JPH04164873A - 低抵抗性SiC多孔体 - Google Patents
低抵抗性SiC多孔体Info
- Publication number
- JPH04164873A JPH04164873A JP29106290A JP29106290A JPH04164873A JP H04164873 A JPH04164873 A JP H04164873A JP 29106290 A JP29106290 A JP 29106290A JP 29106290 A JP29106290 A JP 29106290A JP H04164873 A JPH04164873 A JP H04164873A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- slurry
- foam
- temperature
- porous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 17
- 239000006260 foam Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、炭化珪素(SiC)のポーラス組織で構成さ
れ、通電発熱が可能で通過時の圧力損失が小さい特性の
低抵抗性SiC多孔体に関する。
れ、通電発熱が可能で通過時の圧力損失が小さい特性の
低抵抗性SiC多孔体に関する。
近時、各種ガスや液体などの流体加熱、内燃機関の排気
ガス処理等をおこなうフィルタ一部材として、優れた耐
熱性、耐酸化性、耐食性および高温強度を有しながら自
己発熱性をもつセラミックス質の多孔体が注目されてい
る。この目的に合致するセラミックス材としてはSiC
,Mo5iz、ZrO□、LaCrOs等が挙げられる
が、このうち耐熱衝撃性、熱伝導性などの特性面および
価格面などからSiCが最も好適である。
ガス処理等をおこなうフィルタ一部材として、優れた耐
熱性、耐酸化性、耐食性および高温強度を有しながら自
己発熱性をもつセラミックス質の多孔体が注目されてい
る。この目的に合致するセラミックス材としてはSiC
,Mo5iz、ZrO□、LaCrOs等が挙げられる
が、このうち耐熱衝撃性、熱伝導性などの特性面および
価格面などからSiCが最も好適である。
通常、この種のセラミックス多孔体は、三次元網目状の
有機質発泡体にセラミックス粉末を懸濁させたスラリー
を含浸し、そのまま高温焼結する方法によって製造する
ことができ(特公昭5mm−1445公報、特開昭5m
m−70207号公報、特公昭60−17563号公報
)、このようなプロセスから得られる気孔率30〜60
%の炭化珪素焼結体に耐熱性電極を取り付けた構造の自
己発熱清浄フィルタが既に提案(特公平2−30287
号公報)されている。
有機質発泡体にセラミックス粉末を懸濁させたスラリー
を含浸し、そのまま高温焼結する方法によって製造する
ことができ(特公昭5mm−1445公報、特開昭5m
m−70207号公報、特公昭60−17563号公報
)、このようなプロセスから得られる気孔率30〜60
%の炭化珪素焼結体に耐熱性電極を取り付けた構造の自
己発熱清浄フィルタが既に提案(特公平2−30287
号公報)されている。
しかしながら、前記したSiCによる自己発熱清浄フィ
ルタは、気孔率が30〜60%と低い関係で相対的に圧
力損失が大きくなり、雛過機能面で実用性を阻害する欠
点がある。また、発熱体として利用を図る場合には、通
電俊速やかに所定の温度まで昇温すること、SiCは通
常700 ”C位まで抵抗値が減少するが、常温時の1
/10にまで低下していまうと電流が流れ過ぎて温度制
御が困難となるため172〜】/3程度に留めること、
等が重要な具備項目となるが、この点でも要求性能を満
足しない問題点がある。
ルタは、気孔率が30〜60%と低い関係で相対的に圧
力損失が大きくなり、雛過機能面で実用性を阻害する欠
点がある。また、発熱体として利用を図る場合には、通
電俊速やかに所定の温度まで昇温すること、SiCは通
常700 ”C位まで抵抗値が減少するが、常温時の1
/10にまで低下していまうと電流が流れ過ぎて温度制
御が困難となるため172〜】/3程度に留めること、
等が重要な具備項目となるが、この点でも要求性能を満
足しない問題点がある。
本発明の目的は、気孔率が高くて圧力損失が小さく、か
つ固有抵抗値が低位にあって常温時と高温時の抵抗格差
が小さい特性を備える低抵抗性SiC多孔体を提供する
ことにある。
つ固有抵抗値が低位にあって常温時と高温時の抵抗格差
が小さい特性を備える低抵抗性SiC多孔体を提供する
ことにある。
上記の目的を達成するための本発明による低抵抗性Si
C多孔体は、気孔径0.5〜5mm、気孔率80〜95
%であり、固有抵抗値が常温時に1〜3Ωcm、500
℃昇温時に0.3〜1.5ΩcIlの特性を備えること
を構成上の特徴とする。
C多孔体は、気孔径0.5〜5mm、気孔率80〜95
%であり、固有抵抗値が常温時に1〜3Ωcm、500
℃昇温時に0.3〜1.5ΩcIlの特性を備えること
を構成上の特徴とする。
気孔径を0.5〜5+*m、気孔率を80〜95%に設
定するのは実用的な材質強度を維持しながら組織に十分
低位の圧力損失を付与するための要件で、該範囲を下田
る多孔組織では通気性が十分でないため圧力損失が実用
域まで低下せず、他方、前記範囲の上限を越える過多孔
組織になると材質強度が極端に低下してフィルタ一部材
としての使用が不可能となる。固有抵抗値が常温時にお
いて1〜3Ωcmであり、500℃昇温時に0.3〜1
゜5ΩC−に限定するのは、通電時に所定の温度まで急
速に発熱昇温させ、かつ昇温後における一定温度の調整
を容易化するための要件であり、前記固有抵抗値の範囲
を外れる場合にはこれら発熱体としての実用機能が減退
する。
定するのは実用的な材質強度を維持しながら組織に十分
低位の圧力損失を付与するための要件で、該範囲を下田
る多孔組織では通気性が十分でないため圧力損失が実用
域まで低下せず、他方、前記範囲の上限を越える過多孔
組織になると材質強度が極端に低下してフィルタ一部材
としての使用が不可能となる。固有抵抗値が常温時にお
いて1〜3Ωcmであり、500℃昇温時に0.3〜1
゜5ΩC−に限定するのは、通電時に所定の温度まで急
速に発熱昇温させ、かつ昇温後における一定温度の調整
を容易化するための要件であり、前記固有抵抗値の範囲
を外れる場合にはこれら発熱体としての実用機能が減退
する。
より好ましい本発明による低抵抗SiC多孔体の具備特
性は、上記の要件に加え少なくとも】Okg/cm’の
圧縮強度を有し、また気孔径0.5mm時にlθ〜50
−^q1気孔径5mm時に0.5〜2mIIAqの圧力
損失を満足することである。
性は、上記の要件に加え少なくとも】Okg/cm’の
圧縮強度を有し、また気孔径0.5mm時にlθ〜50
−^q1気孔径5mm時に0.5〜2mIIAqの圧力
損失を満足することである。
なお、本発明に用いる圧縮強度は、301立方体をI
Oam/+sin、の速度で圧縮破壊させた際の最高荷
重を断面積(9cm+2)で除した値で示し、圧力損失
は日本空気洗浄協会指定(JACA No、IO)の第
2試験方法に準し、試片厚み10mm、風速1 m/s
ec、の条件により室温で測定した値を指すものとする
。
Oam/+sin、の速度で圧縮破壊させた際の最高荷
重を断面積(9cm+2)で除した値で示し、圧力損失
は日本空気洗浄協会指定(JACA No、IO)の第
2試験方法に準し、試片厚み10mm、風速1 m/s
ec、の条件により室温で測定した値を指すものとする
。
上記の選択具備特性を有する低抵抗性SiC多孔体は、
基本プロセスが、有i’i多孔発泡体にSiCスラリー
を含浸し、余剰スラリーを除去したのち乾燥、仮焼成(
400〜500’C)する第】工程と、仮焼成体にSi
Cスラリーを再含浸し、余剰スラリーを除去したのち乾
燥、焼成(1000℃以上)する第2工程からなる方法
を用いて製造することができる。この際、第1工程で使
用する有m質多孔発泡体として、気孔率97%程度、平
均気孔径が0.5〜5mmの範囲にあるものを選定し、
スラリーを構成するSiC原料粉末に、粒度が100μ
−以下であって、Ae、Fe等の金属不純物が少ない緑
色SiCを適用すること、また、第2工程における焼成
を、窒素雰囲気下で2000℃以上の温度に30分程度
保持する条件を用いておこなうことにより、本発明の特
性範囲を満たす低抵抗性SiC多孔体が得られる。
基本プロセスが、有i’i多孔発泡体にSiCスラリー
を含浸し、余剰スラリーを除去したのち乾燥、仮焼成(
400〜500’C)する第】工程と、仮焼成体にSi
Cスラリーを再含浸し、余剰スラリーを除去したのち乾
燥、焼成(1000℃以上)する第2工程からなる方法
を用いて製造することができる。この際、第1工程で使
用する有m質多孔発泡体として、気孔率97%程度、平
均気孔径が0.5〜5mmの範囲にあるものを選定し、
スラリーを構成するSiC原料粉末に、粒度が100μ
−以下であって、Ae、Fe等の金属不純物が少ない緑
色SiCを適用すること、また、第2工程における焼成
を、窒素雰囲気下で2000℃以上の温度に30分程度
保持する条件を用いておこなうことにより、本発明の特
性範囲を満たす低抵抗性SiC多孔体が得られる。
本発明に係る低抵抗性SiC多孔体は、気孔径0.5〜
5sn、気孔率80〜95 %(7)多孔&lIwiを
備えており、該特性を有する場合には概ね圧縮強度が1
0〜30 kg/am”で、圧力損失が気孔径0゜5m
−時に10〜50+a−^q、気孔径5mm時に0.5
〜’l tsAqの範囲に入るフィルタ一部材としての
実用性能が付与される。併せて、固有抵抗値が常温時に
1〜3Ωcmを示す低抵抗特性が通電した場合における
急速な昇温発熱化を促し、また昇温時において前記常温
時に比べ1/2〜l/3程度の小さな格差範囲にある5
00℃時の固有抵抗値0.3〜1.5ΩC−の電気的特
性が一定温度に調整する際のオーバーシュートを防止し
、温度制御の容易化に機能する。
5sn、気孔率80〜95 %(7)多孔&lIwiを
備えており、該特性を有する場合には概ね圧縮強度が1
0〜30 kg/am”で、圧力損失が気孔径0゜5m
−時に10〜50+a−^q、気孔径5mm時に0.5
〜’l tsAqの範囲に入るフィルタ一部材としての
実用性能が付与される。併せて、固有抵抗値が常温時に
1〜3Ωcmを示す低抵抗特性が通電した場合における
急速な昇温発熱化を促し、また昇温時において前記常温
時に比べ1/2〜l/3程度の小さな格差範囲にある5
00℃時の固有抵抗値0.3〜1.5ΩC−の電気的特
性が一定温度に調整する際のオーバーシュートを防止し
、温度制御の容易化に機能する。
このようなm構がSiC本来の材質的特性と相、俟って
、フィルターならびに発熱体としての要求性能を全面的
に満足させることが可能となる。
、フィルターならびに発熱体としての要求性能を全面的
に満足させることが可能となる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例1
高純度の緑色SiC粉末〔太平洋ランダム■製“NG”
〕を325メツシュの篩で分級して得た粒度44μ−以
下のSiC微粉末を水に分散し、粘度50ボイズのスラ
リーを作製した。このSiCスラリーに縦横15(la
+m、厚さ50111Nのポリウレタンフォーム〔ブリ
ジストン■製、°′エバーライトスコツトHR−13”
]を浸漬して引き上げ、余剰のスラリーを遠心分離によ
り除去したのち、100℃の温度で乾燥した。乾燥後の
成形体を、大気中、400”Cの温度で仮焼成したポリ
ウレタン成分を分解揮散させて消去した。
〕を325メツシュの篩で分級して得た粒度44μ−以
下のSiC微粉末を水に分散し、粘度50ボイズのスラ
リーを作製した。このSiCスラリーに縦横15(la
+m、厚さ50111Nのポリウレタンフォーム〔ブリ
ジストン■製、°′エバーライトスコツトHR−13”
]を浸漬して引き上げ、余剰のスラリーを遠心分離によ
り除去したのち、100℃の温度で乾燥した。乾燥後の
成形体を、大気中、400”Cの温度で仮焼成したポリ
ウレタン成分を分解揮散させて消去した。
ついで、上記のSiCスラリーに水を加えて粘度10ポ
イズに調整したスラリーをオートクレーブに移し、仮焼
成した成形体を再度浸漬したのち系内を真空引きしなが
ら20分間含浸処理した。
イズに調整したスラリーをオートクレーブに移し、仮焼
成した成形体を再度浸漬したのち系内を真空引きしなが
ら20分間含浸処理した。
余剰のスラリーを遠心分離で除去し、100℃で乾燥し
た。
た。
引き続き、成形体をタンマン炉に入れ、炉内に窒素ガス
を流しながら2100’Cの温度で焼成した。
を流しながら2100’Cの温度で焼成した。
得られた焼結成形体の各種特性を測定した結果、平均気
孔径2■鵬、気孔率88%、常温の固有抵抗値2.5Ω
cll、圧縮強度18 kg/c@z、圧力損失IQ
mmAqの値を示し、実用性のある低抵抗性SiC多孔
体であることが認められた。
孔径2■鵬、気孔率88%、常温の固有抵抗値2.5Ω
cll、圧縮強度18 kg/c@z、圧力損失IQ
mmAqの値を示し、実用性のある低抵抗性SiC多孔
体であることが認められた。
この焼結成形体から縦701、横90m#、厚さ15m
mの試片を切り出し、縦方向の端面に金属溶射して電極
を固定した。!極間に20ν、9.3Aを通電したとこ
ろ、約2分間で500℃まで急速昇温し、この際の固有
抵抗値は1. 0QC−であった。この固有抵抗値は常
温時に比べ1/2.5に当たり、温度調整が容易にでき
ることが確認された。
mの試片を切り出し、縦方向の端面に金属溶射して電極
を固定した。!極間に20ν、9.3Aを通電したとこ
ろ、約2分間で500℃まで急速昇温し、この際の固有
抵抗値は1. 0QC−であった。この固有抵抗値は常
温時に比べ1/2.5に当たり、温度調整が容易にでき
ることが確認された。
実施例2
実施例1における製造プロセスの条件を変えて特性の異
なるSiC多孔体を作製した。
なるSiC多孔体を作製した。
得られた各焼結成形体の特性を測定し、その結果を表1
