の回転機
構を内蔵させる。そして、回転軸3と回転軸6の回転周
波数を異なるようにすると、ターゲット2は回転軸6の
まわりに公転しながら、回転軸3のまわりに自転するこ
とになる。これによっても、ターゲット2は面で消費さ
れるので、寿命の大幅な向上が可能になる。また、均一
な膜分布となる領域Bを大面積にできる。
異なる点は、レーザビームLBをスキャンさせる代りに
、ターゲット2を2軸で回転させていることである。す
なわち、回転機構4を回転軸6によって水平移動機構5
に取り付ける。ここで、水平移動機構5には別の回転機
構を内蔵させる。そして、回転軸3と回転軸6の回転周
波数を異なるようにすると、ターゲット2は回転軸6の
まわりに公転しながら、回転軸3のまわりに自転するこ
とになる。これによっても、ターゲット2は面で消費さ
れるので、寿命の大幅な向上が可能になる。また、均一
な膜分布となる領域Bを大面積にできる。
本発明は、レーザビームを用いた場合のみならず、イオ
ンビームを用いる場合にも適用できる、もつとも、レー
ザビームは特にビーム径を小さく絞ることが必要なので
、イオンビームの場合に比べて、より本発明の効果か多
いことは言うまでもないdまた、実施例では円筒状の基
板ホルダの内面に基板を設けるようにしたが、基板ホル
ダと同形状の円筒状基板を用い、この内面に成膜するこ
ともできる。
ンビームを用いる場合にも適用できる、もつとも、レー
ザビームは特にビーム径を小さく絞ることが必要なので
、イオンビームの場合に比べて、より本発明の効果か多
いことは言うまでもないdまた、実施例では円筒状の基
板ホルダの内面に基板を設けるようにしたが、基板ホル
ダと同形状の円筒状基板を用い、この内面に成膜するこ
ともできる。
以上、詳細に説明した通り本発明では、ターゲットはビ
ームの光軸と異なる軸を中心に回転されるので、ビーム
がターゲットの一点のみを照射することはなくなる。こ
のため、ターゲットは点状ではなく、線状あるいは面状
に消費されるので、寿命の大幅な向上が可能になる。
ームの光軸と異なる軸を中心に回転されるので、ビーム
がターゲットの一点のみを照射することはなくなる。こ
のため、ターゲットは点状ではなく、線状あるいは面状
に消費されるので、寿命の大幅な向上が可能になる。
第1図は本発明の第1実施例に係る成膜装置の一部を断
面で示した側面図、第2図は本発明の第2実施例に係る
成膜装置の一部を断面で示した側面図、第3図は本発明
の第3実施例に係る成膜装置の一部を断面で示した側面
図、第4図は本発明の第4実施例に係る成膜装置の一部
を断面で示した側面図である。 1・・・基板ホルダ、2・・・ターゲット、3・・・回
転軸、4・・・回転機構、5・・・水平移動機構。
面で示した側面図、第2図は本発明の第2実施例に係る
成膜装置の一部を断面で示した側面図、第3図は本発明
の第3実施例に係る成膜装置の一部を断面で示した側面
図、第4図は本発明の第4実施例に係る成膜装置の一部
を断面で示した側面図である。 1・・・基板ホルダ、2・・・ターゲット、3・・・回
転軸、4・・・回転機構、5・・・水平移動機構。
Claims (2)
- 1.レーザ光またはイオンのビームをターゲットに照射
してスパッタ粒子を放出させ、基板ホルダに保持された
基板の被加工面に前記スパッタ粒子を堆積させて成膜す
る成膜装置において、前記基板は前記被加工面が所定の
円筒の内面となるように前記基板ホルダに保持され、 前記ターゲットは前記所定の円筒の内側に配設されて当
該所定の円筒の中心軸と平行な回転軸を中心に回転させ
られ、 前記ビームは前記ターゲットの回転軸に平行であって所
定距離偏位した軸に沿って前記ターゲットに入射される
ことを特徴とする成膜装置。 - 2.前記ターゲと前記基板ホルダは、前記ビームの軸方
向に相対移動される請求項1記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28939990A JP2905589B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28939990A JP2905589B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04165070A true JPH04165070A (ja) | 1992-06-10 |
JP2905589B2 JP2905589B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=17742727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28939990A Expired - Fee Related JP2905589B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2905589B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190036377A (ko) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 한국원자력연구원 | 튜브 내면 코팅 방법 및 튜브 내면 코팅 장치 |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP28939990A patent/JP2905589B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190036377A (ko) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 한국원자력연구원 | 튜브 내면 코팅 방법 및 튜브 내면 코팅 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2905589B2 (ja) | 1999-06-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |