JPH04164070A - 4―キノロン誘導体の製造法 - Google Patents

4―キノロン誘導体の製造法

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JPH04164070A
JPH04164070A JP2289600A JP28960090A JPH04164070A JP H04164070 A JPH04164070 A JP H04164070A JP 2289600 A JP2289600 A JP 2289600A JP 28960090 A JP28960090 A JP 28960090A JP H04164070 A JPH04164070 A JP H04164070A
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滋 鳥居
Hiroshi Okumoto
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  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、4−キノロン誘導体の新しい製造方法に関す
る。
従来の技術 下記一般式(■)で表される4−キノロン誘導体は、従
来より種々の抗菌剤を合成するための重要中間体として
知られている有用な化合物である。
RIO IH L式中、R1及びR2は、同−又は異なって、水素原子
、低級アルキル基、低級アルケニル基、シクロアルキル
基、水酸基、保護された水酸基、ニトロ基、ハロゲン原
子、シアノ基、アミノ基、エステル基、エステル基の置
換した低級アルキル基、炭素数1〜4個の直鎖もしくは
分枝鎖状アルキル基が1〜2個置換した低級アルキルア
ミノ基、低級アルコキシ基又は置換基を有することのあ
る5員もしくは6員環の含窒素複素環基を示し、各R1
は相互に異なっていてもよい。] 4−キノロン誘導体の製造法としては、従来次のような
方法が知られている。
(1)3−アリールアミノメチリデンマロン酸エステル
類を、高温により熱閉環させる方法[例えばJ、 He
1erocycl ic Chem、 、 21.18
57 (1984)参照]。
(2)3−(2−ハロアリール)−3−ケト−2−アミ
ノメチリデンプロピオン酸エステル類の分子内置換反応
を用いる環形成による方法[例えばJ、 Med、 C
hem、 、 28.1551j(1985)参照コ。
しかしながら、上記(1)の方法では、一般に200℃
以上の高温を要し、熱的に不安定な官能基を有する化合
物には適用されない。他の方法では、高価な試薬を化学
量論量使用する必要があり、工業的に実施するには問題
がある。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、上記従来法のごとき難点がなく、安全
かつ簡便な操作で、かつ工業的に有利な方法で、しかも
高収率、高純度で一般式(m)で表されるキノロンカル
ボン酸誘導体を製造し得る方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明者らは、上記従来法の問題点を解決すべく、鋭意
検討を重ねた結果、パラジウム触媒を用いるカルボニル
化法が本発明の目的に適した優れた製造法になり得るこ
とを見い出した。
即ち、本発明によれば、一般式(ffl)で表される4
−キノロン誘導体は、一般式(I)で表されるアニリン
誘導体をカルボニル化することにより、簡便な操作で、
しかも高収率かつ高純度で製造され得る。
本明細書において、低級アルキル基としては、メチル基
、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、三
級−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を例示で
きる。シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
等を例示できる。水酸基の保護基としては、プロテクテ
ィブグルーブ イン オーガニック シンセシス(Pr
ojective Groups in Organi
c 5ynthesis。
Theodora W、Greene著、以下単に文献
という)の第2章(第10〜72頁)に記載されている
各種の基を例示できる。ハロゲン原子としては、弗素原
子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等を例示できる。炭
素数1〜4個の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基が1〜
2個置換した低級アルキルアミノ基としては、メチルア
ミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピル
アミノ基、ジプロピルアミノ基、三級−ブチルアミノ基
、ジー三級−ブチルアミノ基、三級−ブチルエチルアミ
ノ基等を例示できる。5員もしくは6員環の含窒素複素
環基としては、 等の基本性格を有し、環窒素原子又は環炭素原子上で結
合している基を例示できる。上記含窒素複素環基におけ
る置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、低級アルコ
キシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基
、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、三
級−ブトキシ基等)、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、
炭素数1〜4個の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基が1
〜2個置換した低級アルキルアミノ基(具体的にはメチ
ルアミノ、エチルアミノ、ジエチルアミノ、プロピルア
ミノ、ジプロピルアミノ、三級−ブチルアミノ、ジー三
級−ブチルアミノ、三級−ブチルエチルアミノ基等)、
炭素数1〜4個の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基が1
〜3個置換した低級アルキルアンモニウム塩゛(具体的
には、トリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニウ
ム、メチルジエチルアンモニウム、トリイソブチルアン
モニウム、トリー三級−ブチルアンモニウム等)、アシ
ル基(具体的には、ホルミル、アセチル、プロピオニル
、ブチリル、イソブチリル、ピバロイル、ベンゾイル、
パラ−メチルベンゾイル、パラ−メトキシベンゾイル、
パラ−クロロベンゾイル、パラ−ニトロベンゾイル基等
)、アシルオキシ基(具体的には、ホルミルオキシ、ア
セチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、
イソブチリルオキシ、ピバロイルオキシ、ベンゾイルオ
キシ、パラ−メチルベンゾイルオキシ、パラ−メトキシ
ベンゾイルオキシ、パラ−クロロベンゾイルオキシ、パ
ラ−ニトロベンゾイルオキシ基等)を例示できる。これ
らの置換基は、上記複素環上に1〜5個置換していても
よい。
本発明においては、上記一般式(I)で表されるアニリ
ン誘導体を上記一般式(II)で表されるアセチレン誘
導体の存在下、パラジウム触媒、−酸化炭素を用いてカ
ルボニル化する。
本発明で用いられるパラジウム触媒としては、特に限定
されるものではなく、2価でも0価でもよく単体でも錯
体の形でも用いられる。これらのパラジウム触媒は、塩
の形でもよく、また適当な配位子と組み合わせても用い
られる。塩としては、塩素化物、臭素化物、沃素化物、
酢酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、アセチルアセトン塩又は
それらのホスフィン錯体を例示できる。0価錯体として
は、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ビ
ス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム、トリス(ジ
ベンジリデンアセトン)シバラジウム、ビス(ジベンジ
リデンアセトン)パラジウムクロロホルム、トリス(ジ
ベンジリデンアセトン)シバラジウムクロロホルム、ト
リス(トリベンジリデンアセチルアセトン)シバラジウ
ム、トリス(トリベンジリデンアセチルアセトン)シバ
ラジウムクロロホルム等が例示できる。本発明において
パラジウム触媒の量は、特に限定されるものではなく、
0.001〜50モル%の範囲内で適宜用いられるが、
好ましくは、0.1〜10モル%の範囲で用いるのがよ
い。2価錯体、0価錯体と共に用いられる配位子として
は、通常のトリフエニルホスフィン、トリ (〇−トリ
ル)ホスフィン、トリ (p−トリル)ホスフィン、ト
リ (p−メトキシフェニル)ホスフィン等の1速記位
子、1゜2−ビス−ジフェニルホスフィノエタン、1,
3−ビス−ジフェニルホスフィノプロパン、1.4−ビ
ス−ジフェニルホスフィノブタン、ジフェニルホスフィ
ノフェロセン等の2速記位子等のホスフィン類、トリメ
チルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリイソ
プロピルホスファイト、トリフェニルホスファイト等の
ホスファイト配位子が例示できる。配位子の口は、触媒
を安定化させる量でよく、通常触媒に対して、1等量か
ら10等量用いられる。また、触媒は、担持させたもの
でもよく、水素添加触媒としてよく知られている5%−
パラジウム/炭素、10%−パラジウム/炭素等も用い
られる。また、該反応は塩基を存在させると反応が速や
かに進行する。塩基としては、エチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基、炭
酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩、酢酸カリウム
、酢酸ナトリウム等の酢酸塩が用いられる。斯かる塩基
の量は、系中で生成する酸を中和すればよく、1等量か
ら5等量の範囲で用いられる。溶媒は、必ずしも必要で
はないが、攪拌効率の面からは、適当量用いたほうがよ
い。溶媒の使用量は、特に限定されるものではなく、反
応条件等において適宜決定される。溶媒としては、原料
のエナミン誘導体を溶解するものが好ましい。斯かる溶
媒の具体例としては、テトラハイドロフラン、ジメチル
ホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド
、ベンゼン、トルエン等や、これらの混合溶媒を例示で
きる。該反応は、−酸化炭素雰囲気下で行なわれるが、
その圧力は、1〜200kg/cJの範囲で行なわれ、
特に好ましくは、1〜70kg/C♂で実施される。
溶媒中の反応試料の濃度は、特に限定されるものではな
いが、反応効率の面からは、濃度は高い方が好ましい。
反応温度は、通常0〜200℃の範囲で行なわれ、好ま
しくは50〜150℃の範囲とするのがよい。また反応
時間は、反応原料濃度、−酸化炭素圧、触媒濃度その他
の反応条件に応じて、適宜選択される。
発明の効果 本発明によれば、上記一般式(m)で表される4−キノ
ロン誘導体を、特別な精製操作を施すことなく、高純度
、高収率で製造し得る。
実施例 以下に実施例を掲げて、本発明を更に具体的に説明する
が、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例
によって限定されるものではない。
(Ia)       (na) (■a) 化合物(Ia)(213+++g、0.97ミリモル)
、化合物(na)(0,2z/、1.82ミリモル)及
びジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム(3
6,2n+sr、0.05ミリモル)のジエチルアミン
(3ミリリツトル)溶液を一酸化炭素加圧(20kg/
cJ)下120℃で6時間反応させる。
濃縮後、塩化メチレンを加え、水洗する。有機層は、乾
燥(硫酸ナトリウム)し、濃縮した後カラムクロマトグ
ラフィーで精製すると化合物(Ha)(193mg、9
0%)が得られる。
IR(KBr); 3460.1636,1599,1584゜1549.
1506cm” l H−NMR(メタノール−64)δppm;、6.
 58  (s、  LH) 7.40−7.82  (m、  8H)8、 29 
 (d、  J=7. 90Hz、  IH)13C−
NMR。
108.48. 119.71. 125.40125
、 75. 125. 97. 128. 55(2C
)、  130.29  (2C)。
131、 93. 133. 70. 135.46゜
141、 95. 153. 57. 180. 64
上記と同様にして得られた結果を以下の表1に示す。ま
たそれぞれのスペクトルデータをまとめて示す。
表1 (I)   (II)     (m) (%)a C
H=C−C6HI3     e (75)a CHE
C(CH2) 3−0COCH3h (66)a CH
=C(CH2) 3−COOCH3i (62)(II
 b) (■b) IR(KBr)  ; 3426、 1632. 1599. 1580゜15
43、 1504cm−’ ’  HNMR(DMSOde )  δppm;3.
84  (s、  3H) 6、 31  (br、  IH) 7、 08−7、18  (m、  2H)7.32 
 (ddd、  J=1.02,6.9B。
8、 03Hz、  IH) 7.64  (ddd、  J=1.43,6. 93
゜8.33Hz、IH) 7.68−7.83  (m、3H) 8.09 (dd、J=1.43.8.03Hz。
IH) 11.69  (br、  IH) 13C−NMR(DMSO−do ):55.49,1
06.61,114.51(2C)、118.81,1
23.24゜124.79,124.90,126.3
1゜129.01  (2C)、131.78゜140
.65,149.84,161.18゜177、 02 (IIc) (me) IR(KBr); 3444.1719.1638,1599゜1578.
1549.1512cm−’’  H−NMR(DMS
O−do )  δppm;1.34  (t、J=7
.08Hz、3H)4.35  (q、J=7.08H
z、2H)6.40  (d、J−1,46Hz、IH
)7.35  (ddd、J=1.17.6.85゜8
.03Hz、  LH) 7.68  (ddd、J=1.32,6.85゜8.
01Hz、  IH) 7.78 (brd、J=8.01Hz、LH)7.9
6−8. 14  (m、5H)11、 86  (b
r、  IH) I3C−NMR(DMSO−do )  ;14、 2
9. 61. 25. 108. 1B。
1.18. 94. 123. 62. 124.88
゜125、 08. 128. 01  (2C)。
129.73  (2C)、  131.49゜132
、 16. 138. 53. 140. 65゜14
8.88. 165. 31. 177、 11(II
d) (md) IR(KBr)  ; 3464、 1636. 1601. 1557゜15
10cm−’ ’  H−NMR(DMSO−de )  δppm;
6、 12  (s、  2H) 6、 32  (s、  IH) 7.09  (d、  J−8,05Hz、  LH)
7、 27−7.42  (m、  3H)7.62 
 (ddd、  J=1.35,6.87゜8、 30
Hz、  IH) 7.75  (d、  J−8,30Hz、  IH)
8.07  (dd、  J=1.35,8.05Hz
LH) 13C−NMR(DMSO−de )  ;101、 
84. 106. 68. 107.63゜108.7
1. 119. 11. 121.88゜123.22
. 124.66、 124.78゜128.29. 
131.69. 140.86゜147、 92. 1
49. 16. 149. 97゜176、 69 (I a) +cH=c  c61(+3(IIe、) IR(KBr); 3432.1642.1599,1547゜1502c
m−’ I H−NMR(メタノール−d4)δppm;0.8
8 (t、J=6.32Hz、3H)1.25−1.4
1  (m、6H) 1.65−1.’75 (m、2H) 2.68 (t、J−7,69Hz、2H)6.22 
 (s、IH) 7.36 (ddd、J=1.39.6.79゜8.1
8Hz、IH) 7.60 (brd、J=8.39Hz、IH)7.7
1 (ddd、J=1.60,6.79゜8.39Hz
、IH) 8.32 (dd、J=1.60,8.18Hz。
IH) 13cmNMR(メタノール−d4);12.48,2
1.68,28.02゜28.25,30.74,33
.10゜106.92,117.18,123.14゜
123.58,123.79,131.47゜1:39
.70,155.22,178.71(1°)+  C
H=CCH201つ (IIf) (mf) IR(ニーl・); 3380.1638. 1603. 1557゜151
4cm−1 1H−NMR(メタノール−d4)δppm;1、 5
1−1.83  (m、  6H)3.49−3.96
  (m、2H) 4、 52−4.76  (m、  3H)6.36 
 (s、IH) 7.3’0−7.38  (m、  IH)7、 59
−7. 64  (m、  2H)8.21  (d、
  J=8.24Hz、  IH)13C−NMR(メ
タノール−d4);18.33.24.42. 29.
 39゜61.48,64. 58.98. 17゜1
05.96. 117.42. 123. 16゜12
3.90,124.02,131.55゜139.48
. 150.46. 178.65(1°) +  C
H=C−C(CH3) 20てつ(II g) (mg) IR(KBr)  ; 3472.1630.1597,1562゜1512c
m” ’ H−NMR(CDC/3)  δppm;1.46
−1.82 (m、6)() 1.58 (s、61() 3.41−3.98 (m、2H) 4.63 (dd、J−2,54,6,50Hz。
IH) 6.26 (s、IH) 7.20−7.29  (m、IH) 7.51  (br、IH) 7.52  (br、  IH) 8.28 (d、J−8,06Hz、IH)13C−N
MR(CDC73)  ; 20.88,24.81,27.18゜27.71,3
2.0B、64.62゜77.20.95.88,10
5.97゜117.96,123.34,124.84
゜125.52,131.71,139.35゜156
.48,178.92 (I a)+CH=C−(CH2)s 0COCH3(
II h) (IIIh) IR(KBr)  ; 3320. 1734. 1647. 1601゜15
51、 1516cm’ ’  H−NMR(CDC/3)  δppm;1.8
4  (s、3H) 2、 06−2. 10  (m、  2H)2.84
  (t、J−7,81Hz、2H)4.06  (t
、  J=6.34Hz、2H)6、 26  (s、
  IH) 7.36  (dd、  J−7,08,7,79Hz
IH) 7、 58  (ddd、  J=1.46.7.08
゜8、 19Hz、  IH) 7、 77  (d、  J=7. 79Hz、  I
H)8.33  (dd、  J=1.22,8.19
Hz。
IH) 13、 09  (br、  LH) 13C−NMR(CDCA’3 )  ;20.66.
27.88,30.66゜63.13,107.96,
118.63゜123.65,124.74,124.
92゜131.86,140.70,154.22゜1
70.87. 178.70 (Ia) 十CHEC(CH2)s CQOCH3(I
Ii) (mi) IR(KBr); 3298.1729,1647,1599゜1545c
+n−’ ’ H−NMR(CDC7s ) δppm;2.06
  (m、2H) 2.32  (t、J−7,84Hz、2H)2、 7
8  (t、  J−7,75Hz、  2H)3、 
56  (s、  3H) 6、 24  (s、  IH) 7.31  (dd、  J−7,15,8,14Hz
IH) 7、 56  (ddd、  J=1.28,7. 1
5゜8、 34Hz、  IH) 7.75  (brd、  J−8,14Hz、  I
H)8.31  (dd、  J=1.28,8.34
Hz。
IH) 12、 77  (br、  IH) I3C−NMRCCDCl5 ); 24、 08. 32. 92. 33. 22゜51
、 58. 108. 18. 118. 63゜12
3、 67、 124. 78. 125. 04゜1
31.86. 140. 66、 154. 18゜1
73、 28. 178. 73 (以 上)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1は、水素原子、低級アルキル基、低級ア
    ルケニル基、シクロアルキル基、水酸基、保護された水
    酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、
    エステル基、エステル基の置換した低級アルキル基、炭
    素数1〜4個の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基が1〜
    2個置換した低級アルキルアミノ基、低級アルコキシ基
    又は置換基を有することのある5員もしくは6員環の含
    窒素複素環基を示し、各R^1は相互に異なっていても
    よい。Xはハロゲン原子を示す。] で表されるアニリン誘導体を一般式 CH=C−R^2 [式中、R^2は、水素原子、低級アルキル基、低級ア
    ルケニル基、シクロアルキル基、水酸基、保護された水
    酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、
    エステル基、エステル基の置換した低級アルキル基、炭
    素数1〜4個の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基が1〜
    2個置換した低級アルキルアミノ基、低級アルコキシ基
    又は置換基を有することのある5員もしくは6員環の含
    窒素複素環基を示す。] で表されるアセチレン誘導体の存在下パラジウム触媒を
    用いて一酸化炭素によってカルボニル化することを特徴
    とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1及びR^2は、前記に同じ。]で表され
    る4−キノロン誘導体の製造法
JP2289600A 1990-10-26 1990-10-26 4―キノロン誘導体の製造法 Expired - Fee Related JP2952706B2 (ja)

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