に示した。RunNo1.2および4は本発明の特性要
件の範囲を外れるものである。
に示した。RunNo1.2および4は本発明の特性要
件の範囲を外れるものである。
表1
表1の結果から、RunNo1は気孔率が低いため圧力
損失が大きく、実用上問題がある。 Run No2は
圧力損失は小さいが、固有抵抗が相対的に高いうえに常
温時と昇温時に格差があるため、昇温速度が遅く温度制
御n性に問題がある。RunNo4は気孔率が高過ぎる
ため、圧縮強度が極端に低下して実用にならない。
損失が大きく、実用上問題がある。 Run No2は
圧力損失は小さいが、固有抵抗が相対的に高いうえに常
温時と昇温時に格差があるため、昇温速度が遅く温度制
御n性に問題がある。RunNo4は気孔率が高過ぎる
ため、圧縮強度が極端に低下して実用にならない。
以上のとおり、本発明により提供される低抵抗性SiC
多孔体は、SiCの多孔&III織で構成され、通電発
熱性に優れ、圧力損失の小さな性能を兼備している。し
たがって、ディーゼルエンジンの排ガス処理をはじめ各
種流体の加熱フィルタ一部材として極めて有用である。
多孔体は、SiCの多孔&III織で構成され、通電発
熱性に優れ、圧力損失の小さな性能を兼備している。し
たがって、ディーゼルエンジンの排ガス処理をはじめ各
種流体の加熱フィルタ一部材として極めて有用である。
出願人 東海カーボン株式会社
代理人 弁理士 高 畑 正 也
Claims (1)
- 1. 気孔径0.5〜5mm、気孔率80〜95%であ
り、固有抵抗値が常温時に1〜3Ωcm、500℃昇温
時に0.3〜1.5Ωcmの特性を備える低抵抗性Si
C多孔体。2. 少なくとも10kg/cm^2の圧縮
強度を有し、圧力損失が気孔径0.5mm時に10〜5
0mmAq、気孔径5mm時に0.5〜2mmAqであ
る請求項1記載の低抵抗性SiC多孔体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29106290A JPH07115964B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 低抵抗性SiC多孔体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29106290A JPH07115964B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 低抵抗性SiC多孔体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04164873A true JPH04164873A (ja) | 1992-06-10 |
JPH07115964B2 JPH07115964B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=17763934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29106290A Expired - Fee Related JPH07115964B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 低抵抗性SiC多孔体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07115964B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06321653A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-22 | Pechiney Rech Group Interet Economique Regie Par Ordonnance Du 23 Septembre 1967 | ケイ素含有樹脂を含浸させたポリウレタンフォームから炭化ケイ素フォームを製造する方法 |
US6005146A (en) * | 1997-01-16 | 1999-12-21 | Eastman Chemical Company | Stabilized non-polymeric acetoacetate esters that promote adhesion to metallic and oxidized substrates |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2766389B1 (fr) * | 1997-07-25 | 1999-09-03 | Pechiney Recherche | Mousse de carbure de silicium a surface specifique elevee et a caracteristiques mecaniques ameliorees |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP29106290A patent/JPH07115964B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06321653A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-22 | Pechiney Rech Group Interet Economique Regie Par Ordonnance Du 23 Septembre 1967 | ケイ素含有樹脂を含浸させたポリウレタンフォームから炭化ケイ素フォームを製造する方法 |
US6005146A (en) * | 1997-01-16 | 1999-12-21 | Eastman Chemical Company | Stabilized non-polymeric acetoacetate esters that promote adhesion to metallic and oxidized substrates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07115964B2 (ja) | 1995-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5733352A (en) | Honeycomb structure, process for its production, its use and heating apparatus | |
Fukushima et al. | Macroporous ceramics by gelation–freezing route using gelatin | |
CN101323524B (zh) | 一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法 | |
JP5825598B2 (ja) | 金属多孔体及び金属多孔体の製造方法。 | |
CN104671826A (zh) | 一种多孔氧化铝陶瓷、制备方法及其应用 | |
JP3124274B1 (ja) | 複合気孔構造を有するセラミックス多孔体の製造方法 | |
ATE281003T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer elektrode mit temperaturbeständiger leitfähigkeit | |
CN106565272B (zh) | 一种碳化硅陶瓷泡沫的制备方法 | |
CN101747078B (zh) | 纳米碳化硅助剂烧结高纯碳化硅蜂窝陶瓷体的制造方法 | |
JPH04164873A (ja) | 低抵抗性SiC多孔体 | |
JPH0431372A (ja) | ハニカム構造のセラミックス焼結体の製造方法 | |
JP3642836B2 (ja) | 炭化珪素ハニカム構造体及びその製造方法 | |
JPH04305076A (ja) | コージェライト質ハニカム構造体の製造法 | |
JP4465435B2 (ja) | セラミックフィルター及びその製造方法 | |
JP5208900B2 (ja) | ディーゼルパティキュレートフィルタ用の導電性炭化珪素質多孔体の製造方法 | |
JP2007021409A (ja) | ディーゼルパティキュレートフィルターの製造方法 | |
JP2003040688A (ja) | 軽量セラミック焼結体 | |
JPH0437646A (ja) | ジルコニア系セラミックス膜の製造方法及びその焼成方法並びにそれによって製造されたジルコニア系導電性セラミックス及びそれを利用した固体電解質燃料電池 | |
JPH07328360A (ja) | 多孔質炭化珪素ヒータ | |
JP4988252B2 (ja) | 炭化金属焼結体の製造方法 | |
JP2783969B2 (ja) | ジルコニア質耐火物 | |
JP3689408B2 (ja) | 炭化珪素質ハニカム構造体とそれを用いたセラミックフィルター | |
JP2728457B2 (ja) | 導電性炭化ケイ素焼結多孔体の製造方法 | |
JP2005336539A (ja) | 多孔質焼結体及びその製造方法 | |
JPH0692736A (ja) | 炭化珪素焼結体の電気抵抗制御法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |